技术领域
[0001] 本发明涉及半导体设备，尤其涉及一种平板式PECVD设备的微波天线组件及平板式PECVD设备。
相关背景技术
[0002] 在目前PERC太阳能电池生长工艺中，Al2O3和Si3N4薄膜必不可少，平板式PECVD设备是生长Al2O3和Si3N4薄膜的设备之一，其原理在于利用线性微波放电激发工艺气体产生等离子体，两种离化的气体再结合生成新的固体化合物。
[0003] 目前常用的一种技术是采用线性天线两端加微波，以获得更长的均匀放电区域，从而达到均匀沉膜的要求。微波天线放置在真空腔体外，工艺气体在真空腔室内，二者之间采用石英管隔离，微波透过石英管激发内部的工艺气体使之电离。其中微波天线和石英管都是静止不动的，方便获得工艺真空，结构也比较简单。
[0004] 工艺气体离化后工件载板上方的等离子体密度最高，所以在载板上的薄膜生长速率很高，但同时薄膜也会在石英管上生长，而且在靠近工件载板一侧(也即石英管下侧)生长的很快，而背离工件载板一侧(也即石英管上侧)生长的慢。工作时，载板是不断进出等离子体区的以实现批量生产，微波天线保持放电，造成在朝向工件载板一则的石英管上一周时间内累计膜厚可达数毫米，这层薄膜会吸收微波，导致激发气体的微波功率变小，同时这层薄膜吸收微波功率后会发热，导致石英管融化。目前尚无有效的手段可将附着在石英管上的薄膜剥离，因此需要定期将设备停机进行维护，更换新的石英管，降低了设备的使用率，影响生产效率。
具体实施方式
[0019] 以下结合说明书附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。
[0020] 图1示出了本发明平板式PECVD设备的微波天线组件及平板式PECVD设备的一种实施例，本实施例的平板式PECVD设备的微波天线组件，包括微波天线1及微波隔离石英管2，微波天线1设于平板式PECVD设备的真空腔室3的外侧，微波隔离石英管2设于真空腔室3内，微波天线组件还包括石英管旋转驱动件(图中未示出，可以是各类常用的旋转驱动，例如电机、电机加同步带、气缸加连杆机构等)，石英管旋转驱动件与微波隔离石英管2相连。
[0021] 该平板式PECVD设备的微波天线组件，设置有石英管旋转驱动件，工艺过程中，利用石英管旋转驱动件带动微波隔离石英管2旋转，试验表明，旋转状态的微波隔离石英管2可降低薄膜在其上的附着速率，降低单位时间内薄膜在微波隔离石英管2上沉积厚度，同时旋转运动可使薄膜均匀地在微波隔离石英管2外圆周面上生长，相比现有技术中静止状态下主要生长在下侧的现象，薄膜达到额定更换厚度的时间会延长许多，也即维护间隔时间延长，有助于提高生产效率。
[0022] 进一步地，本实施例中，石英管旋转驱动件设于真空腔室3的外侧，微波隔离石英管2与旋转驱动件密封连接，方便从真空腔室3内安装和更换微波隔离石英管2，石英管旋转驱动件可方便地替换现有微波石英管2不转动安装的结构部件。作为优选的技术方案，石英管旋转驱动件设于微波隔离石英管的两端并同步驱动。
[0023] 本实施例的平板式PECVD设备，包括真空腔室3，真空腔室3内设有工件载板4及载板输送部件5，还包括上述的平板式PECVD设备的微波天线组件。
[0024] 该平板式PECVD设备，包含上述的平板式PECVD设备的微波天线组件，因而同样具有上述优点。
[0025] 作为优选的技术方案，本实施例中，真空腔室3内还设有几字形隔离罩6，微波隔离石英管2设于隔离罩6内。设置几字形隔离罩6，有利于提高隔离罩6内等离子体密度以形成等离子体区，工件载板4装载工件经过等离子体区时，实现薄膜快速生长。
[0026] 作为优选的技术方案，微波天线组件设有多组且平行布置，可以并联使用。
[0027] 虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围的情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均应落在本发明技术方案保护的范围内。
