[0001] 在本说明书中公开一种在将浆涂布于基板上后封装芯片零件的封装装置。

[0002] 自之前以来，将半导体芯片等芯片零件封装于基板的封装装置广为人知。在此种封装装置中，存在具有将氮掺杂多孔碳(Nitrogen‑doped Porous Carbon， NPC)等的浆涂布于基板的涂布部、及将芯片零件接合于已被涂布于基板的浆上的接合部的装置。通常，所述涂布部及接合部具有照相机，根据使用所述照相机所获得的图像，进行分配器及接合头的定位、或封装结果的好坏判定等。

[0003] 但是，之前根据图像所获得者限于二维的信息，无法掌握浆或芯片零件等对象物的三维形状。其结果，存在不知道浆或已被封装于基板的芯片零件的高度等，而无法正确地掌握封装结果的好坏等问题。

[0004] 因此，自之前以来，提出有许多掌握浆或芯片零件的三维形状的技术。例如，在专利文献1中公开有如下的技术：在已将电子零件焊接于封装基板的元件中，利用X射线检查装置检查焊接状态。另外，在专利文献2中公开有如下的技术：在将半导体芯片固定于引线框架之前，利用激光位移测定器测定已被涂布于引线框架的裸片接合浆的体积。

[0005] 现有技术文献

[0006] 专利文献

[0007] 专利文献1：日本专利特开2018‑48824号公报

[0008] 专利文献2：日本专利第3832622号公报

[0030] 以下，参照附图对封装装置10的结构进行说明。图1是封装装置10的概略平面图。另外，图2是表示封装装置10的结构的方块图。所述封装装置 10是将一个以上的芯片零件
104封装于基板100来制造封装体106。以下，列举如下的裸片接合装置为例进行说明：将被称为“裸片”的芯片零件104 经由包含树脂或金属的浆状的粘着剂而固定于基板100。

[0031] 在封装装置10，设置有朝一方向(X方向)搬送基板100的搬送轨道12。本例的基板100是具有一个以上的芯片零件104的封装区域的引线框架。沿着所述搬送轨道12，自上游侧起依次设置有涂布部14、第一检查单元16、接合部18、第二检查单元20。

[0032] 涂布部14将浆涂布于基板100的表面，具有分配器24或移动机构等。浆是使芯片零件104接合于基板100的封装区域的粘着剂，例如包含树脂或焊料等。以下，将已被涂布于基板100的浆称为“涂布体102”。分配器24 朝基板100上吐出浆来形成涂布体102，例如为注射器式分配器。移动机构 26(参照图2)具有马达或气缸、油压缸等作为驱动源，使分配器24朝Y方向(即，与基板100的搬送路径正交的方向)及Z方向移动。再者，如图1 所示，分配器24并不限定于一个，也可为多个。

[0033] 另外，在涂布部14，也具有自垂直方向拍摄涂布对象的封装区域来获取俯视图像的拍摄器28(参照图2)。在涂布浆之前及涂布浆之后这两者，拍摄器28拍摄封装区域。在浆涂布前，根据通过所述拍摄器28所获得的图像数据，算出分配器24相对于封装区域的位置，并根据其算出结果来对分配器 24进行定位。另外，在浆涂布后，拍摄器28作为第一拍摄部发挥功能，所述第一拍摄部自垂直方向拍摄已形成于封装区域的涂布体102来获取第一俯视图像。已获取的第一俯视图像与各封装区域的识别信息(例如针对各封装区域所设定的识别(Identification，ID)编号等)建立对应，并被存储于控制部22的存储器50。

[0034] 第一检查单元16设置于涂布部14与接合部18之间，具有拍摄器38与移动机构40。拍摄器38自斜方拍摄涂布体102来获取第一立体图像。所述第一立体图像与各封装区域的识别信息建立对应，并被存储于控制部22的存储器50。

