技术领域
[0001] 本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种基板处理方法。
相关背景技术
[0002] 玻璃化学钢化是根据离子扩散和置换机理改变玻璃表面组成，即玻璃表层的钠离子被熔盐中的钾离子所置换，使玻璃表面形成压应力层。其主要特点是：强度高，热稳定性好，不改变玻璃原有的光学性能，玻璃表面不变形，可以进行切割加工，无自爆现象；加工工艺简单，不受热源、结构造型的限制，成品率高；适于薄壁、异形、大面积玻璃制品的钢化增强。
[0003] 然而，目前钢化玻璃在硝酸钾溶液中高温离子交换过程中，玻璃表层一定深度范围内(几微米到几十微米)的钾离子会有一个浓度分布，一般在距玻璃表面某一具体深度处能达到最高值，此具体深度处的压应力值也是最高的。在玻璃表面到这一具体深度处的厚度范围内，其压应力值较小，耐冲击能力较弱，影响钢化玻璃的整体强度，其在后续的切割工艺中，极易产生微裂纹，因此，目前的钢化玻璃整体的钢化强度具有一定的局限性。
具体实施方式
[0018] 为说明本发明提供的基板处理方法，以下结合说明书附图及文字说明进行详细阐述。
[0019] 请参考图1，其为本发明提供的基板处理方法的流程示意图，所述基板处理方法至少包括以下步骤：
[0020] 步骤S01：提供至少一基板。
[0021] 所述基板至少具有相背的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面分别为一光滑的平面，在其他实施方式中，所述第一表面和第二表面亦可以为曲面或者不规则的平面。制成所述基板的材料为玻璃或其他硬质材料。
[0022] 步骤S02：将所述基板进行钢化处理。
[0023] 所述钢化处理温度范围为410～450摄氏度，优选的，所述温度为420摄氏度。所述钢化处理是将玻璃没入熔盐溶液中进行浸泡，以使基板内部Na+与溶液中的K+进行离子交换，从而达到增强基板的强度的目的。
[0024] 步骤S03：将所述基板进行抛光处理。
[0025] 所述抛光处理包括对所述基板的第一表面和/或第二表面进行抛光。经过所述抛光处理后，所述基板的第一表面经过所述抛光处理后变为第三表面，所述基板的第二表面经过抛光处理后变为第四表面，所述第一表面所在平面距离所述第三表面所在平面的间距范围以及所述第二表面所在平面距离所述第四表面所在平面的间距范围均为0.8～1.5微米，也即，被抛光处理的每一面减薄了大约0.8～1.5微米。优选的，所述第一表面距离所述第三表面的间距以及所述第二表面距离所述第四表面的间距均为1微米。也即，被抛光处理的每一面减薄了1微米。经过钢化处理后的基板在具表面1.0微米处的压应力最大，而在基板表面到1.0微米的范围内，其压应力较小，因此，本实施方式中，将所述基板减薄，有利于提供其整体强度，另外，对基板进行减薄处理，有利于基板的轻薄化以及透光率的提高；对基板进行抛光处理，可以提高基板表面的平整度，并有利于提高后续镀膜工艺中膜层的附着性。
[0026] 所述第一表面或第二表面抛光处理的时间范围为60～150秒，优选的，所述时间为120秒。所述抛光处理的温度范围为30～45摄氏度，优选的，所述抛光处理的温度为40摄氏度。
[0027] 在一种实施方式中，所述基板处理方法还包括在钢化前对所述基板进行切割的步骤，基板切割后，其切割区域的压应力不可避免的会减小，将切割后基板再进行钢化，可以提高切割区域的压应力值。在另一种实施方式中，所述基板处理方法还包括在钢化后、抛光前对所述基板进行切割的步骤。
[0028] 在另一种实施方式中，所述基板处理方法还包括在抛光处理后对所述基板进行切割的步骤。
[0029] 本发明提供的所述基板处理方法及其制作方法中，由于在基板钢化后进行一次抛光处理，除去了基板上表面压应力值较小的部分，因此增加了基板的整体强度，减小了基板在后续加工过程中破损的几率。另外，经过抛光处理后的基板厚度变薄，因此，有利于基板的轻薄化以及透光率的提高。
[0030] 以下实施例是依据上述基板处理方法实施方式进行的举例说明。
[0031] 实施例1
[0032] 将基板先进行一次抛光处理，然后没入熔盐溶液中进行浸泡，浸泡温度为420摄氏度。经过一段时间后，取出所述基板，将所述基板再进行一次抛光处理，包括对基板的第一表面和第二表面进行抛光处理，抛光温度为40摄氏度，时间为120秒。所述基板第一表面和第二表面均减薄了1微米。
[0033] 实施例2
[0034] 将基板没入熔盐溶液中进行浸泡，浸泡温度为410摄氏度。经过一段时间后，取出所述基板，依次对所述基板进行切割、抛光处理，包括对基板的第一表面进行抛光处理，抛光温度为35摄氏度，时间为60秒。所述基板第一表面减薄了0.8微米。
[0035] 实施例3
[0036] 将基板没入熔盐溶液中进行浸泡，浸泡温度为450摄氏度。经过一段时间后，取出所述基板，依次对所述基板进行抛光、切割处理，包括对基板的第二表面进行抛光处理，抛光温度为45摄氏度，时间为150秒。所述基板第二表面减薄了1.5微米。
[0037] 以上为本发明提供的基板处理方法的较佳实施方式，并不能理解为对本发明权利保护范围的限制，本领域的技术人员应该知晓，在不脱离本发明构思的前提下，还可做多种改进或替换，所有的该等改进或替换都应该在本发明的权利保护范围内，即本发明的权利保护范围应以权利要求为准。
