技术领域
[0001] 本发明创造涉及辐射源产生技术领域。
相关背景技术
[0002] 在核技术利用领域,往往需要利用高能粒子进行打靶,以产生新的辐射源项,如高能质子打重靶产生散裂中子、电子掠过钨靶产生X射线、自由电子打超短激光靶产生相干X射线、伽马射线,以用于诊断、治疗、或核科学研究实验。高能粒子打靶产生的辐射源通常情况下具有各向同性。通常情况下只有在一定的方向、以一定张角的辐射束流是有用的,其它方向的放射源是无用而且是有害的,为了束流的准直和焦斑整形,往往通过设计一定形状的屏蔽体作靶腔,把靶件放置在靶腔内,只在高能粒进入方向和打靶后辐射源利用方向留出开口,装在辐射源利用方向的开孔与靶点形成一定的张角,辐射源只能在这个张角内以一定的方向射出,从而实现焦斑整形以及准直。
[0003] 高能粒子一般在真空管中输运,靶件一般在真空管中与高能粒子发生作用。现有技术中,真空管在靶腔的位置是固定的,其设置的靶件的位置也是固定的,在使用过程中就无法控制焦斑大小、辐射张角、输出的辐射通量。