[0001] 本发明涉及含氟代聚醚基的化合物。

[0002] 已知某些种类的含氟硅烷化合物用于基材的表面处理时，能够提供优异的拨水性、拨油性、防污性等。由含有含氟硅烷化合物的表面处理剂得到的层(以下也称为“表面处理层”)作为所谓的功能性薄膜被施用于例如玻璃、塑料、纤维、卫生用品、建筑材料等各种各样的基材上(专利文献1和2)。

[0003] 现有技术文献

[0004] 专利文献

[0005] 专利文献1：日本特开2014－218639号公报

[0006] 专利文献2：日本特开2017－082194号公报

[0129] 本发明的物品具有：

[0130] 基材；

[0131] 位于上述基材上的中间层；和

[0132] 直接位于上述中间层上的、由含有含氟硅烷化合物的表面处理剂形成的表面处理层，

[0133] 上述中间层包含含Si的复合氧化物。

[0134] 本发明中能够使用的基材例如可以由玻璃、树脂(天然或合成树脂，例如可以为一般的塑料材料)、金属、陶瓷、半导体(硅、锗等)、纤维(织物、无纺布等)、毛皮、皮革、木材、陶瓷器、石材等、建筑部件等、卫生用品等任意适当的材料构成。

[0135] 例如，在想要制造的物品为光学部件的情况下，构成基材表面的材料可以为光学部件用材料，例如玻璃或透明塑料等。另外，在想要制造的物品为光学部件的情况下，可以在基材的表面(最外层)形成某些层(或膜)，例如硬涂层或防反射层等。防反射层可以使用单层防反射层和多层防反射层的任一种。作为防反射层能够使用的无机物的例子，可以列举SiO2、SiO、ZrO2、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti2O5、Al2O3、Ta2O5、Ta3O5、Nb2O5、HfO2、Si3N4、CeO2、MgO、Y2O3、SnO2、MgF2、WO3等。这些无机物可以单独使用或将它们的2种以上组合(例如以混合物的方式)使用。在为多层防反射层的情况下，其最外层优选使用SiO2和/或SiO。在想要制造的物品为触摸面板用的光学玻璃零件的情况下，可以在基材(玻璃)的表面的一部分具有透明电极，例如使用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌等的薄膜。另外，基材可以根据具体规格等而具有绝缘层、粘合层、保护层、装饰框层(I‑CON)、雾化膜层、硬涂膜层、偏光膜、相位差膜和液晶显示模块等。

[0136] 上述基材的形状没有特别限定，例如可以为板状、膜、其它形态。另外，想要形成表面处理层的基材的表面区域只要为基材表面的至少一部分即可，可以根据想要制造的物品的用途和具体规格等适当确定。

[0137] 在一个方式中，作为这样的基材，至少其表面部分可以由原本具有羟基的材料构成。作为这样的材料，可以列举玻璃，还可以列举表面形成有自然氧化膜或热氧化膜的金属(特别是贱金属)、陶瓷、半导体等。或者在如树脂等那样具有羟基但不充分的情况或原本不具有羟基的情况下，可以通过对基材实施某些前处理，在基材的表面导入羟基或使羟基增加。作为这样的前处理的例子，可以列举等离子体处理(例如电晕放电)或离子束照射。等离子体处理还适合用于在基材表面导入羟基或使羟基增加、并且将基材表面清洁化(除去异物等)。另外，作为这样的前处理的另外的例子，可以列举通过LB法(Langmuir‑Blodgett法)或化学吸附法等在基材表面预先以单分子膜的形态形成具有碳碳不饱和键的界面吸附剂，然后在含氧或氮等的气氛下使不饱和键断开的方法。

[0138] 在另外的方式中，作为这样的基材，可以至少其表面部分由具有1个以上的其它反应性基团，例如Si－H基的有机硅化合物或含有烷氧基硅烷的材料构成。

[0139] 在优选的方式中，上述基材为玻璃。作为玻璃，优选蓝宝石玻璃、钠钙玻璃、碱性铝硅酸盐玻璃、硼硅酸玻璃、无碱玻璃、水晶玻璃、石英玻璃，特别优选经过化学强化的钠钙玻璃、经过化学强化的碱性铝硅酸盐玻璃、以及经过化学键合的硼硅酸玻璃。

[0140] 上述中间层位于上述基材上。

[0141] 上述中间层可以以与上述基材接触的方式形成，或者也可以隔着其它层在基材上形成。在优选的方式中，上述中间层以与上述基材接触的方式形成。

[0142] 上述中间层包含含Si的复合氧化物、即Si与其它金属的复合氧化物。

[0143] 其中，复合氧化物包括包含Si在内的多种元素的氧化物构成均一相的物质的所谓的固溶体，此外还包含多种元素的氧化物构成不均一相的物质、以及多种元素的氧化物混合存在的物质。例如，复合氧化物可以包含SiOx(x＝1～2)和MyOz(y＝1～2、z＝1～5)等氧化状态不同的物质。另外，可以为其它金属的浓度沿着中间层的厚度方向变化的物质，例如沿着中间层的厚度方向具有浓度梯度的物质，或者可以为浓度阶段性变化的物质。优选复合氧化物由构成均一相的固溶体构成。

[0144] 在本说明书中，金属也包括B、Si、Ge、Sb、As、Te等准金属。

[0145] 作为上述其它金属，可以为选自元素周期表第3族～第11族的过渡金属以及第12～15族的典型金属元素中的1种或1种以上的原子。上述其它金属优选为第3族～第11族的过渡金属元素，更优选为第3～7族的过渡金属元素，进一步优选为第4～6族的过渡金属元素。

[0146] 在一个方式中，其它金属为选自Ta、Nb、Zr、Mo、W、Cr、Hf、Al、Ti和V中的1种或1种以上的原子。

[0147] 在优选的方式中，其它金属为Ta、Nb、W、Mo、Cr或V。

[0148] 在更优选的方式中，其它金属为Ta。

[0149] 在一个方式中，Si与其它金属的摩尔比为10∶90～99.9∶0.1(Si∶其它金属)，优选为10∶90～99∶1，更优选为10∶90～95∶5，进一步更优选为13∶87～93∶7，特别优选为40∶60～80∶20，例如可以为50∶50～99∶1、50∶50～90∶10或75∶25～99∶1。通过将Si与其它金属的摩尔比设为这样的范围，表面处理层的耐久性提高。其中，在Si与其它金属的摩尔比因深度而异的情况下，中间层中的Si与其它金属的摩尔比可以为其平均值。

[0150] 在一个方式中，作为上述中间层的组成，距靠近表面处理层的最表面0.1nm～10nm、优选0.1nm～5nm、更优选0.1～3nm、进一步优选0.1～3nm、0.1nm～2nm的中间层的组成满足上述摩尔比。通过将该中间层的组成设为上述摩尔比的范围内，能够更可靠地提升磨损耐久性、耐药品性。

[0151] 在上述方式中，从最表面到规定深度的组成可以是从最表面到规定深度的浓度的平均值。例如从最表面到2nm、3nm或5nm的组成的平均值可以是以一定速度溅射规定时间、以规定时间间隔测得的组成的平均值。例如，该中间层的组成可以是距最表面0.1nm、1nm、2nm、3nm、5nm、6nm、9nm和10nm的浓度的平均值。例如，距最表面0.1nm～10nm的中间层的组成可以是距最表面0.1nm、1nm、2nm、3nm、5nm、6nm、9nm和10nm的浓度的平均值，距最表面
0.1nm～5nm的中间层的组成可以是距最表面0.1nm、1nm、2nm、3nm和5nm的浓度的平均值。

[0152] 上述中间层的厚度没有特别限定，例如可以为1.0nm以上100nm以下，优选为2nm以上50nm以下，更优选为2nm以上20nm以下。通过使中间层的厚度为1.0nm以上，能够更可靠地获得提升表面处理层的摩擦耐久性和耐药品性的效果。并且，通过使中间层的厚度为100nm以下，能够进一步提升物品的透明性。

[0153] 上述中间层的形成方法没有特别限定，优选能够将Si和其它金属同时蒸镀的方法，例如可以使用溅射、离子束辅助、真空蒸镀(优选为电子射线加热方式)、CVD(化学气相蒸镀)、原子层沉积等。优选使用溅射。

[0154] 作为上述溅射法，可以使用利用DC(直流)溅射方式、AC(交流)溅射方式、RF(高频)溅射方式、RAS(自由基辅助)溅射方式等的溅射法。这些溅射方式可以为双极溅射、磁控管溅射法的任意方式。

[0155] 作为溅射中的硅靶，使用以硅(Si)或硅氧化物为主成分的靶。以硅(Si)为主成分的靶优选具有一定程度的导电性以实现DC溅射。因此，作为以硅(Si)为主成分的靶，优选使用由多晶硅构成的靶、或者在不损害本发明特征的范围内在单晶硅中掺杂了磷(P)、硼(B)等公知掺杂剂的靶。并且，这样的由多晶硅构成的靶、以及在单晶硅中掺杂了磷(P)、硼(B)等的靶能够以DC溅射、AC溅射、RF溅射、RAS溅射的任意方式使用。

[0156] 在利用溅射法成膜时，在不活泼气体与氧气的混合气体气氛的腔室内配置玻璃基体，选择靶进行成膜，使得密合层形成材料成为预期的组成。此时，腔室内的不活泼气体的气体种类没有特别限定，可以使用氩或氦等各种不活泼气体。

[0157] 由不活泼气体与氧气的混合气体形成的腔室内的压力没有特别限定，通过形成0.5Pa以下的范围，容易使所形成的膜的表面粗糙度在优选范围内。这可能是由于以下原因。即，在由不活泼气体与氧气的混合气体形成的腔室内的压力为0.5Pa以下时，能够确保成膜分子的平均自由行程，成膜分子具有更多的能量到达基体。因此，可以认为成膜分子的再配置得到促进，从而能够形成比较致密且表面平滑的膜。由不活泼气体与氧气的混合气体形成的腔室内的压力的下限值没有特别限定，例如优选为0.1Pa以上。

[0158] 在利用溅射法形成高折射率层和低折射率层时，各层的层厚、组成的调整能够通过例如放电电力的调整、成膜时间的调整、不活泼气体与氧气的混合气体的比率的调整等实现。

[0159] 如上所述所，通过设置中间层，能够提高表面处理层的耐久性。耐久性是指耐碱性、耐水解性、耐磨损性。

[0160] 从耐碱性的观点出发，Si与其它金属的摩尔比为10∶90～99.9∶0.1(Si∶其它金属)，优选为10∶90～99∶1，更优选为10∶90～95∶5，进一步更优选为13∶87～93∶7，特别优选为40∶60～80∶20，例如可以为50∶50～99∶1、50∶50～90∶10或75∶25～99∶1。通过将Si与其它金属的摩尔比设为这样的范围，表面处理层的耐碱性提高。

[0161] 从耐磨损性的观点出发，Si与其它金属的摩尔比为10∶90～99.9∶0.1(Si∶其它金属)，优选为10∶90～99∶1，更优选为10∶90～95∶5，进一步更优选为13∶87～93∶7，特别优选为40∶60～80∶20，例如可以为50∶50～99∶1、50∶50～90∶10或75∶25～99∶1。通过将Si与其它金属的摩尔比设为这样的范围，表面处理层的摩擦耐久性提高。

[0162] 另外，上述中间层的组成、比率可以通过如下的表面分析确定。作为表面分析的方法，可以使用X射线光电子能谱分析法、飞行时间型二次离子质谱法等。

[0163] 作为进行用于测定中间层的组成、比率的X射线光电子能谱分析法的装置，可以使用XPS、ULVAC‑PHI,Inc.公司制的PHI5000Versa ProbeII。作为XPS分析的测定条件，X射线源可以将单色化AlKα射线设为25W、将光电子检出面积设为1400μm×300μm、将光电子检出角设为20度～90度的范围(例如20度、45度、90度)、将通过能设为23.5eV，溅射离子可以使用Ar离子。通过上述装置、测定条件，观测C1s、O1s、F1s、Si2p轨道以及其它金属的适当轨道的峰面积，算出碳、氧、氟、硅和其它金属的原子比，由此能够求出叠层体的组成。作为其它金属的适当的轨道，例如，原子编号5(B)可以列举1s轨道，原子编号13～14、21～31(Al～Si、Sc～Ga)可以列举2p轨道，原子编号32～33、39～52(Ge～As、Y～Te)可以列举3d轨道，原子编号72～83(Hf～Bi)可以列举4f轨道。

