[0001] 本发明涉及一种使用检测磁场变化的磁场检测元件的移动检测装置。

[0002] 一般来说，作为检测车轴等旋转体的旋转动作的装置，例如使用具备包含磁性体的齿轮、和以与该齿轮非接触的方式配置的磁场检测元件的旋转检测装置。

[0003] 现有技术文献

[0004] 专利文献

[0005] 专利文献1：日本特开平6-34645号公报

[0006] 专利文献2：日本特开2015-111062号公报

[0042] 下面参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。再有，说明按以下的顺序进行。

[0043] 1.第一实施方式

[0044] 具备包含加法器的信号生成电路的旋转检测装置。

[0045] 2.第一实施方式的变形例

[0046] 输出信号的占空比为0.5的旋转检测装置。

[0047] 3.第二实施方式

[0048] 具备包含放大器的信号生成电路的旋转检测装置。

[0049] 4.其他变形例

[0050] <1.第一实施方式>

[0051] [旋转检测装置的结构]

[0052] 最初，参照图1和图2等，对本发明的第一实施方式的旋转检测装置的结构进行说明。图1是旋转检测装置的整体结构例子的概略图。该旋转检测装置被称作所谓的齿轮齿传感器、齿轮传感器，例如具备齿轮1和主体2。再有，该旋转检测装置对应于本发明的“移动检测装置”的一个具体例子。

[0053] (齿轮1)

[0054] 齿轮1例如是包含齿轮齿部的沿着箭头1R方向旋转的旋转体，该齿轮齿部例如由磁性体构成的凸部1T与凹部1U在圆盘状部件的周边部以所定间隔(例如2～7mm左右的间距)交替配置而成。通过齿轮1的旋转动作，在相对于主体2的传感器单元3(后述)的最近的位置，存在凸部1T的状态与存在凹部1U的状态反复交替。因此，齿轮1通过自身的旋转动作，能够带来作为对主体2赋予的外部磁场的反偏压磁场Hbb(参照后述的图5A～5C)的周期性变化。再有，将齿轮1的凸部1T总数或凹部1U总数称为齿轮1的齿数。再有，齿轮1对应于本发明的“移动体”的一个具体例子。

[0055] (主体2)

[0056] 主体2例如具有传感器单元3、信号处理单元4和磁体5。传感器单元3内置传感器电路30，信号处理单元4内置信号生成电路40。图2是表示传感器电路30和信号生成电路40的一个结构例子的电路图。主体2如图1所示，进一步设置有：对传感器电路30供给电源电压的电源端子Vcc和接地端子GND、以及用于取出来自信号生成电路40的输出的输出端子Vout。再有，在图1中，凸部1T的头顶部与传感器单元3的间隔AG例如为0.5mm～3mm。

[0057] (传感器单元3)

[0058] 传感器电路30例如具有包含4个磁阻效应(MR：Magneto-Resistive effect)元件3A～3D的惠斯登桥电路。MR元件3A的一端与MR元件3B的一端在连接点P1连接，MR元件3C的一端与MR元件3D的一端在连接点P2连接，MR元件3A的另一端与MR元件3D的另一端在连接点P3连接，MR元件3B的另一端与MR元件3C的另一端在连接点P4连接。在这里，连接点P3与电源端子Vcc连接，连接点P4接地。连接点P1、P2分别通过配线L1、L2与信号处理单元4连接。另外，MR元件3A和MR元件3B对应于本发明的“第一传感器”的一个具体例子，MR元件3C和MR元件3D对应于本发明的“第二传感器”的一个具体例子。在这里，作为第一传感器的MR元件3A和MR元件3B在齿轮1的旋转方向(箭头1R的方向)上，设置在与作为第二传感器的MR元件3C和MR元件3D不同的位置。

[0059] 再有，在图2中赋予符号J31的箭头示意性地表示MR元件3A～3D各自的磁化固定层31(后述)的磁化方向。也就是说，表示：MR元件3A和MR元件3C的各个电阻值根据外部磁场的变化彼此在第一方向上变化，MR元件3B和MR元件3D的各个电阻值也根据外部磁场的变化彼此在第二方向上变化。在这里，第一方向与第二方向是彼此相反的方向。例如存在下列关系：伴随齿轮1的旋转，MR元件3A和MR元件3C的各个电阻值增大，另一方面，MR元件3B和MR元件3D的各个电阻值减少。

