涉及权利要求数量11：其中独权2项，从权-2项
1.一种用于使原料升华从而生长单晶体的坩埚，包括：
底部；和
筒状的侧表面，
其中，所述坩埚包括：
第三区域，所述第三区域被构造为接收所述原料；
第二区域，所述第二区域沿着远离所述底部的方向从所述第三区域延伸；和第一区域，所述第一区域沿着远离所述底部的方向从所述第二区域延伸，所述坩埚包括位于所述侧表面的内侧的第一壁和第二壁，所述第一壁包围所述第一区域，所述第二壁包围所述第二区域，
所述坩埚包括位于所述第一壁与所述侧表面之间的第一室和位于所述第二壁与所述侧表面之间的第二室，
所述第一壁上的水平对向部分之间的距离是恒定的，或者，随着所述第一壁上的水平对向部分接近所述底部，所述第一壁上的水平对向部分之间的距离增加，并且，随着所述第二壁上的水平对向部分接近所述底部，所述第二壁上的水平对向部分之间的距离增加，所述第一壁相对于垂直于所述底部的方向的倾斜角α小于所述第二壁相对于垂直于所述底部的方向的倾斜角β，所述倾斜角α为30度或更小，所述倾斜角β为70度或更小，且所述倾斜角β与所述倾斜角α之间的差值为50度或更小，并且
所述第一室包括隔热件，且所述第二室是空的。
2.根据权利要求1所述的坩埚，其中，所述倾斜角α为5度或更小。
3.根据权利要求1或2所述的坩埚，其中，所述倾斜角β为20度或更大。
4.根据权利要求1所述的坩埚，其中，所述倾斜角α为5度或更小，所述倾斜角β在
20度～50度的范围内。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的坩埚，其中，所述第一室包括一体式隔热件。
6.根据权利要求1～4中的任一项所述的坩埚，其中，所述第一室包括径向堆叠的隔热件。
7.根据权利要求1～4中的任一项所述的坩埚，其中，所述第一室包括在与所述底部相垂直的方向上堆叠的多个隔热件。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的坩埚，还包括盖部，所述盖部用于覆盖所述坩埚的开口，其中，所述盖部具有保持部，所述保持部用于在其面向所述底部的表面上保持种晶。
9.一种使用根据权利要求8所述的坩埚来制造单晶体的方法，所述方法包括以下步骤：
将原料放入所述第三区域的至少一部分中；
将种晶放在所述保持部上；
使所述原料升华，从而在所述种晶上生长所述单晶体；以及
将所述种晶与所述单晶体分开。
10.根据权利要求9所述的制造单晶体的方法，其中，
所述将种晶放在所述保持部上的步骤包括：将所述种晶放在所述第一区域中，且所述使所述原料升华、从而在所述种晶上生长所述单晶体的步骤包括：将所述单晶体的生长限制在所述第一区域中。
11.根据权利要求9或10所述的制造单晶体的方法，其中，所述种晶为碳化硅基板，所述原料为碳化硅粉末，所述单晶体为碳化硅单晶体。