[0164] 并且，还能够实施中间层的深度方向的分析。作为XPS分析的测定条件，X射线源可以使用25W的单色化AlKα射线，将光电子检出面积设为1400μm×300μm，将光电子检出角设为20度～90度的范围(例如20度、45度、90度)，将通过能设为23.5eV，溅射离子可以使用Ar离子。通过利用Ar离子的溅射，以SiO2换算计蚀刻1～100nm的叠层体表层，在各个蚀刻后的深度时，观测O1s、Si2p轨道以及其它金属的适当轨道的峰面积，算出氧、硅和其它金属的原子比，由此能够求出叠层体内部的组成。作为其它金属的适当轨道，例如，原子编号5(B)可以列举1s轨道，原子编号13～14、21～31(Al～Si、Sc～Ga)可以列举2p轨道，原子编号32～33、39～52(Ge～As、Y～Te)可以列举3d轨道，原子编号72～83(Hf～Bi)可以列举4f轨道。

[0165] 通过调整上述XPS分析的光电子检出角，能够适当调整检出深度。例如，通过设定为接近20度的浅角度，可以使检出深度为3nm左右；而通过设定为接近90度的深角度，可以使检出深度为数10nm左右。

[0166] 另外，在利用XPS分析的组成分析中，在检出基材的Si等的情况下，算出根据基材中的特定原子、例如基材为玻璃时微量包含的金属原子(例如Al、Na、K，B、Ca、Mg、Sn等)的检出量检出的基材的Si量，中间层的组成能够通过从测量结果中减去来计算。

[0167] 上述表面处理层直接位于上述中间层上。即，表面处理层以与中间层接触的方式形成。

[0168] 上述表面处理层可以由含有含氟硅烷化合物的表面处理剂形成。

[0169] 上述含氟硅烷化合物可以为下述式(1)或(2)所示的至少1种的含氟代聚醚基的化合物。

[0170] RF1α‑XA‑RSiβ  (1)

[0171] RSiγ‑XA‑RF2‑XA‑RSiγ  (2)

[0172] [式中，

[0173] RF1在每次出现时分别独立地为Rf1‑RF‑Oq‑；

[0174] RF2为‑Rf2p‑RF‑Oq‑；

[0175] Rf1在每次出现时分别独立地为可以被1个或1个以上氟原子取代的C1‑16烷基；

[0176] Rf2为可以被1个或1个以上氟原子取代的C1‑6亚烷基；

[0177] RF在每次出现时分别独立地为2价氟代聚醚基；

[0178] p为0或1；

[0179] q在每次出现时分别独立地为0或1；

[0180] RSi在每次出现时分别独立地为包含键合有羟基、能够水解的基团、氢原子或1价有机基团的Si原子的1价基团；

[0181] 至少1个RSi为包含键合有羟基或能够水解的基团的Si原子的1价基团；

[0182] XA分别独立地为单键或2～10价有机基团；

[0183] α为1～9的整数；

[0184] β为1～9的整数；

[0185] γ分别独立地为1～9的整数。]

[0186] 在本说明书中使用时，“1价有机基团”是指含碳的1价基团。作为1价有机基团，没有特别限定，可以为烃基或其衍生物。烃基的衍生物是指在烃基的末端或分子链中具有1个或1个以上的N、O、S、Si、酰胺基、磺酰基、硅氧烷基、羰基、羰氧基等基团。

[0187] 在本说明书中使用时，作为“2价有机基团”，没有特别限定，可以列举从烃基进一步脱离了1个氢原子的2价基团。

[0188] 在本说明书中使用时，“烃基”是含碳和氢的基团，是指从分子脱离了1个氢原子的基团。作为这样的烃基，没有特别限定，可以列举可以被1个或1个以上的取代基取代的碳原子数1～20的烃基，例如，脂肪族烃基、芳香族烃基等。上述“脂肪族烃基”可以为直链状、支链状或环状的任一种，也可以为饱和或不饱和的任一种。另外，烃基可以包含1个或1个以上的环结构。此外，这样的烃基在其末端或分子链中可以具有1个或1个以上的N、O、S、Si、酰胺基、磺酰基、硅氧烷基、羰基、羰氧基等。

[0189] 在本说明书中使用时，作为“烃基”的取代基，没有特别限定，例如可以列举选自：卤原子；可以被1个或1个以上的卤原子取代的、C1－6烷基、C2－6烯基、C2－6炔基、C3－10环烷基、C3－10不饱和环烷基、5～10元的杂环基、5～10元的不饱和杂环基、C6－10芳基和5～10元的杂芳基中的1个或1个以上的基团。

[0190] 在本说明书中，只要没有特别说明，烷基和苯基可以为非取代的基团，也可以被取代。作为这些基团的取代基，没有特别限定，例如可以列举选自卤原子、C1－6烷基、C2－6烯基和C2－6炔基中的1个或1个以上的基团。

[0191] 在本说明书中，“能够水解的基团”在本说明书中使用时是指能够发生水解反应的基团，即，是指能够通过水解反应从化合物的主骨架脱离的基团。作为能够水解的基团的例h h h h h h子，可以列举－OR、－OCOR、－O－N＝CR2、－NR2、－NHR 、卤素(这些式中，R 表示取代或非取代的C1－4烷基)等。

[0192] 上述式(1)中，RF1在每次出现时分别独立地为Rf1－RF－Oq－。

[0193] 上述式(2)中，RF2为－Rf2p－RF－Oq－。

[0194] 上述式中，Rf1在每次出现时分别独立地为可以被1个或1个以上氟原子取代的C1－16烷基。

[0195] 上述可以被1个或1个以上氟原子取代的C1－16烷基中的“C1－16烷基”既可以为直链，也可以为支链，优选为直链或支链的C1－6烷基、特别是C1－3烷基，更优选为直链的C1－6烷基、特别是C1－3烷基。

[0196] 上述Rf1优选为被1个或1个以上氟原子取代的C1－16烷基，更优选为CF2H－C1－15全氟亚烷基，进一步优选为C1－16全氟烷基。

[0197] 上述C1－16全氟烷基既可以为直链，也可以为支链，优选为直链或支链的C1－6全氟烷基、特别是C1－3全氟烷基，更优选为直链的C1－6全氟烷基、特别是C1－3全氟烷基，具体为－CF3、－CF2CF3或－CF2CF2CF3。

[0198] 上述式中，Rf2为可以被1个或1个以上氟原子取代的C1－6亚烷基。

[0199] 上述可以被1个或1个以上氟原子取代的C1－6亚烷基中的“C1－6亚烷基”既可以为直链，也可以为支链，优选为直链或支链的C1－3亚烷基，更优选为直链的C1－3亚烷基。

[0200] 上述Rf2优选为被1个或1个以上氟原子取代的C1－6亚烷基，更优选为C1－6全氟亚烷基，进一步优选为C1－3全氟亚烷基。

[0201] 上述C1－6全氟亚烷基既可以为直链，也可以为支链，优选为直链或支链的C1－3全氟亚烷基，更优选为直链的C1－3全氟烷基，具体可以为－CF2－、－CF2CF2－或－CF2CF2CF2－。

[0202] 上述式中，p为0或1。在一个方式中，p为0。在另一方式中，p为1。

[0203] 上述式中，q在每次出现时分别独立地为0或1。在一个方式中，q为0。在另一方式中，q为1。

[0204] 上述RF1和RF2中，RF在每次出现时分别独立地为2价氟代聚醚基。

[0205] RF优选为式：－(OC6F12)a－(OC5F10)b－(OC4F8)c－(OC3RFa6)d－(OC2F4)e－(OCF2)f－所示的基团。

[0206] [式中，

[0207] RFa在每次出现时分别独立地为氢原子、氟原子或氯原子，

[0208] a、b、c、d、e和f分别独立地为0～200的整数，a、b、c、d、e和f之和为1以上。标注a、b、c、d、e或f并用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。]

[0209] RFa优选为氢原子或氟原子，更优选为氟原子。

[0210] a、b、c、d、e和f优选分别独立地为0～100的整数。

[0211] a、b、c、d、e和f之和优选为5以上，更优选为10以上，例如可以为15以上或20以上。a、b、c、d、e和f之和优选为200以下，更优选为100以下，进一步优选为60以下，例如可以为50以下或30以下。

[0212] 上述标注a、b、c、d、e和f并用括号括起来的重复单元既可以为直链状，也可以为支链状。

[0213] 关于上述标注a、b、c、d、e和f并用括号括起来的重复单元，－(OC6F12)－可以为－(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)－、－(OCF(CF3)CF2CF2CF2CF2)－、－(OCF2CF(CF3)CF2CF2CF2)－、－(OCF2CF2CF(CF3)CF2CF2)－、－(OCF2CF2CF2CF(CF3)CF2)－、－(OCF2CF2CF2CF2CF(CF3))－等。－(OC5F10)－可以为－(OCF2CF2CF2CF2CF2)－、－(OCF(CF3)CF2CF2CF2)－、－(OCF2CF(CF3)CF2CF2)－、－(OCF2CF2CF(CF3)CF2)－、－(OCF2CF2CF2CF(CF3))－等。－(OC4F8)－可以为－(OCF2CF2CF2CF2)－、－(OCF(CF3)CF2CF2)－、－(OCF2CF(CF3)CF2)－、－(OCF2CF2CF(CF3))－、－(OC(CF3)2CF2)－、－(OCF2C(CF3)2)－、－(OCF(CF3)CF(CF3))－、－(OCF(C2F5)Fa
CF2)－或－(OCF2CF(C2F5))－。－(OC3F6)－(即，上述式中，R 为氟原子)可以为－
(OCF2CF2CF2)－、－(OCF(CF3)CF2)－或－(OCF2CF(CF3))－。－(OC2F4)－可以为－
(OCF2CF2)－或－(OCF(CF3))－。

[0214] 在一个方式中，上述重复单元为直链状。即，－(OC6F12)－为－(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)－，－(OC5F10)－为－(OCF2CF2CF2CF2CF2)－，－(OC4F8)－为－(OCF2CF2CF2CF2)－，－(OC3F6)－为－(OCF2CF2CF2)－，－(OC2F4)－为－(OCF2CF2)－。通过使上述重复单元为直链状，表面处理层的滑动性提高。

[0215] 在一个方式中，上述重复单元为支链状。通过使上述重复单元为支链状，能够增大表面处理层的动摩擦系数。

[0216] 在一个方式中，RF在每次出现时分别独立地为下述式(f1)～(f4)所示的基团。

[0217] －(OC3F6)d－  (f1)

[0218] [式中，d为1～200的整数。]

[0219] －(OC4F8)c－(OC3F6)d－(OC2F4)e－(OCF2)f－  (f2)

[0220] [式中，c和d分别独立地为0以上30以下的整数，e和f分别独立地为1以上200以下的整数，

[0221] c、d、e和f之和为2以上，

[0222] 标注角标c、d、e或f并用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。][0223] －(R6－R7)g－  (f3)

[0224] [式中，R6为OCF2或OC2F4，

[0225] R7为选自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10和OC6F12的基团，或者为从这些基团中独立地选择的2个或3个基团的组合，

[0226] g为2～100的整数。]

[0227] －(OC6F12)a－(OC5F10)b－(OC4F8)c－(OC3F6)d－(OC2F4)e－(OCF2)f－  (f4)

[0228] [式中，e为1以上200以下的整数，a、b、c、d和f分别独立地为0以上200以下的整数，a、b、c、d、e和f之和至少为1，并且，标注a、b、c、d、e或f并用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。]

[0229] －(OC6F12)a－(OC5F10)b－(OC4F8)c－(OC3F6)d－(OC2F4)e－(OCF2)f－  (f5)

[0230] [式中，f为1以上200以下的整数，a、b、c、d和e分别独立地为0以上200以下的整数，a、b、c、d、e和f之和至少为1，并且，标注a、b、c、d、e或f并用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。]