[0060] 图3表示构成MR元件3A～3D的主要部分的传感器堆栈3S的一个例子。MR元件3A～3D全都包含实质上构造相同的传感器堆栈3S。如图3所示，传感器堆栈3S为层叠有包含磁性层的多个功能膜的自旋阀构造。具体地说，传感器堆栈3S为依次层叠：具有固定在一定方向的磁化J31的磁化固定层31、没有显出特定的磁化方向的中层间32、和具有根据信号磁场而变化的磁化J33的磁化自由层33的构造。再有，图3表示没有赋予外部磁场(反偏压磁场Hbb)的空载状态。在这种情况下，磁化自由层33的磁化J33为分别与自身的易磁化轴AE33平行、且与磁化固定层31的磁化J31正交的方向。MR元件3A、3C的磁化固定层31例如具有固定在+Y方向的磁化J31，MR元件3B、3D的磁化固定层31具有固定在-Y方向的磁化J31。再有，磁化固定层31、中间层32和磁化自由层33可以是单层构造，也可以是由多层构成的多层构造。

[0061] 磁化固定层31包含例如钴(Co)、钴铁合金(CoFe)、钴铁硼合金(CoFeB)等强磁性材料。再有，也可以以与磁化固定层31邻接的方式，在中间层32的反对侧设置反强磁性层(未图示)。这样的反强磁性层包含铂锰合金(PtMn)、铱锰合金(IrMn)等反强磁性材料。关于反强磁性层，例如在MR元件3A中，+Y方向的自旋磁矩与-Y方向的自旋磁矩完全处于相互抵消的状态，从而使邻接的磁化固定层31的磁化J31的方向固定在+Y方向上。

[0062] 中间层32是由例如氧化镁(MgO)构成的非磁性的隧道阻挡层(Tunnel barrier layer)，是具有根据量子力学可以通过隧道电流的厚度的薄层。因此在这种情况下，传感器堆栈3S为MTJ(Magnetic Tunnel Junction)构造。由MgO构成的隧道阻挡层例如能够通过下列处理来获得：使用由MgO构成的靶子(target)的溅射处理、镁(Mg)薄膜的氧化处理、或在氧气气氛中进行镁溅射的反应溅射处理。另外，除了MgO之外，也可以使用铝(Al)、钽(Ta)、铪(Hf)的各种氧化物或氮化物来构成中间层32。进一步说，中间层32不限定于隧道阻挡层，也可以是非磁性导电层。在这种情况下，传感器堆栈3S为GMR(Giant Magneto Resistive effect)构造。

[0063] 磁化自由层33是软性强磁性层，例如具有X轴方向的易磁化轴AE33。磁化自由层33例如包含钴铁合金(CoFe)、镍铁合金(NiFe)或钴铁硼合金(CoFeB)等。

[0064] 由于这样的结构，在传感器单元3的桥接电路中，例如如果从电源端子Vcc供给电流I10，那么该电流I10经由连接点P3流入MR元件3A和MR元件3D。分别通过MR元件3A和MR元件3D的传感器堆栈3S的电流I10到达连接点P1和连接点P2。之后，电流I10分别从连接点P1和连接点P2流入MR元件3B的一端和MR元件3C的一端以后，通过MR元件3B和MR元件3C并经由连接点P4到达接地端子GND。另外，来自连接点P1和连接点P2的、传感器单元3的桥接电路的输出通过配线L1和配线L2，作为信号A和信号B分别提供给信号处理单元4。

[0065] (信号处理单元4)

[0066] 包含在信号处理单元4中的信号生成电路40对应于本发明的“信号生成电路”的一个具体例子，例如具有加法器41A和41B、比较器42A～42C以及组合电路43。组合电路43包含：“与”门43A和“与”门43B、以及“或”门43C。并且，信号生成电路40具有：将配线L1分支为3个路径的连接点P5、和将配线L2分支为3个路径的连接点P6。进一步说，信号生成电路40具有：分别连接连接点P5与比较器42A～42C的配线L3～L5、和分别连接连接点P6与比较器42A～42C的配线L6～L8。加法器41A设置在连接点P5与比较器42A之间的配线L3上，加法器41B设置在连接点P5与比较器42B之间的配线L4上。

