技术领域
[0001] 本发明关于太阳能电池，并关于将晶片型太阳能电池与薄膜型太阳能电池结合的太阳能电池。
相关背景技术
[0002] 太阳能电池是根据半导体的特性将光能转换成电能的装置。
[0003] 太阳能电池具有正型(P型)半导体与负型(N型)半导体彼此结合的PN结结构(PN junction structure)。当阳光入射至具有PN结结构的太阳能电池时，通过入射阳光的能量在半导体内会产生空穴和电子。此时，由于在PN结产生的电场，空穴(+)会移动至P型半导体，电子(‑)会移动至N型半导体，从而产生电位以产生电力。
[0004] 太阳能电池可分类成薄膜型(thin film type)太阳能电池及晶片型(wafer type)太阳能电池。
[0005] 晶片型太阳能电池是通过使用诸如硅晶片的半导体材料作为基板制作而成的太阳能电池，薄膜型太阳能电池是通过在诸如玻璃的基板上形成薄膜型半导体制作而成的太阳能电池。
[0006] 晶片型太阳能电池具有优于薄膜型太阳能电池的效率，但相较于晶片型太阳能电池，薄膜型太阳能电池具有制造成本较低的优点。
[0007] 因此，已提出一种将晶片型太阳能电池与薄膜型太阳能电池结合的太阳能电池。在下文中，将参考附图说明已知的太阳能电池。
[0008] 图1a至图1c为说明已知的制造太阳能电池的方法的工艺示意侧视图。
[0009] 首先，如图1a所示，准备基板100。于此，基板100可选自硅晶片及玻璃的其中之一。
[0010] 随后，如图1b所示，通过在基板100上形成多个薄膜层200来执行电池制造工艺。各个薄膜层200可为选自半导体层及导体层之中的一层体。
[0011] 随后，如图1c所示，形成分割部300，分割部300用以将形成有多个薄膜层200的电池分割成单元电池。分割部300可通过使用激光的划线工艺(scribing process)来形成。划线工艺可通过将激光束照射到电池上的划线装置300a来进行。
[0012] 于此，已知的制造太阳能电池的方法是在基板100上形成多个薄膜层，接着再进行划线工艺。因此，已知的制造太阳能电池的方法具有以下问题。
[0013] 第一，已知的制造太阳能电池的方法使得多个薄膜层200在激光经由划线工艺照射到的部分彼此结合。因此，在已知的制造太阳能电池的方法中，会发生层间短路现象(layer short phenomenon)，层间短路现象会阻碍空穴(+)与电子(‑)在多个薄膜层200之间移动，进而造成太阳能电池能够产生的电力减少的问题。
[0014] 第二，已知的制造太阳能电池的方法使得由划线工艺所致的颗粒400及裂缝500在电池中形成。因此，已知的制造太阳能电池的方法具有因颗粒400及裂缝500而使太阳能电池成品的质量下降的问题。