[0035] 此处，拍摄器38只要可获取包含高度信息的图像信息，则其结构并不限定于获取立体图像的结构。因此，作为获取包含高度信息的图像信息的结构，例如也可为包含具有视差的两个照相机的立体照相机系统。另外，作为另一形态，拍摄器38也可为利用进行扫描来获取对象物的表面高度的非接触测长器的系统。另外，也可为将几何形状的光照射至对象物的表面后，利用图像传感器拍摄所述对象物的所谓的利用光切断法的拍摄器。另外，拍摄器38并不限定于仅获取对象物的表面形状的拍摄器，也可为也获取对象物的剖面形状的拍摄器。例如，拍摄器38也可为利用X射线等获取对象物的断层像的拍摄器。以下，作为一例，将拍摄器38设为获取立体图像的构件进行说明。

[0036] 接合部18将半导体芯片等芯片零件104封装于已被涂布于封装区域的涂布体102。在所述接合部18，设置有抽吸保持芯片零件104来进行搬送的接合头30、使接合头30朝Y方向及Z方向移动的移动机构32、以及拍摄器34。另外，隔着搬送轨道12在接合部18的相反侧，设置有晶片平台36。在晶片平台36，载置有通过切割晶片所获得的芯片零件104(裸片)。接合头30自所述晶片平台36拾取芯片零件104，并将其接合于对象的封装区域。以下，将经由涂布体102而固定有芯片零件104的构件称为“封装体106”。

[0037] 拍摄器34的结构与设置于涂布部14的拍摄器34大致相同，自垂直方向拍摄封装对象的封装区域或拾取对象的芯片零件104。控制部22根据由所述拍摄器34所拍摄的图像，算出接合头30与晶片平台36或基板100的相对位置，并对应于其算出结果来对接合头30进行定位。另外，在接合后，拍摄器 34也拍摄封装区域，进而拍摄封装体106。拍摄封装体106所得的图像作为第二俯视图像而与封装区域的识别信息建立对应，并被存储于控制部22的存储器50。

[0038] 在接合部18的更下游设置有第二检查单元20。第二检查单元20的结构与第一检查单元16大致相同，具有拍摄器42与使所述拍摄器42朝X方向移动的移动机构44。第二检查单元20的拍摄器42自斜方拍摄接合后的封装区域，即封装体106来获取第二立体图像。第二立体图像与各封装区域的识别信息建立对应，并被存储于控制部22的存储器50。与拍摄器38同样地，所述拍摄器42只要可获取包含高度信息的图像信息，则其结构并无特别限定。另外，拍摄器42可为与第一检查单元16的拍摄器38相同的结构，也可为不同的结构。

[0039] 控制部22控制所述涂布部14、接合部18、第一检查单元16、及第二检查单元20的驱动。此种控制部22具有进行各种运算的中央处理器(Central Processing Unit，CPU)48、及存储各种程序或数据的存储器50。再者，在图 2中，将控制部22作为单一的装置来图示，但控制部22也可将多个计算机组合来构成，也可具有多个CPU 48、多个存储器50。例如，控制部22也可包含已被装入封装装置10的控制计算机、及可与所述控制计算机进行通信的个人计算机。总之，控制部22控制构成封装装置10的各部的驱动，并且根据所述立体图像、俯视图像等，算出涂布体102及封装体106的三维形状。而且，控制部22根据所述三维形状，分别独立地对涂布处理及封装处理进行评估，关于此点将后述。

[0040] 控制部22与输入装置52、输出装置54连接。输入装置52用于对控制部22输入各种数据或指令，例如符合的是键盘、鼠标、专用开关、麦克风等。另外，输出装置54是用于对使用者提示各种信息的构件，例如符合的是显示器或扬声器等。

[0041] 继而，参照图3、图4对以下的说明中出现的各尺寸进行说明。图3是表示浆涂布后的封装区域的情况的图，图4是表示接合后的封装区域的情况的图。在浆涂布后且接合前的基板100，形成有涂布浆而成的涂布体102。如图3所示，涂布体102因表面张力而膨胀成大致圆顶状。以下，将所述涂布体102的直径称为“浆直径d1”，将涂布体102的最大高度称为”浆高度h1 “。另外，在接合后，芯片零件104通过涂布体102而固定于基板100上，构成封装体106。以下，将构成所述封装体106的涂布体102的直径称为“封装直径d2”。另外，将自基板
100表面至芯片零件104上表面为止的距离称为“裸片高度h2”，将自基板100表面至浆最高点为止的距离称为“填角高度h3”，将自基板100表面至芯片零件104底面为止的距离称为“底面高度 h4”。

