碳化硅基板有效专利 发明

技术总结

碳化硅基板包含碳面侧主面和硅面侧主面。所述碳化硅基板的直径为100mm以上并且厚度为300μm以上。所述碳面侧主面和所述硅面侧主面相对于{0001}面的偏角为4°以下。所述碳面侧主面中的氮浓度高于所述硅面侧主面中的氮浓度，并且所述碳面侧主面与所述硅面侧主面之间的拉曼峰位移之差为0.2cm‑1以下。

技术研发人员：

上田俊策; 冲田恭子; 原田真

受保护的技术研发主体：

住友电气工业株式会社

技术申请主体：

住友电气工业株式会社

技术研发申请日期：

2016-07-21

技术被公开/公告日期：

2018-05-11

当前第3页 第1页 第2页 第3页