[0067] 加法器41A是通过对流经配线L3的信号A加算所定的偏移电压而生成信号A1、且将该信号A1向比较器42A发送的逻辑电路。同样，加法器41B是通过对流经配线L4的信号A加算所定的偏移电压生成信号A2、且将该信号A2向比较器42B发送的逻辑电路。在这里，可以通过使在加法器41A中加算的偏移电压、与在加法器41B中加算的偏移电压不同，而使信号A1与信号A2成为互相不同的波形。在图4中，将信号A1、A、A2的波形与信号B的波形一起分别表示。再有，在图4中，有关信号A1、A、A2、B的纵轴表示电压V的大小。另外在图4中，一起表示：齿轮1的凸部1T和凹部1U的位置、MR元件3A和MR元件3B的位置、MR元件3C和MR元件3D的位置。以下，将MR元件3A和MR元件3B合称为“第一传感器”，将MR元件3C和MR元件3D合称为“第二传感器”。在这里，在加法器41A中加算的偏移电压优选地保持在信号A1的波形与信号B的波形形成交点的范围内。关于在加法器41B中加算的偏移电压也优选地保持在信号A2的波形与信号B的波形形成交点的范围内。

[0068] 比较器42A～42C是进行输入的2个信号的逻辑值(在这里为电压)的比较、且根据这2个信号的电压的大小关系输出新信号的逻辑电路。具体地说，比较器42A进行加算有偏移电压的信号A1与信号B的比较，且根据该结果输出信号C1。同样，比较器42B进行加算有偏移电压的信号A2与信号B的比较，且根据该结果输出信号C2。比较器42C进行没有加算偏移电压的信号A与信号B的比较，且根据该结果输出信号C。在图4中，分别表示信号C1、C、C2的波形。在图4中，将信号A1、A、A2的各个电压高于信号B的电压的情况作为高电平(Hi)，将信号A1、A、A2的各个电压低于信号B的电压的情况作为低电平(Lo)。

[0069] 信号生成电路40进一步具有：从比较器42A伸向“与”门43A的配线L9、从比较器42B伸向“与”门43A的配线L10、和从比较器42C伸向“与”门43A的配线L11。在配线L9上设置有连接点P7，并且以连接连接点P7与“与”门43B的方式设置配线L12。在配线L10上设置有连接点P8，并且以连接连接点P8与“与”门43B的方式设置配线L13。在配线L11上设置有连接点P9，并且以连接连接点P9与“与”门43B的方式设置配线L14。在组合电路43中，在信号C1、C、C2分别被输入“与”门43A和“与”门43B之后，来自“与”门43A和“与”门43B的输出通过经由“或”门43C，最终从输出端子Vout输出信号D。在图4中，表示信号D的波形。

[0070] (磁体5)

[0071] 磁体5隔着传感器单元3位于齿轮1的相反侧。磁体5朝着齿轮1和传感器单元3赋予+Z方向的反偏压磁场Hbb(参照后述的图5A～5C)。传感器单元3通过MR元件3A～3D，检测反偏压磁场Hbb的变化(X轴成分的变化)。

[0072] [旋转检测装置的动作和作用]

[0073] 在本实施方式的旋转检测装置中，能够通过内置在主体2中的传感器单元3、信号处理单元4和磁体5检测齿轮1的旋转速度。

[0074] 在该旋转检测装置中，如果齿轮1例如从图5A的状态沿着箭头1R方向旋转，那么相对于传感器单元3的MR元件3A～3D，齿轮1的凸部1T与凹部1U交替对向。这时，如图5B所示，如果由磁性体构成的凸部1T接近传感器单元3，那么来自位于其背后的磁体5的反偏压磁场Hbb的磁通量集中于凸部1T。也就是说，因为X轴方向的磁通量扩展小，所以反偏压磁场Hbb的X轴成分比较小。另一方面，如图5C所示，如果凸部1T离开传感器单元3而凹部1U接近传感器单元3，那么反偏压磁场Hbb的磁通量的一部分朝向该凹部1U两旁的凸部1T。也就是说，因为X轴方向的磁通量扩展变大，所以反偏压磁场Hbb的X轴成分变得比较大。对应于该反偏压磁场Hbb的X轴成分的变化，MR元件3A～3D的磁化自由层33的磁化J33的方向发生变化。利用伴随该磁化J33的方向变化的MR元件3A～3D的电阻变化，能够检测齿轮1的旋转速度。