[0231] 上述式(f1)中，d优选为5～200的整数，更优选为10～100的整数，进一步优选为15～50的整数，例如为25～35的整数。上述式(f1)优选为－(OCF2CF2CF2)d－或－(OCF(CF3)CF2)d－所示的基团，更优选为－(OCF2CF2CF2)d－所示的基团。

[0232] 上述式(f2)中，e和f分别独立地优选为5以上200以下的整数，更优选为10～200的整数。另外，c、d、e和f之和优选为5以上，更优选为10以上，例如可以为15以上或20以上。在一个方式中，上述式(f2)优选为－(OCF2CF2CF2CF2)c－(OCF2CF2CF2)d－(OCF2CF2)e－(OCF2)f－所示的基团。在另一方式中，式(f2)可以为－(OC2F4)e－(OCF2)f－所示的基团。

[0233] 上述式(f3)中，R6优选为OC2F4。上述(f3)中，R7优选为选自OC2F4、OC3F6和OC4F8的基团，或者为从这些基团中独立地选择的2个或3个基团的组合，更优选为选自OC3F6和OC4F8的基团。作为从OC2F4、OC3F6和OC4F8中独立地选择的2个或3个基团的组合，没有特别限定，可以列举例如－OC2F4OC3F6－、－OC2F4OC4F8－、－OC3F6OC2F4－、－OC3F6OC3F6－、－OC3F6OC4F8－、－OC4F8OC4F8－、－OC4F8OC3F6－、－OC4F8OC2F4－、－OC2F4OC2F4OC3F6－、－OC2F4OC2F4OC4F8－、－OC2F4OC3F6OC2F4－、－OC2F4OC3F6OC3F6－、－OC2F4OC4F8OC2F4－、－OC3F6OC2F4OC2F4－、－OC3F6OC2F4OC3F6－、－OC3F6OC3F6OC2F4－和－OC4F8OC2F4OC2F4－等。上述式(f3)中，g优选为3以上的整数，更优选为5以上的整数。上述g优选为50以下的整数。上述式(f3)中，OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10和OC6F12为直链或支链的任一种均可，优选为直链。在该方式中，上述式(f3)优选为－(OC2F4－OC3F6)g－或－(OC2F4－OC4F8)g－。

[0234] 上述式(f4)中，e优选为1以上100以下的整数，更优选为5以上100以下的整数。a、b、c、d、e和f之和优选为5以上，更优选为10以上，例如为10以上100以下。

[0235] 上述式(f5)中，f优选为1以上100以下的整数，更优选为5以上100以下的整数。a、b、c、d、e和f之和优选为5以上，更优选为10以上，例如为10以上100以下。

[0236] 在一个方式中，上述RF为上述式(f1)所示的基团。

[0237] 在一个方式中，上述RF为上述式(f2)所示的基团。

[0238] 在一个方式中，上述RF为上述式(f3)所示的基团。

[0239] 在一个方式中，上述RF为上述式(f4)所示的基团。

[0240] 在一个方式中，上述RF为上述式(f5)所示的基团。

[0241] 在上述RF中，e相对于f之比(以下称为“e/f比”)为0.1～10，优选为0.2～5，更优选为0.2～2，进一步优选为0.2～1.5，更进一步优选为0.2～0.85。通过将e/f比设为10以下，由该化合物得到的表面处理层的滑动性、摩擦耐久性和耐化学性(例如对于人工汗液的耐久性)进一步提高。e/f比越小，表面处理层的滑动性和摩擦耐久性越提高。另一方面，通过将e/f比设为0.1以上，能够进一步提升化合物的稳定性。e/f比越大，化合物的稳定性越提高。

[0242] 在一个方式中，上述e/f比优选为0.2～0.95，更优选为0.2～0.9。

[0243] 在一个方式中，从耐热性的观点出发，上述e/f比优选为1.0以上，更优选为1.0～2.0。

[0244] 在上述含氟代聚醚基的化合物中，RF1和RF2部分的数均分子量没有特别限定，例如F1 F2为500～30000，优选为1500～30000，更优选为2000～10000。在本说明书中，R 和R 的数均
19
分子量是通过 F‑NMR测得的值。

[0245] 在另一方式中，RF1和RF2部分的数均分子量为500～30000，优选为1000～20000，更优选为2000～15000，进一步更优选为2000～10000，例如可以为3000～6000。

[0246] 在另一方式中，RF1和RF2部分的数均分子量为4000～30000，优选为5000～10000，更优选为6000～10000。

[0247] 在上述式(1)和(2)中，RSi在每次出现时分别独立地为包含键合有羟基、能够水解Si的基团、氢原子或1价有机基团的Si原子的1价基团，至少1个R 为包含键合有羟基或能够水解的基团的Si原子的1价基团。

[0248] 在优选的方式中，RSi为包含键合有羟基或能够水解的基团的Si原子的1价基团。

[0249] 在优选的方式中，RSi为下述式(S1)、(S2)、(S3)或(S4)所示的基团。

[0250]

[0251] ‑SiR11n1R123‑n1  (S2)

[0252] ‑SiRa1k1Rb111Rc1m1  (S3)

[0253] ‑CRd1k2Re112Rf1m2  (S4)

[0254] 上述式中，R11在每次出现时分别独立地为羟基或能够水解的基团。

[0255] R11优选在每次出现时分别独立地为能够水解的基团。

[0256] R11优选在每次出现时分别独立地为‑ORh、‑OCORh、‑O‑N＝CRh2、‑NRh2、‑NHRh或卤素h h h(这些式中，R表示取代或非取代的C1‑4烷基)，更优选为‑OR (即烷氧基)。作为R ，可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等非取代烷基、氯甲基等取代烷基。这些之中，优h
选烷基，特别优选非取代烷基，更优选甲基或乙基。在一个方式中，R 为甲基，在另一方式h
中，R为乙基。

[0257] 上述式中，R12在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。该1价有机基团是除上述能够水解的基团外的1价有机基团。

[0258] R12中，1价有机基团优选为C1‑20烷基，更优选为C1‑6烷基，进一步优选为甲基。

[0259] 上述式中，n1在每个(SiR11n1R123‑n1)单元中分别独立地为0～3的整数。其中，在RSiSi Si为式(S1)或(S2)所示的基团时，在式(1)和式(2)的末端的R β和R γ部分(以下也简称为式
11 12
(1)和式(2)的“末端部分”)，至少存在1个n1为1～3的(SiR n1R 3‑n1)单元。即，在该末端部分，所有的n1不同时为0。换言之，在式(1)和式(2)末端部分至少存在1个键合有羟基或能够水解的基团的Si原子。

[0260] n1在每个(SiR11n1R123‑n1)单元中分别独立地优选为1～3的整数，更优选为2～3，进一步优选为3。

[0261] 上述式中，X11在每次出现时分别独立地为单键或2价有机基团。该2价有机基团优选为C1‑20亚烷基。该C1‑20亚烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链。

[0262] 在优选的方式中，X11在每次出现时分别独立地为单键或直链的C1－6亚烷基，优选为单键或直链的C1－3亚烷基，更优选为单键或直链的C1－2亚烷基，进一步优选为直链的C1－2亚烷基。

[0263] 上述式中，R13在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。该1价有机基团优选为C1－20烷基。该C1－20烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链。

[0264] 在优选的方式中，R13在每次出现时分别独立地为氢原子或直链的C1－6烷基，优选为氢原子或直链的C1－3烷基，优选为氢原子或甲基。

[0265] 上述式中，t在每次出现时分别独立地为2～10的整数。

[0266] 在优选的方式中，t在每次出现时分别独立地为2～6的整数。

[0267] 上述式中，R14在每次出现时分别独立地为氢原子或卤原子。该卤原子优选为碘原14
子、氯原子或氟原子，更优选为氟原子。在优选的方式中，R 为氢原子。

[0268] 上述式中，Ra1在每次出现时分别独立地为－Z1－SiR21p1R22q1R23r1。

[0269] 上述Z1在每次出现时分别独立地为氧原子或2价有机基团。其中，以下记作Z1的结21 22 23
构的右侧与(SiR p1R q1R r1)键合。

[0270] 在优选的方式中，Z1为2价有机基团。

[0271] 在优选的方式中，Z1不包括与Z1所键合的Si原子形成硅氧烷键的情况。优选在式1
(S3)中Si－Z－Si不含硅氧烷键。

[0272] 上述Z1优选为C1－6亚烷基、－(CH2)z1－O－(CH2)z2－(式中，z1为0～6的整数、例如1～6的整数，z2为0～6的整数、例如1～6的整数)或－(CH2)z3－亚苯基－(CH2)z4－(式中，z3为0～6的整数、例如1～6的整数，z4为0～6的整数、例如1～6的整数)。上述C1－6亚烷基既可以为直链，也可以为支链，优选为直链。这些基团可以被例如选自氟原子、C1－6烷基、C2－6烯基和C2－6炔基中的1个或1个以上的取代基取代，但优选非取代。

[0273] 在一个方式中，Z1为C1－6亚烷基或－(CH2)z3－亚苯基－(CH2)z4－，优选为－亚苯1
基－(CH2)z4－。Z为这样的基团时，光耐性、特别紫外线耐性进一步提高。

[0274] 在另一方式中，上述Z1为C1－3亚烷基。在一个方式中，Z1可以为－CH2CH2CH2－。在另1
一方式中，Z可以为－CH2CH2－。

[0275] 上述R21在每次出现时分别独立地为－Z1′－SiR21′p1′R22′q1′R23′r1′。

[0276] 上述Z1′在每次出现时分别独立地为氧原子或2价有机基团。其中，以下记作Z1′的21′ 22′ 23′
结构的右侧与(SiR p1′R q1′R r1′)键合。

[0277] 在优选的方式中，Z1′为2价有机基团。

[0278] 在优选的方式中，Z1′不包括与Z1′所键合的Si原子形成硅氧烷键的情况。优选在式1′
(S3)中，(Si－Z －Si)不含硅氧烷键。

[0279] 上述Z1′优选为C1－6亚烷基、－(CH2)z1′－O－(CH2)z2′－(式中，z1′为0～6的整数、例如1～6的整数，z2′为0～6的整数、例如1～6的整数)或－(CH2)z3′－亚苯基－(CH2)z4′－(式中，z3′为0～6的整数、例如1～6的整数，z4′为0～6的整数、例如1～6的整数)。该C1－6亚烷基既可以为直链，也可以为支链，优选为直链。这些基团可以被例如选自氟原子、C1－6烷基、C2－6烯基和C2－6炔基中的1个或1个以上的取代基取代，但优选非取代。

[0280] 在一个方式中，Z1′为C1－6亚烷基或－(CH2)z3′－亚苯基－(CH2)z4′－，优选为－亚苯1′
基－(CH2)z4′－。Z 为该基团时，光耐性、特别是紫外线耐性进一步提高。

[0281] 在另一方式中，上述Z1′为C1－3亚烷基。在一个方式中，Z1′可以为－CH2CH2CH2－。在1′
另一方式中，Z 可以为－CH2CH2－。

[0282] 上述R21′在每次出现时分别独立地为－Z1″－SiR22″q1″R23″r1″。

[0283] 上述Z1″在每次出现时分别独立地为氧原子或2价有机基团。其中，以下记作Z1″的22″ 23″
结构的右侧与(SiR q1″R r1″)键合。

[0284] 在优选的方式中，Z1″为2价有机基团。

[0285] 在优选的方式中，Z1″不包括与Z1″所键合的Si原子形成硅氧烷键的情况。优选在式1″
(S3)中，(Si－Z －Si)不含硅氧烷键。

[0286] 上述Z1″优选为C1－6亚烷基、－(CH2)z1″－O－(CH2)z2″－(式中，z1″为0～6的整数、例如1～6的整数，z2″为0～6的整数、例如1～6的整数)或－(CH2)z3″－亚苯基－(CH2)z4″－(式中，z3″为0～6的整数、例如1～6的整数，z4″为0～6的整数、例如1～6的整数)。该C1－6亚烷基既可以为直链，也可以为支链，优选为直链。这些基团可以被例如选自氟原子、C1－6烷基、C2－6烯基和C2－6炔基中的1个或1个以上的取代基取代，但优选非取代。

