具体技术细节
[0004] 本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种异质结电极的制备方法，工艺简便、低成本、异质结电极质量高。
[0005] 本发明的另一个目的在于提出一种异质结电极。
[0006] 本发明的再一个目的在于提出一种异质结电池。
[0007] 根据本发明第一方面实施例的异质结电极的制备方法，包括如下步骤：S003、在沉积金属种子层后的异质结电池片的厚度方向的两侧表面涂布带有粗线图形的掩膜层A；S004、将所述掩膜层A固化；S005、向步骤S004中所述的异质结电池片的粗线图形的间隙镀金属铜层；S006、去除步骤S005中所得异质结电池片上的固化后的掩膜层A；S007、向步骤S006中所述的异质结电池片的金属铜层上涂布带有精细图形的掩膜层B；S008、将步骤S007中所述掩膜层B固化；S009、将步骤S008中延伸到掩膜层B以外的金属铜层刻蚀处理；S010、去除步骤S009中所得异质结电池片上的固化后的掩膜层B；S011、在步骤S010中所得异质结电池片的所述金属铜层表面上沉积外层金属保护层。
[0008] 根据本发明具体实施例的异质结电极的制备方法，通过在金属种子层表面先涂布带有粗线图形的掩膜层A，即将金属种子层按铜栅线图案裸漏出来，而其它区域则采用掩膜层A覆盖，然后通过电镀金属铜层填充空隙，能够准确的定位栅线在金属种子层上的位置。进一步地，通过在金属铜镀层上涂布带有精细图形的掩膜层B，将掩膜层B以外的金属铜层进行刻蚀，对铜栅线做出进一步的精准设计处理，从而得到异质结电极。
[0009] 根据本发明的一些实施例，还包括如下步骤：S001、在异质结电池片的表面沉积TCO导电膜；S002、在沉积TCO导电膜的异质结电池片表面沉积一层金属种子层。
[0010] 根据本发明的一些实施例，所述金属种子层为铜金属层或铜合金层；和/或所述金属种子层的厚度为d1,其中，所述d1满足：50nm≤d1≤250nm；优选地，100nm≤d1≤150nm。
[0011] 根据本发明的一些实施例，所述铜合金层中金属铜重量占合金的总重量量的比为95wt％～99.9wt％。
[0012] 根据本发明的一些实施例，所述粗线图形间隙的宽度大于异质结电池铜栅线的设计宽度。
[0013] 根据本发明的一些实施例，所述涂布方法为滚涂、喷涂、印刷或点胶。
[0014] 根据本发明的一些实施例，所述掩膜层A是感光抗蚀材料；优选地，所述感光抗蚀材料为感光胶，感光干膜，光刻胶中至少的一种；和/或所述掩膜层A的厚度为d2,其中，所述d2满足：5μm≤d2≤50μm。
[0015] 根据本发明的一些实施例，铜金属层的厚度为d3,其中，所述d3满足：3μm≤d3≤30μm；优选地，10μm≤d3≤20μm。
[0016] 根据本发明的一些实施例，采用碱性溶液进行脱膜处理去除固化后的掩膜层A/固化后的掩膜层B；和/或所述脱模处理的反应温度30℃～70℃。
[0017] 根据本发明的一些实施例，所述碱性溶液包括氢氧化钠溶液和氢氧化钾溶液；和/或所述碱性溶液浓度范围0.5wt％～10wt％。
[0018] 根据本发明的一些实施例，所述掩膜层B是感光抗蚀材料；优选地，所述感光抗蚀材料为感光胶，感光干膜，光刻胶中至少的一种。
[0019] 根据本发明的一些实施例，所述精细图形宽度与异质结电池铜栅线的设计宽度一致。
[0020] 根据本发明的一些实施例，所述刻蚀包括采用酸性溶液刻蚀、碱性溶液刻蚀、混合溶液刻蚀、化学气相刻蚀中的至少一种。
[0021] 根据本发明的一些实施例，所述外层金属保护层的厚度为d4,其中，所述d4满足：1μm≤d4≤10μm；优选地，1μm≤d4≤3μm；和/或所述外层金属保护层包括锡、银、镍中的至少一种。
[0022] 根据本发明第二方面的实施例，本发明提供一种异质结电极，采用根据本发明第一方面实施例所述的制备方法制得。
[0023] 根据本发明第三方面的实施例，本发明提供一种异质结电池，包括根据本发明第二方面实施例所述的异质结电极。
[0024] 本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
法律保护范围
涉及权利要求数量16：其中独权3项，从权-3项
1.一种异质结电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S003、在沉积金属种子层后的异质结电池片的厚度方向的两侧表面涂布带有粗线图形的掩膜层A；
S004、将所述掩膜层A固化；
S005、向步骤S004中所述的异质结电池片的粗线图形的间隙镀金属铜层；
S006、去除步骤S005中所得异质结电池片上的固化后的掩膜层A；
S007、向步骤S006中所述的异质结电池片的金属铜层上涂布带有精细图形的掩膜层B；
S008、将步骤S007中所述掩膜层B固化；
S009、将步骤S008中延伸到掩膜层B以外的金属铜层刻蚀处理；
S010、去除步骤S009中所得异质结电池片上的固化后的掩膜层B；
S011、在步骤S010中所得异质结电池片的所述金属铜层表面上沉积外层金属保护层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：
S001、在异质结电池片的表面沉积TCO导电膜；
S002、在沉积TCO导电膜的异质结电池片表面沉积一层金属种子层。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述金属种子层为铜金属层或铜合金层；和/或
所述金属种子层的厚度为d1,其中，所述d1满足：50nm≤d1≤250nm；优选地，100nm≤d1≤
150nm。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述铜合金层中金属铜重量占合金的总重量量的比为95wt％～99.9wt％。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述粗线图形间隙的宽度大于异质结电池铜栅线的设计宽度。
6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述涂布方法为滚涂、喷涂、印刷或点胶。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜层A是感光抗蚀材料；优选地，所述感光抗蚀材料为感光胶，感光干膜，光刻胶中至少的一种；和/或所述掩膜层A的厚度为d2,其中，所述d2满足：5μm≤d2≤50μm。
8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，铜金属层的厚度为d3,其中，所述d3满足：3μm≤d3≤30μm；优选地，10μm≤d3≤20μm。
9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，采用碱性溶液进行脱膜处理去除掩膜层A/掩膜层B；和/或
所述脱模处理的反应温度30℃～70℃。
10.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液包括氢氧化钠溶液和氢氧化钾溶液；和/或
所述碱性溶液浓度范围0.5wt％～10wt％。
11.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜层B是感光抗蚀材料；优选地，所述感光抗蚀材料为感光胶，感光干膜，光刻胶中至少的一种。
12.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述精细图形宽度与异质结电池铜栅线的设计宽度一致。
13.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀包括采用酸性溶液刻蚀、碱性溶液刻蚀、混合溶液刻蚀、化学气相刻蚀中的至少一种。
14.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述外层金属保护层的厚度为d4,其中，所述d4满足：1μm≤d4≤10μm；优选地，1μm≤d4≤3μm；和/或所述外层金属保护层包括锡、银、镍中的至少一种。
15.一种异质结电极，其特征在于，采用权利要求1‑14中任一项所述的制备方法制得。
16.一种异质结电池，其特征在于，包括根据权利要求15所述的异质结电极。