[0075] 以下，主要参照图4对齿轮1的旋转检测动作进行详细说明。这里在齿轮1旋转时，将任意的凸部1T从最接近第一传感器的位置到最接近第二传感器的位置所需要的通过期间作为TH。另一方面，将任意的凹部1U从最接近第一传感器的位置到最接近第二传感器的位置所需要的通过期间作为TL。再有，在图4中，将齿轮1相对于第一传感器和第二传感器的旋转方向作为箭头1R方向。另外，在图4中，横轴表示经过的时间，表示越向右进、经过的时间变得越大。

[0076] 如上所述，凸部1T越是接近传感器单元3，来自位于其背后的磁体5的反偏压磁场Hbb的磁通量越是集中于凸部1T，反偏压磁场Hbb的X轴成分变小。另一方面，凹部1U越是接近传感器单元3，反偏压磁场Hbb的磁通量的一部分越是朝向该凹部1U两旁的凸部1T，反偏压磁场Hbb的X轴成分变大。其结果是：流经配线L2的信号B呈现符号B所示的曲线(图4)。也就是说，在期间TH中，信号B的电压在逐渐下降、经过最小值之后逐渐上升；而在期间TL中，信号B的电压在逐渐上升、经过最大值之后逐渐下降。对此，流经配线L1的信号A呈现符号A所示的曲线(图4)。也就是说，在期间TH中，信号A的电压在逐渐上升、经过最大值之后逐渐下降；而在期间TL中，信号A的电压在逐渐下降、经过最小值之后逐渐上升。

[0077] 在信号A和信号B分别经由配线L5和配线L8、被直接输入的比较器42C中，进行了信号A与信号B的比较，并且根据其结果输出具有脉冲波形的信号C。也就是说，在期间TH中，因为信号A的电压高于信号B的电压，所以信号C成为高电平(Hi)；而在期间TL中，因为信号A的电压低于信号B的电压，所以信号C成为低电平(Lo)(图4)。

[0078] 信号A经由在连接点P5被分支的配线L3、被输入加法器41A中。在加法器41A中，通过对信号A加算偏移电压而生成新信号A1。信号A1被输入比较器42A中。另一方面，信号B经由在连接点P6被分支的配线L6、被输入比较器42A中。在比较器42A中，进行信号A1与信号B的比较，并且根据其结果输出具有脉冲波形的信号C1。因为信号A1加算有偏移电压，所以信号A1的波形与信号B的波形的交点的位置、与信号A的波形与信号B的波形的交点的位置不同。具体地说，信号A1的电压高于信号B的电压的期间变得比期间TH长，信号A1的电压低于信号B的电压的期间变得比期间TL短。因此，在信号C1中，成为高电平(Hi)的期间TH1变得比期间TH长，成为低电平(Lo)的期间TL1变得比期间TL短(图4)。

[0079] 信号A经由在连接点P5被分支的配线L4、被输入加法器41B中。在加法器41B中，通过对信号A加算与在加法器41A中加算的偏移电压大小不同的偏移电压，生成新信号A2。信号A2被输入比较器42B中。另一方面，信号B经由在连接点P6被分支的配线L7、被输入比较器42B中。在比较器42B中，进行信号A2与信号B的比较，并且根据其结果输出具有脉冲波形的信号C2。因为信号A2加算有所定的偏移电压，所以信号A2的波形与信号B的波形的交点的位置、与信号A的波形与信号B的波形的交点的位置和信号A1的波形与信号B的波形的交点的位置都不同。具体地说，信号A2的电压高于信号B的电压的期间变得比期间TH短，信号A2的电压低于信号B的电压的期间变得比期间TL长。因此，在信号C2中，成为高电平(Hi)的期间TH2变得比期间TH短，成为低电平(Lo)的期间TL2变得比期间TL长(图4)。

[0080] 信号C1、C、C2生成以后，在信号生成电路40中，通过组合电路43，生成从输出端子Vout输出的信号D。如图4所示，信号D在期间TH中包含多个脉冲(脉冲PL1、PL2)。

[0081] [旋转检测装置的效果]

[0082] 像这样，根据本实施方式的旋转检测装置，在1个凸部1T通过第一传感器与第二传感器之间时，能够输出包含多个脉冲的信号D。这是因为通过信号处理单元4，根据信号A生成了相互具有不同波形的2个信号A1、A2，并且由比较器42A、42B形成了具有不同波形的信号C1、C2。