[0287] 在一个方式中，Z1″为C1－6亚烷基或－(CH2)z3″－亚苯基－(CH2)z4″－，优选为－亚苯1″
基－(CH2)z4″－。Z 为该基团时，光耐性、特别是紫外线耐性进一步提高。

[0288] 在另一方式中，上述Z1″为C1－3亚烷基。在一个方式中，Z1″可以为－CH2CH2CH2－。在1″
另一方式中，Z 可以为－CH2CH2－。

[0289] 上述R22″在每次出现时分别独立地为羟基或能够水解的基团。

[0290] R22″优选在每次出现时分别独立地为能够水解的基团。

[0291] R22″优选在每次出现时分别独立地为－ORh、－OCORh、－O－N＝CRh2、－NRh2、－NHRhh h h或卤素(这些式中，R表示取代或非取代的C1－4烷基)，更优选为－OR (即烷氧基)。作为R ，可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等非取代烷基、氯甲基等取代烷基。这些之h
中，优选烷基，特别优选非取代烷基，更优选甲基或乙基。在一个方式中，R 为甲基，在另一h
方式中，R为乙基。

[0292] 上述R23″在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。该1价有机基团是除上述能够水解的基团外的1价有机基团。

[0293] R23″中，1价有机基团优选为C1－20烷基，更优选为C1－6烷基，进一步优选为甲基。

[0294] 上述q1″在每次出现时分别独立地为0～3的整数，上述r1″在每次出现时分别独立22″ 23″
地为0～3的整数。其中，q1″与r1″的合计在每个(SiR q1″R r1″)单元中为3。

[0295] q1″在每个(SiR22″q1″R23″r1″)单元中分别独立地优选为1～3的整数，更优选为2～3，进一步优选为3。

[0296] 上述R22′在每次出现时分别独立地为羟基或能够水解的基团。

[0297] R22′优选在每次出现时分别独立地为能够水解的基团。

[0298] R22′优选在每次出现时分别独立地为－ORh、－OCORh、－O－N＝CRh2、－NRh2、－NHRhh h h或卤素(这些式中，R表示取代或非取代的C1－4烷基)，更优选为－OR (即烷氧基)。作为R ，可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等非取代烷基、氯甲基等取代烷基。这些之h
中，优选烷基，特别优选非取代烷基，更优选甲基或乙基。在一个方式中，R 为甲基，在另一h
方式中，R为乙基。

[0299] 上述R23′在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。该1价有机基团是除上述能够水解的基团外的1价有机基团。

[0300] R23′中，1价有机基团优选为C1－20烷基，更优选为C1－6烷基，进一步优选为甲基。

[0301] 上述p1′在每次出现时分别独立地为0～3的整数，q1′在每次出现时分别独立地为0～3的整数，r1′在每次出现时分别独立地为0～3的整数。其中，p1′、q1′与r1′的合计在每
21′ 22′ 23′
个(SiR p1′R q1′R r1′)单元中为3。

[0302] 在一个方式中，p1′为0。

[0303] 在一个方式中，p1′在每个(SiR21′p1′R22′q1′R23′r1′)单元中分别独立地为1～3的整数、2～3的整数或3。在优选的方式中，p1′为3。

[0304] 在一个方式中，q1′在每个(SiR21′p1′R22′q1′R23′r1′)单元中分别独立地为1～3的整数，优选为2～3的整数，更优选为3。

[0305] 在一个方式中，p1′为0，q1′在每个(SiR21′p1′R22′q1′R23′r1′)单元中分别独立地为1～3的整数，优选为2～3的整数，进一步优选为3。

[0306] 上述R22在每次出现时分别独立地为羟基或能够水解的基团。

[0307] R22优选在每次出现时分别独立地为能够水解的基团。

[0308] R22优选在每次出现时分别独立地为－ORh、－OCORh、－O－N＝CRh2、－NRh2、－NHRhh h h或卤素(这些式中，R表示取代或非取代的C1－4烷基)，更优选为－OR (即烷氧基)。作为R ，可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等非取代烷基、氯甲基等取代烷基。这些之h
中，优选烷基，特别优选非取代烷基，更优选甲基或乙基。在一个方式中，R 为甲基，在另一h
方式中，R为乙基。

[0309] 上述R23在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。该1价有机基团是除上述能够水解的基团外的1价有机基团。

[0310] R23中，1价有机基团优选为C1－20烷基，更优选为C1－6烷基，进一步优选为甲基。

[0311] 上述p1在每次出现时分别独立地为0～3的整数，q1在每次出现时分别独立地为0～3的整数，r1在每次出现时分别独立地为0～3的整数。其中，p、q1和r1的合计在
21 22 23
(SiR p1R q1R r1)单元中为3。

[0312] 在一个方式中，p1为0。

[0313] 在一个方式中，p1在每个(SiR21p1R22q1R23r1)单元中分别独立地为1～3的整数、2～3的整数或3。在优选的方式中，p1为3。

[0314] 在一个方式中，q1在每个(SiR21p1R22q1R23r1)单元中分别独立地为1～3的整数，优选为2～3的整数，更优选为3。

[0315] 在一个方式中，p1为0，q1在每个(SiR21p1R22q1R23r1)单元中分别独立地为1～3的整数，优选为2～3的整数，进一步优选为3。

[0316] 上述式中，Rb1在每次出现时分别独立地为羟基或能够水解的基团。

[0317] Rb1优选在每次出现时分别独立地为能够水解的基团。

[0318] Rb1优选在每次出现时分别独立地为－ORh、－OCORh、－O－N＝CRh2、－NRh2、－NHRhh h h或卤素(这些式中，R表示取代或非取代的C1－4烷基)，更优选为－OR (即烷氧基)。作为R ，可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等非取代烷基、氯甲基等取代烷基。这些之h
中，优选烷基，特别优选非取代烷基，更优选甲基或乙基。在一个方式中，R 为甲基，在另一h
方式中，R为乙基。

[0319] 上述式中，Rc1在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。该1价有机基团是除上述能够水解的基团外的1价有机基团。

[0320] Rc1中，1价有机基团优选为C1－20烷基，更优选为C1－6烷基，进一步优选为甲基。

[0321] 上述k1在每次出现时分别独立地为0～3的整数，l1在每次出现时分别独立地为0～3的整数，m1在每次出现时分别独立地为0～3的整数。其中，p、l1与m1的合计在
a1 b1 c1
(SiR k1R l1R m1)单元中为3。

[0322] 在一个方式中，k1在每个(SiRa1k1Rb1l1Rc1m1)单元中分别独立地为1～3的整数，优选为2或3，更优选为3。在优选的方式中，k1为3。

[0323] 上述式(1)和(2)中，RSi为式(S3)所示的基团时，优选在式(1)和式(2)的末端部分至少存在2个键合有羟基或能够水解的基团的Si原子。

[0324] 在优选的方式中，式(S3)所示的基团具有－Z1－SiR22q1R23r1(式中，q1为1～3的整1′ 22′ 23′
数、优选为2或3、更优选为3，r1为0～2的整数)、－Z －SiR q1′R r1′(式中，q1′为1～3的整
1″ 22″ 23″
数、优选为2或3、更优选为3，r1′为0～2的整数)或－Z －SiR q1″R r1″(式中，q1″为1～3的整数、优选为2或3、更优选为3，r1″为0～2的整数)的任一个。

[0325] 在优选的方式中，在式(S3)中存在R21′时，至少1个、优选全部R21′中q1″为1～3的整数，优选为2或3，更优选为3。

[0326] 在优选的方式中，在式(S3)中存在R21时，至少1个、优选全部R21中p1′为0，q1′为1～3的整数、优选为2或3、更优选为3。

[0327] 在优选的方式中，在式(S3)中存在Ra1时，至少1个、优选全部Ra1中p1为0，q1为1～3的整数、优选为2或3、更优选为3。

[0328] 在优选的方式中，式(S3)中，k1为2或3、优选为3，p1为0，q1为2或3、优选为3。

[0329] Rd1在每次出现时分别独立地为－Z2－CR31p2R32q2R33r2。

[0330] Z2在每次出现时分别独立地为单键、氧原子或2价有机基团。其中，以下记作Z2的结31 32 33
构的右侧与(CR p2R q2R r2)键合。

[0331] 在优选的方式中，Z2为2价有机基团。

[0332] 上述Z2优选为C1－6亚烷基、－(CH2)z5－O－(CH2)z6－(式中，z5为0～6的整数、例如1～6的整数，z6为0～6的整数、例如1～6的整数)或－(CH2)z7－亚苯基－(CH2)z8－(式中，z7为0～6的整数、例如1～6的整数，z8为0～6的整数、例如1～6的整数)。该C1－6亚烷基既可以为直链，也可以为支链，优选为直链。这些基团可以被例如选自氟原子、C1－6烷基、C2－6烯基和C2－6炔基中的1个或1个以上的取代基取代，但优选非取代。

[0333] 在一个方式中，Z2为C1－6亚烷基或－(CH2)z7－亚苯基－(CH2)z8－，优选为－亚苯2
基－(CH2)z8－。Z为该基团时，光耐性、特别是紫外线耐性进一步提高。

[0334] 在另一方式中，上述Z2为C1－3亚烷基。在一个方式中，Z2可以为－CH2CH2CH2－。在另2
一方式中，Z可以为－CH2CH2－。

[0335] R31在每次出现时分别独立地为－Z2′－CR32′q2′R33′r2′。

[0336] Z2′在每次出现时分别独立地为单键、氧原子或2价有机基团。其中，以下记作Z2′的32′ 33′
结构的右侧与(CR q2′R r2′)键合。

[0337] 上述Z2′优选为C1－6亚烷基、－(CH2)z5′－O－(CH2)z6′－(式中，z5′为0～6的整数、例如1～6的整数，z6′为0～6的整数、例如1～6的整数)或－(CH2)z7′－亚苯基－(CH2)z8′－(式中，z7′为0～6的整数、例如1～6的整数，z8′为0～6的整数、例如1～6的整数)。该C1－6亚烷基既可以为直链，也可以为支链，优选为直链。这些基团可以被例如选自氟原子、C1－6烷基、C2－6烯基和C2－6炔基中的1个或1个以上的取代基取代，但优选非取代。

[0338] 在一个方式中，Z2′为C1－6亚烷基或－(CH2)z7′－亚苯基－(CH2)z8′－，优选为－亚苯2′
基－(CH2)z8′－。Z 为该基团时，光耐性、特别是紫外线耐性进一步提高。

[0339] 在另一方式中，上述Z2′为C1－3亚烷基。在一个方式中，Z2′可以为－CH2CH2CH2－。在2′
另一方式中，Z 可以为－CH2CH2－。

[0340] 上述R32′在每次出现时分别独立地为－Z3－SiR34n2R353－n2。

[0341] 上述Z3在每次出现时分别独立地为单键、氧原子或2价有机基团。其中，以下记作Z334 35
的结构的右侧与(SiR n2R 3－n2)键合。

[0342] 在一个方式中，Z3为氧原子。

[0343] 在一个方式中，Z3为2价有机基团。

[0344] 上述Z3优选为C1－6亚烷基、－(CH2)z5″－O－(CH2)z6″－(式中，z5″为0～6的整数、例如1～6的整数，z6″为0～6的整数、例如1～6的整数)或－(CH2)z7″－亚苯基－(CH2)z8″－(式中，z7″为0～6的整数、例如1～6的整数，z8″为0～6的整数、例如1～6的整数)。该C1－6亚烷基既可以为直链，也可以为支链，优选为直链。这些基团可以被例如选自氟原子、C1－6烷基、C2－6烯基和C2－6炔基中的1个或1个以上的取代基取代，但优选非取代。

[0345] 在一个方式中，Z3为C1－6亚烷基或－(CH2)z7″－亚苯基－(CH2)z8″－，优选为－亚苯3
基－(CH2)z8″－。Z为该基团时，光耐性、特别是紫外线耐性进一步提高。

