[0001] 本发明涉及在半导体晶片等板状体上粘贴膜的粘贴装置。

[0002] 作为粘贴膜的板状体，例如可举出半导体构件用的半导体晶片。半导体晶片在主面上形成电路等之后，对成为该主面的相反侧的背面进行磨削而成为所希望的薄度。在该背面的磨削时，为了保护主表面的电路等，在半导体晶片的主面上粘贴保护膜等膜。

[0003] 一般的粘贴装置具有载置半导体晶片的载置部件和设置在该载置部件的对置位置的粘贴辊等按压部件。该粘贴装置构成为通过利用粘贴辊等按压构件将膜按压于主面，从而将该膜粘贴于该主面。

[0004] 在此，在半导体晶片中，例如存在通过在主面具有多个凸块，从而由于该凸块的顶部而使该主面成为了凹凸状的晶片。若使用上述的粘贴装置将膜粘贴到这样的主面，则被按压于该主面上的该膜的表面仿效由凸块的顶部造成的凹凸而成为凹凸状。而且，若膜的表面成为凹凸状，则在隔着该膜将半导体晶片固定于粘贴装置的载置构件时，有时发生真空泄漏等不良情况。作为消除这样的不良情况的产生的技术，已知有专利文献1。

[0005] 即，在专利文献1中，作为用于半导体晶片的膜，公开了设置有凹凸吸收性树脂层等的膜。而且，该膜通过凹凸吸收性树脂层、台阶吸收层等，使得在粘贴于主面的膜的表面上难以产生凹凸。

[0006] 现有技术文献

[0007] 专利文献

[0008] 专利文献1：日本特开2000‑17239号公报

[0059] 以下，参照附图对本发明进行说明。在此所示的事项是例示性的事项以及用于例示性地说明本发明实施方式的事项，出于提供被认为是能够最有效且无困难地理解本发明的原理和概念性的特征的说明的目的而进行了叙述。在这一点上，为了本发明的根本性的理解是必要的，并非意图在一定程度以上示出本发明的结构性的详细情况，通过与附图结合的说明使本领域技术人员明白实际如何实现本发明的几个方式。

[0060] [1]粘贴装置(第一发明)

[0061] 第一发明的粘贴装置是在板状体(10)上粘贴膜(20)的粘贴装置30。如图1以及图2所示，粘贴装置30具备载置部件31、按压部件32以及支撑部件33。

[0062] 上述载置部件31呈板状。在该载置部件31设置有载置板状体(10)的载置部31A。

[0063] 上述按压部件32呈板状。该按压部件32设置于载置部件31的对置位置。

[0064] 上述支撑部件33位于载置部件31与按压部件32之间。该支撑部件33设置于载置部31A的外缘。

[0065] 需要说明的是，在图1中，板状体(10)和载置部31A用虚线表示。在图2中，按压部件32由双点划线表示。

[0066] 另外，在以下的记载中，板状体(10)的主面10A是指在板状体(10)中成为膜(20)的粘贴面的面。例如，在图1中，板状体(10)的主面10A是板状体(10)的表面(上表面)。

[0067] 具体而言，上述粘贴装置30具备粘贴机构。该粘贴机构是固定板状体(10)，将膜(20)按压并粘贴在该板状体(10)的主面10A上的机构。

[0068] 粘贴机构具有上述载置部件31和上述按压部件32。

[0069] 载置部件31能够具有对载置于载置部31A的板状体(10)进行固定的功能。

[0070] 按压部件32能够具有将膜(20)按压在载置于载置部31A的板状体(10)的主面10A上的功能。

[0071] 支撑部件33能够具有在利用上述按压部件32按压膜(20)时支撑该膜(20)的边缘部(周缘部)的功能。被该支撑部件33支撑的膜(20)的边缘部被夹在按压部件32与支撑部件33之间，由此能够向其厚度方向压缩。

[0072] 即，在上述粘贴装置30中，粘贴机构能够包括压缩机构。该压缩机构是将膜(20)的边缘部向其厚度方向压缩的机构。而且，压缩机构具有上述按压部件32和上述支撑部件33。

[0073] 上述粘贴装置30能够进一步具备配置机构34。该配置机构34是在板状体(10)的主面10A上配置膜(20)的机构。

[0074] 关于配置机构34的构成等，没有特别限定。该配置机构34例如能够具有引导辊35A和上下一对牵引辊35B(参照图1)。

[0075] 引导辊35A从上述载置部31A的正上方位置向外侧错位地设置。该引导辊35A能够具有将膜(20)引导到载置部件31与按压部件32之间的功能。

[0076] 一对牵引辊35B在水平方向上与引导辊35A对置，且从上述载置部31A的正上方位置向外侧错位地设置。一对牵引辊35B能够在彼此之间夹持膜(20)并进行牵引。即，一对牵引辊35B能够具有将被引导辊35A引导到载置部件31与按压部件32之间的膜(20)配置在主面10A上的功能。

[0077] 另外，上述粘贴装置30还能够具备加热机构。该加热机构是对膜(20)进行加热的机构。

[0078] 加热机构的构成等没有特别限定。该加热机构例如能够通过在上述载置部件31中内置加热器36等而设置(参照图1)。

[0079] 以下，对于粘贴装置30的载置部件31、按压部件32以及支撑部件33进行详细叙述。

[0080] (1)载置部件

[0081] 载置部件31只要是呈板状且设置有载置板状体(10)的载置部31A的部件即可，对种类、构成等没有特别限定。

[0082] 通常，载置构件31能够使用卡盘工作台。另外，在使用卡盘工作台作为载置部件31的情况下，载置部31A能够设为设置于卡盘工作台的卡盘区域。

[0083] 另外，在卡盘工作台中，载置部件31优选使用真空吸附工作台。真空吸附台能够适宜地固定板状体(10)，并且能够防止板状体(10)的污损、损伤。

[0084] (2)按压部件

[0085] 按压部件32只要能够向板状体(10)的主面10A按压膜(20)即可，形状、构成等没有特别限定。例如，如图2中双点划线所示，按压部件32的形状能够在俯视时为圆形。

[0086] 按压部件32设置于载置部31A的上方位置。另外，按压部件32构成为对于载置部31A能够接近或远离。

[0087] 使按压部件32接近或远离载置部31A的构成等没有特别限定。例如，按压部件32能够构成为一端缘转动自如地安装于粘贴装置30，在向下弹的情况下接近载置部31A，在向上弹的情况下远离载置部31A。

[0088] 此外，按压部件32也能够构成为升降自如地安装在以在板状体(10)的厚度方向上延伸的方式设置于粘贴装置30的轨道上等，在下降的情况下接近载置部31A，在上升的情况下远离载置部31A。另外，除此以外，按压部件32也能够构成为固定于载置部31A的上方位置，使载置部件31构成为升降自如，并通过使载置部件31上升而使得载置部31A接近按压部件32，通过载置部件31下降而使得载置部31A远离按压部件32。

[0089] 按压部件32优选与膜(20)接触的按压面32A为平坦面(参照图1)。在按压面32A为平坦面的情况下，能够使被该按压面32A按压的膜(20)的表面平坦。

[0090] 按压面32A的硬度以莫氏硬度计优选为2.5～8.5，更优选为3～7，进一步优选为4～6。在该情况下，能够抑制按压面32A的变形，将该按压面32A维持为平坦面。

[0091] 按压面32A的材料没有特别限定。例如，从满足上述莫氏硬度的观点出发，按压面32A的材料可以使用铁、铜、铝、钢、不锈钢、铝合金等金属、玻璃、陶瓷等无机材料。