[0083] 然而，如果没有生成信号A1、A2，那么在1个凸部1T和1个凹部1U通过第一传感器与第二传感器之间时，仅能够得到包含1个脉冲的信号C。对此，在本实施方式中，在1个凸部1T和1个凹部1U通过第一传感器与第二传感器之间时，能够得到包含3个脉冲PL1～PL3的信号D。

[0084] 根据本实施方式的旋转检测装置，因为具备信号处理单元4，所以能够得到比仅从信号A与信号B的关系获得的脉冲多的脉冲。因此，即使是齿轮1的微小旋转，也能够精确地检测。

[0085] <2.第一实施方式的变形例>

[0086] 在上述第一实施方式中的图4所示的信号D中，脉冲PL1、PL2的宽度与脉冲PL3的宽度不同，并且脉冲PL1与脉冲PL2的间隔、与脉冲PL2与脉冲PL3的间隔也不同。但是，在计算齿轮1的旋转速度、旋转角时，信号D的数值的处理变得繁杂。

[0087] 因此，如图6所示，优选地，通过调整在加法器41A、41B中对信号A加算的偏移电压，从信号生成电路40的组合电路43获得等宽度的多个脉冲以等间隔排列的信号D1。具体地说，在将信号A和信号B的电压的振幅作为±1V的情况下，在加法器41A中生成信号A1时对信号A加算的偏移电压V1可以是+1.732V(＝-2×sin240°＝-2×sin300°)，在加法器41B中生成信号A2时对信号A加算的偏移电压V2可以是-1.732V(＝-2×sin60°＝-2×sin120°)。通过这样做，信号A的波形在0°、180°与信号B的波形交叉时，信号A1的波形在240°、300°与信号B的波形交叉，信号A2的波形在60°、120°与信号B的波形交叉。其结果是：在1个凸部1T和1个凹部1U通过第一传感器与第二传感器之间时，各自具有60°的宽度的3个脉冲以60°的间隔产生。

[0088] 像这样，通过从信号处理单元4输出等宽度的多个脉冲以等间隔排列的、占空比为0.5的信号D1，从而能够容易地求得齿轮1的旋转速度、旋转角。

[0089] <3.第二实施方式>

[0090] [旋转检测装置的结构和动作]

[0091] 其次，参照图7对本发明的第二实施方式的旋转检测装置进行说明。图7是表示该旋转检测装置的信号生成电路40A的结构的电路图。在上述第一实施方式的信号生成电路40中，使用加法器41A、41B生成了新信号A1、A2。对此，在本实施方式的信号生成电路40A中，使用放大器44A、44B替代加法器41A、41B，并且根据信号A生成新信号A3、A4。另外，在该信号生成电路40A中，从传感器单元3输入与信号A的相位具有180°以外的相位差的信号B0。除了上述点之外，因为信号生成电路40A具有与信号生成电路40实质上同一的结构，所以在以下的说明中，对实质上同一的构成要素附加与上述第一实施方式相同的符号，并适当省略其说明。

[0092] 放大器44A是如下放大电路：其设置在连接连接点P5与比较器42A的配线L3上，通过在所定的范围内对流经配线L3的信号A进行电压放大，从而生成信号A3，并且将该信号A3向比较器42A发送。同样，放大器44B是如下放大电路：其设置在连接连接点P5与比较器42B的配线L4上，通过在所定的范围内对流经配线L4的信号A进行电压放大，从而生成信号A4，并且将该信号A4向比较器42B发送。在这里，可以通过使在放大器44A中的放大倍率、与在放大器44B中的放大倍率不同，而使信号A3与信号A4成为互相不同的波形。在图8中，将信号A3、A、A4的波形与信号B0的波形一起分别表示。

[0093] 比较器42A进行放大后的信号A3与信号B0的比较，并且根据其结果输出信号C3。同样，比较器42B进行放大后的信号A4与信号B0的比较，并且根据其结果输出信号C4。比较器42C进行没有放大的信号A与信号B0的比较，并且根据其结果输出信号C0。在图8中，分别表示信号C3、C0、C4的波形。

[0094] 并且在组合电路43中，在信号C3、C0、C4分别被输入“与”门43A和“与”门43B之后，来自“与”门43A和“与”门43B的输出通过经由“或”门43C，最终从输出端子Vout输出信号D2。在图8中，表示信号D2的波形。

[0095] [旋转检测装置的效果]

[0096] 在本实施方式的旋转检测装置中，根据信号A，使用放大器44A、44B生成了相互具有不同波形的2个信号A3、A4。因此，能够获得与上述第一实施方式同样的效果。