[0346] 在另一方式中，上述Z3为C1－3亚烷基。在一个方式中，Z3可以为－CH2CH2CH2－。在另3
一方式中，Z可以为－CH2CH2－。

[0347] 上述R34在每次出现时分别独立地为羟基或能够水解的基团。

[0348] R34优选在每次出现时分别独立地为能够水解的基团。

[0349] R34优选在每次出现时分别独立地为－ORh、－OCORh、－O－N＝CRh2、－NRh2、－NHRhh h h或卤素(这些式中，R表示取代或非取代的C1－4烷基)，更优选为－OR (即烷氧基)。作为R ，可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等非取代烷基、氯甲基等取代烷基。这些之h
中，优选烷基，特别优选非取代烷基，更优选甲基或乙基。在一个方式中，R 为甲基，在另一h
方式中，R为乙基。

[0350] 上述R35在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。该1价有机基团是除上述能够水解的基团外的1价有机基团。

[0351] R35中，1价有机基团优选为C1－20烷基，更优选为C1－6烷基，进一步优选为甲基。

[0352] 上述式中，n2在每个(SiR34n2R353－n2)单元中分别独立地为0～3的整数。其中，在RSi34 35
为式(S4)所示的基团时，式(1)和式(2)的末端部分至少存在1个n2为1～3的(SiR n2R 3－n2)单元。即，在该末端部分，所有的n2不同时为0。换言之，在式(1)和式(2)的末端部分至少存在1个键合有羟基或能够水解的基团的Si原子。

[0353] n2在每个(SiR34n2R353－n2)单元中分别独立地优选为1～3的整数，更优选为2～3，进一步优选为3。

[0354] 上述R33′在每次出现时分别独立地为氢原子、羟基或1价有机基团。该1价有机基团是除上述能够水解的基团外的1价有机基团。

[0355] R33′中，1价有机基团优选为C1－20烷基，更优选为C1－6烷基，进一步优选为甲基。

[0356] 在一个方式中，R33′为羟基。

[0357] 在另一方式中，R33′中1价有机基团优选为C1－20烷基，更优选为C1－6烷基。

[0358] 上述q2′在每次出现时分别独立地为0～3的整数，上述r2′在每次出现时分别独立32′ 33′
地为0～3的整数。其中，q2′与r2′的合计在每个(SiR q2′R r2′)单元中为3。

[0359] q2′在每个(SiR32′q2′R33′r2′)单元中分别独立地优选为1～3的整数，更优选为2～3，进一步优选为3。

[0360] R32在每次出现时分别独立地为－Z3－SiR34n2R353－n2。该－Z3－SiR34n2R353－n2的含义32′
与上述R 中的记载相同。

[0361] 上述R33在每次出现时分别独立地为氢原子、羟基或1价有机基团。该1价有机基团是除上述能够水解的基团外的1价有机基团。

[0362] R33中，1价有机基团优选为C1－20烷基，更优选为C1－6烷基，进一步优选为甲基。

[0363] 在一个方式中，R33为羟基。

[0364] 在另一方式中，R33中1价有机基团优选为C1－20烷基，更优选为C1－6烷基。

[0365] 上述p2在每次出现时分别独立地为0～3的整数，q2在每次出现时分别独立地为0～3的整数，r2在每次出现时分别独立地为0～3的整数。其中，p2、q2和r2的合计在每个
31 32 33
(CR p2R q2R r2)单元中为3。

[0366] 在一个方式中，p2为0。

[0367] 在一个方式中，p2在每个(CR31p2R32q2R33r2)单元中分别独立地为1～3的整数、2～3的整数或3。在优选的方式中，p2为3。

[0368] 在一个方式中，q2在每个(CR31p2R32q2R33r2)单元中分别独立地为1～3的整数，优选为2～3的整数，更优选为3。

[0369] 在一个方式中，p2为0，q2在每个(CR31p2R32q2R33r2)单元中分别独立地为1～3的整数，优选为2～3的整数，进一步优选为3。

[0370] Re1在每次出现时分别独立地为－Z3－SiR34n2R353－n2。该－Z3－SiR34n2R353－n2的含义32′
与上述R 中的记载相同。

[0371] Rf1在每次出现时分别独立地为氢原子、羟基或1价有机基团。该1价有机基团是除上述能够水解的基团外的1价有机基团。

[0372] Rf1中，1价有机基团优选为C1－20烷基，更优选为C1－6烷基，进一步优选为甲基。

[0373] 在一个方式中，Rf1为羟基。

[0374] 在另一方式中，Rf1中1价有机基团优选为C1－20烷基，更优选为C1－6烷基。

[0375] 上述k2在每次出现时分别独立地为0～3的整数，l2在每次出现时分别独立地为0～3的整数，m2在每次出现时分别独立地为0～3的整数。其中，k2、l2和m2的合计在每个d1 e1 f1
(CR k2R l2R m2)单元中为3。

[0376] 在一个方式中，RSi为式(S4)所示的基团时，n2为1～3、优选为2或3、更优选为3的34 35
(SiR n2R 3－n2)单元在式(1)和式(2)的各末端部分存在2个以上、例如2～27个、优选2～9个、更优选2～6个、进一步优选2～3个、特别优选3个。

[0377] 在优选的方式中，在式(S4)中存在R32′的情况下，至少1个、优选全部R32′中n2为1～3的整数，优选为2或3，更优选为3。

[0378] 在优选的方式中，在式(S4)中存在R32的情况下，至少1个、优选全部R32中n2为1～3的整数，优选为2或3，更优选为3。

[0379] 在优选的方式中，在式(S4)中存在Re1的情况下，至少1个、优选全部Re1中n2为1～3的整数，优选为2或3，更优选为3。

[0380] 在优选的方式中，在式(S4)中，k2为0，l2为2或3、优选为3，n2为2或3、优选为3。

[0381] 在一个方式中，RSi为式(S2)、(S3)或(S4)所示的基团。

[0382] 在一个方式中，RSi为式(S1)、(S3)或(S4)所示的基团。

[0383] 在一个方式中，RSi为式(S3)或(S4)所示的基团。

[0384] 在一个方式中，RSi为式(S1)所示的基团。

[0385] 在一个方式中，RSi为式(S2)所示的基团。

[0386] 在一个方式中，RSi为式(S3)所示的基团。

[0387] 在一个方式中，RSi为式(S4)所示的基团。

[0388] 上述式(1)和(2)中，XA可以理解为将主要提供拨水性和表面滑动性等的氟代聚醚F1 F2 Si A部分(R 和R )和提供与基材的结合能力的部分(R )连接的连接基。因此，该X只要能够使式(1)和(2)所示的化合物稳定存在即可，既可以为单键，也可以为任意基团。

[0389] 上述式(1)中，α为1～9的整数，β为1～9的整数。这些α和β可以对应于XA的价数而A A变化。α与β之和等于X的价数。例如，X为10价有机基团时，α与β之和为10，例如α为9且β为1、A
α为5且β为5、或α为1且β为9。另外，在X为2价有机基团时，α和β为1。

[0390] 上述式(2)中，γ为1～9的整数。γ可以对应于XA的价数而变化。即，γ为由XA的价数减去1而得到的值。

[0391] XA分别独立地为单键或2～10价有机基团。

[0392] 上述XA中的2～10价有机基团优选为2～8价有机基团。在一个方式中，该2～10价有机基团优选为2～4价有机基团，更优选为2价有机基团。在另一方式中，该2～10价有机基团优选为3～8价有机基团，更优选为3～6价有机基团。

[0393] 在一个方式中，XA为单键或2价有机基团，α为1，β为1。

[0394] 在一个方式中，XA为单键或2价有机基团，γ为1。

[0395] 在一个方式中，XA为3～6价有机基团，α为1，β为2～5。

[0396] 在一个方式中，XA为3～6价有机基团，γ为2～5。

[0397] 在一个方式中，XA为3价有机基团，α为1，β为2。

[0398] 在一个方式中，XA为3价有机基团，γ为2。

[0399] XA为单键或2价有机基团时，式(1)和(2)由下述式(1’)和(2′)表示。

[0400] RF1‑XA‑RSi  (1’)

[0401] RSi‑XA‑RF2‑XA‑RSi  (2’)

[0402] 在一个方式中，XA为单键。

[0403] 在另一方式中，XA为2价有机基团。

[0404] 在一个方式中，作为XA，例如可以列举单键或下述式：‑(R51)p5‑(X51)q5‑所示的2价有机基团。

[0405] [式中，

[0406] R51表示单键、‑(CH2)s5‑或者邻亚苯基、间亚苯基或对亚苯基，优选为‑(CH2)s5‑，[0407] s5为1～20的整数，优选为1～6的整数，更优选为1～3的整数，进一步更优选为1或2，

[0408] X51表示‑(X52)15‑，

[0409] X52在每次出现时分别独立地表示选自‑O‑、‑S‑、邻亚苯基、间亚苯基或对亚苯基、‑53 53 53 54 54 54
C(O)O‑、‑Si(R )2‑、‑(Si(R )2O)m5‑Si(R )2‑、‑CONR ‑、‑O‑CONR ‑、‑NR ‑和‑(CH2)n5‑的基团，

[0410] R53在每次出现时分别独立地表示苯基、C1‑6烷基或C1‑6烷氧基，优选为苯基或C1‑6烷基，更优选为甲基，

[0411] R54在每次出现时分别独立地表示氢原子、苯基或C1‑6烷基(优选为甲基)，

[0412] m5在每次出现时分别独立地为1～100的整数，优选为1～20的整数，

[0413] n5在每次出现时分别独立地为1～20的整数，优选为1～6的整数，更优选为1～3的整数，

[0414] l5为1～10的整数，优选为1～5的整数，更优选为1～3的整数，

[0415] p5为0或1，

[0416] q5为0或1，

[0417] 其中，p5和q5的至少一方为1，标注p5或q5并用括号括起来的各重复单元的存在顺序是任意的。]

[0418] 其中，RA(典型地为RA的氢原子)可以被选自氟原子、C1－3烷基和C1－3氟代烷基中的1A个或1个以上的取代基取代。在优选的方式中，R不被这些基团取代。

[0419] 在优选的方式中，上述XA分别独立地为－(R51)p5－(X51)q5－R56－。R56表示单键、－(CH2)t5－或邻亚苯基、间亚苯基或对亚苯基，优选为－(CH2)t5－。t5为1～20的整数，优选为56 56
2～6的整数，更优选为2～3的整数。其中，R (典型地为R 的氢原子)可以被选自氟原子、
56
C1－3烷基和C1－3氟代烷基中的1个或1个以上的取代基取代。在优选的方式中，R 不被这些基团取代。

[0420] 优选上述XA可以分别独立地为：

[0421] 单键、

[0422] －Xf5－C1－20亚烷基、

[0423] －Xf5－R51－X53－R52－、或

[0424] －Xf5－X54－R5－

[0425] [式中，R51和R52的含义同上，

[0426] X53表示：

[0427] －O－、

[0428] －S－、

[0429] －C(O)O－、

[0430] －CONR54－、

[0431] －O－CONR54－、

[0432] －Si(R53)2－、

[0433] －(Si(R53)2O)m5－Si(R53)2－、

[0434] －O－(CH2)u5－(Si(R53)2O)m5－Si(R53)2－、

[0435] －O－(CH2)u5－Si(R53)2－O－Si(R53)2－CH2CH2－Si(R53)2－O－Si(R53)2－、[0436] －O－(CH2)u5－Si(OCH3)2OSi(OCH3)2－、