[0092] 按压部件32例如能够构成为仅按压面32A由上述无机材料形成，按压面32A以外的部分由合成树脂形成等。

[0093] (3)支撑部件

[0094] 支撑部件33对构成等没有特别限定。

[0095] 支撑部件33的形状只要是能够设置于载置部31A的外缘并且能够支撑膜(20)的边缘部(周缘部)的形状，就没有特别限定。作为该支撑部件33的形状，能够例示在俯视时呈圆环状、扇状、弧状等。例如如图2所示，支撑部件33能够将俯视的形状设为将板状体(10)的整体包围在内侧的圆环状。

[0096] 支撑部件33的材料没有特别限定。该支撑部件33优选作为上述压缩机构而为与按压部件32一起夹持膜(20)的边缘部(周缘部)并在其厚度方向上进行压缩的部件。作为这样的支撑部件33的材料，除了按压部件32所列举的金属等无机材料以外，还能够例示工程塑料、超级工程塑料等热塑性树脂、热固性树脂等。

[0097] 在支撑部件33中，支撑膜(20)的边缘部(周缘部)的支撑面33A例如如图3所示，能够设为与按压部件32的按压面32A平行。在该情况下，能够在支撑部件33与按压部件32之间适宜地压缩膜(20)的边缘部(周缘部)。

[0098] 或者，如图4所示，能够使支撑面33A以朝向载置部31A侧(板状体(10)的主面10A侧)的方式倾斜。

[0099] 如图3所示，支撑部件33优选在俯视时需要一定以上的宽度W1。该宽度W1通常优选为1～20mm，更优选为2～15mm，进一步优选为3～10mm。在宽度W1为该范围的情况下，支撑部件33能够适宜地进行膜(20)的边缘部(周缘部)的支撑以及在厚度方向上的压缩。

[0100] 支撑部件33的支撑面33A的位置没有特别限定。一般而言，支撑面33A的位置能够考虑与板状体(10)的主面10A之间的位置关系来设定。

[0101] 在此，关于支撑面33A与主面10A的位置关系，如图3所示，将板状体(10)的主面10A与按压部件32的按压面32A的间隙设为C1，将支撑部件33的支撑面33A与按压面32A的间隙设为C2。

[0102] 例如，在使具有支撑部件33和按压部件32的上述压缩机构适宜地发挥功能的情况下，优选设为C1＞C2。在该C1＞C2的情况下，支撑部件33的支撑面33A配置于比板状体(10)的主面10A中的平坦的面(半导体晶片10的空白区域表面101A)高的位置。

[0103] 另外，上述的间隙C1和间隙C2也可以设为C1＝C2或C1＜C2。

[0104] 关于支撑面33A与主面10A的位置关系，使用图5的(a)、(b)更具体地进行说明。

[0105] 在此，板状体(10)是半导体晶片10，该半导体晶片10在主面10A具有空白区域表面101A。另外，在图5(a)、(b)中，将空白区域表面101A的位置设为P1，将支撑部件33的支撑面
33A的位置设为P2，将这些P1与P2之间的距离设为d1(μm)或d2(μm)。

[0106] 在C1和C2满足C1＞C2的情况下(参照图5(a))，优选设为50≤d1(μm)≤2000，更优选设为100≤d1(μm)≤1000。

[0107] 在C1和C2满足C1＜C2的情况下(参照图5(b))，优选设为0＜d2(μm)＜400，更优选设为10≤d2(μm)≤300，更优选设为50≤d2(μm)≤200。

[0108] 在支撑部件33中，例如，如图3所示，内周面33B能够设为与载置部31A的表面垂直。在该情况下，支撑部件33的内周面33B与配置于该载置部31A的板状体(10)的主面10A也成为大致垂直。内周面33B与主面10A大致垂直的支撑部件33能够将配置于该主面10A上的膜(20)的边缘部(周缘部)适宜地夹在该支撑部件33与按压部件32之间，或者按压于该支撑部件33的内周面33B。

[0109] 另外，支撑部件33优选使内周面33B与板状体(10)的侧面(周面)之间的俯视时的最短距离为一定以下。如图3所示，将该内周面33B与板状体(10)的侧面(周面)之间的最短距离设为间隙C3。具体而言，间隙C3优选为小于1mm，更优选为0.5mm以下，进一步优选为0.3mm以下。另外，最优选的是，间隙C3为0mm，即板状体(10)的侧面(周面)与支撑部件33的内周面33B接触的状态。

[0110] (4)板状体

[0111] 对上述板状体(10)进行详细说明。

[0112] 板状体(10)只要是为了在主面10A上粘贴膜(20)而供于粘贴装置30的板状体即可，没有特别限定。作为这样的板状体(10)，可例示半导体晶片、光学透镜、半导体封装、将芯片层叠而成的晶片等。作为板状体(10)，适宜地使用半导体晶片。

[0113] 作为供于上述粘贴装置30的板状体(10)，优选是在用于粘贴膜(20)的主面10A的周缘部具有缺口状的台阶部的板状体。

[0114] 即，粘贴装置30具备具有上述按压部件32以及上述支撑部件33的压缩机构。压缩机构是将膜(20)的边缘部向其厚度方向压缩的机构。因此，具备压缩机构的粘贴装置30通过以与上述台阶部对应的方式压缩膜(20)的边缘部而使其变形，从而能够填埋主面10A的周缘部的台阶。

[0115] 作为在上述主面10A的周缘部具有缺口状的台阶部的板状体(10)，具有以下说明的凸块11的半导体晶片10特别有用。

[0116] 需要说明的是，半导体晶片10对于材料、形状没有特别限定。通常，半导体晶片10使用硅(silicon)作为材料，形成为圆板状。

[0117] 进而，半导体晶片10将具有凸块11的一侧的整个面作为主面10A。即，半导体晶片10的主面10A包含该半导体晶片10的表面和凸块11的表面。

[0118] 另外，在半导体晶片10中，将主面10A的相反侧的面设为背面。

[0119] 如图6(a)、(b)及图7(a)、(b)所示，半导体晶片10在主面10A具有配置有凸块11的第一区域12和未配置凸块11的第二区域13。

[0120] 在半导体晶片10的主面10A的周缘部，通过上述第二区域13而形成有缺口状的台阶部。

[0121] 上述第二区域13具有周缘区域13A和空白区域13B。

[0122] 上述周缘区域13A是构成半导体晶片10的周缘的区域。换言之，周缘区域13A是形成主面10A的周缘的区域。

[0123] 具体而言，半导体晶片10以防止其周缘的缺口、破裂为目的，在该周缘设置有倒角部14。周缘区域13A是包含该倒角部14的区域。

[0124] 而且，在包含倒角部14的周缘区域13A未配置凸块。

[0125] 上述空白区域13B能够配置凸块，但实际上是未配置凸块的区域。

[0126] 具体而言，空白区域13B是从第二区域13除去周缘区域13A后的区域。

[0127] 上述各区域的形状(平面形状)没有特别限定。

[0128] 如图6(a)所例示的那样，第一区域12在主面10A的大致中央部分，能够设置为俯视时呈大致圆形状。

[0129] 另外，如图7(a)所例示的那样，第一区域12在主面10A的大致中央部分，能够设置为俯视时呈多边形状。

[0130] 需要说明的是，为了容易理解第一区域12及第二区域13，在图6(a)及图7(a)中以双点划线表示这些区域的边界线。

[0131] 例如，如图6的(a)以及图7的(a)所例示的那样，第二区域13能够设置为包围第一区域12的形状。

[0132] 进而，构成第二区域13的周缘区域13A的形状例如能够设为以将第一区域12包围在内侧的方式在俯视时呈大致圆环状(参照图6以及图7)。

[0133] 如图6(a)所例示的那样，空白区域13B的形状(平面形状)能够设为弓型。即，能够设为在主面10A的左侧部，周缘区域13A朝向该主面10A的中心扩展成弓状而设置的空白区域13B。这样的空白区域13B能够以显示(例如刻印等)半导体晶片10的序列号、制造编号等各种信息为目的而利用。因此，图6(a)的弓型的空白区域13B也可以称为识别区域。