[0097] <4.其他变形例>

[0098] 以上，虽然列举几个实施方式和变形例对本发明进行了说明，但是本发明并不限定于这些实施方式等，可以做出各种变化。例如在上述实施方式等中，虽然在信号生成电路中使用加法器或放大器由1个信号生成了多个新信号，但是本发明并不限定于此。

[0099] 也可以如图9所示的信号生成电路40B，根据信号A，使用相位偏移电路45A、45B生成新信号A5、A6。相位偏移电路45A是使用线圈、电容器等的相位控制电路，其设置在连接连接点P5与比较器42A的配线L3上，通过使流经配线L3的信号A产生所定的时间上的偏差(延迟)，从而生成信号A5，并且将该信号A5向比较器42A发送。同样，相位偏移电路45B是使用线圈、电容器等的相位控制电路，其设置在连接连接点P5与比较器42B的配线L4上，通过使流经配线L4的信号A产生所定的时间上的偏差(延迟)，从而生成信号A6，并且将该信号A6向比较器42B发送。在这里，可以通过使在相位偏移电路45A中延迟的时间、与在相位偏移电路45B中延迟的时间不同，而使信号A5与信号A6成为相位互相不同的波形。在图10中，将信号A5、A、A6的波形与信号B的波形一起分别表示。

[0100] 比较器42A进行相位移动后的信号A5与信号B的比较，并且根据其结果输出信号C5。同样，比较器42B进行相位移动后的信号A6与信号B的比较，并且根据其结果输出信号C6。比较器42C进行没有相位移动的信号A与信号B的比较，并且根据其结果输出信号C。在图10中，分别表示信号C5、C、C6的波形。

[0101] 并且在组合电路43中，在信号C5、C、C6分别被输入“与”门43A和“与”门43B之后，来自“与”门43A和“与”门43B的输出通过经由“或”门43C，最终从输出端子Vout输出信号D3。在图10中，表示信号D3的波形。

[0102] 即使在这种情况下，因为信号A5、A、A6与信号B的交点的位置在时间上不同，所以在1个凸部1T通过第一传感器与第二传感器之间时，能够输出包含多个脉冲的信号D3。因此，能够获得与上述实施方式等同样的效果。

[0103] 进一步说，在本发明中，在信号处理单元中由1个信号生成频率不同的多个新信号的情况下，也可以使用倍频电路来代替加法器、放大器或相位偏移电路。

[0104] 另外，虽然在上述实施方式等中举例说明了作为信号处理单元的模拟电路，但是本发明并不限定于此。信号处理单元也可以由数字电路构成，在该数字电路中，例如使用数字比较仪作为比较单元、使用脉冲发生器代替组合电路等。在这种情况下，可以利用A/D比较器等将来自传感器单元的模拟信号转换成数字信号之后，输入信号处理单元。

[0105] 另外，在上述实施方式等中，虽然在信号处理单元中根据来自第一传感器的信号A生成了3个新信号A、A1、A2，但是该数目并不限定于3个。可以是2个，也可以是4个以上。

[0106] 另外，在信号处理单元中，也可以仅根据来自第二传感器的信号B生成多个新信号Bn(B1、B2、…、Bn)。或者，在信号处理单元中，根据来自第一传感器的信号A生成多个新信号Am(A1、A2、…、Am)，并且根据第二传感器的信号B生成多个新信号Bn(B1、B2、…、Bn)。在图11中，表示作为其具体例子的信号生成电路40C。在图11的信号生成电路40C中，在连接点P6与比较器42A之间进一步设置加法器41C、且根据信号B形成新信号B1，并且在连接点P6与比较器42B之间进一步设置加法器41D、且根据信号B形成新信号B2。除了这些点之外，该信号生成电路40C具有与信号生成电路40实质上同一的结构。

[0107] 另外，在本发明中，也可以不将传感器数限定于2或4，只要是2以上可以随意选择。

[0108] 进一步说，虽然在上述实施方式等中，作为移动体使用了：凸部与凹部在圆盘状部件的周边部交替配置而成的齿轮，但是本发明并不限定于此。例如也可以使用如下移动体：包含S极区域与N极区域在圆盘状(或环状)部件的周边部以所定间隔交替配置而成的强磁性体部。另外，虽然在上述实施方式等中，作为移动检测装置，例示了具备旋转体的旋转检测装置，但是本发明并不限定于此。也就是说，作为移动体，并不限定于上述旋转体，例如也可以是在一个方向延伸的直线状的物体。本发明的一种实施方式的移动检测装置也可以是检测这样的直线状的移动体的、沿着该延伸方向的移动的装置。

