[0001] 本公开大体上涉及电子装置。

[0002] 为减少电子装置封装的大小并实现更高的集成，已经开发和实施了例如毫米波射频集成电路(RFIC)的若干种封装解决方案。

[0003] 然而，为了支持行业对增大电子功能性的需求，将不可避免地增大电子装置封装的大小和/或外观尺寸，且一些应用可能受限(例如，在便携式装置中)。

[0019] 在所有附图和详细描述中使用共同参考标号来指示相同或相似组件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易理解本公开的实施例。

[0020] 以下公开提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。如下描述组件和布置的特定实例来阐释本公开的某些方面。当然，这些仅是实例且并不希望为限
制性的。例如，在以下描述中，第一特征在第二特征上面或在第二特征上形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成或安置的实施例，且还可包含可有额外特征在第一特征与第
二特征之间形成或安置使得第一特征和第二特征可能不直接接触的实施例。此外，本公开
可在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

[0021] 图1是根据本公开的实施例的电子装置1a的横截面图。在一些实施例中，电子装置1a可包含多个电子组件10(例如电子组件10‑1、电子组件10‑2和/或电子组件10‑3)、电子组件20、多个导电结构30和包封体41。

[0022] 电子组件10可安置于电子组件20上或上面。每个电子组件10可电连接到电子组件20，且电连接可借助于倒装芯片、线接合技术、金属到金属接合(例如Cu到Cu接合)或混合接合实现。

[0023] 电子组件10可为芯片或裸片，其中包含半导体衬底、一或多个集成电路(IC)装置和的一或多个上覆互连结构。IC装置可包含例如晶体管的有源装置和/或例如电阻器、电容器、电感器的无源装置，或其组合。例如，电子组件10可包含功率放大器集成电路。在一些实施例中，电子组件10可经配置以接收电信号并放大电信号的功率。例如，电子组件10可经配置以接收射频(radio frequency，RF)信号并放大RF信号的功率。在一些实施例中，电子组件10可经配置以从电子组件20接收和/或传输信号。在一些实施例中，电子组件10可经配置以放大来自电子组件20的信号的功率。在一些实施例中，电子组件10还可被称作功率放大
裸片。

[0024] 请参考图2，此图为根据本公开的实施例的信号放大裸片(例如图1的电子组件10)的横截面图。

[0025] 在一些实施例中，电子组件10可包含衬底11、至少一个穿孔(through‑via)12(或导电通孔)和端子13。电子组件10可包含表面10s1和与表面10s1相对的表面10s2。在一些实施例中，表面10s1还可被称作主动表面(active surface)。在一些实施例中，表面10s2还可被称作背侧表面(backside surface)。

[0026] 衬底11可为半导体衬底。在一些实施例中，衬底11可包含III‑V族结构。衬底11可包含(但不限于)III族氮化物，例如化合物InxAlyGa1‑x‑yN，其中x+y≦1。III族氮化物进一步包含(但不限于)例如化合物AlyGa(1‑y)N，其中y≦1。在一些实施例中，衬底11可包含氮化镓(GaN)衬底或其它合适的衬底。

[0027] 在一些实施例中，穿孔12可穿透衬底11。在一些实施例中，穿孔12可在电子组件10的表面10s1与10s2之间延伸。穿孔12可经配置以提供用于传输电子组件10和/或电子装置1a的热量的路径。穿孔12可包含导电材料，例如铜(Cu)、钨(W)、钌(Ru)、铱(Ir)、镍(Ni)、锇(Os)、钌(Rh)、铝(Al)、钼(Mo)、钴(Co)、其合金、其组合或任何金属材料。