[0042] 继而，参照图5、图6对使用此种封装装置10的封装处理的流程进行说明。图5、图6是表示封装处理的流程的流程图。在封装处理中，首先将基板100供给至搬送轨道12(S10)。控制部22驱动搬送轨道12，将所述基板 100搬送至设定于搬送轨道12上的涂布位置(S12)。
在涂布位置上，通过设置于涂布部14的拍摄器28来获取基板100的俯视图像。控制部22根据所述俯视图像，算出基板100相对于分配器24的相对位置，并进行基板100及分配器24的定位(S14)。若可进行定位，则控制部22驱动分配器24，将浆涂布于基板100表面的封装区域，而形成涂布体102(S16)。若可将浆涂布于一个封装区域，则控制部22驱动拍摄器28，拍摄涂布体102(S18)。通过所述拍摄所获得的俯视图像作为第一俯视图像而被存储于控制部22的存储器 50。对基板100的所有封装区域重复执行此种涂布处理。

[0043] 而且，若可将浆涂布于所有封装区域(S20中为是(Yes))，则控制部22 继而将基板100搬送至设定于搬送轨道12上的第一检查位置上(S22)。在第一检查位置上，通过拍摄器
38而自斜方拍摄涂布体102(S24)。通过所述拍摄所获得的立体图像作为第一立体图像而被存储于控制部22的存储器50。

[0044] 若可针对所有封装区域(涂布体102)获得立体图像(S26中为是)，则控制部22继而将基板100搬送至设定于搬送轨道12上的接合位置上(S28)。在接合位置上，通过设置于接合部18的拍摄器34来获取由基板100及接合头30抽吸保持的芯片零件104的俯视图像。控制部22根据所述俯视图像，算出芯片零件104相对于基板100的相对位置，并进行芯片零件104的定位 (S30)。若可进行定位，则控制部22驱动接合头30，将芯片零件104按压、固定于涂布体102上(S32)。若可将芯片零件104固定于一个封装区域，则控制部22驱动拍摄器34，拍摄封装体106(S34)。通过所述拍摄所获得的俯视图像作为第二俯视图像而被存储于控制部22的存储器50。对基板100的所有封装区域执行此种封装处理。

[0045] 而且，若可将芯片零件104接合于所有封装区域(S36中为是)，则控制部22继而将基板100搬送至设定于搬送轨道12上的第二检查位置上(S38)。在第二检查位置上，通过拍摄器42而自斜方拍摄各封装体106(S40)。通过所述拍摄所获得的立体图像作为第二立体图像而被存储于控制部22的存储器50。

[0046] 若可针对所有封装区域获得立体图像(S42中为是)，则控制部22至少根据第一立体图像及第二立体图像，对封装处理进行评估(S44)。而且，若针对所有封装区域完成评估，则输出基板100(S46)。

[0047] 在封装处理的评估中，分别对涂布处理与封装处理个别地进行评估。即，之前的封装处理的评估大多将封装体106的形状与目标形状进行比较，并根据其差值来判断封装处理的好坏。但是，在此情况下，与目标形状的差值包括起因于涂布不良的差值、及起因于封装不良的差值。因此，在仅将封装体 106的形状着眼于与目标形状的差值的现有技术中，难以辨别封装不良的原因在于涂布处理及封装处理的哪一者。而且，由于无法确定不良的原因，因此无法为了减少所述不良而采取适当的对策。

[0048] 在本例中，如根据所述说明而明确那样，不仅获取封装体106的立体图像(第二立体图像)，也获取封装处理前的涂布体102的立体图像(第一立体图像)。通过获取所述两个立体图像，可算出作为涂布体102的三维形状的第一形状、及封装体106的三维形状。而且，通过可算出所述两个形状，而可分别对涂布处理与封装处理个别地进行评估，进而可确定封装不良的原因。

[0049] 作为如所述那样分别对涂布处理与封装处理个别地进行评估的方法，可想到各种方法。例如，也可根据第一形状对涂布处理进行评估，并根据所述涂布处理的评估结果与第二形状对封装处理进行评估。图7是表示所述评估处理的一例的流程图。在对各处理进行评估时，控制部22首先根据第一立体图像，算出形成于基板100的涂布体102的三维形状即第一形状(S50)。所述第一形状理想的是至少包含浆高度h1、浆直径d1、以及浆的体积Vp。另外，第一形状也可为浆表面位置的坐标值的集合。

