[0001] 本公开的实施例涉及一种像素电路及其驱动方法、显示面板。

[0002] 有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置中的像素电路一般采用矩阵驱动方式，根据每个像素单元中是否引入开关元器件，矩阵驱动方式包括有源矩阵(Active Matrix，AM)驱动和无源矩阵(Passive Matrix，PM)驱动。无源矩阵驱动有机发光二极管(PMOLED)虽然工艺简单、成本较低，但因存在交叉串扰、高功耗、低寿命等缺点，不能满足高分辨率大尺寸显示的需求。相比之下，有源矩阵驱动有机发光二极管(AMOLED)在每一个像素的像素电路中都集成了一组薄膜晶体管和存储电容，通过对薄膜晶体管和存储电容的驱动控制，实现对流过OLED的电流的控制，从而使OLED根据需要发光。相比PMOLED，AMOLED所需驱动电流小、功耗低、寿命更长，可以满足高分辨率多灰度的大尺寸显示需求。

[0003] 在AMOLED像素电路中，通过驱动晶体管来驱动OLED发光，驱动晶体管的栅极电压的稳定性会直接影响OLED的发光状态，因此使驱动晶体管的栅极电压在发光阶段保持稳定十分重要。

[0035] 为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

[0036] 除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

[0037] 图1为一种例如用于有机发光二极管(OLED)显示装置的像素电路的电路结构图。如图1所示，该像素电路包括晶体管M1-M6、驱动晶体管Md和电容C，在该像素电路中，晶体管M1的栅极连接至第一复位控制信号线RT1，晶体管M1的第一极连接至驱动晶体管Md的栅极，晶体管M1的第二极连接至复位电压端VT，晶体管M1被配置为对驱动晶体管Md的栅极进行复位；晶体管M2的栅极连接至第二复位控制信号线RT2，晶体管M2的第一极连接至有机发光二极管(OLED)的阳极，晶体管T2的第二极连接至复位电压端VT，晶体管M2被配置为对OLED的阳极进行复位；晶体管M3的栅极连接至补偿控制信号线CT，晶体管M3的第一极连接至驱动晶体管Md的栅极，晶体管M3的第二极连接至驱动晶体管Md的第二极，晶体管M3被配置为对驱动晶体管Md的阈值电压进行补偿。

[0038] 图1所示的像素电路处于复位阶段时，晶体管M1和晶体管M2导通，晶体管M1和晶体管M2分别对驱动晶体管Md的栅极和OLED的阳极进行复位。图1所示的像素电路处于数据写入阶段时，在栅线G提供的栅信号和补偿控制信号线CT提供的补偿控制信号的控制下，晶体管M3和晶体管M6均开启，此外，驱动晶体管Md也开启，从而将基于数据端D提供的数据信号的补偿信号写入驱动晶体管Md的栅极。图1所示的像素电路处于发光阶段时，在发光控制端EM提供的发光控制信号的控制下，晶体管M4和晶体管M5均开启，此外，驱动晶体管Md也开启，从而驱动电流可以流至OLED，以驱动OLED发光，在发光阶段，虽然晶体管M1和晶体管M3截止，但是流经晶体管M1和晶体管M3的漏电流会引起驱动晶体管Md的栅极电压发生变化，导致由驱动晶体管Md流向OLED的驱动电流不稳定，使得OLED在发光时容易出现闪烁现象，严重影响显示质量。

[0039] 本公开至少一实施例提供一种像素电路，该像素电路包括复位电路、数据写入电路、补偿电路和驱动电路。复位电路连接至发光元件的第一端，被配置为在复位控制信号的控制下将复位电压施加至发光元件的第一端以对发光元件的第一端进行复位；数据写入电路连接至驱动电路的第一端，被配置为在扫描信号的控制下将数据信号写入驱动电路的第一端；补偿电路连接至驱动电路的第二端和控制端，被配置为在补偿控制信号的控制下在复位电路施加复位电压时将复位电压写入驱动电路的控制端，并且在数据写入电路写入数据信号时将基于数据信号的补偿信号写入驱动电路的控制端；驱动电路被配置为在施加至驱动电路的控制端的电压的控制下控制驱动发光元件发光的驱动电流。