[0028] 端子13可安置于电子组件10的表面10s1上。端子13可包含例如导电衬垫(图中未标注)、导电衬垫上的焊接材料(图中未标注)和/或其它合适的元件。

[0029] 返回参考图1，电子组件20可为其中包含半导体衬底、一或多个IC装置和一或多个上覆互连结构的芯片或裸片。

[0030] 在一些实施例中，电子组件20可经配置以产生、发射和/或传输例如RF信号的电信号。电子组件20可包含表面20s1和与表面20s1相对的表面20s2。表面20s1还可被称作主动
表面。表面20s2还可被称作背侧表面。在一些实施例中，每个电子组件10可安置于电子组件
20的表面20s2上。电子组件20可电连接到电子组件10。在一些实施例中，电子组件10的表面
10s1可面向电子组件20的表面20s2。在一些实施例中，电子组件20还可被称作RF裸片。

[0031] 在一些实施例中，电子组件20可包含衬底21、多个互连结构22(例如互连结构22‑1和互连结构22‑2)、介电结构23、端子24、钝化层25和有源电路27(或有源电路区域(active circuit region))。

[0032] 衬底21可为半导体衬底。在一些实施例中，衬底21可包含硅、锗和其组合。

[0033] 有源电路27可安置于衬底21内。有源电路27可包含例如晶体管的有源装置和/或例如电阻器、电容器、电感器的无源装置，或其组合。例如，有源电路27可包含射频集成电路(radio frequency integrated circuit，RFIC)、专用IC(application‑specific IC，
ASIC)、中央处理单元(central processing unit，CPU)、微处理器单元(microprocessor unit，MPU)、图形处理单元(graphics processing unit，GPU)、微控制器单元
(microcontroller unit，MCU)、现场可编程门阵列(field‑programmable gate array，
FPGA)，或另一类型的IC。在一些实施例中，电子组件20的有源电路27可包含模/数转换器、数/模转换器、开关、混频器、低噪声放大器(low noise amplifier，LNA)和/或其它集成电路(图中未示出)。有源电路27可安置成邻近于电子组件20的表面20s1。在一些实施例中，有源电路27还可被称作有源电路，且有源电路27可安置于电子组件20的有源电路区域(图中
未标注)内。

[0034] 在一些实施例中，互连结构22可穿透电子组件20。在一些实施例中，互连结构22可穿透衬底21。在一些实施例中，互连结构22可经配置以提供电子组件10和20之间的信号传输路径。在一些实施例中，互连结构22可包含通孔221和重新分布层222。在一些实施例中，通孔221可安置于由衬底21界定的孔22v内。在一些实施例中，通孔221可穿透电子组件20。
在一些实施例中，通孔221可穿透衬底21。在一些实施例中，通孔221可包含硅穿孔
(silicon‑through via，TSV)。

[0035] 在一些实施例中，重新分布层222可安置于衬底21的背侧表面(图中未标注)上。重新分布层222可包含一或多个介电层(图中未标注)和一或多个嵌入其中的迹线(图中未标
注)。在一些实施例中，重新分布层222可电连接到通孔221。在一些实施例中，重新分布层
222可安置成邻近于电子组件20的表面20s2。重新分布层222可安置于电子组件20的衬底21
与电子组件10之间。

[0036] 在一些实施例中，电子组件20可通过互连结构22电连接到电子组件10。在一些实施例中，电子组件20的有源电路27可电连接到通孔221和重新分布层222。在一些实施例中，信号(例如RF信号)可通过互连结构22从电子组件20传输到电子组件10。例如，信号传输路
径P1可穿过(或流经)电子组件20的有源电路27、互连结构22‑2的通孔221、重新分布层222、电子组件10‑2的IC、重新分布层222和互连结构22‑1的通孔221。在一些实施例中，穿过通孔
221的信号可经配置以传输到天线组件(例如图8A的天线组件80)。在一些实施例中，互连结构22可通过有源电路区域(例如其内安置有源电路27的区域或接近表面20s1的区域)和非
有源电路区域(例如接近表面20s2和/或重新分布层222的区域)与电子组件10和20电连接。
在一些实施例中，信号传输路径P1可包含或穿过(或流经)电子组件20的有源电路27、互连
结构22‑2、电子组件10、互连结构22‑1、滤波器电路(图中未示出)和天线组件(图中未示出)。在一些实施例中，信号传输路径P1可为信号传输器的传输路径(例如Tx)。在一些实施例中，电子组件10的端子(例如输入和输出端子)可不与互连结构22对准。在一些实施例中，电子组件10的端子(例如输入和输出端子)可不与通孔221对准。