[0050] 另外，控制部22根据第二立体图像，算出通过接合芯片零件104所获得的封装体106的三维形状即第二形状(S52)。所述第二形状理想的是至少包含直径d2、裸片高度h2、填角高度h3。另外，第二形状也可为封装体106 的表面位置的坐标值的集合。

[0051] 继而，控制部22算出已算出的第一形状与存储于存储器50的第一目标形状的误差即浆误差E1(S54)。此处，所谓第一目标形状，是指涂布体102 的理想的形状。此种第一目标形状也可由使用者事先设定。另外，也可将伴随各种条件的变动(例如浆的粘度的变动等)，在装置侧修正由使用者所设定的初期形状所得的形状用作第一目标形状。

[0052] 另外，浆误差E1只要表示第一目标形状与第一形状(实测形状)的差异程度，则其算出方式并无特别限定。因此，浆误差E1也可为表现浆的形状的代表性的尺寸值(例如浆高度h1、浆直径d1等)的偏差。另外，在第一目标形状、第一形状为浆的表面位置的坐标值的集合的情况下，浆误差E1也可为Z坐标值的均方偏差或标准偏差等。

[0053] 若可算出浆误差E1，则控制部22继而算出已算出的第二形状与存储于存储器50的第二目标形状的误差即最终误差Ef(S56)。此处，所谓第二目标形状，是指封装体106的理想的形状。此种第二目标形状由使用者按照所要求的制品规格而事先设定。另外，最终误差Ef只要表示第二目标形状与第一形状(实测形状)的差异程度，则其算出方式并无特别限定。因此，最终误差Ef也可为表现封装体106的形状的代表性的尺寸值(例如裸片高度h2、封装直径d2等)的偏差。另外，在第二目标形状、第二形状为表示封装体 106的表面位置的坐标值的集合的情况下，封装误差E2也可为Z坐标值的均方偏差或标准偏差等。

[0054] 继而，控制部22将已算出的浆误差E1与存储于存储器50的容许浆误差 Edef1进行比较(S58)。容许浆误差Edef1是浆误差E1的容许值，且为无法保持封装体106的品质的程度的误差值。容许浆误差Edef1也可为由使用者事先设定的固定值，也可设为对应于各种条件的变动(例如浆的粘度的变动) 而变化的可变值。在比较的结果是浆误差E1超过容许浆误差Edef1的情况 (S58中为是)下，判断为涂布处理不良(S60)。

[0055] 继而，控制部22利用浆误差E1对已算出的最终误差Ef进行修正来求出封装误差E2(S62)。即，已算出的最终误差Ef包括起因于涂布不良的误差量e1、及起因于封装不良的误差量e2。因此，仅凭借最终误差Ef无法正确地评估封装处理。因此，在本例中，利用浆误差E1对最终误差Ef进行修正来算出封装误差E2。

[0056] 作为所述修正的方法，可想到各种方法，理想的是浆误差E1越大，封装误差E2变得越小。因此，封装误差E2例如也可设为如下的值：使绝对值随着浆误差E1变大而变小的系数K＝f(E1)乘以最终误差Ef所得的值(E2 ＝Ef*K)。

[0057] 总之，若可获得封装误差E2，则控制部22将所述封装误差E2与容许封装误差Edef2进行比较(S64)。容许封装误差Edef2由使用者按照所要求的制品规格而事先设定。而且，在比较的结果是封装误差E2已超过容许封装误差Edef2的情况(S64中为是)下，判断为封装处理不良(S66)。

[0058] 如根据以上的说明而明确那样，根据本例，根据第一形状来求出作为涂布处理的评估指标的浆误差E1，并根据第二形状与浆误差E1(涂布处理的评估结果)来求出作为封装处理的评估指标的封装误差E2。因此，可将涂布处理与封装处理分开进行评估。而且，由此可辨别封装不良的原因在于涂布处理及封装处理的哪一者，进而容易采取用于减少封装不良的对策。