[0437] －CONR54－(CH2)u5－(Si(R53)2O)m5－Si(R53)2－、

[0438] －CONR54－(CH2)u5－N(R54)－、或

[0439] －CONR54－(邻亚苯基、间亚苯基或对亚苯基)－Si(R53)2－

[0440] (式中，R53、R54和m5的含义同上，

[0441] u5为1～20的整数，优选为2～6的整数、更优选为2～3的整数)，X54表示：

[0442] －S－、

[0443] －C(O)O－、

[0444] －CONR54－、

[0445] －O－CONR54－、

[0446] －CONR54－(CH2)u5－(Si(R54)2O)m5－Si(R54)2－、

[0447] －CONR54－(CH2)u5－N(R54)－、或

[0448] －CONR54－(邻亚苯基、间亚苯基或对亚苯基)－Si(R54)2－

[0449] (式中，各符号的含义同上)，

[0450] Xf5为单键或碳原子数1～6、优选碳原子数1～4、更优选碳原子数1～2的全氟亚烷基，例如为二氟亚甲基]。

[0451] 更优选上述XA分别独立地为：

[0452] 单键、

[0453] －Xf5－C1－20亚烷基、

[0454] －Xf5－(CH2)s5－X53－、

[0455] －Xf5－(CH2)s5－X53－(CH2)t5－

[0456] －Xf5－X54－、或

[0457] －Xf5－X54－(CH2)t5－

[0458] [式中，Xf5、X53、X54、s5和t5的含义同上]。

[0459] 更优选上述XA分别独立地为：

[0460] 单键、

[0461] －Xf5－C1－20亚烷基、

[0462] －Xf5－(CH2)s5－X53－(CH2)t5－、或

[0463] －Xf5－X54－(CH2)t5－

[0464] [式中，各符号的含义同上]。

[0465] 在优选的方式中，上述XA分别独立地为：

[0466] 单键

[0467] －Xf5－C1－20亚烷基、

[0468] －Xf5－(CH2)s5－X53－、或

[0469] －Xf5－(CH2)s5－X53－(CH2)t5－

[0470] [式中，

[0471] X53为－O－、－CONR54－或－O－CONR54－，

[0472] R54在每次出现时分别独立地表示氢原子、苯基或C1－6烷基，

[0473] s5为1～20的整数，

[0474] t5为1～20的整数]。

[0475] 在一个方式中，上述XA分别独立地为：

[0476] 单键、

[0477] －Xf5－C1－20亚烷基、

[0478] －Xf5－(CH2)s5－O－(CH2)t5－、

[0479] －Xf5－(CH2)s5－(Si(R53)2O)m5－Si(R53)2－(CH2)t5－、

[0480] －Xf5－(CH2)s5－O－(CH2)u5－(Si(R53)2O)m5－Si(R53)2－(CH2)t5－、或

[0481] －Xf5－(CH2)s5－O－(CH2)t5－Si(R53)2－(CH2)u5－Si(R53)2－(CvH2v)－

[0482] [式中，Xf5、R53、m5、s5、t5和u5的含义同上，v5为1～20的整数，优选为2～6的整数，更优选为2～3的整数]。

[0483] 上述式中，－(CvH2v)－既可以为直链，也可以为支链，例如可以为－CH2CH2－、－CH2CH2CH2－、－CH(CH3)－、－CH(CH3)CH2－。

[0484] 上述XA可以分别独立地被选自氟原子、C1－3烷基和C1－3氟代烷基(优选C1－3全氟烷A基)中的1个或1个以上的取代基取代。在一个方式中，X为非取代。

[0485] 其中，上述XA的各式的左侧与RF1或RF2键合，右侧与RSi键合。

[0486] 在一个方式中，XA可以分别独立地为－O－C1－6亚烷基以外的基团。

[0487] 在另一方式中，作为XA，例如可以列举以下基团：

[0488]

[0489] [式中，R41分别独立地为氢原子、苯基、碳原子数1～6的烷基或C1－6烷氧基，优选为甲基；

[0490] D为选自：

[0491] －CH2O(CH2)2－、

[0492] －CH2O(CH2)3－、

[0493] －CF2O(CH2)3－、

[0494] －(CH2)2－、

[0495] －(CH2)3－、

[0496] －(CH2)4－、

[0497] －CONH－(CH2)3－、

[0498] －CON(CH3)－(CH2)3－、

[0499] －CON(Ph)－(CH2)3－(式中，Ph表示苯基)、和

[0500]

[0501] (式中，R42分别独立地表示氢原子、C1－6的烷基或C1－6的烷氧基，优选表示甲基或甲氧基，更优选表示甲基)的基团，

[0502] E为－(CH2)n－(n为2～6的整数)，

[0503] D与分子主链的RF1或RF2键合，E与RSi键合]。

[0504] 作为上述XA的具体例，例如可以列举：

[0505] 单键、

[0506] －CH2OCH2－、

[0507] －CH2O(CH2)2－、

[0508] －CH2O(CH2)3－、

[0509] －CH2O(CH2)6－、

[0510] －CF2－CH2－O－CH2－、

[0511] －CF2－CH2－O－(CH2)2－、

[0512] －CF2－CH2－O－(CH2)3－、

[0513] －CF2－CH2－O－(CH2)6－、

[0514] －CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2－、

[0515] －CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2－、

[0516] －CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2－、

[0517] －CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2－、

[0518] －CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2－、

[0519] －CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2－、

[0520] －CH2OCF2CHFOCF2－、

[0521] －CH2OCF2CHFOCF2CF2－、

[0522] －CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2－、

[0523] －CH2OCH2CF2CF2OCF2－、

[0524] －CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2－、

[0525] －CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2－、

[0526] －CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2－、

[0527] －CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2－、

[0528] －CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2－、

[0529] －CH2OCH2CHFCF2OCF2－、

[0530] －CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2－、

[0531] －CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2－、

[0532] －CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2－、

[0533] －CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2－、

[0534] －CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2－、

[0535] －CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2－C(O)NH－CH2－、

[0536] －CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2－、[0537] －CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3－、

[0538] －CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3－、

[0539] －CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2－、

[0540] －CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2－、

[0541] －(CH2)2－Si(CH3)2－(CH2)2－、

[0542] －CH2－、

[0543] －(CH2)2－、

[0544] －(CH2)3－、

[0545] －(CH2)4－、

[0546] －(CH2)5－、

[0547] －(CH2)6－、

[0548] －CF2－CH2－、

[0549] －CF2－(CH2)2－、

[0550] －CF2－(CH2)3－、

[0551] －CF2－(CH2)4－、

[0552] －CF2－(CH2)5－、

[0553] －CF2－(CH2)6－、

[0554] －CO－、

[0555] －CONH－、

[0556] －CONH－CH2－、

[0557] －CONH－(CH2)2－、

[0558] －CONH－(CH2)3－、

[0559] －CONH－(CH2)6－、

[0560] －CF2CONHCH2－、

[0561] －CF2CONH(CH2)2－、

[0562] －CF2CONH(CH2)3－、

[0563] －CF2CONH(CH2)6－、

[0564] －CON(CH3)－(CH2)3－、

[0565] －CON(Ph)－(CH2)3－(式中，Ph表示苯基)、

[0566] －CON(CH3)－(CH2)6－、

[0567] －CON(Ph)－(CH2)6－(式中，Ph表示苯基)、

[0568] －CF2－CON(CH3)－(CH2)3－、

[0569] －CF2－CON(Ph)－(CH2)3－(式中，Ph表示苯基)、

[0570] －CF2－CON(CH3)－(CH2)6－、

[0571] －CF2－CON(Ph)－(CH2)6－(式中，Ph表示苯基)、

[0572] －CONH－(CH2)2NH(CH2)3－、

[0573] －CONH－(CH2)6NH(CH2)3－、

[0574] －CH2O－CONH－(CH2)3－、

[0575] －CH2O－CONH－(CH2)6－、

[0576] －S－(CH2)3－、

[0577] －(CH2)2S(CH2)3－、

[0578] －CONH－(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2－、

[0579] －CONH－(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2－、

[0580] －CONH－(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2－、

[0581] －CONH－(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2－、

[0582] －CONH－(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2－、

[0583] －CONH－(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2－、

[0584] －C(O)O－(CH2)3－、

[0585] －C(O)O－(CH2)6－、

[0586] －CH2－O－(CH2)3－Si(CH3)2－(CH2)2－Si(CH3)2－(CH2)2－、

[0587] －CH2－O－(CH2)3－Si(CH3)2－(CH2)2－Si(CH3)2－CH(CH3)－、

[0588] －CH2－O－(CH2)3－Si(CH3)2－(CH2)2－Si(CH3)2－(CH2)3－、

[0589] －CH2－O－(CH2)3－Si(CH3)2－(CH2)2－Si(CH3)2－CH(CH3)－CH2－、

[0590] －OCH2－、

[0591] －O(CH2)3－、

[0592] －OCFHCF2－、

[0593]

[0594] 等。

[0595] 在又一方式中，XA分别独立地为式：－(R16)x1－(CFR17)y1－(CH2)z1－所示的基团。式中，x1、y1和z1分别独立地为0～10的整数，x1、y1与z1之和为1以上，用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。

[0596] 上述式中，R16在每次出现时分别独立地为氧原子、亚苯基、亚咔唑基、－NR18－(式18 18
中，R 表示氢原子或有机基团)或2价有机基团。优选R 为氧原子或2价极性基团。

[0597] 作为上述“2价极性基团”，没有特别限定，可以列举－C(O)－、－C(＝NR19)－和－C19 19
(O)NR －(这些式中，R 表示氢原子或低级烷基)。该“低级烷基”例如为碳原子数1～6的烷基，例如甲基、乙基、正丙基，它们可以被1个或1个以上的氟原子取代。

[0598] 上述式中，R17在每次出现时分别独立地为氢原子、氟原子或低级氟代烷基，优选为氟原子。该“低级氟代烷基”例如为碳原子数1～6、优选碳原子数1～3的氟代烷基，优选为碳原子数1～3的全氟烷基、更优选为三氟甲基、五氟乙基，进一步优选为三氟甲基。

[0599] 在又一方式中，作为XA的例子，可以列举以下基团：

[0600]

[0601] [式中，

[0602] R41分别独立地为氢原子、苯基、碳原子数1～6的烷基或C1－6烷氧基，优选为甲基；

[0603] 在各X101基中，T中的任意几个为与分子主链的RF1或RF2键合的以下基团：

[0604] －CH2O(CH2)2－、

[0605] －CH2O(CH2)3－、

[0606] －CF2O(CH2)3－、

[0607] －(CH2)2－、

[0608] －(CH2)3－、

[0609] －(CH2)4－、

[0610] －CONH－(CH2)3－、

[0611] －CON(CH3)－(CH2)3－、

[0612] －CON(Ph)－(CH2)3－(式中，Ph表示苯基)、或

[0613]

[0614] [式中，R42分别独立地表示氢原子、C1－6烷基或C1－6烷氧基，优选表示甲基或甲氧基，更优选表示甲基。]

[0615] 另外的几个T与分子主链的RSi键合，在存在时，其余的T分别独立地为甲基、苯基、C1－6烷氧基或者自由基捕捉基或紫外线吸收基。

[0616] 自由基捕捉基只要是能够捕捉因光照射而产生的自由基的基团就没有特别限定，可以列举例如二苯甲酮类、苯并三唑类、苯甲酸酯类、水杨酸苯酯类、巴豆酸类、丙二酸酯类、有机丙烯酸酯类、受阻胺类、受阻酚类、或三嗪类的残基。

[0617] 紫外线吸收基只要是能够吸收紫外线的基团就没有特别限定，可以列举例如苯并三唑类、羟基二苯甲酮类、取代和未取代苯甲酸或水杨酸化合物的酯类、丙烯酸酯或烷氧基肉桂酸酯类、草酰胺类、草酰替苯胺类、苯并噁嗪酮类、苯并噁唑类的残基。

[0618] 在优选的方式中，作为优选的自由基捕捉基或紫外线吸收基，可以列举：

[0619]

[0620] 在该方式中，XA可以分别独立地为3～10价有机基团。

[0621] 在又一方式中，作为XA的例子，可以列举以下基团：

[0622]

[0623] [式中，R25、R26和R27分别独立地为2～6价有机基团，

[0624] R25与至少1个RF1键合，R26和R27分别与至少1个RSi键合。]

[0625] 在一个方式中，上述R25为单键、C1－20亚烷基、C3－20亚环烷基、C5－20亚芳基、－R57－58 59 58 59 57 58 57 59
X －R －、－X －R －或－R －X －。上述R 和R 分别独立地为单键、C1－20亚烷基、C3－20
58
亚环烷基或C5－20亚芳基。上述X 为－O－、－S－、－CO－、－O－CO－或－COO－。

