[0001] 本发明涉及一种用于对金属纳米线进行图案化的图案化糊剂、一种用于选择性地对具有金属纳米线的衬底进行图案化的方法，以及一种消费电子产品。

[0002] 银纳米线薄膜作为导电薄膜中铟锡氧化物(ITO)的可能替代品或在柔性是重要考虑因素的应用中越来越受欢迎。这些银纳米线薄膜的图案化可能会减慢整体处理时间。这是因为当前的技术需要印刷复杂的图案化层，选择性地将其去除，并且接着在最终去除掩模之前进行蚀刻，或通过等待激光蚀刻出图案来进行蚀刻。

[0009] 出于以下详细描述的目的，应理解，除非明确相反地指出，否则本发明可以采取各种替代变型和步骤顺序。此外，除在任何操作实例中外或除另外指示外，表示例如说明书和权利要求书中使用的成分的量的所有数字在所有情况下均应理解为由术语“约”修饰。因此，除非另有相反地指示，否则以下说明书和所附权利要求书中阐述的数字参数是近似值，其可以根据本发明获得的所需特性而变化。至少，并且不试图将等效原则的应用限制于权利要求的范围，每个数字参数应至少根据所报告的有效数字位数并通过应用普通的舍入法来解释。

[0010] 尽管阐述本发明的广泛范围的数值范围和参数是近似值，但是尽可能精确地报告在具体实例中阐述的数值。然而，任何数值固有地包含某些误差，所述误差必定是由在其各自的测试测量中发现的标准偏差引起的。

[0011] 同样，应理解，本文列举的任何数值范围旨在包括其中包含的所有子范围。例如，范围“1至10”意图包括在所列举的最小值1与所列举的最大值10之间的所有子范围(包括所述最小值和所述最大值)，也就是说，具有等于或大于1的最小值和等于或小于10最大值。

[0012] 在本申请中，除非另外特别说明，否则单数的使用包括复数，并且复数涵盖单数。另外，在本申请中，除非另有明确说明，否则“或”的使用意指“和/或”，即使在某些情况下可以明确地使用“和/或”。另外，在本申请中，除非另有明确说明，否则“一种(a)”或“一种(an)”的使用意指“至少一个”。例如，“一种”胺、“一种”络合剂等是指这些项目中的一个或多个。同样，如本文中所使用，术语“聚合物”可以指预聚物、低聚物，以及均聚物和共聚物两者。术语“树脂”可以与“聚合物”互换使用。

[0013] 如本文中所使用，过渡术语“包括(comprising)”(以及其他类似术语，例如“包含(containing)”和“包含(including)”)是“开放式的”，并且开放式地包括未指定的物质。尽管用“包括”来描述，但是术语“基本上由……组成”和“由……组成”也在本发明的范围内。

[0014] 本发明涉及一种用于对金属纳米线进行图案化的图案化糊剂，所述图案化糊剂包括包含硫氰酸胍的络合剂。图案化糊剂可以通过选择性地劣化金属纳米线以切断特定区中的纳米线来切割金属纳米线。这是通过以下方式进行：络合剂在与金属纳米线接触地方产生配体/浸出剂，然后可以将其从衬底上冲洗掉，从而使金属纳米线得到切割。切割的纳米线的部分可以迁移或再沉积到附近的完整金属纳米线上，或者作为金属纳米颗粒或其他含金属的结构迁移或再沉积。

[0015] 在图案化糊剂中使用硫氰酸胍作为络合剂比不包括硫氰酸胍作为络合剂的图案化糊剂具有优势。使用胺(诸如双(六亚甲基)三胺)和在活化或退火操作期间蒸发的挥发性有机化合物作为唯一的络合剂不能很好地起作用，因为从纳米线释放的银通常会落回银纳米线衬底上，从而产生不需要的电隔离区域。胺可以包括挥发性有机化合物，所述挥发性有机化合物在活化或退火操作期间蒸发，接着落回金属纳米线衬底上，从而产生不需要的电隔离区域。硫氰酸盐是一种盐，并且不会从银纳米线衬底上蒸发掉；然而，并不是所有的硫氰酸盐都具有相同的效果，并且发现某些硫氰酸盐的效果不及硫氰酸胍。例如，硫氰酸钾(KSCN)提供良好的银纳米线隔离，但高度可见。图1示出了与使用硫氰酸钾作为唯一络合剂相关联的高度可见的图案化。硫氰酸钠也不利地示出高度可见的图案化。硫代硫酸铵在60℃和90％相对湿度的条件下提供过度作用。另外，硫氰酸铵在其他条件下在60℃下无作用(甚至没有提供所需的切割)。氯化钠(NaCl)作为络合剂无效果，而溴化钠(NaBr)作为络合剂会阻碍活化。多硫化物和氨可能无法提供局部切割，并且往往会提供过度作用。

[0016] 如本文中所使用，术语“纳米线”是指基本上为固体的细长的纳米级物体。通常，纳米线具有在纳米(nm)范围内的横向尺寸(例如，横截面尺寸，以宽度、直径或代表垂直方向上的平均值的宽度或直径的形式)、在微米(μm)范围内的纵向尺寸(例如，长度)，以及为3或更大(诸如10或更大)的长宽比。如本文中所使用，术语“纳米级”是指具有至少一个在nm范围内的尺寸的物体的尺寸。如本文中所使用，术语“纳米范围”或“nm范围”是指1纳米(“nm”)至1微米(μm)的尺寸范围。

[0017] 基于图案化糊剂的总重量，硫氰酸胍在图案化糊剂中的存在量的范围可以为1至35重量％，诸如1至30重量％、1至25重量％、1至20重量％、1至15重量％、1至10重量％、4至
15重量％或4至10重量％。

[0018] 基于图案化糊剂的总固体重量，硫氰酸胍在图案化糊剂中的存在量的范围可以为5至30重量％，诸如5至25重量％、5至20重量％、5至15重量％、8至30重量％、8至25重量％、8至20重量％、8至15重量％、10至30重量％、10至25重量％、10至20重量％、10至15重量％、15至30重量％、15至25重量％或15至20重量％。

[0019] 硫氰酸胍作为络合剂具有有利的特性，因为它是某些金属(诸如银)的已知浸出剂/配体。硫氰酸胍选择性切割银金属纳米线，原因在于硫氰酸胍在工艺条件下不会完全反应，但会留下少量的金属纳米线以电隔离衬底，同时保持少量的残留金属纳米线，以便衬底的外观不会对肉眼有显著影响。