[0059] 另外，作为另一形态，也可根据第一形状与封装条件，将通过封装处理而获得的封装体106的三维形状作为推断形状来推断，并根据所述推断形状与第二形状的比较，对封装处理进行评估。图8是表示所述情况下的评估处理的流程的流程图。在图8的流程中，控制部22首先根据第一立体图像来算出第一形状(涂布体102的实测形状)，并根据第二俯视图像来算出第二形状 (封装体106的实测形状)(S68、S70)。另外，控制部22求出已算出的第一形状(涂布体102的实测形状)与第一目标形状(涂布体102的目标形状) 的误差即浆误差E3(S72)。至此为止，与图7的流程大致相同。

[0060] 继而，控制部22根据已算出的第一形状与封装条件，将通过封装处理而获得的封装体106的三维形状作为推断形状来推断(S74)。此处，作为封装条件，例如包括接合头30的下降高度或按压力、加热温度等。另外，推断形状的推断也可事先通过实验等来获取伴随接合的涂布体102(浆)的变形量与接合条件的相关关系，并根据所述相关关系来推断接合后的涂布体102及芯片零件104的形状。另外，也可将进行有限要素法分析等的模拟装置内置于控制部22，使用所述模拟装置来求出推断形状。

[0061] 若可获得推断形状，则控制部22求出第二形状(封装体106的实测形状) 与推断形状(封装体106的推断形状)的误差即封装误差E4(S76)。即，推断形状是考虑作为涂布体102的实测形状的第一形状所推断的形状。若如理论那样进行封装处理，则预计第二形状变成如推断形状那样，若推断形状与第二形状存在大的差异，则可以说未如理论那样进行封装处理，产生了某些封装不良。因此，封装误差E4可用作封装处理的评估指标。

[0062] 控制部22若可获得浆误差E3及封装误差E4，则将这些误差与存储于存储器50的容许误差Edef3、容许误差Edef4进行比较(S78、S82)。若比较的结果是浆误差E3超过容许浆误差Edef3，则判断为产生了涂布不良(S80)，若封装误差E4超过容许封装误差Edef4，则判断为产生了封装不良(S84)。

[0063] 如上所述，根据本例，根据第一形状与接合条件将封装体106的目标形状作为推断形状来推断。此处，推断处理是反映实际的涂布体102的形状的形状，因此通过将所述推断形状与第二形状进行比较，可更正确地判断封装不良。

[0064] 控制部22也可根据以所述方式获得的评估结果，对涂布处理及封装处理进行反馈控制或前馈控制。例如，控制部22可将涂布处理的评估指标反馈至涂布处理控制，也可将封装处理的评估指标反馈至涂布处理控制及封装处理控制的至少一者。例如，控制部22若可获得浆误差E1、浆误差E3，则也能够以可减少所述误差E1、误差E3的方式，调整与涂布处理相关的控制参数即涂布参数(例如分配器24的吐出压力、吐出高度等)。同样地，控制部若可获得封装误差E2、封装误差E4，则也能够以可减少所述误差E2、误差E4 的方式，调整涂布参数及与封装处理相关的控制参数即接合参数(下降高度或按压力、加热温度等)的至少一者。

[0065] 另外，在图6中，在涂布处理及封装处理结束后进行这些处理的评估(步骤S44)，但也可在已获取第一立体图像的阶段(步骤S26与步骤S30之间)，求出浆误差E1、浆误差E3。而且，也能够以可减少最终的封装不良的方式，根据浆误差E1、浆误差E3来进行修正接合参数的前馈控制。例如，在裸片高度h2被重视的制品中，当浆高度h1变得较目标值高时，也可将接合头30 的下降高度修正得较通常低，而使裸片高度h2接近目标值。

[0066] 图9是表示此种接合参数的修正流程的一例的图。在图9的例子中，在获取第一立体图像后，根据第一形状与接合条件(包含接合参数)来求出推断形状(S86)。继而，算出所述推断形状与作为封装体106的目标形状的第二形状的误差即预计误差E5(S88)。控制部22将所述预计误差E5与事先设定的容许封装误差Edef5进行比较(S90)。在比较的结果是预计误差E5超过容许封装误差Edef5的情况下，控制部22以减少预计误差E5的方式修正接合条件(具体而言，接合参数)(S92)。然后，再次回到步骤S86，根据经修正的接合条件与第一形状来算出推断形状。然后，根据所述推断形状进行步骤S88、步骤S90。以后，重复相同的程序直至预计误差E5变成未满容许封装误差Edef5为止。而且，若图9的流程结束，则只要在最终获得的接合条件下执行封装处理即可。

