基于p型硅基底的TOPCon光伏电池及制备方法实质审查 发明

技术总结

本发明公开了一种基于p型硅基底的TOPCon光伏电池，包括p型硅片，p型硅片背面由近到远依次设置有隧穿层、p型CuAlO2层、背电极；p型硅片正面由近到远依次设置有n型β‑Ga2O3层、钝化层、减反层；n型β‑Ga2O3层上设置有一对顶电极，两个顶电极依次贯穿钝化层和减反层且伸出减反层外部。本发明解决了现有技术中存在的因B‑O带来的复合缺陷导致的p‑TOPCon钝化质量差和光捕获能力差所引起的电池光电转换效率低的问题。

技术研发人员：

胡继超; 张子涵; 贺小敏; 孟佳琦; 张奇

受保护的技术研发主体：

西安理工大学

技术申请主体：

西安理工大学

技术研发申请日期：

2023-03-31

技术被公开/公告日期：

2023-06-06

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