[0040] 在本公开的实施例提供的像素电路中，复位电路可以将复位电压施加至发光元件的第一端以实现对发光元件的第一端的复位，并且复位电路还可以经由补偿电路将复位电压施加至驱动电路的控制端以实现对驱动电路的控制端的复位，因此在本公开的实施例提供的像素电路中只需设置一个复位电路对发光元件的第一端和驱动电路的控制端同时进行复位，从而可以简化电路结构，节省成本。此外，在本公开的实施例提供的像素电路中，复位电路并不直接连接至驱动电路的控制端，从而在发光阶段复位电路中的漏电流不会对驱动电路的控制端的信号造成影响，使得由驱动电路流向发光元件的驱动电流可以保持稳定，避免发光元件在发光时出现闪烁现象。

[0041] 图2为本公开一实施例提供的一种像素电路的框图。如图2所示，像素电路10包括复位电路100、数据写入电路200、补偿电路300和驱动电路400。例如，本公开实施例提供的像素电路10可应用于显示面板，例如OLED显示面板等。

[0042] 如图2所示，复位电路100连接至发光元件500的第一端、复位控制信号线RST和复位电压端VINT，被配置为在复位控制信号线RST提供的复位控制信号的控制下将复位电压端VINT提供的复位电压施加至发光元件500的第一端以对发光元件500的第一端进行复位。

[0043] 例如，复位电压可以为低电平电压。

[0044] 如图2所示，数据写入电路200连接至驱动电路400的第一端、扫描信号线GA和数据信号线DA，被配置为在扫描信号线GA提供的扫描信号的控制下将数据信号线DA提供的数据信号写入驱动电路400。

[0045] 如图2所示，补偿电路300连接至驱动电路400的第二端、驱动电路400的控制端和补偿信号控制端CMP，被配置为在补偿信号控制端CMP提供的补偿控制信号的控制下当复位电路100施加复位电压时将该复位电压写入驱动电路400的控制端，并且当数据写入电路200写入数据信号时将基于数据信号的补偿信号写入驱动电路400的控制端。

[0046] 如图2所示，驱动电路400连接至发光元件500的第一端，被配置为在施加至驱动电路400的控制端的电压的控制下控制驱动发光元件500发光的驱动电流。

[0047] 在本实施例提供的像素电路10中，复位电路100可以将复位电压施加至发光元件500的第一端以实现对发光元件500的第一端的复位，并且复位电路100还可以经由补偿电路300将复位电压施加至驱动电路400的控制端以实现对驱动电路400的控制端的复位，复位电路100并不直接与驱动电路400的控制端相连，从而避免了复位电路100直接与驱动电路400的控制端相连时，在发光阶段复位电路100中的漏电流对驱动电路400的控制端的信号的影响，即在发光阶段复位电路100中的漏电流不会对驱动电路400的控制端的信号造成影响，从而使得由驱动电路400流向发光元件500的驱动电流可以保持稳定。

[0048] 图3为本公开一实施例提供的另一种像素电路的框图。如图3所示，像素电路10还包括第一发光控制电路600、第二发光控制电路700和存储电路800。

[0049] 如图3所示，第一发光控制电路600连接至发光元件500的第一端、驱动电路400的第二端和第一发光控制信号线EM1，被配置为在第一发光控制信号线EM1提供的第一发光控制信号的控制下控制驱动电路400的第二端和发光元件500的第一端(该实施例中为发光元件500的阳极端)之间的连接断开或导通。

[0050] 如图3所示，第二发光控制电路700连接至第一电压端VDD、驱动电路400的第一端和第二发光控制信号线EM2，被配置为在第二发光控制信号线EM2提供的第二发光控制信号的控制下控制第一电压端VDD和驱动电路400的第一端之间的连接断开或导通。

[0051] 例如，存储电路800连接至第二电压端(未示出)和驱动电路400的控制端，被配置为存储补偿信号并将其保持在驱动电路400的控制端。例如，在一些示例中，第二电压端和第一电压端VDD为同一个电压端，此时，如图3所示，存储电路800连接至第一电压端VDD和驱动电路400的控制端。