[0067] 另外，已知浆的粘度等的物性通常根据经过时间或周边环境而变化。例如，已知浆的粘度伴随时间的经过而逐渐地上升。另外，浆的粘度也根据周边温度等而变化。若浆的物性变动，则适当的涂布参数、接合参数的值也变动。

[0068] 因此，也可推断浆的物性，并对应于其推断结果来变更涂布参数或接合参数。另外，也可使对各处理进行评估时使用的推断形状或第一目标形状对应于经推断的浆的物性而变化。即，即便第一形状及接合条件相同，若浆的物性变化，则在接合后获得的封装体106的形状也变化。因此，也可不仅考虑第一形状、接合条件，进而也考虑浆的物性来算出推断形状。另外，若浆的物性变化，则获得目标的封装形状所需要的浆形状(第一目标形状)也变化。因此，也可使作为浆的目标形状的第一目标形状对应于浆的物性的变化而变化。

[0069] 作为浆的物性的推断方法，可想到各种方法，例如也可根据一个涂布体 102的尺寸比率来推断浆的物性。即，通过将浆涂布于基板100而形成的涂布体102如在图10中由实线所示那样，因表面张力而膨胀成圆顶状。若浆的粘度变高，则如在图10中由双点划线所示那样，浆的水平方向的扩展变少，高度增加。即，伴随浆的粘度的增加，高度h1对于浆直径d1的比率h1/d1 变高。因此，控制部22若可获得第一形状，则也可求出高度对于直径的比率 h1/d1，并根据其值来推断浆的粘度。而且，也可根据经推断的浆的粘度来修正其涂布参数或接合参数。

[0070] 另外，作为另一形态，也可根据经涂布的多个涂布体102间的尺寸的变动量、或经涂布的多个涂布体102的涂布条件的变动量来推断浆的物性。例如，预计随着使用同一个注射器的时间经过，浆的粘度变化。而且，估计即便是相同的涂布条件，例如若浆的粘度增加，则浆高度h1也变化。因此，也可获取经涂布的多个涂布体102的高度h1，并根据所述高度h1的变动量来求出浆的物性。

[0071] 参照图11对其进行说明。图11是表示自开始使用注射器(未图示)起的经过时间t与浆高度h1的关系的一例的图。在图11中，横轴表示经过时间t，纵轴表示浆高度h1。另外，在图11中，黑圆点表示浆高度h1的测定结果。在已获得所述测定结果的情况下，控制部22也可根据所述测定结果，求出浆高度h1与经过时间t的相关关系，并将其作为表示浆的物性的信息来获取。若为图11的例子，则也可将多个测定结果(黑圆点)的近似直线(双点划线)作为浆的物性信息来获取。而且，也可根据已获得的近似直线，推断今后的浆的物性与适合于其的控制参数值，并进行调整。再者，将经过时间t作为自开始使用注射器起的时间进行了说明，但也可设为自涂布涂布体 102至测定涂布体102的形状为止的经过时间。在此情况下，预测因经过时间t而导致浆暴露于空气中，粘度如图11那样变化。

[0072] 另外，预计若注射器内的浆的粘度变高，则自注射器吐出相同的体积所需要的吐出压力增加。因此，也可根据涂布条件(吐出压力等)的变动量而非涂布体102的尺寸来推断浆的物性。总之，通过推断浆的物性，并对应于其来修正各种控制参数，而可更适当地封装芯片零件104。另外，通过对应于经推断的物性来修正第一目标形状、推断形状，而可更正确地评估涂布处理及封装处理。

[0073] 另外，在本例中，根据立体图像来算出涂布体102、及封装体106的三维形状。但是，根据拍摄器38、拍摄器42的结构，存在仅利用立体图像无法正确地掌握对象物的整体形状的情况。参照图12对其进行说明。