[0626] 在一个方式中，上述R26和R27分别独立地为烃、或者烃的端部或主链中具有选自N、36 37 36 36 38
O和S中的至少1个原子的基团，优选列举C1－6烷基、－R －R －R －、－R －CHR 2－等。其
36 37
中，R 分别独立地为单键或碳原子数1～6的烷基，优选为碳原子数1～6的烷基。R 为N、O或
38 45 46 45 46 45 45 46 45
S，优选为N或O。R 为－R －R －R －、－R －R －或－R －R －。其中，R 分别独立地为
46
碳原子数1～6的烷基。R 为N、O或S，优选为O。

[0627] 在该方式中，XA可以分别独立地为3～10价有机基团。

[0628] 上述式(1)或式(2)所示的含氟代聚醚基的化合物没有特别限定，可以具有5×1025
～1×10的平均分子量。在该范围中，从摩擦耐久性的观点出发，优选具有2000～32000、更优选2500～12000的平均分子量。其中，该“平均分子量”指数均分子量，“平均分子量”是通
19
过 F－NMR测得的值。

[0629] 在一个方式中，本发明所使用的表面处理剂中，含氟硅烷化合物为式(1)所示的化合物。

[0630] 在另一方式中，本发明所使用的表面处理剂中，含氟硅烷化合物为式(2)所示的化合物。

[0631] 在另一方式中，本发明所使用的表面处理剂中，含氟硅烷化合物为式(1)所示的化合物和式(2)所示的化合物。

[0632] 本发明所使用的表面处理剂中，相对于式(1)所示的化合物与式(2)所示的化合物的合计，式(2)所示的化合物优选为0.1摩尔％以上35摩尔％以下。式(2)所示的化合物相对于式(1)所示的化合物与式(2)所示的化合物的合计的含量的下限优选为0.1摩尔％，更优选为0.2摩尔％，进一步优选为0.5摩尔％，进一步更优选为1摩尔％，特别优选为2摩尔％，特别是5摩尔％。式(2)所示的化合物相对于式(1)所示的化合物与式(2)所示的化合物的合计的含量的上限优选为35摩尔％，更优选为30摩尔％，进一步优选为20摩尔％，进一步更优选为15摩尔％或10摩尔％。式(2)所示的化合物相对于式(1)所示的化合物与式(2)所示的化合物的合计优选为0.1摩尔％以上30摩尔％以下，更优选为0.1摩尔％以上20摩尔％以下，进一步优选为0.2摩尔％以上10摩尔％以下，进一步更优选为0.5摩尔％以上10摩尔％以下，特别优选为1摩尔％以上10摩尔％以下，例如为2摩尔％以上10摩尔％以下或5摩尔％以上10摩尔％以下。通过将式(2)所示的化合物设在这样的范围内，能够进一步提升摩擦耐久性。

[0633] 上述的式(1)或(2)所示的化合物例如可以通过上述专利文献1、专利文献2等记载的方法获得。

[0634] 本发明所使用的表面处理剂可以含有溶剂、能够理解为含氟油的(非反应性的)氟代聚醚化合物、优选全氟(聚)醚化合物(以下统称为“含氟油”)、能够理解为硅油的(非反应性的)有机硅化合物(以下称为“有机硅”)、催化剂、表面活性剂、阻聚剂、敏化剂等。

[0635] 作为上述溶剂，例如可以列举：己烷、环己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、矿油精等脂肪族烃类；苯、甲苯、二甲苯、萘、溶剂石脑油等芳香族烃类；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸正丁酯、乙酸异丙酯、乙酸异丁酯、乙酸溶纤剂、丙二醇甲醚乙酸酯、乙酸卡必醇酯、草酸二乙酯、丙酮酸乙酯、乙基－2－羟基丁酸酯、乙酰乙酸乙酯、乙酸戊酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、3－甲氧基丙酸甲酯、3－甲氧基丙酸乙酯、2－羟基异丁酸甲酯、2－羟基异丁酸乙酯等酯类；丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、2－己酮、环己酮、甲基氨基酮、2－庚酮等酮类；乙基溶纤剂、甲基溶纤剂、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、丙二醇单丁醚乙酸酯、二丙二醇二甲醚、乙二醇单烷基醚等二醇醚类；甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、叔丁醇、仲丁醇、3－戊醇、辛醇、3－甲基－3－甲氧基丁醇、叔戊醇等醇类；乙二醇、丙二醇等二醇类；四氢呋喃、四氢吡喃、二噁烷等环状醚类；N,N－二甲基甲酰胺、N,N－二甲基乙酰胺等酰胺类；甲基溶纤剂、溶纤剂、异丙基溶纤剂、丁基溶纤剂、二乙二醇单甲醚等醚醇类；二乙二醇单乙醚乙酸酯；1,1,2－三氯－1,2,2－三氟乙烷、1,2－二氯－1,1,2,2－四氟乙烷、二甲基亚砜、1,1－二氯－1,2,2,3,3－五氟丙烷(HCFC225)、ZEORORA H、HFE7100、HFE7200、HFE7300等含氟溶剂等。或者可以列举它们的2种以上的混合溶剂等。

[0636] 作为含氟油，没有特别限定，例如可以列举以下通式(3)所示的化合物(全氟(聚)醚化合物)。

[0637] Rf5－(OC4F8)a′－(OC3F6)b′－(OC2F4)c′－(OCF2)d′－Rf6

[0638]                    ···(3)

[0639] 式中，Rf5表示可以被1个或1个以上氟原子取代的碳原子数1～16烷基(优选C1―166
全氟烷基)，Rf 表示可以被1个或1个以上氟原子取代的碳原子数1～16的烷基(优选C1－16全
5 6
氟烷基)、氟原子或氢原子，Rf和Rf更优选分别独立地为C1－3全氟烷基。

[0640] a′、b′、c′和d′分别表示构成聚合物主骨架的全氟(聚)醚的4种重复单元数，彼此独立地为0以上300以下的整数，a′、b′、c′和d′之和至少为1，优选为1～300，更优选为20～300。标注角标a′、b′、c′或d′并用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。这些重复单元中，－(OC4F8)－可以为－(OCF2CF2CF2CF2)－、－(OCF(CF3)CF2CF2)－、－(OCF2CF(CF3)CF2)－、－(OCF2CF2CF(CF3))－、－(OC(CF3)2CF2)－、－(OCF2C(CF3)2)－、－(OCF(CF3)CF(CF3))－、－(OCF(C2F5)CF2)－和(OCF2CF(C2F5))－的任一种，优选为－
(OCF2CF2CF2CF2)－。－(OC3F6)－可以为－(OCF2CF2CF2)－、－(OCF(CF3)CF2)－和(OCF2CF(CF3))－的任一种，优选为－(OCF2CF2CF2)－。－(OC2F4)－可以为－(OCF2CF2)－和(OCF(CF3))－的任一种，优选为－(OCF2CF2)－。

[0641] 作为上述通式(3)所示的全氟(聚)醚化合物的例子，可以列举以下通式(3a)和(3b)的任一式所示的化合物(可以为1种或2种以上的混合物)。

[0642] Rf5－(OCF2CF2CF2)b″－Rf6···(3a)

[0643] Rf5－(OCF2CF2CF2CF2)a″－(OCF2CF2CF2)b″－(OCF2CF2)c″－(OCF2)d″－Rf6···(3b)[0644] 这些式中，Rf5和Rf6如上所述；式(3a)中，b″为1以上100以下的整数；式(3b)中，a″和b″分别独立地为0以上30以下的整数，c″和d″分别独立地为1以上300以下的整数。标注角标a″、b″、c″、d″并用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。

[0645] 另外，从其它的观点出发，含氟油可以为通式Rf3－F(式中，Rf3为C5－16全氟烷基)所示的化合物。另外，还可以为氯三氟乙烯低聚物。

[0646] 上述含氟油可以具有500～10000的平均分子量。含氟油的分子量可以使用GPC测定。

[0647] 含氟油相对于表面处理剂例如可以含有0～50质量％、优选0～30质量％、更优选0～5质量％。在一个方式中，表面处理剂实质上不含含氟油。实质上不含含氟油意指完全不含含氟油、或者可以含有极微量的含氟油。

[0648] 在一个方式中，可以使含氟油的平均分子量大于含氟硅烷化合物的平均分子量。通过形成这样的平均分子量，特别是在利用真空蒸镀法形成表面处理层时，能够获得更优异的摩擦耐久性和表面滑动性。

[0649] 在一个方式中，可以使含氟油的平均分子量小于含氟硅烷化合物的平均分子量。通过形成这样的平均分子量，能够抑制由该化合物得到的表面处理层的透明性下降，并且形成具有高摩擦耐久性和高表面滑动性的固化物。

[0650] 含氟油有助于提高由表面处理剂形成的层的表面滑动性。

[0651] 作为上述硅油，例如可以使用硅氧烷键为2000以下的直链状或环状的硅油。直链状的硅油可以是所谓的普通硅油和改性硅油。作为普通硅油，可以列举二甲基硅油、甲基苯基硅油、甲基氢硅油。作为改性硅油，可以列举利用烷基、芳烷基、聚醚、高级脂肪酸酯、氟代烷基、氨基、环氧基、羧基、醇等将普通硅油改性而形成的硅油。环状的硅油例如可以列举环状二甲基硅氧烷油等。

[0652] 上述表面处理剂中，该硅油相对于上述含氟硅烷化合物的合计100质量份(2种以上时为它们的合计，下同)例如含有0～300质量份、优选50～200质量份。

[0653] 硅油有助于提高表面处理层的表面滑动性。

[0654] 作为上述催化剂，可以列举酸(例如乙酸、三氟乙酸等)、碱(例如氨、三乙胺、二乙胺等)、过渡金属(例如Ti、Ni、Sn等)等。

[0655] 催化剂促进上述含氟硅烷化合物的水解和脱水缩合，促进由上述表面处理剂形成的层的形成。

[0656] 作为其它成分，除了上述以外，例如还可以列举四乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、3－氨基丙基三甲氧基硅烷、3－环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、甲基三乙酰氧基硅烷等。

[0657] 本发明所使用的表面处理剂可以浸渗在多孔物质例如多孔的陶瓷材料、将金属纤维例如钢丝绒固定成棉状的材料中，制成粒料。该粒料例如能够用于真空蒸镀。

[0658] 上述表面处理层的厚度没有特别限定。在光学部件的情况下，从光学性能、表面滑动性、摩擦耐久性和防污性的观点出发，上述层的厚度优选为1～50nm、1～30nm、优选1～15nm的范围。

[0659] 上述表面处理层例如可以通过在上述中间层上形成上述表面处理剂的层，并根据需要对该层进行后处理而形成。

[0660] 上述的表面处理剂的层形成可以通过对中间层的表面以覆盖该表面的方式应用上述表面处理剂来实施。覆盖方法没有特别限定。例如可以使用湿润覆盖法和干燥覆盖法。

[0661] 作为湿润覆盖法的例子，可以列举浸涂、旋涂、流涂、喷涂、辊涂、凹版涂敷以及类似的方法。

[0662] 作为干燥覆盖法的例子，可以列举蒸镀(通常为真空蒸镀)、溅射、CVD以及类似的方法。作为蒸镀法(通常为真空蒸镀法)的具体例，可以列举电阻加热、电子束、使用微波等的高频加热、离子束以及类似的方法。作为CVD方法的具体例，可以列举等离子体－CVD、光学CVD、热CVD以及类似的方法。