[0052] 例如，如图2和图3所示，发光元件500的第二端(实施例中为发光元件500的阴极端)连接至第三电压端VSS。

[0053] 例如，发光元件500可以为发光二极管等。发光二极管可以为有机发光二极管(OLED)或量子点发光二极管(QLED)等。发光元件500被配置为在工作时接收发光信号(例如，可以为驱动电流)，并发出与该发光信号相对应强度的光。

[0054] 图4A为图3所示的像素电路的一种电路结构图。如图4A所示，在一些示例中，补偿电路300包括第一晶体管T1，第一发光控制电路600包括第二晶体管T2，第二发光控制电路700包括第三晶体管T3，复位电路100包括第四晶体管T4，数据写入电路200包括第五晶体管T5，驱动电路400包括驱动晶体管Td，存储电路800包括存储电容Cst，发光元件500包括OLED。

[0055] 例如，驱动电路400的控制端包括驱动晶体管Td的栅极，驱动电路400的第一端包括驱动晶体管Td的第一极，驱动电路400的第二端包括驱动晶体管Td的第二极。

[0056] 如图4A所示，第一晶体管T1的栅极连接至补偿控制信号线CMP以接收补偿控制信号，第一晶体管T1的第一极连接至驱动晶体管Td的第一极和存储电容Cst的第二极，第一晶体管T1的第二极连接至驱动晶体管Td的第二极和第二晶体管T2的第一极。

[0057] 如图4A所示，第二晶体管T2的栅极连接至第一发光控制信号线EM1以接收第一发光控制信号，第二晶体管T2的第一极连接至第一晶体管T1的第二极和驱动晶体管Td的第二极，第二晶体管T2的第二极连接至第四晶体管T4的第二极和OLED的阳极。

[0058] 如图4A所示，第三晶体管T3的栅极连接至第二发光控制信号线EM2以接收第二发光控制信号，第三晶体管T3的第一极连接至第一电压端VDD和存储电容Cst的第一极，第三晶体管T3的第二极连接至第五晶体管T5的第二极和驱动晶体管Td的第一极。

[0059] 例如，第一发光控制信号和第二发光控制信号不同。

[0060] 如图4A所示，第四晶体管T4的栅极连接至复位控制信号线RST以接收复位控制信号，第四晶体管T4的第一极连接至复位电压端VINT以接收复位电压，第四晶体管T4的第二极连接至OLED的阳极和第二晶体管T2的第二极。

[0061] 如图4A所示，第五晶体管T5的栅极连接至扫描信号线GA以接收扫描信号，第五晶体管T5的第一极连接至数据信号线DA以接收数据信号，第五晶体管T5的第二极连接至第三晶体管T3的第二极和驱动晶体管Td的第一极。

[0062] 如图4A所示，驱动晶体管Td的栅极连接至第一晶体管T1的第一极和存储电容Cst的第二极，驱动晶体管Td的第一极连接至第三晶体管T3的第二极和第五晶体管T5的第二极，驱动晶体管Td的第二极连接至第一晶体管T1的第二极和第二晶体管T2的第一极。

[0063] 如图4A所示，存储电容Cst的第一极连接至第一电压端VDD和第三晶体管T3的第一极，存储电容Cst的第二极连接至第一晶体管T1的第一极和驱动晶体管Td的栅极。

[0064] 如图4A所示，OLED的阳极连接至第四晶体管T4的第二极和第二晶体管T2的第二极，OLED的阴极连接至第三电压端VSS。

[0065] 需要说明的是，本公开实施例均是以第一电压端VDD输入高电平，第三电压端VSS输入低电平，或将第三电压端VSS接地处理为例进行的说明，并且这里的高、低仅表示输入的电压之间的相对大小关系。

[0066] 需要说明的是，本公开的实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管、场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，本公开的实施例中均以薄膜晶体管为例进行说明。这里采用的晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分晶体管除栅极之外的两极，直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极。