[0074] 图12是表示通过光切断法来获取包含高度的三维信息的拍摄器的结构的示意图。所述拍摄器具有投影机55、及相对于投影机55具有倾斜度来设置的照相机56。投影机55具有多个光源58、及将来自光源58的光朝一方向扩大而转换成线状光62的光学构件60。因此，自投影机55照射多个线状光 62。照相机56拍摄对象物，具有互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)或电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD) 等图像传感器。图13是将涂布体102作为对象物拍摄所获得的图像的图像图。
如图13所示，可看到多个线状光62对应于对象物的表面形状而适宜歪斜。根据所述线状光
62的形状来算出对象物的高度，由此可算出对象物的三维形状。

[0075] 根据所述光切断法，可利用比较廉价的设备来算出对象物的三维形状。另一方面，在光切断法中，仅自斜方拍摄对象物，因此产生变成对象物自身的背面而无法拍摄的范围。具体而言，在图12中，若自照相机56来看，则施加有影线的部位变成对象物的背面，因此变成无法拍摄的缺失部位57。其结果，仅利用由拍摄器所拍摄的立体图像无法掌握缺失部位
57的三维形状。

[0076] 因此，在所述情况下，也可利用俯视图像来推断缺失部位57的形状。例如，涂布体102大多具有对称性，因此也可根据俯视图像来求出涂布体102 的中心点，并根据位于与缺失部位57对称的位置上的三维形状，推断影线部位的三维形状。

[0077] 如此，根据俯视图像来推断在立体图像中缺失的部位的三维形状，由此可使用廉价的设备来算出对象物整体的三维形状。再者，作为产生缺失部位 57的拍摄器，列举了光切断法的拍摄器为例，但所述技术当然也可用于其他形态的拍摄器。

[0078] 另外，存在不论拍摄器的结构，通过将立体图像等来算出三维形状均需要极大的运算，而花费时间之虞。因此，也可根据针对多个对象物(涂布体 102或封装体106)中的一部分的对象物所获得的3D图像与二维(two dimensional，2D)图像，推断三维形状与二维形状的相关关系。而且，也可根据所述相关关系与针对其他对象物所获得的2D图像，推断所述其他对象物的三维形状。

[0079] 例如，将浆涂布于基板100所形成的涂布体102的直径d1越大，高度 h1容易变得越高。因此，仅针对存在多个的浆中的一部分的涂布体102获取立体图像，并根据其测定结果来获取直径d1与高度h1的相关关系。图14是表示所述相关关系的一例的图，横轴表示浆直径d1，纵轴表示浆高度h1，黑圆点表示测定值。若对所述测定值进行近似，则可获得如由实线所示的相关曲线。控制部22也可根据不自斜方拍摄而仅自垂直方向进行了拍摄的涂布体 102的俯视图像，算出浆直径d1，并将所述浆直径d1与所述相关曲线对照，由此推断浆高度h1。而且，通过设为所述结构，可大幅度地减少立体图像的处理量，可缩短运算所需要的时间。作为结果，可缩短封装处理与其评估所花费的时间。

[0080] 再者，至此为止所说明的结构是一例，只要具有获取第一立体图像、第二立体图像的拍摄器38、拍摄器42，根据所述第一立体图像、第二立体图像来算出第一形状及第二形状，并至少根据所述第一形状、第二形状来分别对涂布处理及封装处理个别地进行评估，则其他结构也可适宜变更。例如，在本例中，作为封装装置，列举裸片接合为例进行了说明，但只要经由浆来固定芯片零件，则也可为其他种类的封装装置，例如倒装芯片接合装置等。

[0081] 符号的说明

[0082] 10：封装装置

[0083] 12：搬送轨道

[0084] 14：涂布部

[0085] 16：第一检查单元

[0086] 18：接合部

[0087] 20：第二检查单元

[0088] 22：控制部

[0089] 24：分配器

[0090] 26、32、40、44：移动机构

[0091] 28、34、38、42：拍摄器

[0092] 30：接合头

[0093] 36：晶片平台

[0094] 48：CPU

[0095] 50：存储器

[0096] 52：输入装置

[0097] 54：输出装置

[0098] 55：投影机

[0099] 56：照相机

[0100] 57：缺失部位

[0101] 58：光源

[0102] 60：光学构件

[0103] 62：线状光

[0104] 100：基板

[0105] 102：涂布体

[0106] 104：芯片零件

[0107] 106：封装体。