[0020] 除硫氰酸胍外，图案化糊剂还可以包括其他络合剂。例如，图案化糊剂可以包括胺，诸如双(六亚甲基)三胺。虽然胺本身作为络合剂并不会比硫氰酸胍本身作为络合剂提供更好的结果(胺可能会导致不需要的电隔离区域)，但包含胺和硫氰酸胍两者的图案化糊剂可能适合于对金属纳米线进行图案化。胺/硫氰酸胍组合物中的胺浓度可以保持足够低，使得胺不会对金属纳米线造成过度作用，同时有利地赋予衬底更好的视觉特性。过度作用被定义为图案化糊剂不必要地散布到预期处理区域之外的现象。基于图案化糊剂的总重量，胺在图案化糊剂中的存在量可以为至多12重量％。基于图案化糊剂的总重量，胺在图案化糊剂中的存在量的范围可以为0.1至12重量％。

[0021] 图2A和图2B示出了使用包括硫氰酸胍(图2A)或硫氰酸胍和双(六亚甲基)三胺(图2B)的图案化糊剂对衬底进行图案化的结果。图2B通过图像中的大量亮点示出了银再沉积的证据。银的再沉积可以在衬底的图案化区域与未图案化区域之间提供有利的折射率匹配。

[0022] 除硫氰酸胍外，络合剂还可以包括适合用作络合剂的其他组分。可以作为络合剂(或作为络合剂或配体的来源)包括的合适组分的实例包括含第15族元素(例如，含氮)的化合物或路易斯碱，并且可以呈单体、低聚物和聚合物的形式，所述单体、低聚物和聚合物用一种或多种类型的含第15族元素的官能团封端、衍生或取代，或诸如在低聚物或聚合物的主链结构中包括一个或多个第15族元素原子或含第15族元素的基团。合适的含第15族元素的化合物的实例包括有机和无机胺，诸如氨、伯有机胺(环状或非环状，不饱和或饱和)和多胺(直链、支链或树突状)、仲有机胺(环状或非环状，不饱和或饱和)和多胺(直链、支链或树突状)以及叔有机胺(环状或非环状，不饱和或饱和)和多胺(直链、支链或树突状)，诸如聚赖氨酸、氮丙啶、氮丙啶基化合物、衍生的氮丙啶基化合物、聚乙烯亚胺(直链、支链或树突状)，以及前述化合物的磷、砷、锑和铋类似物，以及前述化合物的衍生形式。

[0023] 合适的胺的实例包括具有下式的实例：N(R)(R′)(R″)，其中R、R′和R″独立地选自氢化物、烷基、烯基、炔基、芳基，诸如直链或支链烃基(例如，包括1至20、1至15、1至10、1至8或1至5个碳原子的烃基)、聚(氧化烯)基、硅氧烷基或聚硅氧烷基，以及它们的衍生物。还设想前述化合物的磷、砷、锑和铋类似物，诸如其中氮被磷、砷、锑或铋取代。

[0024] 合适的多胺的实例包括具有下式的实例：R2N((CnR2n)xNR)a(CmR2m)yNR2，其中R是氢基、烷基、烯基、炔基、芳基，诸如直链或支链烃基(例如，包括1至20、1至15、1至10、1和至8或1至5个碳原子的烃基)、聚(氧化烯)基、硅氧烷基或聚硅氧烷基或其衍生物，且n、m、x、y和a是各自独立地大于或等于0或大于或等于1(例如为0或更大、1或更大、2或更大、3或更大、4或更大、5或更大、或6或更大)的整数。式也可以概括为RR′N((CnR″2n)xNR″′)a(CnR″″2m)yNR″″′R″″″，其中各个R基团独立地选自氢化物基、烷基、烯基、炔基、芳基，诸如直链或支链烃基(例如，包括1至20、1至15、1至10、1至8或1至5个碳原子的烃基)、聚(氧化烯)基、硅氧烷基或聚硅氧烷基，以及其衍生物，且n、m、x、y和a是各自独立地大于或等于0或大于或等于1(例如为0或更大、1或更大、2或更大、3或更大、4或更大、5或更大、或6或更大)的整数。合适的多胺的附加实例包括具有下式的实例：RR′N-[(R″)x--NR″′-(R″″)y]z--NR″″′R″″″，其中R、R′、R″′、R″″′和R″″″基团独立地选自氢化物基、烷基、烯基、炔基、芳基，诸如直链或支链烃基(例如，包括1至20、1至15、1至10、1至8或1至5个碳原子的烃基)、聚(氧化烯)基、硅氧烷基或聚硅氧烷基，以及其衍生物，并且R″和R″″基团独立地选自亚烷基(例如，亚甲基或-CH2-和亚乙基或-CH2-CH2-)、亚烯基、亚炔基、亚芳基，诸如直链或支链烃基(例如，包括1至
20、1至15、1至10、1至8或1至5个碳原子的烃基)、聚(环氧烷)基、硅氧烷基或聚硅氧烷基，以及其衍生物，且x、y、z是各自独立地大于或等于0或大于或等于1(例如为0或更大、1或更大、
2或更大、3或更大、4或更大、5或更大、或6或更大)的整数。还设想前述化合物的磷、砷、锑和铋类似物，诸如其中上述式中的至少一个氮被磷、砷、锑或铋取代。

[0025] 合适的多胺和多胺的第15族元素类似物的附加实例包括下式的实例：

[0026]

[0027] 其中R1、R2、R3和S独立地选自氢化物基、烷基、烯基、炔基、芳基，诸如直链或支链烃基(例如，包括1至20、1至15、1至10、1至8或1至5个碳原子的烃基)、聚(氧化烯)基、硅氧烷基或聚硅氧烷基，以及其衍生物，并且L选自亚烷基、亚烯基、亚炔基、亚芳基，诸如直链或支链烃基(例如，包括1至20、1至15、1至10、1至8或1至5个碳原子的烃基)、聚(环氧烷)基、硅氧烷基或聚硅氧烷基，以及其衍生物，A和B独立地选自氮、磷、砷、锑和铋，且n是大于或等于0或大于或等于1(例如，为0或更大、1或更大、2或更大、3或更大、4或更大、5或更大或6或更大)的整数，并且其中，对于n＞1：

[0028] 在n个单元的不同单元中的L可以相同或不同，并且独立地选自亚烷基、亚烯基、亚炔基、亚芳基，诸如直链或支链烃基、聚(环氧烷)基、硅氧烷基或聚硅氧烷基，以及其衍生物，