[0134] 另外，如图7(a)所例示的那样，空白区域13B的形状(平面形状)能够形成为从前后左右的四周包围第一区域12周围的形状。更具体而言，空白区域13B的形状能够形成为4个圆弧形状相连的形状。这样的空白区域13B例如出于在产品化时容易产生错误等理由，能够作为未配置凸块11的区域而利用。

[0135] 进而，图7(a)的空白区域13B也可以称为在从半导体晶片10切出的芯片的尺寸大的情况下形成的区域。即，在芯片的尺寸小的情况下，第一区域12在图6(a)的俯视中成为大致圆形状。另一方面，在芯片的尺寸大的情况下，第一区域12在图7(a)的俯视中成为大致多边形形状。并且，当第一区域12在俯视时呈大致多边形时，以包围该第一区域12周围的方式形成图7(a)的空白区域13B。在形成图7(a)的空白区域13B的情况下，芯片的尺寸例如为2
100mm以上。

[0136] 需说明的是，在以后的文中，将上述空白区域13B的表面记载为“空白区域表面101A”。

[0137] 图6(b)及图7(b)中所示的主面10A上的凸块11的平均高度H1没有特别限定。该平均高度H1能够根据镀敷凸块、球凸块、印刷凸块等这样的凸块11的种类而任意地设定。通常，主面10A上的凸块11的平均高度H1优选小于350μm，更优选为5～250μm的范围，进一步优选为10～150μm的范围。

[0138] 第二区域13的面积相对于主面10A的总面积的比率没有特别限定。该比率能够根据空白区域13B的尺寸而任意地设定。例如，该比率优选为小于30％，更优选为23％以下，进一步优选为15％以下。

[0139] 周缘区域13A的面积相对于主面10A的总面积的比率没有特别限定。通常，该比率优选为10％以下，更优选为8％以下，进一步优选为5％以下。

[0140] 另外，空白区域13B的面积相对于主面10A的总面积的比率没有特别限定。通常，该比率可以任意设定，但优选为20％以下，更优选为15％以下，进一步优选为10％以下。

[0141] 在第二区域13中，周缘区域13A和空白区域13B均在与第一区域12之间具有缺口状的台阶部。通过在膜(20)的表面形成仿效该台阶部的凹陷、凹坑等，从而有可能发生真空错误的产生、裂纹、破裂的产生等不良情况。

[0142] 在将周缘区域13A和空白区域13B进行比较的情况下，与周缘区域13A相比，空白区域13B的面积相对于主面10A的总面积的比率大。因此，比周缘区域13A更容易在保护膜20的表面形成大的凹陷、凹坑等，产生上述的不良情况的可能性高。

[0143] 因此，在以后的记载中，只要没有特别限定，则作为第二区域13列举空白区域13B进行说明。

[0144] (5)膜

[0145] 对上述膜(20)进行详细说明。

[0146] 膜(20)只要是为了粘贴于上述板状体(10)的主面10A而供于粘贴装置30的膜即可，对于形状、种类、构成等没有特别限定。作为这样的膜(20)，可例示保护膜、切割膜等这样的半导体构件制造用的膜、光学透镜用的保护膜等。

[0147] 对于膜(20)而言，在板状体(10)为半导体晶片的情况下，特别是在板状体(10)为在上述的主面10A上具有凸块11的半导体晶片10的情况下，以下说明的保护膜20是有用的。

[0148] 需说明的是，保护膜20是在制造半导体部件时使用的膜。更具体而言，保护膜20是在半导体部件的制造时对半导体晶片10的背面进行磨削而制成所希望的薄度的背面研磨工序中使用的膜。

[0149] 如图8所示，保护膜20可以构成为具有基层21和粘着材料层22。

[0150] 基层21是以提高保护膜20的操作性、机械特性、耐热性等特性为目的而设置的层。

[0151] 粘着材料层22是以在半导体晶片10的主面10A上粘贴保护膜20并进行固定为目的而设置的层。

[0152] 凹凸吸收层23是具有通过流动性或塑性的显现而发挥的凹凸吸收性的层。该凹凸吸收层23是以吸收配置在主面10A上的凸块11的凹凸形状而使保护膜20的表面平滑为目的而设置的层。

[0153] 保护膜20的平均厚度H2优选在与上述凸块11的平均高度H1之间满足0.5≤H2/H1的关系式。

[0154] 关于H2/H1的上限，从保护膜20以其膜厚量吸收并适宜地消除凸块11的凹凸与由第一区域12及第二区域13的高低差产生的台阶的观点出发，没有特别限制。从抑制因保护膜20的平均厚度H2增加而导致的材料的损失、进而适宜地维持保护膜20的成型性的观点出发，H2/H1通常为10以下(H2/H1≤10)，优选为5以下(H2/H1≤5)，更优选为4以下(H2/H1≤4)。

[0155] 具体而言，保护膜20的平均厚度H2优选为30μm以上，更优选为100μm以上，进一步优选为200μm以上。

[0156] 需说明的是，平均高度H1是全部凸块数中的、随机选择的1/10个凸块的实测高度的平均值。另外，平均厚度H2是以相互分离2cm以上的方式选择的10处膜的实测厚度的平均值。

[0157] 以下，对保护膜的各层进行说明。

[0158] (5a)基层

[0159] 上述基层21中使用的材料只要具有能够耐受在背面研磨工序中对半导体晶片进行磨削时施加的外力的机械强度，就没有特别限定。

[0160] 通常，基层21的材料使用合成树脂的膜。

[0161] 作为上述合成树脂，可以列举选自聚乙烯、聚丙烯、聚(4‑甲基‑1‑戊烯)、聚(1‑丁烯)等聚烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯；尼龙‑6、尼龙‑66、聚己二酰间苯二甲胺等聚酰胺；聚丙烯酸酯；聚甲基丙烯酸酯；聚氯乙烯；聚醚酰亚胺；乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物；聚丙烯腈；聚碳酸酯；聚苯乙烯；离聚物；聚砜；聚醚砜；聚苯醚等中的1种或2种以上的热塑性树脂。

[0162] 这些合成树脂中，从在背面研磨工序中适宜地保护半导体晶片的观点出发，优选选自聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物中的1种或2种以上，更优选选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物中的1种或2种以上。

[0163] 另外，在合成树脂中，作为添加剂，可以添加增塑剂、软化剂(矿物油等)、填充剂(碳酸盐、硫酸盐、钛酸盐、硅酸盐、氧化物(氧化钛、氧化镁)、二氧化硅、滑石、云母、粘土、纤维填料等)、抗氧化剂、光稳定剂、抗静电剂、润滑剂、着色剂等。这些添加剂可以仅使用1种，也可以并用2种以上。

[0164] 上述的膜不论拉伸的有无，均可以使用未拉伸膜、单轴拉伸膜、双轴拉伸膜等拉伸膜中的任一种，从提高机械强度的观点出发，优选拉伸膜。

[0165] 另外，膜可以使用单层膜、具有多层的多层膜中的任一种。

[0166] 从提高与凹凸吸收层23等的粘接性这样的观点出发，基层21优选使用经表面处理的膜。作为表面处理的具体例，可以举出电晕处理、等离子体处理、底涂处理、底漆涂布处理等。

[0167] 基层21的厚度没有特别限定，从得到良好的特性的观点出发，优选为10～200μm，更优选为20～150μm，进一步优选为30～100μm。

[0168] (5b)粘着材料层

[0169] 上述粘着材料层22的材料没有特别限定，可以使用至少包含粘着主剂的材料。作为该粘着主剂，可以例示(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、橡胶系粘着剂等。

