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一种从化合物半导体尾气回收高纯氨的装置及方法无效专利 发明

技术领域

[0001] 本发明属于环境与资源利用技术领域,具体涉及一种从化合物半导体尾气回收高纯氨的装置及方法。

相关背景技术

[0002] 在化合物半导体的生产过程中,需要使用大量的氮气、氢气和超纯氨的混合气体(一般情况下其浓度为:氮气30~80%,氢气10~40%,超纯氨10~30%),这些气体在通过生产工艺后就直接放空,即浪费了宝贵的气体资源,又污染了环境。随着全球对节能环保和循环经济的深入实施,对于有一定经济价值但对环境有一定污染的工业项目在应用过程中往往受限。而氨气的排放,直接污染了环境,使化合物半导体的生产受到严格的限制。因此目前的解决方案是使用水洗的方法,将氨气溶解于水中,使昂贵的高纯、超纯氨气,变成了廉价的氨水。
[0003] 目前,国内外尚无成熟的化合物半导体尾气回收高纯氨的技术和方法。

具体实施方式

[0033] 下面结合附图和具体实施例详述本发明,但不限制本发明的保护范围。
[0034] 实施例1
[0035] 本实施例是在表1所示尾气指标下进行的回收纯化工艺。
[0036] 表1尾气的性质
[0037] 组份 H2 N2 NH3 O2 SiH4 Mo源含量V% 20.0 60 20 ≤50ppm 微量 微量
[0038] 操作条件:
[0039] 流量:2000Nm3/h
[0040] 压力:常压
[0041] 温度:40-50℃
[0042] 操作方法:
[0043] S1.将化合物半导体生产过程产生尾气集中到尾气缓冲罐1中,再由多级压缩机2将其加压到1.7Mpa;
[0044] S2.经加压后的尾气经过与主换热器5换热后进入透平膨胀机4,使尾气降温-70℃到-90℃的温度;
[0045] S3.经过上低温的尾气经过节流进入到低温再沸脱气氨液化装置3的冷凝塔6中,在冷凝塔6中形成低于-90℃的温度区域,然后尾气(气液混和)将由再沸脱气塔7的中部进入,在重力的作用下液氨下行进入液氨储存釜9中,不凝气体和部分氨气向上流经冷凝塔6,在这里将未液化的氨气冷凝下来,不凝的氮气、氢气和微量氨气由再沸脱气塔7的顶部排出。
[0046] S4.将一部分原料尾气通过液氨储存釜9中的次换热器8,在液氨储存釜9装置中设计有次换热器8,可以将液氨储存釜9中的部分液氨汽化向再沸脱气塔7上部流动,在填料中汽化的氨溶解在下行的液态氨中,将氨中的氢气、氮气交换出来,未被溶解的氨在经过顶部冷凝塔6时被冷凝下来向下流向液氨储存釜9,使液氨进一步纯化从而获得99.999%的液氨,而不凝气体由顶部排出。
[0047] 如表2所示为回收的气体状态。
[0048] 表2:回收的气体状态
[0049]
[0050] 以上所述,仅为本发明创造较佳的具体实施方式,但本发明创造的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明创造披露的技术范围内,根据本发明创造的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明创造的保护范围之内。

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