[0037] 在一些实施例中，电子组件10可通过互连结构22彼此电连接。例如，电子组件10‑1可通过互连结构22的重新分布层222电连接到电子组件10‑2。信号传输路径P2可穿过电子组件10‑1的IC、电子组件20的重新分布层222和电子组件10‑2的IC。在一些实施例中，信号传输路径P2可包含或穿过有源电路27、互连结构22‑2、电子组件10‑1和10‑2、互连结构22‑
1、滤波器电路(图中未示出)以及天线组件(图中未示出)。在一些实施例中，信号传输路径P2可为信号传输器(例如Tx)的传输路径。在一些实施例中，基于RF信号的增益要求，信号传输路径P2可包含或穿过两个或更多个电子组件10。

[0038] 介电结构23可安置成邻近于电子组件20的表面20s1。在一些实施例中，介电结构23可填充孔22v。介电结构23可包含例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(N2OSi2)、氮化硅氧化物(N2OSi2)或其它合适的材料。

[0039] 端子24可安置于电子组件20的表面20s1上。端子24可包含(例如)导电衬垫(图中未标注)、导电衬垫上的焊接材料(图中未标注)和/或其它合适的元件。

[0040] 钝化层25可安置于衬底21上以保护电子组件20内的IC免受损害。钝化层25可包含(例如)氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(N2OSi2)、氮化硅氧化物(N2OSi2)或其它合适的材料。在一些实施例中，导电迹线(未示出)可安置于钝化层25内，且有源电路27可通过钝化层25内的迹线电连接到互连结构22和/或端子24。

[0041] 在一些实施例中，导电结构30(或散热结构)可安置于电子组件10的表面10s2上。在一些实施例中，导电结构30可经配置以提供用于传输电子组件10和/或电子装置1a的热
量的路径。在一些实施例中，导电结构30可经配置以提供用于从电子组件10的穿孔12传输
热量的路径。导电结构30可为散热结构。在一些实施例中，导电结构30可包含多层结构。在一些实施例中，导电结构30可包含热界面材料(thermal interface material)31、导热层
32和散热层33。热界面材料31可包含(例如)烧结银。导热层32可包含铜或其它合适的材料。
散热层33可包含(例如)焊接材料。在一些实施例中，导电结构30可充当电信号传输的端子。
在一些实施例中，导电结构30可不进行电信号传输。在一些实施例中，热界面材料31的表面积可大于电子组件10的衬底11的表面积。在一些实施例中，导热层32的表面积可大于电子
组件10的衬底11的表面积。在一些实施例中，导电结构30可充当导热结构和/或散热结构。

[0042] 在一些实施例中，包封体41可安置于电子组件20的表面20s2上。在一些实施例中，包封体41可包封电子组件10。在一些实施例中，包封体41可包封导电结构30。在一些实施例中，包封体41可包封热界面材料31。在一些实施例中，包封体41可包封导热层32。在一些实施例中，散热层33可通过包封体41暴露以改进散热性能。包封体41可包含绝缘或介电材料。例如，包封体41可包含模制原料。在一些实施例中，包封体41可由模制材料制成，所述模制材料可包含(例如)酚醛基树脂、环氧基树脂、硅酮基树脂或其它合适的包封体。还可以包含合适的填充剂，例如粉末SiO2。

[0043] 在比较实例中，采用单片式微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit，MMIC)裸片来集成功率放大器IC和RF IC。然而，MMIC裸片的成本可相对较高。在另一比较实例中，功率放大器IC和RF IC形成于各个衬底中，且RF裸片和功率放大裸片通过RF裸片和功率放大裸片外部的迹线电连接。此类迹线在RF裸片和功率放大裸片之间提供相对
较长的信号传输路径，从而增加信号损耗。