[0067] 此外，需要说明的是，本公开的实施例中采用的晶体管均可以为P型晶体管或N型晶体管，只需将选定类型的晶体管的各极参照本公开的实施例中的相应晶体管的各极相应连接，并且使相应的电压端提供对应的高电压或低电压即可。例如，对于N型晶体管，其(电流)输入端为漏极而输出端为源极，其控制端为栅极；对于P型晶体管，其(电流)输入端为源极而输出端为漏极，其控制端为栅极。对于不同类型的晶体管，其控制端的控制信号的电平也不相同。例如，对于N型晶体管，在控制信号为高电平时，该N型晶体管处于导通状态；而在控制信号为低电平时，N型晶体管处于截止状态。对于P型晶体管时，在控制信号为低电平时，该P型晶体管处于导通状态；而在控制信号为高电平时，P型晶体管处于截止状态。当采用N型晶体管时，可以采用氧化物半导体，例如氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)，作为薄膜晶体管的有源层，相对于采用低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)或非晶硅(例如氢化非晶硅)作为薄膜晶体管的有源层，可以有效减小晶体管的尺寸以及防止漏电流。低温多晶硅通常指由非晶硅结晶得到多晶硅的结晶温度低于600摄氏度的情形。

[0068] 例如，驱动晶体管Td为多晶硅晶体管，第一晶体管T1为氧化物晶体管，第一晶体管T1的类型与驱动晶体管Td的类型相反。

[0069] 在图4A所示的像素电路10中，第一晶体管T1可以采用N型氧化物晶体管，例如N型IGZO晶体管，驱动晶体管Td可以采用P型多晶硅晶体管，例如，P型低温多晶硅(LTPS)晶体管。由于第一晶体管T1采用IGZO晶体管，IGZO晶体管在截止时其自身的漏电流比较小，从而可以抑制在发光阶段流经第一晶体管T1的漏电流对驱动晶体管Td的栅极电压的影响，即在发光阶段流经第一晶体管T1的漏电流对驱动晶体管Td的栅极电压的影响较小，使得由驱动晶体管Td经第二晶体管T2流向OLED的驱动电流可以保持稳定。此外，由于LTPS晶体管采用双栅结构，需要两个栅极才能满足需要控制漏电流的需求，而IGZO晶体管单栅即可满足需要控制漏电流的需求，因此第一晶体管T1采用IGZO晶体管可以降低布局(layout)空间，有利于高PPI的layout。

[0070] 例如，在图4A所示的像素电路10中，第三晶体管T3与第一晶体管T1的类型相反，例如，第一晶体管T1可以采用N型晶体管，第三晶体管T3可以采用P型晶体管；或者，第一晶体管为P型晶体管，第三晶体管T3为N型晶体管。在这种情况下，补偿控制信号和第二发光控制信号可以是相位相同的信号，此时，第一晶体管T1的栅极和第三晶体管T3的栅极可以连接至同一个信号线(例如，第二发光控制信号线EM2)以接收相同的信号(例如，第二发光控制信号)，从而可以节省信号线的数量，进一步简化电路结构。

[0071] 需要说明的是，第三晶体管T3与第一晶体管T1的类型也可以相同，例如，第一晶体管T1可以采用N型晶体管，第三晶体管T3也可以采用N型晶体管；或者，第一晶体管为P型晶体管，第三晶体管T3也可以为P型晶体管。在这种情况下，补偿控制信号和第二发光控制信号也可以是相位相反的信号。

[0072] 例如，在图4A所示的像素电路10中，第二晶体管T2和第五晶体管T5的类型相同，例如，第二晶体管T2可以采用P型晶体管，第五晶体管T5也可以采用P型晶体管。在这种情况下，扫描信号和第一发光控制信号可以是相位相反的信号，即第一发光控制信号的相位和扫描信号的相位相反。