[0663] 另外，还可以利用常压等离子体法实现覆盖。

[0664] 利用湿润覆盖法的情况下，上述表面处理剂可以利用溶剂稀释之后再应用于中间层。从上述表面处理剂的稳定性和溶剂的挥发性的观点出发，优选使用以下溶剂：碳原子数5～12的全氟脂肪族烃(例如全氟己烷、全氟甲基环己烷和全氟－1,3－二甲基环己烷)；聚氟代芳香族烃(例如双(三氟甲基)苯)；聚氟代脂肪族烃(例如C6F13CH2CH3(例如旭硝子株式会社生产的ASAHIKLIN(注册商标)AC‑6000)、1,1,2,2,3,3,4－七氟环戊烷(例如日本瑞翁株式会社生产的ZEORORA(注册商标)H)；氢氟醚(HFE)(例如全氟丙基甲基醚(C3F7OCH3)(例如住友3M株式会社生产的Novec(商标)7000)、全氟丁基甲基醚(C4F9OCH3)(例如住友3M株式会社生产的Novec(商标)7100)、全氟丁基乙基醚(C4F9OC2H5)(例如住友3M株式会社生产的Novec(商标)7200)、全氟己基甲基醚(C2F5CF(OCH3)C3F7)(例如住友3M株式会社生产的Novec(商标)7300)等的烷基全氟烷基醚(全氟烷基和烷基可以为直链或支链状)、或者
CF3CH2OCF2CHF2(例如旭硝子株式会社生产的ASAHIKLIN(注册商标)AE‑3000))等。这些溶剂可以单独使用或以2种以上的混合物的形式使用。其中，优选氢氟醚，特别优选全氟丁基甲基醚(C4F9OCH3)和/或全氟丁基乙基醚(C4F9OC2H5)。

[0665] 在利用干燥覆盖法的情况下，上述表面处理剂可以直接供于干燥覆盖法，或者也可以在利用上述溶剂稀释后供于干燥覆盖法。

[0666] 上述表面处理剂的层形成优选以表面处理剂与用于水解和脱水缩合的催化剂一起存在于层中的方式实施。简便起见，在利用湿润覆盖法的情况下，可以在利用溶剂将上述表面处理剂稀释之后、即将应用于中间层表面之前，在上述表面处理剂的稀释液中添加催化剂。在利用干燥覆盖法的情况下，可以利用添加了催化剂的上述表面处理剂直接进行蒸镀(通常为真空蒸镀)处理、或者使用在铁或铜等的金属多孔体中浸渗有添加了催化剂的上述表面处理剂的颗粒状物质进行蒸镀(通常为真空蒸镀)处理。

[0667] 催化剂可以使用任意适合的酸或碱。作为酸催化剂，可以使用例如乙酸、甲酸、三氟乙酸等。另外，作为碱催化剂，可以使用例如氨、有机胺类等。

[0668] 如上所述，在中间层的表面形成源自上述表面处理剂的层，制造本发明的物品。由此得到的上述表面处理层具有高摩擦耐久性。并且，上述层除了具有高摩擦耐久性之外，根据所使用的表面处理剂的组成，还可以具有拨水性、拨油性、防污性(例如防止指纹等污垢附着)、防水性(防止水侵入电子部件等)、表面滑动性(或者润滑性、例如指纹等污垢的拭去性或对手指的优异的触感)等，适合作为功能性薄膜利用。

[0669] 即，本发明进一步还涉及最外层具有上述表面处理层的光学材料。

[0670] 本发明的物品没有特别限定。光学部件的例子可以列举以下部件：眼镜等的镜片；PDP、LCD等显示器的前面保护板、防反射板、偏光板、防眩光板；便携式电话、便携信息终端等设备的触摸面板；蓝光(Blu‑ray(注册商标))光盘、DVD光盘、CD‑R、MO等光盘的光盘面；光纤；钟表的显示面等。

[0671] 另外，本发明的物品还可以是医疗器械或医疗材料。

[0672] 本发明的物品在基材上具有包含含Si复合氧化物的中间层，在其上具有由包含含氟硅烷化合物的表面处理剂形成的表面处理层，因而具有高耐化学性、高摩擦耐久性。

[0673] 本发明的物品通过在基材上形成包含含Si复合氧化物的中间层、在其上由包含含氟硅烷化合物的表面处理剂形成表面处理层而得到。

[0674] 典型地，本发明的物品可以通过在基材上同时蒸镀Si和其它原子而制造。

[0675] 因此，本发明还提供一种物品的制造方法，该物品具有基材和在其上形成的由包含含氟硅烷化合物的表面处理剂形成的表面处理层，该制造方法包括：在上述基材上同时蒸镀Si和其它金属，形成包含含Si复合氧化物的中间层的步骤；和直接在上述中间层上形成表面处理层的步骤。

[0676] 本发明的物品也可以通过在基材上依次蒸镀Si和其它原子而制造。

[0677] 以上对本发明的物品进行了详细说明。但本发明的物品和物品的制造方法等不限定于上述的例示。

[0678] 实施例

[0679] 以下利用实施例对本发明的物品进行说明，但本发明不限定于以下的实施例。其中，在本实施例中，以下所示的化学式均表示平均组成，构成氟代聚醚的重复单元((CF2CF2CF2O)、(CF(CF3)CF2O)、(CF2CF2O)、(CF2O)等)的存在顺序是任意的。

[0680] 作为玻璃基体，使用厚度0.5mm、71.5mm×149.0mm的实施了化学强化、表面研磨的Gorilla玻璃3(康宁公司生产)，在形成中间层之后，在该中间层上形成表面处理层，得到带有表面处理层的玻璃基体。详细情况如下。

[0681] (中间层的形成)

[0682] 中间层的形成通过如下方式进行，即，在RAS或DC溅射装置内设置硅靶和钽靶或铌靶，向腔室内导入氩与氧的混合气体，并且对每个实施例设定溅射条件，形成各种成膜比率(Si/Ta)的厚度10～40nm的由硅和钽或铌的复合氧化物构成的中间层。

[0683] 表面处理层的形成可以使用能够实施电阻加热蒸镀的装置进行。具体而言，将含有含氟有机硅化合物的组合物导入加热容器内，之后利用真空泵进行排气，在蒸馏除去溶剂后对加热容器进行加热，由此在中间层上形成表面处理层。作为含氟有机硅化合物，使用具有以下结构的化合物。

[0684] 化合物A

[0685] CF3O(CF2CF2O)15(CF2O)16CF2CH2OCH2CH2CH2Si[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3化合物B

[0686] CF3CF2CF2O(CF2CF2CF2O)25CF2CF2(CH2CH[Si(OCH3)3])3H

[0687] 化合物C

[0688] CF3CF2CF2O(CF2CF2CF2O)23CF2CF2CONHCH2CH2CH2Si(OCH3)3化合物D

[0689] CF3CF2CF2O(CF2CF2CF2O)23CF2CF2CONHCH2C[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3化合物E

[0690] [(CH3O)3SiCH2CH2CH2]3CCH2NHCOCF2O(CF2CF2O)10(CF2O)10CF2CONHCH2C[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3

[0691] 化合物F

[0692] [(CH3O)3SiCH2CH2CH2]3CCH2NHCOCF2O(CF2CF2O)8(CF2O)14CF2CONHCH2C[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3

[0693] 化合物G

[0694] [(CH3O)3SiCH2CH2CH2]3CCH2NHCOCF2CF2O(CF2CF2CF2O)16CF2CF2CONHCH2C[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3

[0695] 化合物H

[0696] CF3CF2CF2O[CF(CF3)CF2O]22CFCONHCH2C[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3

[0697] [表1]

[0698]

[0699] ＜评价＞

[0700] 对于上述得到的带有表面处理层的玻璃基体，分别如下所述进行水接触角的测定、碱试验和摩擦耐久性的评价。

[0701] (碱浸渍试验)

[0702] 将直径1cm的PTFE制O形环置于上述实施例3、4、7、10～13和17、以及比较例1、4～6和10中经过表面处理的基材的表面，向上述O形环内滴加8N的NaOH溶液(碱水溶液)，使表面处理层的表面与碱水溶液接触，交付于碱浸渍试验。在经过20～360分钟的碱浸渍试验后拭去碱水溶液，利用纯水、乙醇清洗后测定对于水的接触角。其中，关于水的静态接触角，在上述的碱浸渍试验后的玻璃基体的表面上滴加2μL的纯水的水滴，使用接触角计(协和界面化学株式会社生产，自动接触角计DropMaster701)，测定对于水的接触角。碱浸渍试验后的水的静态接触角的测定部位为5个部位。在360分钟以内水的静态接触角的测定值下降的情况下，中途停止碱浸渍试验。将浸渍时间与5个部位的接触角平均值的关系示于以下的表2。

[0703] [表2]

[0704]

[0705] (磨损耐久性试验)

[0706] 将形成有表面处理层的物品样品水平放置，使以下摩擦件与表面处理层的表面接触(接触面为直径1cm的圆)，在其上施加5N的荷重，之后，在施加了荷重的状态下使摩擦件以40mm/秒的速度往复运动。对于实施例1和2以及比较例1，使摩擦件最多往复3000次，另外，对于实施例3～6、8～9和11～17以及比较例2～10，使摩擦件最多往复10000次，往复次数(摩擦次数)每500或1000次分别测定水的静态接触角(°)。在水的静态接触角的测定值低于60°时中止试验。其中，水的静态接触角的测定与上述的碱试验同样实施。对于使用了RAS的实施例1和2以及比较例1，将结果示于以下的表3，对于使用了DC的实施例3～6、8～9和11～17，将结果示于以下的表4，另外，对于比较例2～10，将结果示于以下的表5。

[0707] ·摩擦件

[0708] 利用在以下所示组成的人工汗中浸渍过的棉布覆盖以下所示的硅橡胶加工品的表面(直径1cm)，使用由此得到的摩擦件。

[0709] 人工汗的组成：

[0710] 无水磷酸氢二钠：2g

[0711] 氯化钠：20g

[0712] 85％乳酸：2g

[0713] 组氨酸盐酸盐：5g

[0714] 蒸馏水：1Kg

[0715] 硅橡胶加工品：

[0716] 将Tigers Polymer Corporation制造的硅橡胶塞SR‑51加工成直径1cm、厚度1cm的圆柱状。

[0717] [表3]

[0718]

[0719] [表4]

[0720]

[0721] [表5]

[0722]

[0723] (表面分析)

[0724] 使用X射线光电子能谱分析装置(XPS，ULVAC‑PHI ,Inc.公司制PHI5000VersaProbeII)对经过上述处理的玻璃基体的处理表面的组成进行分析(深度方向分析)。XPS分析的测定条件如下。

[0725] X射线源：单色化AlKα射线(25W)

[0726] 光电子检出面积：1400μm×300μm

[0727] 光电子检出角：20度、45度、90度

[0728] 通过能：23.5eV

[0729] 对于实施例1和2的带有表面处理层的玻璃基体，通过上述XPS观测C1s、O1s、F1s、Si2p和Ta4f轨道的峰面积，算出碳、氧、氟、硅、钽的原子比、面积比，由此求出包含表面处理防污层的处理表面的组成。对于使用了RAS的实施例1和2，将结果示于以下的表6。

[0730] [表6]

[0731]

[0732] (表面分析)

[0733] 使用X射线光电子能谱分析装置(XPS，ULVAC‑PHI ,Inc.公司制PHI5000VersaProbeII)对经过上述处理的玻璃基体的处理表面的组成进行分析(深度方向分析)。XPS分析的测定条件如下。

[0734] X射线源：单色化AlKα射线(25W)

[0735] 光电子检出面积：1400μm×300μm

[0736] 光电子检出角：45度

[0737] 通过能：23.5eV

[0738] 溅射离子：Ar离子

[0739] 对于实施例1～7的带有表面处理层的玻璃基体，利用Ar离子进行规定时间溅射，由此将基材上的层(表面处理层和中间层)在深度方向上缓缓蚀刻，在各规定时间后，通过上述XPS观测O1s、Si2p和Ta4f轨道的峰面积，算出氧、硅的原子比、面积比，由此求出基材表面的层的组成。溅射中的时蚀刻速率设定为3nm/分钟。将实施例1～7的结果示于以下的表7。

[0740] [表7]

[0741]

[0742] 根据上述分析结果可以确认，Si/Ta比为0.15～12.0(Si∶Ta＝13∶87～93∶7)的实施例中具有高碱耐性和摩擦耐久性。

[0743] 根据上述结果可以理解，在基材与表面处理层之间形成有由Si、Ta和O构成的中间层或者由Si、Nb和O构成的中间层的实施例1～17与不具有这样的中间层的比较例1～10相比，能够抑制碱浸渍试验中的接触角下降，确认了碱耐久性优异。并且，实施例1～4的磨损耐久试验中的接触角的下降得到抑制，确认了使用人工汗测得的磨损耐久性优异。

[0744] 产业上的可利用性

[0745] 本发明的物品适合用作例如光学部件的各种各样的用途。