[0029] 在n个单元的不同单元中的S可以相同或不同，并且独立地选自氢化物基、烷基、烯基、炔基、芳基，诸如直链或支链烃基、聚(环氧烷)基、硅氧烷基或聚硅氧烷基，以及其衍生物，并且

[0030] 在n个单元的不同单元中的B可以相同或不同，并且独立地选自氮、磷、砷、锑和铋。

[0031] 胺和多胺的具体实例包括氨、乙二胺(或H2N-(CH2)2-NH2)、二亚乙基三胺(或H2N-(CH2)2-NH-(CH2)2-NH2)、辛胺(或CH3-(CH2)7-NH2)、癸胺(或CH3-(CH2)9-NH2)、三亚乙基四胺(或H2N-(CH2)2-NH-(CH2)2-NH-(CH2)2-NH2)、N-甲基乙二胺(或CH3-NH-(CH2)2-NH2)、N，N′-二甲基乙二胺(或(CH3)2N-(CH2)2-NH2)、N，N，N′-三甲基乙二胺(或CH3-NH-(CH2)2-N(CH3)2)、N，N′-二异丙基乙二胺(或(CH3)2CH-NH-(CH2)2-N-CH(CH3)2)和四乙基五胺(或H2N-(CH2)2-NH-(CH2)2-NH-(CH2)2-NH-(CH2)2-NH2)。胺和多胺的其他具体实例包括乙二胺四乙酸、咪唑(例如，二咪唑和三咪唑)、嘧啶、嘌呤、精胺、尿素、赖氨酸、乙醇胺盐酸盐、乙内酰脲、硫脲和胺氧化物(或氧化胺)。其他实例包括胺化的聚合物，诸如聚(乙烯基胺)，和相关的共聚物。在一些实施例中，合适的胺和多胺包括缺少羧基(或缺少羰基或缺少-(C＝S)-)或每个分子不超过2个羧基(每个分子不超过2个羰基或不超过2个-(C＝S)-)或每个分子不超过1个羧基(或每个分子不超过1个羰基或不超过1个-(C＝S)-)的胺和多胺。

[0032] 多胺的附加具体实例包括聚乙烯亚胺，其也可以称为聚氮丙啶或聚(亚氨基亚乙基)。聚乙烯亚胺可以以几种分子量使用，可以是支链的、直链的或树突状的，并且可以用作衍生物，诸如用各种侧链或官能团衍生的聚乙烯亚胺。聚乙烯亚胺的合适分子量包括800和25,000(数均或重均)，但是也可以预期其他分子量，诸如100,000或更小、50,000或更小、
25,000或更小、20,000或更小、10,000或更小、5,000或更小，或1,000更小，以及低至500或更小。

[0033] 可以充当络合剂的组分的其他实例包括过渡金属卤化物或卤化铵(例如，卤化银，诸如氯化银或溴化银)、过渡金属氧化物或氧化铵(例如，氧化银)、过渡金属硫化物或硫化铵(例如，硫化银)、其他含银(例如，Ag+)的化学试剂、碱金属(例如，钠或钾)硫氰酸盐或硫氰酸铵、碱金属(例如，钠或钾)多硫化物或多硫化铵，碱金属(例如，钠或钾)硫化物、碱金属(例如，钠或钾)硫代硫酸盐或硫代硫酸铵、碱金属(例如，钠或钾)卤化物(例如，氯化物或溴化物)、金属氰化物或氰化铵、碳酸铵和氨基甲酸铵。

[0034] 图案化糊剂还可以包括载剂。载剂可以包括增稠剂。基于图案化糊剂的总重量，增稠剂在图案化糊剂中的存在量可以为至多10重量％，诸如至多6重量％、至多5重量％、至多4重量％、至多3重量％、至多2重量％或至多1重量％。增稠剂可以包括2-羟乙基纤维素。但是，可以使用其他增稠剂，诸如羟乙基纤维素、甲基纤维素、乙基甲基纤维素、碱溶胀性乳液、HEUR增稠剂(非离子聚氨酯缔合型增稠剂)，和粘土。可以使用这些增稠剂的组合。增稠剂可以包括聚合物粘合剂，包括水溶性聚合物粘合剂，诸如聚(乙烯基吡咯烷酮)、聚乙烯醇、聚(乙烯醇-共聚-乙烯胺)、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丙烯酸钠，和碳水化合物，诸如水溶性纤维素衍生物，如羧甲基纤维素钠，以及水溶性天然聚合物，如淀粉、淀粉糊、可溶性淀粉和糊精。聚苯乙烯也可以是合适的增稠剂。

[0035] 载剂也可以包括溶剂。溶剂可以包括将络合剂保持在溶液中的保湿剂(例如，还用作溶剂的保湿剂)。如本文中所使用，“保湿剂”是指用于保持水分的材料。图案化糊剂中可以包括不充当溶剂的保湿剂。保湿剂可以包括乙二醇、丙二醇、蜂蜜、丁二醇、甘油、尿素，银耳提取物、乳酸钠、山梨糖醇、吡咯烷酮碳酸钠盐，以及它们的组合。基于图案化糊剂的总重量，保湿剂在图案化糊剂中的存在量可以为至多50重量％，诸如至多45重量％、至多40重量％或至多35重量％。保湿剂在图案化糊剂中的存在量的范围可以为1至50重量％，诸如10至45重量％、15至40重量％、20至35。

[0036] 图案化糊剂还可以包括惰性填料，诸如硫酸钡、高岭土、二氧化钛、空心球、二氧化硅、云母或为图案化糊剂提供体积、赋予有利的流变特性和/或不与金属纳米线反应的任何其他材料。

[0037] 图案化糊剂还可以包括润湿剂，以将制剂调节到金属纳米线膜的比表面张力。

[0038] 可以将图案化糊剂施加到具有被金属纳米线覆盖的表面的衬底上。衬底可以具有任何形状和大小，并且可以是透明的、半透明的或不透明的。衬底可以是柔性的、可弯曲的、可折叠的、可拉伸的或刚性的。衬底可以是导电的、半导电的或绝缘的。