[0073] 需要说明的是，第二晶体管T2和第五晶体管T5也可以为不同类型的晶体管，例如，第二晶体管T2为P型晶体管，而第五晶体管T5为N型晶体管；或者，第二晶体管T2为N型晶体管，第五晶体管T5为P型晶体管，在这种情况下，扫描信号和第一发光控制信号可以是相位相同的信号，此时，第二晶体管T2的栅极和第五晶体管T5的栅极可以连接至同一个信号线(例如，扫描信号线GA)以接收相同的信号(例如，扫描信号)，从而可以节省信号线的数量，进一步简化电路结构。例如，图4B为图3所示的像素电路的另一种电路结构图。与图4A所示的像素电路10不同，在图4B所示像素电路10中，第二晶体管T2可以为N型晶体管，第五晶体管T5可以为P型晶体管，第二晶体管T2的栅极和第五晶体管T5的栅极均可以连接至扫描信号线GA以接收扫描信号。

[0074] 此外，图4B所示的像素电路10的其他结构与图4A所示的像素电路10是基本相同或相似的，因此可以参考关于图4A所示的像素电路10的描述，这里不再赘述。

[0075] 如图4A和图4B所示，在本实施例提供的像素电路10中，第四晶体管T4可以将复位电压施加至OLED的阳极以实现对OLED的阳极的复位，并且还可以经由第二晶体管T2和第一晶体管T1将复位电压施加至驱动晶体管Td的栅极以实现对驱动晶体管Td的栅极的复位，第四晶体管T4并不直接与驱动晶体管Td的栅极相连，避免第四晶体管T4直接与驱动晶体管Td的栅极相连时，在发光阶段流经第四晶体管T4的漏电流对驱动晶体管Td的栅极电压的影响，实现低频驱动，使得由驱动晶体管Td经由第二晶体管T2流向OLED的驱动电流可以保持稳定，防止OLED在发光过程中出现闪烁问题。

[0076] 图5为驱动图4A所示的像素电路的信号的时序图。如图5所示，像素电路10的工作过程包括三个阶段，分别为复位阶段P1、充电阶段P2以及发光阶段P3，图5中示出了每个阶段中各个信号的时序波形。

[0077] 图6A为图4A所示的像素电路在复位阶段的等效电路图。图6B为图4A所示的像素电路在充电阶段的等效电路图。图6C为图4A所示的像素电路在发光阶段的等效电路图。

[0078] 在图5以及图6A、图6B和图6C中，VDD、VSS、VINT、RST、GA、CMP、EM1、EM2和DA既用于表示相应的信号线，也用于表示相应的信号。此外，图6A、图6B和图6C中用“×”标识的晶体管均表示该晶体管在对应阶段内处于截止状态。

[0079] 下面以第一晶体管T1采用N型IGZO晶体管，其余晶体管采用P型晶体管为例，结合图5以及图6A、图6B和图6C对图4A所示的像素电路的工作原理进行说明。

[0080] 在复位阶段P1，向第四晶体管T4(即复位电路100)的栅极输入复位控制信号RST以开启第四晶体管T4，向第二晶体管T2的栅极(即第一发光控制电路600)输入第一发光控制信号EM1以开启第二晶体管T2，向第一晶体管T1(即补偿电路300)的栅极输入补偿控制信号CMP以开启第一晶体管T1，从而将复位电压VINT施加至OLED的阳极(即发光元件500的第一端)以对OLED的阳极进行复位，并将复位电压VINT施加至驱动晶体管Td的栅极(即驱动电路400的控制端)以对驱动晶体管Td的栅极进行复位。

[0081] 如图5和图6A所示，在复位阶段P1，第四晶体管T4被复位控制信号RST的低电平导通，第二晶体管T2被第一发光控制信号EM1的低电平导通，第一晶体管T1被补偿控制信号CMP的高电平导通；同时，第三晶体管T3和第五晶体管T5截止。

[0082] 如图6A所示，在复位阶段P1，由于第四晶体管T4导通，可以将复位电压VINT施加至OLED的阳极，从而可以对OLED的阳极进行复位。同时，由于第二晶体管T2和第一晶体管T1导通，可以将复位电压VINT施加至驱动晶体管Td的栅极，从而可以对驱动晶体管Td的栅极进行复位，使得驱动晶体管Td以导通状态进入充电阶段P2。