[0170] 另外，粘着材料层22的材料除了粘着主剂以外，还可以含有交联剂。

[0171] 粘着材料层22的材料可以使用通过能量射线能够固化的能量射线固化型粘着材料、通过能量射线不能固化的能量非固化型粘着材料中的任一种。其中，从通过能量射线照射进行固化并使粘着力降低，从而能够将保护膜20从主面10A无残胶地剥离这样的观点出发，优选能量射线固化型粘着材料作为粘着材料层22的材料。

[0172] 能量射线固化型粘着材料的能量射线的种类没有特别限定，可以列举紫外线、电子束、红外线等。

[0173] 另外，能量射线固化型粘着材料除了粘着主剂以外，还可以包含在分子内具有碳‑碳双键的化合物、和能够在能量射线的作用下引发固化性化合物的聚合的光聚合引发剂。固化性化合物优选在分子中具有碳‑碳双键、可通过自由基聚合而固化的单体、低聚物、聚合物。

[0174] 粘着材料层22的粘着力没有特别限定，从确保与半导体晶片的良好的粘接性，同时能够抑制剥离时对半导体晶片的残胶的观点出发，优选粘贴于硅晶片的表面并放置60分钟后，从硅晶片的表面剥离时的、依据JISZ0237测定的对硅晶片的粘着力为(在温度23℃、对置湿度50％的环境下测定)0.1～10N/25mm。粘着力更优选为0.2～9N/25mm，进一步优选为0.3～8N/25mm。

[0175] 粘着材料层22的厚度没有特别限定，从能够发挥适宜的粘接力的同时能够无残胶地剥离这样的观点出发，优选为1～50μm，更优选为2～45μm，进一步优选为3～40μm。

[0176] (5c)凹凸吸收层

[0177] 上述凹凸吸收层23的材料只要具有因流动性或塑性的显现而产生的凹凸吸收性，就没有特别限定。

[0178] 凹凸吸收层23的材料通常使用热塑性树脂。

[0179] 作为热塑性树脂的具体例，可举出烯烃系树脂、乙烯‑极性单体共聚物、ABS树脂、氯乙烯树脂、偏二氯乙烯树脂、(甲基)丙烯酸系树脂、聚酰胺系树脂、氟系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚酯系树脂等。其中，从凹凸吸收性良好这样的观点出发，优选为选自烯烃系树脂和乙烯‑极性单体共聚物中的至少1种。

[0180] 作为烯烃系树脂，可以例示含有直链状低密度聚乙烯(LLDPE)、低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、乙烯和碳原子数3～12的α‑烯烃的乙烯‑α‑烯烃共聚物、包含丙烯和碳原子数4～12的α‑烯烃的丙烯‑α‑烯烃共聚物、乙烯‑环状烯烃共聚物、乙烯‑α‑烯烃‑环状烯烃共聚物等。

[0181] 作为乙烯‑极性单体共聚物，可以例示乙烯‑(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯‑(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯‑(甲基)丙烯酸丙酯共聚物、乙烯‑(甲基)丙烯酸丁酯共聚物等乙烯‑不饱和羧酸酯共聚物；乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物、乙烯‑丙酸乙烯酯共聚物、乙烯‑丁酸乙烯酯共聚物、乙烯‑硬脂酸乙烯酯共聚物等乙烯‑乙烯基酯共聚物等。

[0182] 另外，上述热塑性树脂可以单独使用，也可以混合使用2种以上。

[0183] 凹凸吸收层23的密度没有特别限定，从凹凸吸收性的柔软性和背面研磨工序中的3
耐久性所涉及的刚性的平衡(刚柔性)的观点出发，优选为800～990kg/m ，更优选为830～
3 3
980kg/m，进一步优选为850～970kg/m。

[0184] 凹凸吸收层23的厚度只要是能够发挥对于凸块11的凹凸形状与由第一区域12和第二区域13的高低差产生的台阶的凹凸吸收性的厚度，就没有特别限定，从能够适宜地发挥凹凸吸收性的观点出发，优选为20μm以上，更优选为80μm以上，进一步优选为170μm以上。

[0185] 关于凹凸吸收层23在60℃时的储能模量G’(60)，从在保护膜20的粘贴时能够通过6
加温而使凹凸吸收层23表现出适宜的凹凸吸收性的观点出发，优选为0.05×10 ～1.0×
6 6 6
10Pa，更优选为0.075×10～0.5×10Pa。

[0186] 关于凹凸吸收层23在25℃时的储能模量G’(25)，从在保护膜20的粘贴后凹凸吸收6
层23能够保持其形状，能够维持对主面10A的适宜的密合性的观点出发，优选为4.0×10 ～
6 6 6
7.0×10Pa，更优选为4.5×10～6.5×10Pa。

[0187] 关于凹凸吸收层23的储能模量G’(60)与储能模量G’(25)的弹性模量比G’(60)/G’(25)，从能够表现出良好的凹凸吸收性，并且能够维持对主面10A的良好的密合性的观点出发，优选G’(60)/G’(25)＜0.1，更优选G’(60)/G’(25)≤0.08，进一步优选G’(60)/G’(25)≤0.05。

[0188] 需要说明的是，关于储能模量G’，使用动态粘弹性测定装置(例如Rheometrics公司制，型号“RMS‑800”)，在测定频率1Hz、应变0.1～3％的条件下，G’(25)在25℃下测定，储能模量G’(60)在60℃下测定。

[0189] (5d)其他层

[0190] 保护膜20不限于具有上述的基层21、粘着材料层22和凹凸吸收层23的构成，可以采用在基层21与凹凸吸收层23之间、或者在凹凸吸收层23与粘着材料层22之间具有其他层的构成。

[0191] 作为其他层，可列举提高与粘着材料层22的界面强度的界面强度提高层、抑制低分子量成分向粘着材料层22的粘着面转移的转移防止层、防止保护膜20带电的防静电层等。它们可以仅使用1种，也可以并用2种以上。

[0192] (6)粘贴装置30的第一使用方式

[0193] 作为上述粘贴装置30的第一使用方式，对于利用粘贴装置30向板状体(10)粘贴膜(20)的情况进行详细叙述。

[0194] 需要说明的是，在以下的说明中，板状体(10)是在上述的主面10A具有凸块11的半导体晶片10。

[0195] 另外，在以下的说明中，膜(20)为上述的保护膜20。

[0196] 利用上述粘贴装置30的粘贴具备：利用上述配置机构34的配置工序(参照图9)和利用上述粘贴机构的粘贴工序(参照图10)。另外，该粘贴工序中包括利用上述压缩机构的压缩工序(参照图11)。

[0197] 通过粘贴装置30粘贴有保护膜20的半导体晶片10在背面研磨工序中被制成所期望的薄度，被单片化，并实施各种加工，由此成为半导体部件。即，在将板状体(10)作为半导体晶片10的情况下，粘贴装置30被包含在半导体部件的制造装置中。

[0198] 以下，对利用粘贴装置30进行粘贴的各工序进行说明。

[0199] (6a)配置工序

[0200] 在上述配置工序中，如图9所示，向半导体晶片10的主面10A上供给保护膜20。

[0201] 在该配置工序中，所供给的保护膜20以覆盖半导体晶片10的主面10A的方式配置。

[0202] 利用配置机构34进行的保护膜20的供给方式没有特别限定，可以使用将保护膜1片1片地供给的分批式和连续供给保护膜20的连续式中的任一种。图9所示的保护膜20的供给方式为分批式。