[0039] 适用于衬底的材料的实例包括有机材料、无机材料和有机-无机杂化材料。例如，衬底可以包括热塑性聚合物、热固性聚合物、弹性体或共聚物或它们的其他组合，诸如选自聚烯烃(例如，聚乙烯(或PE)、聚丙烯(或PP)、聚丁烯和聚异丁烯)、丙烯酸酯聚合物(例如，1型和2型聚(甲基丙烯酸甲酯)(或PMMA))、基于环烯烃的聚合物(例如，环烯烃聚合物(或COP)和共聚物(或COC)，诸如以商品名ARTON和ZEONORFILM购得)、芳族聚合物(例如，聚苯乙烯)、聚碳酸酯(或PC)、乙烯乙酸乙烯酯(或EVA)、离聚物、聚乙烯醇缩丁醛(或PVB)、聚酯、聚砜、聚酰胺、聚酰亚胺、聚氨酯、乙烯基聚合物(例如，聚氯乙烯(或PVC))、含氟聚合物、聚砜、聚乳酸，基于碳酸烯丙二酯的聚合物、腈基聚合物、丙烯腈丁二烯苯乙烯(或ABS)、三醋酸纤维素(或TAC)、苯氧基聚合物、亚苯基醚/氧化物、增塑溶胶、有机溶胶、可塑性淀粉材料、聚缩醛、芳族聚酰胺、聚酰胺-酰亚胺、聚芳醚、聚醚酰亚胺、聚芳基砜、聚丁烯、聚酮、聚甲基戊烯、聚亚苯基，基于苯乙烯马来酸酐的聚合物、基于聚烯丙基二甘醇碳酸酯单体的聚合物、基于双马来酰亚胺的聚合物、聚邻苯二甲酸烯丙基酯、热塑性聚氨酯、高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、共聚酯(例如，以商标TRITAN购得)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(或PETG)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(或PET)、环氧树脂、含环氧树脂的树脂、三聚氰胺基聚合物、有机硅和其他含硅聚合物(例如，聚硅烷和聚倍半硅氧烷)、基于醋酸盐的聚合物、聚(富马酸丙二酯)、聚(偏二氟乙烯-三氟乙烯)，聚3-羟基丁酸酯聚酯、聚己内酯、聚乙醇酸(或PGA)、聚乙交酯、聚亚苯基乙烯、导电聚合物、液晶聚合物、聚(甲基丙烯酸甲酯)共聚物、四氟乙烯基聚合物、磺化四氟乙烯共聚物、氟化离聚物、与聚合物电解质膜相对应或包括在聚合物电解质膜中的聚合物、乙磺酰氟基聚合物、基于2-[1-[二氟-[(三氟乙烯基)氧基]甲基]-1，2，2，2-四氟乙氧基]-1，1，2，2，-四氟-以及四氟乙烯的聚合物，四氟乙烯-全氟-3，6-二氧杂-4-甲基-7-辛烯磺酸共聚物、聚异戊二烯、聚乙交酯、聚乙醇酸、聚己内酯、基于偏二氟乙烯的聚合物、基于三氟乙烯的聚合物、聚(偏二氟乙烯-三氟乙烯)、聚(亚苯基乙烯)、基于酞菁铜的聚合物、玻璃纸、铜铵基聚合物、人造丝和生物聚合物的(例如，醋酸纤维素(或CA)、醋酸丁酸纤维素(或CAB)、醋酸丙酸纤维素(或CAP)、丙酸纤维素(或CP)、基于尿素的聚合物、木材、胶原蛋白、角蛋自、弹性蛋白、硝化纤维素、可塑性淀粉材料、赛璐珞、竹子、生物衍生的聚乙烯、碳二亚胺、软骨、硝酸纤维素、纤维素、甲壳质、壳聚糖、结缔组织、酞菁铜、棉纤维素、弹性蛋白、糖胺聚糖、亚麻、透明质酸、硝酸纤维素、纸、羊皮纸、可塑性淀粉、淀粉、淀粉基塑料、偏二氟乙烯和粘胶)，或任何单体、共聚物、共混物，或它们的其他组合。合适衬底的其他实例包括陶瓷，诸如介电或非导电陶瓷(例如，SiO2基玻璃；SiOx基玻璃；TiOx基玻璃；SiOx基玻璃的其他钛、铈和镁类似物；旋涂玻璃；由溶胶-凝胶加工形成的玻璃、硅烷前体、硅氧烷前体、硅酸盐前体、原硅酸四乙酯、硅烷、硅氧烷、磷硅酸盐、旋涂玻璃、硅酸盐、硅酸钠、硅酸钾、玻璃前体、陶瓷前体、倍半硅氧烷、金属倍半硅氧烷、多面体低聚倍半硅氧烷、卤代硅烷、溶胶凝胶、氢化硅氧、硅酮、锡氧烷、硅橡胶、硅氮烷、聚硅氮烷、茂金属、二茂钛二氯化物、二氧钒；以及其他类型的玻璃)、导电陶瓷(例如，任选掺杂和透明的导电氧化物和硫族化物，诸如任选掺杂和透明的金属氧化物和硫族化物)，以及它们的任何组合。合适的衬底的其他实例包括导电材料和半导体，诸如导电聚合物，如聚(苯胺)、PEDOT、PSS、PEDOT-PSS等。衬底可以是例如n掺杂、p掺杂或未掺杂的。衬底材料的其他实例包括聚合物-陶瓷复合材料、聚合物-木材复合材料、聚合物-碳复合材料(例如，由科琴黑、活性炭、炭黑、石墨烯和其他形式的碳形成)、聚合物-金属复合材料、聚合物-氧化物，或它们的任何组合。衬底材料也可以掺入还原剂、缓蚀剂、防潮材料或其他有机或无机化学试剂(例如，具有抗坏血酸的PMMA、具有防潮材料的COP或具有二硫化物型缓蚀剂的PMMA)。

[0040] 带有金属纳米线的衬底可以用作透明导体或其他类型的装置。衬底可以表现出改善的性能(例如，更高的导电性和导热性以及更高的透光率)，并且具有因其组合物和制造方法而产生的成本优势。可以通过表面嵌入工艺来制造衬底，其中将金属纳米线物理地嵌入到衬底中，同时保留衬底的期望特征(例如，透明性)并赋予所得衬底附加的期望特征(例如，导电性)。可以通过将金属纳米线嵌入干燥的组合物中或将金属纳米线嵌入润湿的组合物中来将金属纳米线嵌入衬底中，其中在完全干燥与完全润湿之间具有不同程度的湿度(在完全干燥与完全润湿之间的连续体)。衬底可以通过其他工艺(诸如覆涂工艺)来制造。