[0044] 在此实施例中，采用互连结构(例如互连结构22‑1和互连结构22‑2)以将功率放大裸片(例如10)和RF裸片(例如20)电连接，这些裸片的衬底由不同材料制成。互连结构形成于电子组件20内并提供电子组件10和20之间的信号传输路径，以及电子组件10(例如电子
组件10‑1和电子组件10‑2)之间的信号传输路径。互连结构22可在电子组件10和20之间提供相对短的信号传输路径，因而减少信号损耗且因此增强电子装置1a的性能。

[0045] 图3是根据本公开的实施例的电子装置1b的横截面图。电子装置1b类似于如图1所示出的电子装置1a，它们之间的不同之处描述如下。

[0046] 电子装置1b可包含电子组件20'。电子组件20'可包含表面20s1'和与表面20s1'相对的表面20s2'。在一些实施例中，表面20s1'还可被称作背侧表面。在一些实施例中，表面
20s2'还可被称作主动表面。在本公开中，主动表面可指安置了有源电路或有源电路区域的表面。在一些实施例中，电子组件10的表面10s1可面向电子组件20的表面20s2'。

[0047] 重新分布层26可安置于电子组件20的表面20s2'上。在一些实施例中，电子组件10可通过重新分布层26电连接到电子组件20。

[0048] 电子装置1b可包含导电结构42和端子43。在一些实施例中，导电结构42可安置于电子组件20的表面20s2'上。在一些实施例中，导电结构42可穿透包封体41。在一些实施例中，导电结构42可穿透重新分布层26。导电结构42可包含导电材料，例如铜(Cu)、钨(W)、钌(Ru)、铱(Ir)、镍(Ni)、锇(Os)、钌(Rh)、铝(Al)、钼(Mo)、钴(Co)、其合金、其组合或任何金属材料。

[0049] 端子43可安置于包封体41上。端子43可安置于导电结构42上。端子43可包含(例如)焊接材料，例如金和锡焊料的合金或银和锡焊料的合金。

[0050] 在一些实施例中，信号传输路径P3可穿过端子43、导电结构42、电子组件20的IC(未示出)、重新分布层26和电子组件10。

[0051] 图4是根据本公开的实施例的电子装置1c的横截面图。电子装置1c类似于如图1所示出的电子装置1a，它们之间的不同之处描述如下。

[0052] 在一些实施例中，电子装置1c可进一步包含电路结构50和电路板70。

[0053] 电路结构50可安置于电子组件20下方。在一些实施例中，电子组件20可安置于电子组件10与电路结构50之间。电路结构50可包含重新分布层51、重新分布层52、介电层53、导电结构54和滤波器电路55。

[0054] 在一些实施例中，重新分布层51可包含介电层511和嵌入其中的迹线(图中未标注)。在一些实施例中，重新分布层51的介电层511可具有在约3至约5范围内的相对小的介
电常数，例如3、3.2、3.4、3.6、3.8、4、4.2、4.4、4.6、4.8或5。介电层511可包含(例如)预浸复合纤维(例如预浸料)或其它合适的材料。

[0055] 在一些实施例中，重新分布层52可包含介电层521和嵌入其中的迹线(图中未标注)。在一些实施例中，重新分布层52的介电层521可具有在约3至5范围内的相对小的介电
常数，例如3、3.2、3.4、3.6、3.8、4、4.2、4.4、4.6、4.8或5。介电层521可包含(例如)预浸复合纤维(例如预浸料)或其它合适的材料。

[0056] 在一些实施例中，介电层53可安置于介电层511与521之间。介电层53可具有超过约5的相对高的介电常数，例如5、5.5、6、6.5、7、7.5、8、8.5、9、9.5、10或更大。介电层53可包含(例如)氧化铝或其它合适的材料。

