技术领域
[0001] 本发明涉及一种抛光设备。
相关背景技术
[0002] 随着集成电路制造技术的发展，晶片尺寸达到直径300mm以上，特征线宽已达到22nm，并进一步向更小线宽发展。特征线宽的减小对晶片平坦化工艺的质量控制更加苛刻。
因此，在抛光过程中及抛光前后需要有效清洁抛光垫上的残留物，避免抛光垫上的颗粒残留物对晶片造成致命的划痕缺陷显得尤为重要。
具体实施方式
[0032] 下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
[0033] 随着集成电路制造技术的发展，晶圆尺寸达到直径300mm以上，特征线宽已达到22nm，并进一步向更小线宽发展。特征线宽的减小对晶圆平坦化工艺的质量控制更加苛刻。
因此，在抛光过程中及抛光前后需要有效清洁抛光垫上的残留物，避免抛光垫上的颗粒残留物对晶圆造成致命的划痕缺陷显得尤为重要。
[0034] 下面参照图1-图4描述根据本发明实施例的抛光设备100，该抛光设备100可用于对晶片的抛光。如图1-图4所示，该抛光设备100大体可以包括：抛光装置10和清洗装置20。其中，抛光设备100可以为化学机械抛光设备，化学机械抛光设备可以通过化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术对晶片进行抛光。
[0035] 具体地，在本发明一些实施例的抛光装置10大体可以包括抛光盘11、位于所述抛光盘11上表面的抛光垫12以及位于抛光垫12上的抛光头13，抛光装置10沿抛光垫12的中心轴线方向旋转。抛光头13的底面214固定有晶片，抛光装置10在旋转过程中，抛光头13也随之旋转并将晶片按压在抛光垫12上，从而实现对晶片的机械抛光。
[0036] 清洗装置20位于抛光装置10的上方，清洗装置20设有至少一个向抛光垫12喷水的喷水孔211，喷水孔211的喷射方向与竖直方向呈一定夹角且与抛光装置10的水平运动方向相对。也就是说，喷水孔211的喷射方向不是垂直于抛光垫12所在的平面，即从喷水孔211内喷射出来的水可以对抛光垫12上的残留物施加远离抛光垫12的冲刷力，从而有效清除抛光垫12上的残留物。
[0037] 参考图2-图4，且由于喷水孔211的喷射方向与抛光装置10的旋转方向相对，因此，可以抛光垫12和喷水孔211之间形成对射之势，有力地将抛光垫12上的残留物清洗干净。
[0038] 可以理解的是，清洗装置20可以在抛光前或后对抛光垫12上的残留物进行清洗，在抛光过程中也可以对抛光垫12进行清洗，从而保证抛光垫12始终保持干净，整洁，避免对晶片刮伤。
[0039] 简言之，根据本发明实施例的抛光设备100，喷水孔211的喷射方向与竖直方向呈一定夹角且与抛光装置10的旋转方向相对，从而提高了清洗装置20的清洗效果，避免了晶片被刮伤，提高了晶片的产品质量。
[0040] 在本发明一些实施例中，清洗装置20可以包括：喷水板21、支撑组件22和清洗管40。喷水板21形成有水道212，喷水孔211与水道212连通。清洗管40内的水注入水道212内，然后通过喷水孔211向抛光垫12喷射，从而对抛光垫12进行清洗。
[0041] 可选地，如图2和图3所示，喷水板21的底面214与水平方向呈一定夹角，喷水孔211的延伸方向垂直于喷水板21的底面214。换言之，喷水板21的底面214与抛光垫12所在平面不平行，可以使得喷水孔211的喷射方向与竖直方向呈一定夹角，喷水孔211的喷射方向不垂直于抛光垫12所在的平面，即从喷水孔211内喷射出来的水可以对抛光垫12上的残留物施加远离抛光垫12的冲刷力，从而有效清除抛光垫12上的残留物。
[0042] 如图2所示，当喷水板21的底面214与水平方向呈第一角度α时，抛光装置10沿抛光垫12的中心轴线方向顺时针方向旋转；如图3所示，当喷水板21的底面214与水平方向呈第二角度β时，抛光装置10沿抛光垫12的中心轴线方向逆时针方向旋转。
[0043] 可以理解的是，喷水板21的底面214与水平方向呈一定夹角时，喷水孔211的延伸方向也可以不垂直于喷水板21的底面214。
[0044] 可选地，喷水板21的底面214与水平方向平行，喷水孔211的延伸方向与水平方向呈一定夹角。换言之，喷水板21的底面214与抛光垫12所在平面平行，由此可以使得喷水孔211的喷射方向与竖直方向呈一定夹角，喷水孔211的喷射方向不垂直于抛光垫12所在的平面，即从喷水孔211内喷射出来的水可以对抛光垫12上的残留物施加远离抛光垫12的冲刷力，从而有效清除抛光垫12上的残留物。
[0045] 有利地，喷水孔211的喷射范围大等于抛光垫12的半径。由此，可以将抛光垫12上的残留物有效地清洗干净，提高晶片的质量。
[0046] 有利地，如图2和图3所示，喷水板21的底面214的外周缘至少部分向下延伸形成凸缘213。由此，可以防止液体溅射。
[0047] 其中，支撑组件22可以包括：支撑座221、支撑柱222和基板223。具体地，如图1所示，支撑柱222的一端(如图1中的下端)与支撑座221相连，支撑柱222的另一端(如图1中的上端)向上延伸。基板223与支撑柱222的另一端相连，喷水板21固定在基板223的下表面。抛光装置10与喷水板21在上下方向相对设置。
[0048] 如图1所示，支撑柱222设有安装通孔2221，安装通孔2221内设有清洗管40，清洗管40与水道212相通。安装通孔2221贯穿支撑柱222的上下端面，即支撑柱222为中空的管体结构，清洗管40自下而上延伸，然后穿设基板223与水道212连通，从而实现对水道212供水。
[0049] 进一步地，清洗装置20还可以包括：盖板224。盖板224与基板223在竖直方向间隔设置，且盖板224安装设置于支撑柱222的另一端。如图1和图4所示，盖板224与基板223之间限定出安装空间，化学液管50自下而上穿过安装通孔2221内后，沿着安装空间的长度方向(如图1中的左右方向)延伸且伸出安装空间，从而向抛光垫12喷洒化学液，其中，化学液管50的出液口可以位于抛光垫12中心位置的上方，由此，保证化学液体均匀地分散在抛光垫
12上，对晶片的外表面进行化学腐蚀。
[0050] 可选地，基板223在水平方向上可转动地设在支撑柱222上。通过调节基板223与支撑柱222之间的角度，从而调节喷水板21与抛光垫12之间的相对位置关系。
[0051] 进一步地，清洗装置20还可以包括：喷嘴23。喷嘴23嵌设在喷水孔211内，且喷嘴23的一端超出喷水板21的底面214，喷嘴23的进口的径向尺寸大于喷嘴23的出口的径向尺寸。由此，可以增大水压，更加有利于地将抛光垫12上残留物清除。
[0052] 对于本发明实施例的抛光设备100的其他构成为本领域技术人所理解的，这里不再详述。
[0053] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”“、底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
[0054] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0055] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0056] 在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0057] 尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