[0041] 金属纳米线可以包括银纳米线。金属纳米线可以由多种其他导电或半导电材料形成，包括金属(例如，镍(或Ni)、钯(或Pd)、铂(或Pt)、铜(或Cu)和金(或Au))、金属合金、半导体(例如，硅(或Si)、磷化铟(或InP)和氮化镓(或GaN))、准金属(例如，碲(或Te))、任选掺杂和透明的导电氧化物和硫族化物(例如，任选掺杂和透明的金属氧化物和硫族化物，诸如氧化锌(或ZnO))、导电聚合物(例如，聚(苯胺)、聚(乙炔)、聚(吡咯)、聚(噻吩)、聚(对亚苯基硫醚)、聚(对亚苯基亚乙烯基)、聚(3-烷基噻吩)、聚吲哚、聚(芘)、聚(咔唑)、聚(薁)、聚(氮杂)、聚(芴)、聚(萘)、黑色素、聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)(或PEDOT)、聚(苯乙烯磺酸盐)(或PSS)、PEDOT-PSS、PEDOT-聚(甲基丙烯酸)、聚(3-己基噻吩)、聚(3-辛基噻吩)、聚(C-61-丁酸甲酯)、聚[2-甲氧基-5-(2′-乙基-己氧基)-1，4-亚苯基乙烯])，以及它们的任何组合。纳米线可以具有核-壳配置或核-多壳配置，并且可以并入金属卤化物壳或金属氧化物壳或其他金属卤化物或金属氧化物部分。

[0042] 可以使用其他结构代替纳米线或与纳米线组合使用。实例包括代替纳米线或与纳米线组合的纳米级或微米级金属结构(或微结构)。合适的结构的非限制性实例包括印刷或沉积的金属网格。印刷或沉积的金属网格可以是单沉积合金或双沉积物。尽管金属网格不必是纳米级的，但是金属网格可以具有纳米级的直径并且可以是微米级的尺寸，或者在完全烧结或印刷时是纳米级的。通常，结构(例如，纳米结构和微结构)可以由多种材料形成，包括金属、金属合金、半导体、准金属、任选掺杂和透明的导电氧化物和硫族化物、导电聚合物、绝缘体，以及它们的任何组合。为了赋予导电性，纳米结构和微结构可以包括导电材料、半导体或其组合。

[0043] 导电材料的实例包括金属(例如，呈银纳米线、铜纳米线和金纳米线形式的银、铜和金)、银-镍、氧化银、具有聚合物封端剂的银、银-铜、铜-镍、碳基材料(例如，呈碳纳米管、石墨烯和布基球的形式)、导电陶瓷(例如，任选掺杂和透明的导电氧化物和硫族化物)、导电聚合物，以及它们的任何组合。

[0044] 半导体的实例包括半导体聚合物、第IVB族元素(例如，碳(或C)、硅(或Si)和锗(或Ge))、第IVB-IVB族二元合金(例如，碳化硅(或SiC)和硅锗(或SiGe))、第IIB-VIB族二元合金(例如，硒化镉(或CdSe)、硫化镉(或CdS)、碲化镉(或CdTe)、氧化锌(或ZnO)、硒化锌(或ZnSe)、碲化锌(或ZnTe)和硫化锌(或ZnS))、第IIB-VIB族三元合金(例如，碲化镉锌(或CdZnTe)、碲化汞镉(或HgCdTe)、碲化汞锌(或HgZnTe)和硒化汞锌(或HgZnSe))、第IIIB-VB族二元合金(例如，锑化铝(或AlSb)、砷化铝(或AlAs)、氮化铝(或MN)、磷化铝(或AlP)、氮化硼(或BN)、磷化硼(或BP)、砷化硼(或BAs)、锑化镓(或GaSb)、砷化镓(或GaAs)、氮化镓(或GaN)、磷化镓(或GaP)、锑化铟(或InSb)、砷化铟(或InAs)、氮化铟(或InN)和磷化铟(或InP))、第IIIB-VB族三元合金(例如，砷化铝镓(或AlGaA或AlxGa1-xAs)、砷化铟镓(或InGaAs或InxGa1-xAs)、磷化铟镓(或InGaP)、砷化铝铟(或AlInAs)、锑化铝铟(或AlInSb)、氮化砷化镓(或GaAsN)、磷化砷化镓(或GaAsP)、铝氮化镓(或AlGaN)、磷化铝镓(或AlGaP)、氮化铟镓(或InGaN)、砷化铟铟(或InAsSb)和锑化铟镓(或InGaSb))、第IIIB-VB族四元合金(例如，磷化铝镓铟(或AlGaInP)、磷化铝砷化镓(或AlGaAsP)、磷化砷化铟镓(或InGaAsP)、磷化砷化铝铟(或AlInAsP)、氮化砷化铝镓(或AlGaAsN)、氮化砷化镓镓(或InGaAsN)、氮化铟铝铝(或InAlAsN)、砷化镓锑氮化镓(或GaAsSbN))和第IIIB-VB族五元合金(例如，氮化镓铟砷化锑(或GaInNAsSb)和砷化镓铟磷化锑(或GaInAsSbP))，第IB-VIIB族二元合金(例如，氯化亚铜(或CuCl))、第IVB-VIB族二元合金(例如，硒化铅(或PbSe)、硫化铅(或PbS)、碲化铅(或PbTe)、硫化锡(或SnS)和碲化锡(或SnTe))、第IVB-VIB族三元合金(例如，碲化铅锡(或PbSnTe)，碲化th锡(或Tl2SnTe5)和碲化th锗(或Tl2GeTe5))、第VB-VIB族二元合金(例如，碲化铋(或Bi2Te3))、第IIB-VB族二元合金(例如，磷化镉(或Cd3P2)、砷化镉(或Cd3As2)、锑化镉(或Cd3Sb2)、磷化锌(或Zn3P2)、砷化锌(或Zn3As2)、锑化锌(或Zn3Sb2))，以及第IB族(或第11族)元素、第IIB族(或第12族)元素、第IIIB族(或第13族)元素、第IVB族(或第14族)元素、第VB族(或第15族)元素、第VIB族(或第16族)元素、第VIIB族(或第17族)元素的其他二元、三元、四元或更高元的合金，诸如硒化铜铟镓(或CIGS)，以及它们的任何组合。

[0045] 纳米结构和微结构可以包括例如金属或半导体纳米颗粒、金属或半导体纳米线(例如，银、铜或锌)、金属或半导体纳米片、金属或半导体纳米棒、纳米管(例如，碳纳米管、多壁纳米管(“MWNT”)、单壁纳米管(“SWNT”)、双壁纳米管(“DWNT”)以及石墨化或改性的纳米管)、富勒烯、布基球、石墨烯、微粒、微丝、微管、核壳纳米颗粒或微粒、核-多壳纳米颗粒或微粒、核-壳纳米线，和形状通常为或基本上为管状、立方体、球形或金字塔形并且被表征为非晶、单晶或多晶、正方晶、六角晶、三角晶、斜方晶、单斜晶或三斜晶的其他纳米级或微米级结构，或它们的任何组合。

