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光刻工艺方法有效专利 发明

具体技术细节

[0003] 本发明一实施例提供一种光刻工艺方法,包括:形成一抗蚀剂层于一基板上;执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层;执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层;以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中,第二图案以及第三图案与第一图案相同;以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像(latent image)。

法律保护范围

涉及权利要求数量1:其中独权1项,从权-1项

1.一种光刻工艺方法,包括:
形成一抗蚀剂层于一基板上;
执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层;
执行一第二曝光工艺以将上述第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至上述次场中的上述抗蚀剂层;以及
执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至上述次场中的上述抗蚀剂层;
其中,上述第二图案以及上述第三图案与上述第一图案相同;以及上述第一曝光工艺、上述第二曝光工艺以及上述第三曝光工艺共同于上述次场中的上述抗蚀剂层上形成上述第一图案的一潜像(latent image)。

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