[0057] 在一些实施例中，导电结构54可穿透介电层53。导电结构54可电连接到重新分布层51和52。

[0058] 在一些实施例中，滤波器电路55可至少部分或完全地安置于介电层53中。在一些实施例中，滤波器电路55的一部分可安置于介电层521中。在一些实施例中，滤波器电路55可经配置以对电子组件20的信号的噪声进行滤波。例如，滤波器电路55可经配置以对电子
组件20的RF信号的噪声进行滤波。在一些实施例中，滤波器电路55可包含表面声波滤波器
(SAW滤波器(surface acoustic wave filter))。滤波器电路55可经配置以在升频转换期
间对图像信号进行滤波。在发射端子处，滤波器电路55可经配置以使得低于预定频率的信
号穿过。在一些实施例中，滤波器电路55可包含低通滤波器(low pass filter，LPF)。在一些情况下，当信号穿过功率放大器时，可产生频率大于原始信号的频率的谐波。在一些实施例中，滤波器电路55可经配置以对所述谐波进行滤波。在一些实施例中，滤波器电路55可在LNA前方，由此可防止噪声(例如带外噪声)损害信号接收器(例如Rx)的性能。在一些实施例中，滤波器55可经配置以对来自信号传输器和/或信号接收器的信号的噪声进行滤波。

[0059] 在比较实例中，滤波器电路安置于包含硅的衬底内，且滤波器电路可能会被衬底干扰。在此实施例中，滤波器电路55可定位于电子组件20外部，且因此提供更好的性能。滤波器电路55可安置于具有相对高的介电常数的介电层内，这可允许使用较小的滤波器电路
55。

[0060] 在一些实施例中，电路板70可安置于电子组件10上面。在一些实施例中，电路板70可安置于导电结构30上。在一些实施例中，电路板70可热连接到导电结构30。在一些实施例中，电路板70可充当用于传输电子装置1c的热量的散热衬底。在一些实施例中，电路板70可通过多个电连接44(例如焊接材料)电连接到电路结构50。在一些实施例中，数字控制器(未示出)可安置于电路板70上且通过电路板70电连接到电子装置1c。在一些实施例中，电路板70可充当散热衬底。

[0061] 在一些实施例中，热传输路径H1可穿过电子组件10、电子组件20和电路结构50。在一些实施例中，热传输路径H2可穿过电子组件10、电子组件20、导电结构30和外部装置(例如电路板70)。在一些实施例中，热传输路径H2的散热能力比热传输路径H1更好。在一些实施例中，与热传输路径H1相比，热传输路径H2可提供更好的散热性能，因为导电结构30和/或电路板70具有相对大的热传递系数。也就是说，热传输路径H2优于热传输路径H1。

[0062] 图5是根据本公开的实施例的电子装置1d的横截面图。电子装置1d类似于如图3所示出的电子装置1b，它们之间的不同之处描述如下。

[0063] 在一些实施例中，电子装置1d可进一步包含电路结构50和电路板70。在一些实施例中，电路结构50可安置于电子组件20'的表面20s2'上。在一些实施例中，端子43可电连接到电路结构50的重新分布层52。导电结构30可安置于电路结构50的重新分布层52上。

[0064] 在一些实施例中，电路板70可安置于电子组件20'的表面20s1'上。电路板70可通过电连接44电连接到电路结构50。

[0065] 图6是根据本公开的实施例的电子装置1e的横截面图。电子装置1e类似于如图4所示出的电子装置1c，它们之间的不同之处描述如下。

[0066] 在一些实施例中，电子装置1d可进一步包含天线组件80。

[0067] 在一些实施例中，天线组件80可安置于电路结构50上。在一些实施例中，电路结构50可安置于电子组件20与天线组件80之间。在一些实施例中，天线组件80可安置于电子组
件20的表面20s1上或面向所述表面。在一些实施例中，天线组件80可通过电连接45(例如焊接材料)电连接到电路结构50。在一些实施例中，天线组件80可经配置以辐射和/或接收电
磁信号，例如射频(RF)信号。例如，天线组件80可经配置以在约10GHz与约40GHz之间的频率(例如10GHz、20GHz、30GHz或40GHz)下操作。在一些实施例中，天线组件80可经配置以在约
30GHz与约300GHz之间的频率下操作。在一些实施例中，天线组件80可经配置以在约300GHz与约10THz之间的频率下操作。在一些实施例中，天线组件80可支持第五代(5G)通信，例如低于6GHz频带和/或毫米(mm)波频带。例如，天线组件80可并入有低于6GHz天线和毫米波天线两者。在一些实施例中，天线组件80可支持超过5G或6G的通信，例如太赫兹(THz)频带。在一些实施例中，天线组件80可包含衬底81、天线图案82、天线图案83和穿孔84。