[0046] 核-壳纳米颗粒和核-壳纳米线的实例包括具有铁磁核(例如，铁、钴、镍、锰，以及它们的氧化物和由这些元素中的一种或多种形成的合金)的那些，其中壳由金属、金属合金、金属氧化物、碳或它们的任何组合(例如，银、铜、金、铂、导电氧化物或硫族化物、石墨烯和此处列出为合适材料的其他材料)形成。核-壳纳米线的特定实例是具有银核和围绕银核以减少或防止银核氧化的金壳(或铂壳或另一种类型的壳)的纳米线。核-壳纳米线的另一个实例是具有银核(或由另一种金属或其他导电材料形成的核)，具有由以下中的一种或多种形成的壳或其他涂层的纳米线：(A)导电聚合物，诸如聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)(或PEDOT)和聚苯胺(或PANI)；(b)导电氧化物、硫族化物和陶瓷(例如，通过溶胶-凝胶沉积、化学气相沉积、物理气相沉积、等离子增强化学气相沉积或化学浴沉积)；(c)呈超薄层形式的绝缘体，诸如聚合物、SiO2、BaTiO和TiO2；以及(d)薄金属层，诸如金、铜、镍、铬、钼和钨。可能需要这种涂覆的或核-壳形式的纳米线以提供导电性，同时避免或减少与衬底的不利的相互作用，诸如在诸如银的金属的存在下潜在的泛黄或其他变色，氧化(例如，银/金核/壳纳米线可能由于金壳而具有明显更低的氧化)以及硫化(例如，银/铂核/壳纳米线可能由于铂壳而具有明显更低的硫化)。

[0047] 对于某些实施方式，期望高长宽比的纳米结构，诸如呈纳米线、纳米管及其组合的形式。例如，期望的纳米结构包括由碳或其他材料形成的纳米管(例如，MWNT、SWNT、石墨化的MWNT、石墨化的SWNT、改性的MWNT、改性的SWNT和含聚合物的纳米管)、由金属、金属氧化物、金属合金或其他材料形成的纳米线(例如，银纳米线、铜纳米线、氧化锌纳米线(未掺杂或掺杂例如铝、硼、氟等)、氧化锡纳米线(未掺杂或掺杂例如氟)、氧化镉锡纳米线、ITO纳米线、含聚合物的纳米线和金纳米线)，以及具有导电性或半导电性且具有各种形状(圆柱形、球形、金字塔形或其他形状)的其他材料。合适的导电结构的附加实例包括由活性炭、石墨烯、炭黑或科琴黑形成的导电结构，以及由金属、金属氧化物、金属合金或其他材料形成的纳米颗粒(例如，银纳米颗粒、铜纳米颗粒，氧化锌纳米颗粒、ITO纳米颗粒和金纳米颗粒)。

[0048] 可以将金属纳米线并入单层或多层衬底中。

[0049] 可以将金属纳米线嵌入或以其他方式并入衬底的至少一部分中，从10体积％(或更低，诸如从0.1体积％)的金属纳米线进行嵌入表面到高达100体积％的金属纳米线进行嵌入表面，并且金属纳米线可能会以不同的表面区域覆盖率暴露，诸如从0.1％的暴露表面区域覆盖率(或更低，诸如0％，当嵌入区完全在表面下方时，或当结构被衬底完全囊封时)到高达99.9％(或更高)的暴露表面区域覆盖率，诸如0.1％至10％、0.1％至8％或0.1％至5％的暴露表面区域覆盖率。例如，就嵌入在嵌入表面下方的金属纳米线的体积相对于结构的总体积来说，至少一根金属纳米线可以具有0％至100％(诸如10％至50％或50％至
100％)范围的嵌入体积百分比(或结构的总体可以具有平均嵌入体积百分比)。

[0050] 嵌入区的厚度可以大于所使用的金属纳米线的特征尺寸(例如，大于单个纳米线的直径或整个纳米线的平均直径)，并且金属纳米线大部分或基本上被限制在嵌入区中，并且其厚度小于衬底的总厚度。例如，嵌入区的厚度可以不大于衬底的总厚度的95％，诸如不大于80％、不大于75％、不大于50％、不大于40％、不大于总厚度的30％、不大于20％、不大于10％或不大于5％。

[0051] 可以相对于所使用的金属纳米线的特征尺寸(例如，相对于单个纳米线的直径或整个纳米线的平均直径)以不同程度将金属纳米线表面嵌入或以其他方式并入衬底的至少一部分中。例如，就嵌入表面下方金属纳米线上最远的嵌入点的距离来说，至少一根金属纳米线可以嵌入到特征尺寸的大于100％的程度，或可以嵌入到特征尺寸的不大于100％的程度，诸如特征尺寸的至少5％或10％且至多80％、至多50％或至多25％的程度。作为另一实例，平均来说，金属纳米线的总体可以嵌入到特征尺寸的大于100％的程度，或者可以嵌入到特征尺寸的不大于100％的程度，诸如特征尺寸的至少5％或10％、至多80％、至多50％或至多25％。将理解，金属纳米线嵌入衬底中的程度可能影响嵌入表面的粗糙度，诸如当测量为整个嵌入表面的高度的变化程度(例如，相对于平均高度的标准偏差)时。在一些实施例中，表面嵌入式衬底的粗糙度可以小于嵌入结构的特征尺寸。

[0052] 至少一根纳米线可以从衬底的嵌入表面伸出0.1nm至1cm，诸如1nm至100nm、1nm至50nm、50nm至100nm或100nm至100μm。在其他实例中，平均来说，纳米线的总体可以从衬底的嵌入表面伸出0.1nm至1cm，诸如1nm至100nm、1nm至50nm、50nm至100nm，或100nm到100μm。在其他实例中，衬底的基本上所有表面区域(例如，嵌入表面的区域)可以被金属纳米线覆盖或占据。在其他实例中，金属纳米线覆盖或占据了多达100％或多达75％的表面区域，诸如金属纳米线覆盖了多达50％的表面区域、多达25％的表面区域、多达10％、多达5％、多达
3％的表面区域，或多达1％的表面区域。金属纳米线不必从衬底的嵌入表面伸出，并且可以完全位于嵌入表面下方。可以根据特定应用来选择金属纳米线在衬底中的嵌入程度和表面区域覆盖率。