[0083] 在充电阶段P2，向第五晶体管T5(即数据写入电路200)的栅极输入扫描信号GA以开启第五晶体管T5，第五晶体管T5将数据信号DA写入驱动晶体管Td的第一极；向第一晶体管T1的栅极输入补偿控制信号CMP以开启第一晶体管T1，第一晶体管T1将基于数据信号DA的补偿信号写入驱动晶体管Td的栅极。补偿信号的电压可以表示为Vcm＝Vda+Vth，其中，Vda表示数据信号DA的电压，Vth表示驱动晶体管Td的阈值电压。

[0084] 如图5和图6B所示，在充电阶段P2，第五晶体管T5被扫描信号GA的低电平导通，第一晶体管T1被补偿控制信号CMP的高电平导通；同时，第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4截止。

[0085] 如图6B所示，在充电阶段P2，数据信号DA经过第五晶体管T5、驱动晶体管Td和第一晶体管T1后对第一节点N1(即驱动晶体管Td的栅极)进行充电(即对存储电容Cst充电)，也就是说第一节点N1的电位逐渐增大。容易理解，由于第五晶体管T5开启，第二节点N2(即驱动晶体管Td的第一极)的电位保持为Vda，同时根据驱动晶体管Td的自身特性，当第一节点N1的电位增大到Vda+Vth时，驱动晶体管Td截止，充电过程结束，同时实现对驱动晶体管Td的阈值电压的补偿。需要说明的是，由于在本实施例中，驱动晶体管Td是以P型晶体管为例进行说明的，所以此处阈值电压Vth可以是负值。

[0086] 经过充电阶段P2后，第一节点N1和第三节点N3(即驱动晶体管Td的第二极)的电位均为Vda+Vth，也就是说将带有数据信号DA和阈值电压Vth的电压信息的补偿信号存储在存储电容Cst中。

[0087] 在发光阶段P3，向第二晶体管T2(即第一发光控制电路500)的栅极输入第一发光控制信号EM1以开启第二晶体管T2，向第三晶体管T3(即第二发光控制电路700)的栅极输入第二发光控制信号EM2以开启第三晶体管T3，从而第一电压端VDD、驱动晶体管Td、第二晶体管T2、第三晶体管T3、OLED和第三电压端VSS可以形成回路，驱动电流经由导通的驱动晶体管Td、第二晶体管T2、第三晶体管T3被传输至OLED以使OLED发光。

[0088] 例如，补偿信号可以控制驱动晶体管Td的导通程度，从而控制流过驱动晶体管Td的驱动电流大小，该流过驱动晶体管Td的驱动电流可以决定使OLED的发光的亮度。

[0089] 如图5和图6C所示，在发光阶段P3，第二晶体管T2被第一发光控制信号EM1的低电平导通，第三晶体管T3被第二发光控制信号EM2的低电平导通；同时，第一晶体管T1、第四晶体管T4和第五晶体管T5均截止；在这种情况下，第一节点N1的电位Vda+Vth，第二节点N2的电位为VDD，所以在此阶段驱动晶体管Td也保持导通。

[0090] 如图6C所示，在发光阶段P3，OLED的阳极和阴极分别接入了第一电压VDD(高压)和第三电压VSS(低压)，且在驱动晶体管Td的驱动电流的作用下发光。

[0091] 基于驱动晶体管Td的饱和电流公式，流经OLED的驱动电流ID的值可以根据下述公式得出：

[0092] ID＝K(VGS-Vth)2

[0093] ＝K[(Vda+Vth-VDD)-Vth]2

[0094] ＝K(Vda-VDD)2

[0095] 在上述公式中，Vth表示驱动晶体管Td的阈值电压，VGS表示驱动晶体管Td的栅极和源极之间的电压差，K为常数。

[0096] 从上述公式可以看出，流经OLED的驱动电流ID只与数据信号DA的电压Vda和第一电压VDD有关，而不再与驱动晶体管Td的阈值电压Vth有关，由此可以实现对该像素电路的阈值补偿，解决了驱动晶体管Td由于工艺制程及长时间的操作造成阈值电压漂移的问题，消除阈值电压漂移对驱动电流ID1的影响，从而可以改善显示效果。