[0203] 另外，保护膜20也可以通过利用未图示的切割器等进行切断，从而使其形状成为与主面10A对应的俯视圆形状来供给。

[0204] 在图9所示的配置工序中，以保护膜20的边缘部(周缘部)从在主面10A的周缘部形成有缺口状的台阶部的第二区域13的周缘向外侧伸出的方式配置保护膜20。

[0205] 保护膜20的边缘部的伸出量没有特别限定。从确实地进行压缩工序的观点出发，该伸出量优选为能够将伸出的边缘部载置于支撑部件33的支撑面33A的量。

[0206] 保护膜20的边缘部的伸出量优选在俯视时具有一定以上的宽度W2(参照图11)。这是为了在压缩工序中，利用保护膜20的被按压部件32和支撑部件33夹着的部分来填埋空白区域13B的台阶。

[0207] 为了填埋台阶所需要的体积根据凸块11的高度、空白区域13B在半导体晶片10的主面10A上占据的面积、保护膜20的厚度等条件而适当地调节。

[0208] 因此，关于保护膜20的边缘部的伸出量，其俯视时的宽度W2没有特别限定。一般而言，伸出量的宽度W2更优选为不从支撑面33A的周缘进一步向外侧伸出的量。

[0209] 具体而言，关于在将保护膜20的边缘部的伸出量，在保护膜20上与主面10A的周缘相应的位置与保护膜20的外周缘之间的长度设为上述俯视时的宽度W2的情况下，该宽度W2优选为0.5～10mm，更优选为1～8mm，进一步优选为1.5～6mm。

[0210] (6b)粘贴工序

[0211] 在上述粘贴工序中，如图10所示，使按压部件32接近半导体晶片10的主面10A，利用该按压部件32将保护膜20按压并粘贴于主面10A。

[0212] 该粘贴工序中包括上述压缩工序(参照图11)。

[0213] 粘贴工序中的压缩工序的执行时机没有特别限定，例如能够设为压缩工序的开始时为粘贴工序开始之后、压缩工序结束时和粘贴工序结束时为大致同时、压缩工序结束时为粘贴工序结束之前等。

[0214] 另外，在粘贴工序中，通过使用上述加热机构对保护膜20进行加热，从而能够在压缩工序中使保护膜20的膜厚部(凹凸吸收层23)适宜地变形。

[0215] 保护膜20的加热温度只要设定为能够根据上述凹凸吸收层23的储能模量G’使该凹凸吸收层23适宜变形的温度即可，没有特别限定。

[0216] 具体而言，只要是上述凹凸吸收层23的储能模量G’的范围，保护膜20的加热温度优选为50～200℃，更优选为60～100℃，进一步优选为70～90℃。

[0217] (6c)压缩工序

[0218] 在上述压缩工序中，如图11所示，使支撑部件33支撑在上述配置工序中以从成为主面10A上的台阶部的第二区域13的周缘向外侧伸出的方式配置的保护膜20的边缘部，并将该边缘部夹在该支撑部件33与按压部件32之间进行压缩。

[0219] 压缩保护膜20的边缘部时的压缩力可以通过按压构件32的加压力来设定。从能够适宜地压缩保护膜20的边缘部、且防止半导体晶片10产生开裂、裂纹的观点出发，具体的加压力优选为0.3～2MPa、更优选为0.4～1.5MPa、进一步优选为0.5～1MPa。

[0220] 在压缩工序中，向厚度方向压缩的保护膜20中，表现出流动性或塑性的层(凹凸吸收层23)根据台阶或凹凸而适宜地流动，产生填埋台阶或凹凸那样的膜厚部的偏集。

[0221] 即，在主面10A的第一区域12上，保护膜20的膜厚部(凹凸吸收层23)被夹在按压部件32与凸块11之间而在厚度方向上被压扁，仿效凸块11的凹凸而变形，填埋该凹凸。在厚度方向上被压扁的保护膜20的膜厚部的一部分，如图11中右侧的箭头所示，向第二区域13的空白区域13B上流动，增加空白区域表面101A上的保护膜20的膜厚量。

[0222] 另一方面，保护膜20的边缘部在支撑部件33与按压部件32之间被压缩。如图11中左侧的箭头所示，保护膜20的边缘部的膜厚部(凹凸吸收层23)以被挤出至空白区域表面101A上的方式流动。由此，空白区域表面101A上的保护膜20的膜厚量增加。

[0223] 对于空白区域表面101A上的保护膜20，膜厚部从第一区域12上和被压缩的边缘部流入。因此，在该保护膜20中，对于在主面10A上成为台阶部的整个第二区域13，增补足以填埋该台阶的膜厚量。这样，增补了膜厚量的空白区域表面101A上的保护膜20通过增加膜厚而遍及整个第二区域13填埋台阶。

[0224] 另外，由于保护膜20的表面处于被按压部件32按压的状态，因此不会受到膜厚部的流动的影响，而是仿效按压面32A而成为平坦面。

[0225] 另外，在使用按压部件32及支撑部件33的压缩工序中，欲比主面10A的周缘进一步流向外侧的保护膜20的膜厚部的流动被限制。

[0226] 即，在厚度方向上被压缩的保护膜20的边缘部保持被支撑部件33及按压部件32夹着的状态。因此，从第二区域13的周缘进一步向外侧的膜厚部的流动被限制，该膜厚部被保持在空白区域表面101A上。

[0227] 而且，通过如上述那样保护膜20的膜厚部(凹凸吸收层23)较厚地偏集在主面10A的第二区域13上，从而主面10A的台阶被填埋，保护膜20的表面变得平坦。

[0228] 在压缩工序之后，将在主面10A上粘贴有保护膜20的半导体晶片10从粘贴装置30取出，将压缩后的保护膜20的边缘部等多余部分切除。该半导体晶片10如图12所示，通过保护膜20的膜厚部较厚地偏集在空白区域表面101A上，从而填埋台阶。

[0229] 另外，在上述的记载中，作为第二区域13列举空白区域13B进行了说明，但与该空白区域13B同样地，在周缘区域13A中，通过保护膜20的膜厚部较厚地偏集在第二区域13上而填埋台阶。

[0230] 而且，粘贴于半导体晶片10的保护膜20的表面不会形成仿效半导体晶片10的台阶的缺陷，而是整体成为同样的平坦面。

[0231] 需说明的是，图13是在主面10A具有上述台阶的半导体晶片10上，利用不具备上述压缩机构(支撑部件33)的粘贴装置粘贴了保护膜20的情况的说明图。

[0232] 保护膜20具有对于通过凹凸吸收层23在第一区域12中吸收凸块11导致的凹凸而言充分以上的树脂体积量(以下，也称为“膜厚量”)，但为了填埋第一区域12与第二区域13之间的台阶的话，膜厚量不足够，无法完全填埋台阶。

[0233] 特别是，第二区域13的尺寸(在主面10A中所占的面积)也大，为了在第二区域13整体填埋台阶的话，保护膜20的膜厚量显著不足。

[0234] 另外，如图13中箭头所示，保护膜20的膜厚部(凹凸吸收层23)以比半导体晶片10的主面10A的周缘更向外侧退避的方式流动。并且，不具备上述压缩机构(支撑部件33)的粘贴装置不具有限制这样的膜厚部的流动的单元。

[0235] (7)粘贴装置30的第二使用方式

[0236] 对上述粘贴装置30的第二使用方式进行说明。该第二使用方式使用与第一使用方式相同构成的粘贴装置30。

[0237] 第二使用方式中的利用粘贴装置30进行的粘贴具备：利用上述配置机构34的配置工序(参照图14的(a))和利用上述粘贴机构的粘贴工序(参照图10)。另外，该粘贴工序中包括利用上述压缩机构的压缩工序(参照图14(b))。