[0068] 衬底81可包含预浸复合纤维或陶瓷填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料、液晶聚合物层压体、聚酰亚胺基薄膜或其它合适的材料。衬底81可包含表面81s1和与表面81s1相对的
表面81s2。衬底81的表面81s2可面向电路结构50。

[0069] 天线图案82可安置于衬底81的表面81s1上。在一些实施例中，天线图案82可经配置以辐射和/或接收电磁信号，例如RF信号。在一些实施例中，天线图案82可包含天线阵列。

[0070] 天线图案83可安置于衬底81的表面81s2上。天线图案83可通过穿孔84电连接到天线图案82。在一些实施例中，天线图案83可经配置以从电子组件20传输信号到天线图案82，或从天线图案82传输信号到电子组件20。

[0071] 图7是根据本公开的实施例的电子装置1f的横截面图。电子装置1f类似于如图6所示出的电子装置1e，它们之间的不同之处描述如下。

[0072] 电子装置1f可包含替换天线组件80的天线组件80'。在一些实施例中，天线组件80'可与电路结构50部分地集成。在一些实施例中，天线组件80'可包含安置于重新分布层
51上的天线图案85。一些电路(例如馈电电路、接地电路(未示出))可安置于或集成于电路
结构50内。例如，馈电电路、接地电路或其它电路可集成于重新分布层51和/或重新分布层
52内。在一些实施例中，电路结构50和天线图案85可共同充当天线组件80'。

[0073] 图8A说明根据本公开的实施例的例如图6所示出的电子装置1e的电子装置的信号传输路径。

[0074] 在一些实施例中，电子装置1e可经配置以提供信号传输路径P4。在一些实施例中，信号传输路径P4可按顺序穿过(或流经)电路板70、电路结构50、电子组件20、电子组件10、互连结构22(例如互连结构22‑1)、滤波器电路55和天线组件80。在一些实施例中，信号传输路径P4可穿过电路板70、电连接44(例如电连接44‑1)、重新分布层52、端子24、电子组件20的有源电路27、互连结构22(例如互连结构22‑2)、电子组件10、互连结构22(例如互连结构22‑1)、端子24、重新分布层52、滤波器电路55、重新分布层52、导电结构54、重新分布层51、电连接45和天线组件80。在一些实施例中，在信号传输路径P4穿过电子组件10之后，信号传输路径P4可不经电子组件20的IC处理。在一些实施例中，在信号传输路径P4穿过电子组件
10之后，信号传输路径P4可不经有源电路27处理。在一些实施例中，信号传输路径P4可为信号传输器(例如Tx)的传输路径。

[0075] 在一些实施例中，电子装置1e可经配置以提供信号传输路径P5。在一些实施例中，信号传输路径P5可按顺序穿过天线组件80、滤波器电路55、电子组件20和电路板70。在一些实施例中，信号传输路径P5可穿过天线组件80、电连接45、重新分布层51、导电结构54、重新分布层52、滤波器电路55、重新分布层52、端子24、电子组件20的有源电路27、端子24、重新分布层52、电连接44(例如电连接44‑2)和电路板70。在一些实施例中，信号传输路径P5可不穿过(或不进入)互连结构22。在一些实施例中，信号传输路径P5可进一步穿过互连结构22(例如互连结构22‑1)。在一些实施例中，信号传输路径P5可为信号接收器(例如Rx)的传输路径。