[0097] 例如，上述公式中K可以表示为：

[0098] K＝0.5μnCox(W/L)

[0099] 其中，μn为驱动晶体管Td的电子迁移率，Cox为驱动晶体管Td的栅极单位电容量，W为驱动晶体管Td的沟道宽，L为驱动晶体管Td的沟道长。

[0100] 如图6A所示，在本实施例提供的像素电路10中，在复位阶段P1，第四晶体管T4可以同时实现对OLED的阳极和驱动晶体管Td的栅极的复位，第四晶体管T4并不直接与驱动晶体管Td的栅极相连，从而避免流经第四晶体管T4的漏电流对驱动晶体管Td的栅极电压(即第一节点N1的电位)的影响，使得由驱动晶体管Td经由第二晶体管T2流向OLED的驱动电流可以保持稳定，防止OLED在发光过程中出现闪烁问题。

[0101] 此外，如图6C所示，在本实施例提供的像素电路10中，第一晶体管T1采用IGZO薄膜晶体管，IGZO薄膜晶体管在截止时流经其自身的漏电流比较小，可以降低在发光阶段P3流经第一晶体管T1的漏电流对驱动晶体管Td的栅极电压(即第一节点N1的电位)的影响，使得由驱动晶体管Td经由第二晶体管T2流向OLED的驱动电流可以保持稳定，防止OLED在发光过程中出现闪烁问题。

[0102] 值得注意的是，复位电路100、数据写入电路200、补偿电路300、驱动电路400、第一发光控制电路600、第二发光控制电路700和存储电路800不限于上述实施例中描述的结构，其具体结构可以根据实际应用需求进行设定，本公开的实施例对此不作具体限定。

[0103] 本公开实施例提供一种显示面板，包括本公开任意一个实施例提供的像素电路。

[0104] 图7为本公开一实施例提供的一种显示面板的示意图。如图7所示，该显示面板1可以包括像素阵列、多条扫描信号线、多条数据信号线、多条复位控制信号线和多条补偿控制信号线。像素阵列可以包括呈阵列分布的多个像素单元，至少一个像素单元包括上述实施例中提供的任一像素电路10，例如，在一些实施例中，多个像素单元中的每个像素单元40可以包括上述实施例中提供的任一像素电路10，例如，包括图4A中所示的像素电路10。

[0105] 需要说明的是，在图7中仅示出了部分的像素单元40、扫描信号线、数据信号线、复位控制信号线和补偿控制信号线。例如，GAN表示与第N行像素单元对应的扫描信号线，GAN+1表示与第N+1行像素单元对应的扫描信号线；RSTN表示与第N行像素单元对应的复位控制信号线，RSTN+1表示与第N+1行像素单元对应的复位控制信号线；CMPN表示与第N行像素单元对应的补偿控制信号线，CMPN+1表示与第N+1行像素单元对应的补偿控制信号线；DAM表示与第M列像素单元对应的数据信号线，DAM+1表示与第M+1列像素单元对应的数据信号线。这里，N与M例如为大于0的整数。

[0106] 例如，与每一行像素单元对应的扫描信号线和该行的所有像素电路中的数据写入电路200连接以提供扫描信号GA；与每一列像素单元对应的数据信号线和该列所有像素电路中的数据写入电路200连接以提供数据信号DA；与每一行像素单元对应的复位控制信号线和该行所有像素电路中的复位电路100连接以提供复位控制信号RST(图中未示出)；与每一行像素单元对应的补偿控制信号线和该行所有像素电路中的补偿电路300连接以提供补偿控制信号CMP(图中未示出)。

[0107] 例如，图7所示的显示面板1还可以包括多条电压线以分别提供第一电压VDD、第三电压VSS和复位电压VINT(图中未示出)等。

[0108] 例如，在像素电路10包括第一发光控制电路600和第二发光控制电路700的情形下，图7所示的显示面板1还可以包括多条发光控制信号线以分别提供第一发光控制信号EM1和第二发光控制信号EM2(图中未示出)。