[0238] 该第二使用方式与在(6)中说明的第一使用方式相比，配置工序及压缩工序不同。

[0239] 需要说明的是，在以下的说明中，板状体(10)是在上述的主面10A具有凸块11的半导体晶片10。

[0240] 需说明的是，在以下的说明中，膜(20)为上述的保护膜20。

[0241] 通过粘贴装置30粘贴有保护膜20的半导体晶片10在背面研磨工序中被制成所期望的薄度，被单片化，实施各种加工，由此成为半导体部件。即，在将板状体(10)作为半导体晶片10的情况下，粘贴装置30被包含在半导体部件的制造装置中。

[0242] (7a)配置工序

[0243] 在第二使用方式的配置工序中，如图14(a)所示，以保护膜20的边缘部(周缘部)位于比支撑部件33靠内周侧的方式配置保护膜20。

[0244] 即，在该配置工序中，保护膜20的边缘部未载置于支撑部件33的支撑面33A上。

[0245] 在上述配置工序中，为了将在压缩工序中产生的保护膜20向第二区域13的外周方向的鼓出用支撑部件33的内周面阻挡，优选尽可能缩短保护膜20的边缘部与支撑部件33的内周面之间的俯视时的距离。

[0246] 具体而言，保护膜20的边缘部与支撑部件33的内周面之间的俯视时的距离优选小于1mm，更优选为0.5mm以下，进一步优选为0.3mm以下。并且，最优选的是，保护膜20的边缘部与支撑部件33的内周面之间的俯视时的距离为0mm，即保护膜20的边缘部与支撑部件33的内周面接触的状态。

[0247] (7b)粘贴工序

[0248] 在第二使用方式的粘贴工序中，与第一使用方式的粘贴工序同样地使用按压部件32，在半导体晶片10的主面10A上粘贴保护膜20(参照图10)。该粘贴工序中包括上述压缩工序(参照图14(b))。

[0249] 该粘贴工序的详细情况与第一使用方式的粘贴工序相同，以下省略说明。

[0250] (7c)压缩工序

[0251] 在第二使用方式的压缩工序中，夹在按压部件32与主面10A之间的保护膜20欲使膜厚部(凹凸吸收层23)从其边缘部(周缘部)向在主面10A上成为台阶部的第二区域13的外周方向鼓出。如图14(b)中左侧的箭头所示，该膜厚部(凹凸吸收层23)的鼓出被支撑部件33的内周面阻挡。

[0252] 对于保护膜20的边缘部，通过被支撑部件33的内周面阻挡的膜厚部(凹凸吸收层23)停留在空白区域表面101A上，且膜厚部从第一区域12流入空白区域表面101A，从而可以遍及在主面10A上成为台阶部的整个第二区域13，增补能够填埋该台阶的膜厚量。

[0253] 空白区域表面101A上的保护膜20的边缘部通过膜厚量得以增补而增加膜厚。因此，压缩工序成为利用按压部件32的按压面32A、支撑部件33的内周面和半导体晶片10的主面10A对保护膜20的边缘部进行压缩的工序。而且，通过被压缩的保护膜20的边缘部，能够遍及整个第二区域13而填埋台阶。

[0254] 需说明的是，在将第一使用方式与第二使用方式进行比较的情况下，在第一使用方式中，在支撑部件33与按压部件32之间压缩保护膜20的边缘部并将其压扁。与此相对，在第二使用方式中，不在支撑部件33与按压部件32之间压缩保护膜20的边缘部，而是用支撑部件33的内周面阻挡保护膜20的鼓出，在这方面存在差异。

[0255] 由上述差异带来的效果在保护膜20具有能够表现出流动性或塑性的层、即凹凸吸收层23的情况下，能够更显著地产生。

[0256] 即，在保护膜20具有能够表现出流动性或塑性的层(凹凸吸收层23)的情况下，且在实施了第一使用方式的情况下，通过使构成边缘部的该层(凹凸吸收层23)流动而向主面10A的第二区域13挤出，从而不仅能够使用从第一区域12挤出的量，还能够使用从第二区域
13的外侧的边缘部挤出的部分，来补充膜厚量。

[0257] 简而言之，第一使用方式通过将保护膜20的凹凸吸收层23从包围第二区域13的周缘部中的内周缘部和外周缘部这两者向该第二区域13挤出，从而填埋台阶。

[0258] 与此相对，在保护膜20具有能够表现出流动性或塑性的层(凹凸吸收层23)的情况下，且在实施了第二使用方式的情况下，不能够使构成边缘部的该层(凹凸吸收层23)流动而向主面10A的第二区域13挤出，需要仅用从第一区域12挤出的量来补充膜厚量。

[0259] 简而言之，第二使用方式通过将保护膜20的凹凸吸收层23仅从包围第二区域13的周缘部中的内周缘部向该第二区域13挤出，从而填埋台阶。

[0260] 因此，在保护膜20具有能够表现出流动性或塑性的层(凹凸吸收层23)的情况下，第一使用方式中，能够利用构成比该第二区域13靠外侧的边缘部的该层(凹凸吸收层23)以填埋第二区域13的台阶，在这一点上，还能够应对具有更大的空白区域13B的半导体晶片10，可以说比第二使用方式更有利。

[0261] [2]粘贴装置(第二发明)

[0262] 第二发明的粘贴装置是在板状体(10)上粘贴膜(20)的装置。

[0263] 板状体(10)在粘贴膜(20)的主面10A上具有台阶。

[0264] 粘贴装置具备载置部件31和按压部件(32)，并且具备配置机构(34)和加工机构(40)。

[0265] 上述载置部件31呈板状。在该载置部件31设置有载置板状体(10)的载置部31A(参照图16～图18)。

[0266] 上述按压部件32呈板状。该按压部件(32)设置于载置部件31的对置位置(参照图16～图18)。

[0267] 上述配置机构(34)是在主面10A上配置膜(20)的机构。该配置机构(34)设置于载置部件31与按压部件32之间(参照图1)。

[0268] 上述加工机构40是在配置于主面10A上的膜(20)上，与该主面10A的台阶对应地形成厚度相对厚的部位的机构(参照图15、图18)。

[0269] 需要说明的是，板状体(10)与第一发明相同，省略其详细说明。另外，膜(20)与第一发明相同，省略其详细说明。

[0270] (1)第一方式

[0271] 具体而言，第二发明的粘贴装置的第一方式具备载置部件31、按压部件32、配置机构34以及加工机构40。

[0272] 在此，载置部件31、按压部件32以及配置机构34能够使用与第一发明的粘贴装置30的部件大致相同的部件，省略详细说明。

[0273] 另外，加工机构40可以设为组装于粘贴装置30的构成，或者也可以设置于粘贴装置30的外部。即，关于加工机构40是否与粘贴装置30为一体，并没有特别限定。

[0274] (1a)加工机构

[0275] 加工机构40只要具有能够在膜(20)上与主面10A的台阶对应地形成厚度相对厚的部位的构成，则对构成等没有特别限定。

[0276] 作为加工机构40，能够例示图15(a)、(b)所示的构成。

[0277] 即，加工机构40具有第一辊41和第二辊42。

[0278] 第一辊41旋转自如地被支撑在膜(20)的上方。

[0279] 第二辊42旋转自如地被支撑在膜(20)的下方。

[0280] 这些第一辊41以及第二辊42以夹着膜(20)而彼此对置的方式配置。

[0281] 另外，在第二辊42的周面凸出设置有多个凸部43。

[0282] 需说明的是，第一辊41、第二辊42以及凸部43只要能够对膜(20)进行加工即可，对材质、驱动方式、构成等没有特别限定。

[0283] (2)第一方式的粘贴

[0284] 在第二发明的粘贴装置中，对于利用第一方式向板状体(10)粘贴膜(20)的情况进行详细叙述。

[0285] 需要说明的是，在以下的说明中，板状体(10)是在上述的主面10A具有凸块11的半导体晶片10。

[0286] 另外，在以下的说明中，膜(20)为上述的保护膜20。

[0287] 第一方式的粘贴具备：利用上述加工机构40的加工工序(参照图15)、利用上述粘贴装置30的配置机构34的配置工序(参照图16)、以及利用上述粘贴装置30的粘贴机构(载置部件31以及按压部件32)的粘贴工序(参照图17)。