[0053] 可以将图案化糊剂选择性地施加到衬底，使得金属纳米线被选择性地切割成图案。如本文中所使用，图案可以是指银纳米线的任何预定布置。可以通过丝网印刷方法(例如，旋转丝网印刷)将图案化糊剂选择性地施加到衬底。可以通过首先向衬底施加掩模，接着向衬底施加图案化糊剂，使得掩膜区不与图案化糊剂接触，而使暴露区与图案化糊剂接触，来将图案化糊剂选择性地施加到衬底。可以通过柔性版印刷、凹版印刷，注射器施配印刷和/或气溶胶喷射印刷将图案化糊剂选择性地施加到衬底狭缝模头涂层。

[0054] 任选地，可以进行活化或退火操作，以促进图案化糊剂的反应或其他活性，诸如通过在高于室温或高于25℃，至少30℃、至少40℃、至少50℃、至少60℃、至少70℃或至少80℃，以及至多150℃、至多140℃、至多130℃、至多120℃、至多115℃、至多110℃或至多100℃的温度下施加热量或其他热处理或通电处理，并且持续至少30秒、至少45秒、至少1分钟、至少1.5分钟、至少2分钟、至少3分钟、至少4分钟或至少5分钟，以及至多2小时、至多1.5小时、至多1小时、至多50分钟、至多45分钟、至多40分钟、至多35分钟、至多30分钟、至多20分钟、至多10分钟、至多5分钟或至多2分钟。任选地，可以进行清洁、清洗或冲洗操作，以从衬底上去除任何残留的图案化糊剂，诸如通过使用加压水或其他合适的溶剂，并且可以进行淬灭操作，以淬灭图案化糊剂的进一步的反应或其他活性。

[0055] 图案化的衬底可以用于消费电子产品，诸如电路板或其天线中。图案化的衬底可以用于例如太阳能电池(例如，薄膜太阳能电池和晶体硅太阳能电池)、显示装置(例如，平板显示器、液晶显示器(或LCD)、等离子显示器、有机发光二极管(或OLED)显示器、电子纸(或e纸)、量子点显示器(例如，QLED显示器)和柔性显示器)、固态照明装置(例如，OLED照明装置)、触摸传感器装置(例如，投射电容式触摸传感器装置、玻璃触摸式传感器装置、透镜触摸式投射电容式触摸传感器装置、外嵌式或内嵌式投射电容式触摸传感器装置、自电容式触摸传感器装置，表面电容式触摸传感器装置和电阻式触摸传感器装置)、智能窗户(或其他窗户)、挡风玻璃、航天透明胶片、电磁干扰屏蔽件、电荷耗散屏蔽件和防静电屏蔽件，以及其他电子、光学、光电、量子、光伏和等离子装置。可以根据特定应用来调整或优化衬底，诸如在光伏器件的情形下进行功函数匹配或对衬底进行调整以与其他装置部件或层形成欧姆接触。

[0056] 合适的电子产品的非限制性实例包括但不限于包括触摸屏的电子产品，诸如移动电话屏幕、台式计算机屏幕、计算机屏幕等。

[0057] 衬底可以用作触摸传感器装置中的电极。触摸传感器装置通常被实施为与显示器集成的交互式输入装置，其允许用户通过接触触摸屏来提供输入。触摸屏通常是透明的，以允许光和图像透射通过装置。

[0058] 导电迹线之间需要充分电隔离，以隔离电信号，从而实现触摸感测或像素切换中的空间分辨率。需要图案化的衬底具有足够的透明度，以实现更高的显示亮度、对比度、图像质量和功耗效率，同时需要足够的导电性，以维持高信噪比、切换速度、刷新率、响应时间和一致性。对于需要电图案化但是不期望光学上(例如，人眼可见)可观察的图案化的应用中，需要足够的图案不可见性或低图案可见性。特别需要人眼几乎或基本上无法区分的电隔离图案。通常不期望从衬底的部分上大量或显著去除金属纳米线的图案化方法，因为在典型室内照明下或高强度光照明(诸如暴露于日光或其他来源的高强度可见光)下，肉眼可以从视觉上将去除材料的部分与没有去除材料的部分区分开。另外，需要低成本、可溶液处理的图案化方法或组合物，诸如以提供与喷墨印刷、丝网印刷或凹版印刷的相容性。

[0059] 实例

[0060] 呈现以下实例以证实本发明的一般原理。本发明不应被认为限于所呈现的具体实例。除非另有指示，否则实例中的所有份数和百分比均按重量计。

[0061] 实例1

[0062] 通过向配备搅拌器的10盎司聚丙烯容器中加入7.24克去离子水和28.96克乙二醇来制备图案化糊剂。通过搅拌器掺入4.24克2-羟乙基纤维素(HEC)(粘度平均分子量(Mv)≈90,000)。在HEC溶解后，通过搅拌器掺入10克硫氰酸胍，并混合直到溶解为止。在硫氰酸胍溶解后，混入0.25克SULFOPON 30S03。加入SULFOPON 30S03后，直接混入0.57克TEGO Airex 
902W。混入48.74克BLANC FIXE MICRO(硫酸钡)，直到观察到混合物均匀分散为止。接着将材料移到三辊磨机中并通过磨机进行处理，并且将其放入到新的10盎司聚丙烯容器中。

[0063] 表1

[0064]组分 重量(克)
去离子水 7.24
乙二醇1 28.96
2-羟乙基纤维素2 4.24
SULFOPON 30 S033 0.25
硫氰酸胍4 10.00
BLANC FIXE MICRO5 48.74
TEGO AirEx 902W6 0.57

[0065] 1乙二醇，可商购自Shell Chemicals Company(德克萨斯州休斯顿)

[0066] 2 2-羟乙基纤维素(Mv≈90,000)，可商购自Sigma Aldrich(密苏里州圣路易斯)[0067] 3表面活性剂，可商购自BASF(德国路德维希港)

[0068] 4AgNW银浸出剂/配体，可商购自TOKU-E(华盛顿州贝灵厄姆)

[0069] 5硫酸钡，可商购自Huntsman Corporation(德克萨斯州伍德兰兹)

[0070] 6脱气器，可商购自Evonik Industries(德国埃森)

[0071] 实例2

[0072] 通过向配备搅拌器的10盎司聚丙烯容器中加入7.65克去离子水和30.58克乙二醇来制备图案化糊剂材料。通过搅拌器掺入4.48克2-羟乙基纤维素(HEC)(粘度平均分子量(Mv)≈90,000)。在HEC溶解后，通过搅拌器掺入4.97克硫氰酸胍，并混合直到溶解为止。在硫氰酸胍溶解后，混入0.26克DYNAX DX4005N。加入DYNAX DX4005N后，直接混入0.60克TEGO Airex 902W。混入51.47克BLANC FIXE MICRO(硫酸钡)，直到观察到混合物均匀分散为止。接着将材料移到三辊磨机中并通过磨机进行处理，并且将其放入到新的10盎司聚丙烯容器中。