[0109] 例如，如图7所示，显示面板1还可以包括扫描驱动电路20和数据驱动电路30。

[0110] 例如，数据驱动电路30可以与多条数据信号线(DAM、DAM+1等)连接以提供数据信号DA，同时还可以与多条电压线(图中未示出)连接以分别提供第一电压VDD、第三电压VSS和复位电压VINT。

[0111] 例如，扫描驱动电路20可以与多条扫描信号线(GAN、GAN+1等)连接以提供扫描信号GA，还可以与多条补偿控制信号线(CMPN、CMPN+1等)连接以提供补偿控制信号CMP，同时还可以与多条复位控制信号线(RSTN、RSTN+1等)连接以提供复位控制信号RST。

[0112] 例如，在一些实施例中，第N+1行像素单元中的所有像素电路中的复位电路可以与第N行像素单元对应的扫描信号线GAN连接，从而将与第N行像素单元对应的扫描信号线GAN提供的扫描信号作为施加至第N+1行像素单元中的所有像素电路中的复位电路的复位控制信号，在此情况下，该显示面板1可以不设置复位控制信号线，仅通过扫描信号线即可以实现对复位电路的控制，从而减少显示面板1中的信号线的数量，简化布线，节省生产成本。

[0113] 例如，扫描驱动电路20和数据驱动电路30可以实现为半导体芯片。该显示面板1还可以包括其他部件，例如时序控制器、信号解码电路、电压转换电路等，这些部件例如可以采用已有的常规部件，这里不再详述。

[0114] 例如，显示面板1可以为矩形面板、圆形面板、椭圆形面板或多边形面板等。另外，显示面板1不仅可以为平面面板，也可以为曲面面板，甚至球面面板。例如，显示面板1还可以具备触控功能，即显示面板70可以为触控显示面板。

[0115] 例如，显示面板1可以应用于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

[0116] 本公开实施例提供的显示面板具有与本公开前述实施例提供的像素电路相同或相似的有益效果，由于像素电路在前述实施例中已经进行了详细说明，此处不再赘述。

[0117] 本公开实施例还提供一种用于上述实施例的像素电路的驱动方法，用于驱动本公开任意一个实施例提供的像素电路。

[0118] 图8为本公开一实施例提供的一种用于上述实施例的像素电路的驱动方法的流程图。如图8所示，该像素电路的驱动方法可以包括：

[0119] S10：复位阶段，通过复位电路将复位电压施加至发光元件的第一端以对发光元件的第一端进行复位，并且通过复位电路将复位电压经由补偿电路施加至驱动电路的控制端以对驱动电路的控制端进行复位。

[0120] S20：充电阶段，通过数据写入电路将数据信号写入驱动电路的第一端，并通过补偿电路将基于数据信号的补偿信号写入驱动电路的控制端。

[0121] S30：发光阶段，通过驱动电路驱动发光元件发光。

[0122] 例如，复位电路100包括如图4A中所示的第四晶体管T4；驱动电路400包括如图4A中所示的驱动晶体管Td，驱动电路400的控制端包括驱动晶体管Td的栅极，驱动晶体管Td可以采用P型LTPS晶体管；补偿电路300包括如图4A中所示的第一晶体管T1，第一晶体管T1可以采用N型IGZO晶体管。

[0123] 例如，在复位阶段S10，如图6A所示，第四晶体管T4在复位控制信号的控制下导通，第一晶体管T1在补偿控制信号的控制下导通，此时，可以通过第四晶体管T4将复位电压施加至发光元件的第一端以对发光元件的第一端进行复位，并且还可以通过第四晶体管T4将复位电压经由第一晶体管T1施加至驱动晶体管Td的栅极以对驱动晶体管Td的栅极进行复位。

[0124] 关于本公开的实施例提供的像素电路的驱动方法的详细描述以及技术效果可以参考像素电路的实施例中的相应描述，这里不再赘述。

[0125] 对于本公开，还有以下几点需要说明：

[0126] (1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

[0127] (2)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

[0128] 以上所述仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。