[0109] 再有，本技术也能够采用以下结构。

[0110] (1)

[0111] 一种移动检测装置，其中，具备：

[0112] 移动体，在第一方向移动；

[0113] 第一传感器，检测伴随所述移动体的所述移动的第一磁场变化且输出第一信号；

[0114] 第二传感器，沿着所述第一方向设置在与所述第一传感器不同的位置，检测伴随所述移动体的所述移动的第二磁场变化且输出第二信号；以及

[0115] 信号处理单元，包含信号生成电路，所述信号生成电路根据所述第一信号生成第三信号和第四信号，所述第四信号具有与所述第三信号不同的波形。

[0116] (2)

[0117] 所述(1)所述的移动检测装置，其中，

[0118] 所述移动体具有：多个凸部与多个凹部交替配置而成的齿轮齿部，

[0119] 所述信号生成电路进一步具有脉冲生成单元，所述脉冲生成单元在一个所述凸部或一个所述凹部通过所述第一传感器与所述第二传感器的期间内生成多个脉冲。

[0120] (3)

[0121] 所述(1)所述的移动检测装置，其中，

[0122] 所述移动体具有：多个N极区域与多个S极区域交替配置而成的强磁性体部，[0123] 所述信号生成电路进一步具有脉冲生成单元，所述脉冲生成单元在一个所述N极区域或一个所述S极区域通过所述第一传感器与所述第二传感器的期间内生成多个脉冲。

[0124] (4)

[0125] 所述(1)所述的移动检测装置，其中，

[0126] 所述信号生成电路进一步具有：

[0127] 第一比较单元，根据所述第三信号与所述第二信号的比较，输出第五信号；

[0128] 第二比较单元，根据所述第四信号与所述第二信号的比较，输出第六信号；以及[0129] 脉冲生成单元，进行所述第五信号与所述第六信号的组合，生成包含多个脉冲的第七信号。

[0130] (5)

[0131] 所述(4)所述的移动检测装置，其中，

[0132] 所述移动体具有：多个凸部与多个凹部交替配置而成的齿轮齿部，

[0133] 所述脉冲生成单元在一个所述凸部或一个所述凹部通过所述第一传感器与所述第二传感器的期间内生成所述多个脉冲。

[0134] (6)

[0135] 所述(4)所述的移动检测装置，其中，

[0136] 所述移动体具有：多个N极区域与多个S极区域交替配置而成的强磁性体部，[0137] 所述脉冲生成单元在一个所述N极区域或一个所述S极区域通过所述第一传感器与所述第二传感器的期间内生成所述多个脉冲。

[0138] (7)

[0139] 所述(1)所述的移动检测装置，其中，所述信号生成电路进一步根据所述第二信号生成第八信号和第九信号，所述第九信号具有与所述第八信号不同的波形。

[0140] (8)

[0141] 所述(7)所述的移动检测装置，其中，

[0142] 所述信号生成电路进一步具有：

[0143] 第三比较单元，根据所述第三信号与所述第八信号的比较，输出第十信号；

[0144] 第四比较单元，根据所述第四信号与所述第九信号的比较，输出第十一信号；以及[0145] 脉冲生成单元，进行所述第十信号与所述第十一信号的组合，生成包含多个脉冲的第十二信号。

[0146] (9)

[0147] 所述(1)至所述(8)中的任一项所述的移动检测装置，其中，所述信号生成电路包含加法器，所述加法器对所述第一信号加算偏移电压。

[0148] (10)

[0149] 所述(1)至所述(8)中的任一项所述的移动检测装置，其中，所述信号生成电路包含放大器，所述放大器进行所述第一信号的放大。

[0150] (11)

[0151] 所述(1)至所述(8)中的任一项所述的移动检测装置，其中，所述信号生成电路包含相位偏移电路，所述相位偏移电路使所述第一信号产生时间上的偏差。

[0152] 本公开含有涉及在2015年12月28日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2015-255642中公开的主旨，其全部内容包含在此，以供参考。

[0153] 本领域的技术人员应该理解，虽然根据设计要求和其他因素可能出现各种修改，组合，子组合和可替换项，但是它们均包含在附加的权利要求或它的等同物的范围内。