涉及权利要求数量10：其中独权3项，从权-3项
1.一种沉积工具，包括：
电力电缆基座，包括：
基座本体，具有第一表面及第二表面，以及
引导孔，从所述第一表面到所述第二表面延伸穿过所述基座本体，
其中所述引导孔的侧壁的至少部分具有倾斜表面，且
其中所述基座本体是由第一材料形成，所述第一材料的熔点高于聚甲醛熔点；以及套管，布置在所述引导孔之上，其中所述套管是由第二材料形成，所述第二材料的熔点高于所述聚甲醛熔点。
2.根据权利要求1所述的沉积工具，其中所述引导孔在所述第一表面处的宽度大于所述引导孔在所述第二表面处的宽度。
3.根据权利要求1所述的沉积工具，其中所述引导孔的一部分的宽度在从所述第一表面朝向所述第二表面的方向上减小。
4.根据权利要求1所述的沉积工具，其中所述引导孔的所述侧壁的至少部分不垂直于所述第一表面或所述第二表面。
5.根据权利要求1所述的沉积工具，其中所述引导孔在所述基座本体的所述第一表面处的宽度被配置成防止所述基座本体撞击所述沉积工具的腔室上的销钉螺杆接触件。
6.一种半导体处理工具，包括：
基座，包括：
基座本体，具有第一表面及第二表面；以及
引导孔，从所述第一表面延伸到所述第二表面，且包括第一部分及第二部分，其中所述引导孔的所述第一部分在所述第一表面处的宽度大于所述引导孔的所述第二部分的宽度，且
其中所述基座本体是由陶瓷材料或聚芳醚酮材料形成。
7.根据权利要求6所述的半导体处理工具，进一步包括位于所述引导孔之上的套管，所述套管是由陶瓷材料或聚芳醚酮材料形成。
8.根据权利要求6所述的半导体处理工具，其中所述引导孔的所述第一部分的侧壁不平行于所述引导孔的所述第二部分的侧壁。
9.一种半导体处理工具，包括：
基座，包括：
基座本体，其中所述基座本体是由具有高于聚甲醛熔点的熔点的材料形成；以及引导孔，从所述基座本体的第一表面延伸到所述基座本体的第二表面而延伸穿过所述基座本体，其中所述引导孔在所述基座本体的所述第一表面处的宽度被配置成防止所述基座本体与突起接触，所述突起位于在其上放置所述引导孔的表面之上。
10.根据权利要求9所述的半导体处理工具，进一步包括位于所述引导孔之上的套管，所述套管是由具有高于聚甲醛熔点的熔点的材料形成。