[0073] 表2

[0074]

[0075]

[0076] 7润湿添加剂和流平添加剂，可商购自Dynax Corporation(纽约州庞德里奇)[0077] 图3A至图3C示出了已经使用实例2的包含硫氰酸胍的图案化糊剂进行图案化的包括金属纳米线的衬底的扫描电子显微镜图像。图3A至图3C示出了用实例2的图案化糊剂处理并在115℃下活化1分钟、1.5分钟和2分钟的衬底。可以看出，在活化期间，实现的切割量会随时间而变化。图3A示出了在1分钟时实现的一些切割，在1.5分钟后实现的更多切割(图3B)，以及在2分钟后实现的进一步切割(图3C)。

[0078] 下表3示出了实例1和2中包括的几种组分的组成优势。

[0079] 表3

[0080]

[0081] 比较实例3

[0082] 通过向配备搅拌器的10盎司聚丙烯容器中加入7.24克去离子水和28.96克乙二醇来制备图案化糊剂。通过搅拌器掺入4.24克2-羟乙基纤维素(HEC)(粘度平均分子量(Mv)≈90,000)。在HEC溶解后，通过搅拌器掺入10克的硫氰酸钾，并混合直到溶解为止。在硫氰酸钾溶解后，混入0.25克SULFOPON 30S03。加入SULFOPON 30S03后，直接混入0.57克TEGO Airex 902W。混入48.74克BLANC FIXE MICRO(硫酸钡)，直到观察到混合物均匀分散为止。
接着将材料移到3辊磨机中并通过磨机进行处理，并且将其放入到新的10盎司聚丙烯容器中。

[0083] 表4

[0084] 组分 重量(克)去离子水 7.24
乙二醇1 28.96
2-羟乙基纤维素2 4.24
硫氰酸钾 10.00
TEGO AirEx 902W6 0.57
Sulopon 30S033 0.25
BLANC FIXE MICRO5 48.74

[0085] 使用比较实例3的图案化糊剂沿着面板的长度在细长平行单元中分别对包括金属纳米线的两个衬底(面板A和B)进行图案化，并在115℃下活化1.25分钟。用去离子水清洗并用不起毛的布干燥后，在Fluke 189万用表上测试面板的点对点电阻。在一个单元内，使用处于316.7(面板A)和260.5(面板B)的每个面板的点对点电阻测量结果来以欧姆为单位进行电阻的电隔离测量。在相邻单元之间，以欧姆为单位的点对点电阻的范围为258.8至316.2(面板A)和247.2至296.5(面板B)。面板A和B的电阻率指示，在低温下，使用KSCN的图案化糊剂不会像使用硫氰酸胍的实例1和2的图案化糊剂那样切断金属纳米线。

[0086] 本发明还包括以下条款的主题：

[0087] 条款1：一种用于对金属纳米线进行图案化的图案化糊剂，所述图案化糊剂包括包含硫氰酸胍的络合剂。

[0088] 条款2：根据条款1所述的图案化糊剂，还包括载剂，所述载剂包括：增稠剂；以及溶剂。

[0089] 条款3：根据条款1或2所述的图案化糊剂，其中所述络合剂还包括胺。

[0090] 条款4：根据条款3所述的图案化糊剂，其中所述胺包括双(六亚甲基)三胺。

[0091] 条款5：根据条款3或4所述的图案化糊剂，其中基于所述图案化糊剂的总重量，所述图案化糊剂包括0.1至12重量％的所述胺。

[0092] 条款6：根据前述条款中的任一项所述的图案化糊剂，其中基于所述图案化糊剂的总重量，所述图案化糊剂包括1至35重量％的所述络合剂。

[0093] 条款7：根据条款2至6中的任一项所述的图案化糊剂，其中所述图案化糊剂包括保湿剂，其中基于所述图案化糊剂的总重量，所述图案化糊剂包括至多50重量％的所述保湿剂。

[0094] 条款8：根据前述条款中的任一项所述的图案化糊剂，其中所述图案化糊剂切割金属纳米线。

[0095] 条款9：根据条款8所述的图案化糊剂，其中所述金属纳米线包括银、金、铜和/或镍纳米线。

[0096] 条款10：根据条款2至9中的任一项所述的图案化糊剂，其中基于所述图案化糊剂的总重量，所述图案化糊剂包括至多10重量％的所述增稠剂。

[0097] 条款11：一种选择性地对包括金属纳米线的衬底进行图案化的方法，所述方法包括：提供具有承载金属纳米线的表面的衬底；以及将包括包含硫氰酸胍的络合剂的图案化糊剂选择性地施加到所述衬底，使得所述金属纳米线被选择性地切割成图案。

[0098] 条款12：根据条款11所述的方法，还包括：在将所述图案化糊剂选择性地施加到所述衬底之后，去除所述图案化糊剂。

[0099] 条款13：根据条款11或12所述的方法，其中所述金属纳米线包括银纳米线。

[0100] 条款14：根据条款11至13中的任一项所述的方法，其中通过丝网印刷将所述图案化糊剂选择性地施加到所述衬底。

[0101] 条款15：根据条款11至14中的任一项所述的方法，其中在将所述图案化糊剂选择性地施加到所述衬底之前，将掩模施加到所述衬底。

[0102] 条款16：一种消费电子产品，包括：具有承载金属纳米线的表面的衬底，其中通过将包括包含硫氰酸胍的络合剂的所述图案化糊剂施加到所述衬底使得所述金属纳米线被选择性地切割成图案来选择性地对所述衬底的所述金属纳米线进行图案化。

[0103] 条款17：根据条款16所述的消费电子产品，其中所述络合剂还包括胺。

[0104] 条款18：根据条款16或17所述的消费电子产品，其中所述金属纳米线包括银纳米线。

[0105] 条款19：根据条款16至18中的任一项所述的消费电子产品，其中所述衬底包括电路板或天线。

[0106] 条款20：根据条款16至19中的任一项所述的消费电子产品，其中所述消费电子产品包括触摸屏。

[0107] 尽管以上出于说明的目的已经描述了本发明的特定实施例，但是对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离所附权利要求中所限定的本发明的情况下，可以对本发明的细节进行各种改变。