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一种荧光层的制备方法无效专利 发明

技术领域

[0001] 本发明属于核物理、核能应用和微能源领域,具体涉及一种荧光层的制备方法。

相关背景技术

[0002] 近年来,随着人口数量与生活水平的发展提升,对能源的需求量也与日俱增,但随着太空探索的深入和高新能源技术产业的推进,人类对能源也提出了更高的要求。在超低功率装置和自动控制系统等多个领域,尤其是目前一些更换和维修较困难的地方,长寿命、高效稳定的供能系统存在极大的潜在利用价值。而具备长寿命(取决于放射性同位素的半衰期),小尺寸,重量轻,环境适应能力强,工作温度范围宽,输出功率稳定等优势的核电池可以很好的满足这些特定需求,成为未来能源发展的首要候选者。
[0003] 核电池,又称为同位素电池,它是一种利用放射源衰变释放的载能粒子(如α、β粒子和γ射线)或者衰变产生的热能转换成所需电能的装置。在众多能量转换机制的核电池中,换能原理可分为直接转换和间接转换两种。直接转换核电池即将同位素衰变热或射线能量一次转换成电能,较常用的有热电温差效应核电池和辐射伏特效应核电池等。间接转换核电池则是将放射源的衰变热或辐射能二次转换成所需的电能,如热致光电式核电池和荧光体光电式核电池。
[0004] 核电池直接转换类型中的热电温差效应核电池,该装置是基于热电材料的塞贝克(Seebeck)效应,采用温差材料直接将放射性同位素衰变产生的热能转变为电能。该类核电池在实际应用中需要隔热层,且微型化在一定程度上受到限制。另一个关于直接转换类型的例子是辐射伏特效应核电池,其工作原理是利用放射性同位素衰变产生的粒子照射半导体PN结,促使在PN结附近的电子电离产生电子空穴对,载流子在内电场的作用下定向移动,建立电势。该类核电池使用的换能单元PN结对射线较敏感,在带电粒子的激发下易产生缺陷和引起材料晶格损伤,对电池的性能存在一定的约束性。
[0005] 于是,在放射源与换能单元添加一层荧光物质作为中间换能媒介,可有效缓解核辐射对半导体材料损伤问题。

具体实施方式

[0016] 下面对本发明的技术方案进行详细说明:一种荧光层的制备方法,包括如下步骤,
步骤1、在质量浓度为0.5-1%硅酸钾溶液中加入ZnS:Cu荧光粉充分搅拌,;
步骤2、加入质量浓度为0.1-0.3%硝酸钡溶液,继续搅拌;
步骤3、将混合液引流至放有玻璃基底的玻璃器皿中,自然沉降;
步骤4、待玻璃基底上沉积荧光粉之后,将其取出并烘干,待其自然冷却至常温即可获得所需的荧光层。
[0017] 所述的硅酸钾溶液与硝酸钡溶液的容积比为10:1-20:1,与ZnS:Cu荧光粉的质量与荧光层的厚度根据如下公式设置: ,其中m为荧光粉的质量,ρ为荧光粉的密度,s为玻璃器皿的底面积,h为荧光层的厚度;所述的自然沉降时间为1-5h;
所述步骤2中的烘干温度为200-300℃,烘干时间为0.5h。
[0018] 所述荧光层用于荧光核电池中,所述核电池包括密封外壳、放射源层、半导体光伏组件、荧光层,其中,所述半导体光伏组件包括依次连接的前电极层、半导体层、背电极层,

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