[0076] 在一些实施例中，信号传输路径P4可穿过电连接44‑1，所述电连接还可被称作第一电极或第一端子。信号传输路径P5可穿过电连接44‑2，所述电连接还可被称作第二电极或第二端子。

[0077] 在此实施例中，互连结构22可包含于信号传输路径(例如P4和/或P5)中，所述互连结构可提供用于电子组件10和20之间的电连接的相对短的路径。由此，可改进电子装置的
信号损耗。

[0078] 图8B说明根据本公开的实施例的例如图6所示出的电子装置1e的电子装置的信号传输路径。

[0079] 在一些实施例中，电子装置1e可经配置以提供信号传输路径P6。在一些实施例中，信号传输路径P6可按顺序穿过(或流经)电路板70、电路结构50、电子组件20、电子组件10、互连结构22(例如互连结构22‑1)、滤波器电路55和天线组件80。在一些实施例中，信号传输路径P6可穿过电路板70、电连接44(例如电连接44‑2)、重新分布层52、端子24、电子组件20的有源电路27、互连结构22(例如互连结构22‑2)、电子组件10、互连结构22(例如22‑1)、端子24、重新分布层52、滤波器电路55、重新分布层52、导电结构54、重新分布层51、电连接45和天线组件80。

[0080] 在一些实施例中，电子装置1e可经配置以提供信号传输路径P7。在一些实施例中，信号传输路径P7可按顺序穿过(或流经)天线组件80、滤波器电路55、电子组件20和电路板70。在一些实施例中，信号传输路径P7可穿过天线组件80、电连接45、重新分布层51、导电结构54、重新分布层52、滤波器电路55、重新分布层52、端子24、电子组件20的有源电路27、端子24、重新分布层52、电连接44(例如电连接44‑3)和电路板70。在一些实施例中，信号传输路径P7可进一步穿过互连结构22(例如互连结构22‑2)。

[0081] 在一些实施例中，信号传输路径P6可穿过电连接44‑2，且信号传输路径P7可穿过电连接44‑3。

[0082] 在此实施例中，互连结构22可包含于信号传输路径(例如P6和/或P7)中，所述互连结构可提供用于电子组件10和20之间的电连接的相对短的路径。由此，可改进电子装置1e
的信号损耗。

[0083] 图8C说明根据本公开的实施例的例如图6所示出的电子装置1e的电子装置的信号传输路径。

[0084] 在一些实施例中，电子装置1e可包含滤波器电路551和与滤波器电路551间隔开的滤波器电路552。在一些实施例中，信号传输路径P6穿过滤波器电路552。在一些实施例中，信号传输路径P6不穿过(或不进入)滤波器电路551。在一些实施例中，信号传输路径P7穿过滤波器电路551。在一些实施例中，信号传输路径P7不穿过(或不进入)滤波器电路552。

[0085] 图9A、图9B、图9C、图9D和图9E说明根据本公开的实施例的电子装置制造方法的一或多个阶段的横截面图。这些图中的至少一些已经简化以更好地理解本公开的各方面。在一些实施例中，可通过关于图9A、图9B、图9C、图9D和图9E所描述的操作来制造电子装置1c。

[0086] 参考图9A，可提供电子组件20。重新分布层222可形成于衬底21的背侧表面上。

[0087] 参考图9B，可形成多个互连结构22(例如互连结构22‑1和互连结构22‑2)。形成互连结构22可包含形成穿透衬底21的通孔221。互连结构22可穿透衬底21。介电结构23可形成于孔22v内，所述孔在电子组件20的表面20s1与20s2之间延伸。多个端子24可形成于电子组件20的表面20s1上。钝化层25可形成于衬底21的主动表面上。IC装置可形成于衬底21内。在一些实施例中，可采用第一载体(未示出)支撑衬底21，且端子24可形成于电子组件20的表面20s1上。