[0288] 通过上述第一方式的粘贴装置粘贴有保护膜20的半导体晶片10在背面研磨工序中被制成所期望的薄度，被单片化，实施各种加工，由此成为半导体部件。即，在将板状体(10)作为半导体晶片10的情况下，该粘贴装置包含在半导体部件的制造装置中。

[0289] 以下，对第一方式的粘贴所涉及的各工序进行说明。

[0290] (2a)加工工序

[0291] 在加工工序中，如图15(a)所示，在加工机构40的第一辊41与第二辊42之间供给保护膜20，将该保护膜20从第一辊41与第二辊42之间向图15(a)中箭头所示的行进方向送出。

[0292] 在加工机构40中，保护膜20被夹在第一辊41与第二辊42之间而向行进方向送出时，使第一辊41以及第二辊42分别旋转。

[0293] 第二辊42在其周面凸出设置有凸部43，如图15(b)所示，伴随旋转使凸部43与保护膜20接触。然后，保护膜20的与凸部43接触的部位在该凸部43与第一辊41之间在厚度方向上被压扁。

[0294] 保护膜20的被压扁的部位的膜厚部(凹凸吸收层23)如图15(b)中箭头所示，向与被压扁的部位相邻的部位流动而偏集。因此，与被压扁的部位相邻的部位的膜厚量增加。

[0295] 保护膜20通过以被压扁的部位薄、且与该被压扁的部位相邻的部位变厚的方式形成厚度不同的部位，从而成为加工完毕的膜20A。并且，加工完毕的膜20A具有在厚度不同的部位中厚度相对厚的区域201。

[0296] (2b)配置工序

[0297] 在配置工序中，如图16所示，在设为使按压构件32远离固定于载置构件31的载置部31A上的半导体晶片10的状态之后，将在上述加工工序中得到的加工完毕的膜20A供给至半导体晶片10的主面10A上。

[0298] 此时，加工完毕的膜20A配置为通过使厚度相对厚的区域201与在主面10A的周缘部形成有台阶部的第二区域13对应，从而该区域201位于空白区域表面101A的上方。

[0299] 需说明的是，虽未特别图示，但配置机构34通过以加工完毕的膜20A的厚度相对厚的区域201与在主面10A上成为台阶部的第二区域13对应的方式使牵引辊35B适当旋转或停止，从而能够进行加工完毕的膜20A的位置调整。

[0300] 另外，在半导体晶片10的旁边，沿着第二区域13的外周缘设置有支撑部件33。

[0301] (2c)粘贴工序

[0302] 在粘贴工序中，如图17所示，设为使支撑部件33支撑保护膜20的边缘部的状态，使按压部件32接近半导体晶片10的主面10A，利用该按压部件32将保护膜20按压于主面10A。

[0303] 在粘贴工序中，在主面10A的第一区域12上，夹在按压构件32与凸块11之间而在厚度方向上被压扁的加工完毕的膜20A的膜厚部(凹凸吸收层23)仿效凸块11的凹凸而变形，填埋该凹凸。

[0304] 在粘贴工序中，保护膜20的边缘部被夹在支撑部件33与按压部件32之间。因此，膜厚部从空白区域表面101A上向保护膜20的边缘部的流动被限制。

[0305] 如图17中箭头所示，在厚度方向上被压扁的加工完毕的膜20A的膜厚部的一部分向在主面10A上成为台阶部的第二区域13的空白区域13B上流动，增加空白区域表面101A上的加工完毕的膜20A的膜厚量。

[0306] 在加工完毕的膜20A中，在空白区域表面101A上配置有厚度相对厚的区域201(参照图16)。通过在该区域201的膜厚量上加上从第一区域12上流动的膜厚量，从而空白区域表面101A上的加工完毕的膜20A的膜厚量进一步增加(参照图17)。

[0307] 另外，在加工完毕的膜20A中，与厚度相对厚的区域201相邻的部位在上述的加工工序中被压扁而变薄。因此，能够抑制膜厚部经由被压扁而变薄的部位从第二区域13的周缘进一步向外侧退避。

[0308] 需要说明的是，在加工工序中被压扁而变薄的部位被夹在支撑构件33与按压构件32之间，这也防止膜厚部从第二区域13的周缘进一步向外侧退避。

[0309] 在上述第一方式的粘贴中，在加工工序中加工保护膜20，制成具有厚度相对厚的区域201的加工完毕的膜20A。该加工完毕的膜20A的区域201在配置工序中以与主面10A的第二区域13对应的方式配置。而且，在粘贴工序中，通过膜厚部进一步从第一区域12上流入，从而增补足以遍及整个第二区域13而填埋台阶的膜厚量。

[0310] 如上所述，在空白区域表面101A上，增补了膜厚量的加工完毕的膜20A通过增加膜厚，从而遍及整个第二区域13而填埋台阶。

[0311] 由于加工完毕的膜20A的表面处于被按压构件32按压的状态，因此不会受到膜厚部的流动的影响，而是仿效按压面32A而成为平坦面。

[0312] 需要说明的是，在上述的记载中，作为第二区域13列举空白区域13B进行了说明，但与该空白区域13B同样地，在周缘区域13A中，也通过使加工完毕的膜20A的膜厚部较厚地偏集于第二区域13上而填埋台阶。

[0313] 进而，空白区域13B不限于如图6(a)、(b)所示那样主要作为识别区域利用的区域，在图7(a)、(b)所示那样的空白区域13B也能够得到同样的效果。

[0314] 即，利用第二发明的粘贴装置的第一方式，在板状体(10)是在未配置凸块的区域即第二区域13中存在具有平坦状的空白区域表面101A的空白区域13B的半导体晶片10的情况下，特别有用。

[0315] 而且，粘贴于半导体晶片10的保护膜20的表面不会形成仿效半导体晶片10的台阶的缺陷，而是整体会成为同样的平坦面。

[0316] (3)第二方式

[0317] 第二发明中的第二方式的粘贴装置30具备载置部件31、按压部件32、以及配置机构和加工机构。

[0318] 具体而言，如图18(a)、(b)所示，粘贴装置30具备载置部件31、按压部件32、作为配置机构和加工机构的支撑柱45。

[0319] 关于载置部件31以及按压部件32，能够使用与上述相同的部件，省略各自的详细说明。

[0320] (3a)支撑柱

[0321] 第二方式的粘贴装置30具有支撑柱45。

[0322] 支撑柱45以朝向按压部件32立起的方式设置于载置部31A的外缘。

[0323] 膜(20)以其边缘部(周缘部)位于支撑柱45与按压构件32之间的方式配置。支撑柱45从下方支撑膜(20)的边缘部(周缘部)。而且，支撑柱45具有将膜(20)的边缘部(周缘部)夹在与按压部件32之间而将其压扁的功能。

[0324] 另外，支撑柱45构成为能够相对于载置部件31升降。支撑柱45在从载置构件31上升的状态下，使膜(20)远离板状体(10)的主面10A。支撑柱45具有通过从该状态下朝向载置构件31下降而在板状体(10)的主面10A上配置膜(20)的功能。

