具体技术细节
[0004] 为了改善主流光电探测器结构设计在实际应用过程中存在的各种问题，本发明提供一种光电探测器结构。具体是一种兼容CMOS工艺的晶体管放大器与光电探测器集成的探测器件结构。
[0005] 本发明采用如下技术方案：
[0006] 一种光电探测器结构，包括光电探测器、晶体管放大器、衬底及电极，所述光电探测器及晶体管放大器均集成到衬底上，所述光电探测器及晶体管放大器上设置电极。
[0007] 进一步，采用CMOS工艺将光电探测器及晶体管放大器集成到衬底上。
[0008] 进一步，所述光电探测器为PIN型、APD型或MSM型。
[0009] 进一步，晶体管放大器是由CMOS、BJT或单CMOS管构成的集成运算放大器。
[0010] 进一步，所述电极包括Au、Cu、Ag或多晶硅。
[0011] 本发明的有益效果：
[0012] 本发明采用光电探测器结构简单、稳定，可以集成复杂的驱动电路，提高探测器的光电响应信号质量，避免外接驱动电路对探测器引入的影响。
法律保护范围
涉及权利要求数量5：其中独权1项，从权-1项
1.一种光电探测器结构，其特征在于，包括光电探测器、晶体管放大器、衬底及电极，所述光电探测器及晶体管放大器均集成到衬底上，所述光电探测器及晶体管放大器上设置电极。
2.根据权利要求1所述的一种光电探测器结构，其特征在于，采用CMOS工艺将光电探测器及晶体管放大器集成到衬底上。
3.根据权利要求1所述的一种光电探测器结构，其特征在于，所述光电探测器为PIN型、APD型或MSM型。
4.根据权利要求1所述的一种光电探测器结构，其特征在于，晶体管放大器是由CMOS、BJT或单CMOS管构成的集成运算放大器。
5.根据权利要求1所述的一种光电探测器结构，其特征在于，所述电极包括Au、Cu、Ag或多晶硅。