[0088] 参考图9C，多个电子组件10(例如电子组件10‑1、电子组件10‑2和电子组件10‑3)可形成于电子组件20的表面20s2上。在一些实施例中，可采用第二载体(未示出)支撑电子组件20，且电子组件10可接合至电子组件20的表面20s2。在一些实施例中，导电结构30可形成于电子组件10的表面10s2上。可形成包封体41以包封电子组件10和导电结构30的一部
分。

[0089] 参考图9D，电路结构50可形成于电子组件20的表面20s1上。电路结构50可包含重新分布层51、重新分布层52、介电层53、导电结构54和滤波器电路55。电子组件20可附接到电路结构50的重新分布层52。

[0090] 参考图9E，电路板70可形成于电子组件10的表面10s2上。在一些实施例中，电路板70可形成于导电结构30上。多个电连接44可形成于电路板70与电路结构50之间。结果，可制备例如图4中所示出的电子装置1c的电子装置。

[0091] 经考虑如果天线组件80在图9E所示阶段之后的阶段形成于电路结构50的重新分布层51上，那么可制备例如电子装置1e的电子装置。

[0092] 除非另外规定，否则例如“上方”、“下方”、“上”、“左”、“右”、“下”、“顶部”、“底部”、“竖直”、“水平”、“侧面”、“高于”、“低于”、“上部”、“上面”、“下面”等空间描述是相对于图中所示定向指示的。应理解，本文中所使用的空间描述仅出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施方案可在空间上以任何定向或方式布置，前提是本公开的实施例的优点不会因此类布置而有所偏差。

[0093] 如本文所使用，术语“大约”、“大体上”、“大体”及“约”用以描述及解释小的变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确发生的例子以及事件或情况极
近似地发生的例子。例如，当结合数值使用时，所述术语可指小于或等于所述数值的±10％的变化范围，如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、
小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或小于或等于±0.05％。例如，
如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的±10％，例如小于或等于±5％、小
于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±
0.5％、小于或等于±0.1％或小于或等于±0.05％，那么可认为所述两个数值“大体上”相
同或相等。

[0094] 如果两个表面之间的位移不大于5μm、不大于2μm、不大于1μm或不大于0.5μm，那么可认为所述两个表面是共面的或大体上共面。

[0095] 如本文中所使用，除非上下文另外明确指示，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含多个指代物。

[0096] 如本文所使用，术语“导电(conductive/electrically conductive)”和“导电率”指的是传递电流的能力。导电材料通常指示对于电流流动呈现极少或零对抗的那些材料。4
导电率的一个度量是西门子每米(S/m)。通常，导电材料为导电率大于大约10S/m(例如为
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至少10 S/m或至少10S/m)的一种材料。材料的导电率有时可以随温度而改变。除非另外指
定，否则材料的导电率是在室温下测量的。

[0097] 如本文所使用，术语“主动表面”指上面安置输入和/或输出端子的表面。替代地，术语“主动表面”指上面安置有或邻近于IC的表面。

[0098] 此外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此范围格式是为了便利和简洁而使用的，且应灵活理解为不仅包含明确地指定为范围极限的数值，而且还包含涵盖于所述范围内的所有单个数值或子范围，如同明确地指定每一数值和子范围一
般。

[0099] 尽管已参考本公开的具体实施例描述和说明本公开，但这些描述和说明并不限制本公开。所属领域的技术人员应理解，可在不脱离如由所附权利要求书界定的本公开的真
实精神和范围的情况下，作出各种改变及取代等效物。图示可能未必按比例绘制。归因于制造过程和公差，本公开中的工艺再现与实际设备之间可能存在区别。本公开可能还有其它
未具体说明的实施例。应将说明书和图示视为说明性而非限制性的。可进行修改，以使特定情形、材料、物质组成、方法或工艺适宜于本公开的目标、精神和范围。所有此类修改都希望在此所附权利要求书的范围内。虽然本文中公开的方法已参考按特定次序执行的特定操作
加以描述，但应理解，可在不脱离本公开的教示的情况下将这些操作组合、细分或重新排序以形成等效方法。相应地，除非本文中特别指示，否则操作的次序和分组并不限制本公开。