[0325] 即，支撑柱45具有作为对膜(20)进行加工的加工机构的功能和作为在主面10A上配置膜(20)的配置机构的功能。

[0326] 支撑柱45只要能够如上述那样对膜(20)进行加工即可，对材质、驱动方式等没有特别限定。

[0327] (4)第二方式的粘贴

[0328] 对于利用第二方式的粘贴装置30向板状体(10)粘贴膜(20)的情况进行详细叙述。

[0329] 需要说明的是，在以下的说明中，板状体(10)是在上述的主面10A具有凸块11的半导体晶片10。

[0330] 另外，在以下的说明中，膜(20)为上述的保护膜20。

[0331] 利用第二方式的粘贴装置30的粘贴具备：利用作为上述加工机构的支撑柱45的加工工序(参照图18的(a))；利用作为上述配置机构的支撑柱45的配置工序(参照图18的(b))；以及利用上述粘贴装置30的粘贴机构的粘贴工序(省略图示)。

[0332] 通过上述粘贴装置粘贴有保护膜20的半导体晶片10在背面研磨工序中被制成所期望的薄度，被单片化，实施各种加工，由此成为半导体部件。即，上述粘贴装置包含在半导体部件的制造装置中。

[0333] 以下，对第二方式的粘贴所涉及的各工序进行说明。

[0334] (4a)加工工序

[0335] 在加工工序中，如图18(a)所示，通过按压部件32下降，从而将由支撑柱45支撑的保护膜20的边缘部夹在按压部件32与支撑柱45之间，在厚度方向上压扁。

[0336] 如图18的(b)所示，保护膜20的被压扁的部位的膜厚部(凹凸吸收层23)向与被压扁的部位相邻的部位流动而偏集，从而增加该相邻部位的膜厚量。

[0337] 并且，保护膜20以被压扁的部位薄、与该被压扁的部位相邻的部位变厚的方式形成厚度不同的部位，成为加工完毕的膜20A。该加工完毕的膜20A具有在厚度不同的部位中厚度相对厚的区域201。

[0338] (4b)配置工序

[0339] 在配置工序中，如图18(b)所示，通过使支撑柱45朝向载置构件31下降，从而在主面10A上配置保护膜20。

[0340] 另外，在加工完毕的膜20A中，能够使厚度相对厚的区域201的位置与在主面10A的周缘部形成台阶部的第二区域13对应。

[0341] 即，支撑柱45设置于载置部31A的外缘。因此，在将半导体晶片10载置于该载置部31A时，通过使支撑柱45与第二区域13的位置对齐，从而能够使区域201的位置与第二区域
13对应。

[0342] (4c)粘贴工序

[0343] 在粘贴工序中，支撑柱45朝向载置部件31下降，在主面10A上配置保护膜20之后，使按压部件32下降。

[0344] 该按压部件32通过向主面10A按压保护膜20，从而在该主面10A上粘贴保护膜20。

[0345] 实施例

[0346] 以下，通过实施例更具体地说明本发明。

[0347] [1]保护膜

[0348] 作为保护膜20，使用贴附于12英寸用环形框的保护膜。

[0349] 保护膜20的构成、基层21、粘着材料层22、凹凸吸收层23如下所述。

[0350] 基层21的材质：聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，厚度：75μm。

[0351] 粘着材料层22的材质：UV固化型丙烯酸类粘着剂，厚度：10μm。

[0352] 凹凸吸收层23的材质：热塑性乙烯‑α‑烯烃共聚物(密度：0.861g/cm3、G’(25)：5.15MPa、G’(60)：0.14MPa、熔体流动速率(190℃)：2.9g/10分钟)、厚度：510μm。

[0353] [2]半导体晶片

[0354] 作为设置有凸块11的半导体晶片10，使用以下规格的半导体晶片。

[0355] 直径：300mm。

[0356] 厚度：810μm。

[0357] 材质：硅(silicon)。

[0358] 凸块11的平均高度：200μm。

[0359] 凸块11的间距：400μm。

[0360] 非凸块区域(周缘区域13A)：距外周3mm。

[0361] 非凸块区域(作为识别区域的空白区域13B)：图6(a)中的L1的长度为90mm，图6(a)中的L2的长度为7mm。

[0362] [3]保护膜的粘贴

[0363] 〈实施例1〉

[0364] 使用图1所示的粘贴装置30，在载置部件31上，在载置部31A的外缘载置形成为俯视时圆环状的支撑部件33(厚度：1mm、宽度W1：5mm)，将按压部件32的按压面32A设为铁制。

[0365] 在支撑部件33的内侧设置半导体晶片10后，在配置工序中以分批式供给保护膜20，以覆盖半导体晶片10的主面10A的方式配置该保护膜20。

[0366] 然后，将保护膜20的加热温度设定为80℃，并且将按压部件32的加压力设定为0.7MPa，按照粘贴工序、压缩工序的顺序执行各工序，在半导体晶片10的主面10A上粘贴保护膜20。

[0367] 然后，在保护膜20的周缘部，切除从半导体晶片10的外周缘伸出的多余部分，得到实施例1的试样。

[0368] 〈比较例1〉

[0369] 使用了辊贴附装置(日东精机公司制造的产品编号“DR‑3000II”)而没有使用支撑部件33，除此以外，与实施例1同样地，在半导体晶片10的主面10A贴附保护膜20，切除保护膜20的周缘部的多余部分，得到比较例1的试样。

[0370] 〈比较例2〉

[0371] 在图1所示的粘贴装置30中，将按压面32A设为硅橡胶制，没有使用支撑部件33，除此以外，与实施例1同样地，在半导体晶片10的主面10A粘贴保护膜20，切除保护膜20的周缘部的多余部分，得到比较例2的试样。

[0372] [4]保护膜表面的凹凸的测定

[0373] 在半导体晶片的周缘的端部，将图19下部的说明图所示的位置设为水平位置0mm和垂直位置0μm，测定了预定的水平位置处的保护膜表面的垂直位置。将其结果示于图19上部的图表。

[0374] 需说明的是，图19下部的说明图中，对于上部的图表，关于水平位置以对应的方式描绘，关于垂直位置夸张地描绘。

[0375] 对保护膜表面的垂直位置进行测定，结果从图19的图表可知如下。

[0376] 实施例1中，在任一水平位置均几乎没有垂直位置的高低差，保护膜表面平坦。

[0377] 比较例1中，在水平位置为4mm的附近、即在第二区域中垂直位置变低，在水平位置为7～8mm的范围、即第一区域中垂直位置变高。根据该结果可知，在比较例1中，以与在第二区域与第一区域之间产生的台阶对应的方式，在第二区域内，在保护膜表面形成了凹陷。

[0378] 比较例2中，在水平位置为5mm以下的范围、即在第二区域内显示出垂直位置变高的倾向，而另一方面，在水平位置为7mm以上的范围、即在第一区域内显示出垂直位置变低的倾向。由该结果可知，在比较例2中，由于在第二区域与第一区域之间产生的台阶的影响，导致保护膜在第二区域以弧线式挠曲，在第一区域内在保护膜表面形成了凹陷。

[0379] 产业上的可利用性

[0380] 本发明的粘贴装置可在将膜粘贴于板状体的用途中被广泛使用。特别是，作为板状体，在实施背面研磨工序的半导体晶片中，具有能够使保护膜表面适宜地平坦化的特点，因此适合用于进行生产率优异的部件制造。

[0381] 符号说明

[0382] 10：半导体晶片，10A：主面，11：凸块，12：第一区域，13：第二区域，13A：周缘区域，13B：空白区域，14：倒角部，20：保护膜，20A：加工完毕的膜，21：基层，22：粘着材料层，23：凹凸吸收层，30：粘贴装置，31：载置部件，31A：载置部，32：按压部件，32A：按压面，33：支撑构件，33A：支撑面，35A：引导辊，35B：牵引辊，36：加热器，40：加工机构，41：第一辊，42：第二辊，43：凸部，45：支撑柱。