[0001] 本发明涉及同轴电缆。

[0002] 在例如移动体通信设施和微波通信设施中使用的高频同轴电缆等同轴电缆，具备：中心导体（内部导体）；以包覆中心导体的外周的方式形成的作为绝缘层的发泡层；和以包覆发泡层的周围的方式形成的外部导体。另外，同轴电缆以中心导体、发泡层和外部导体形成同轴结构的方式构成。

[0003] 一般而言，对外部导体进行波纹化处理，以使同轴电缆的弯曲性提高。即，在以包覆发泡层的周围的方式形成外部导体之后，进行以下的波纹化处理：从外部导体的外周侧使用例如环形圈等对外部导体的规定部位进行加压以使外部导体的规定部位凹陷，由此在外部导体形成谷部和峰部。此时，在外部导体通过波纹化处理而被加压的部位，被加压至位于外部导体的内周的发泡层。发泡层密度低。因此，当发泡层被加压时，存在发泡层的加压部位被压坏（压溃）、发泡层整体变形的情况。另外，例如在同轴电缆被设置在狭窄的部位的情况下，存在从外部向同轴电缆施加弯曲等的力的情况。在该情况下，也存在施加外力的部位的发泡层被压坏（压溃）、发泡层整体变形的情况。当这样发泡层变形时，存在同轴电缆的特性阻抗偏离期望的范围（例如50±2Ω）的情况。这样的同轴电缆成为不良品，因此同轴电缆的生产率下降。

[0004] 因此，为了抑制由于施加外力而导致的发泡层的变形，提出了在中心导体的周围形成有绝缘层的同轴电缆，该绝缘层由发泡层和作为非发泡层的充实层构成（例如参照专利文献1）。即，这样的同轴电缆构成为，在发泡层与外部导体之间，以包覆发泡层的外周的方式形成充实层。

[0005] 现有技术文献

[0006] 专利文献

[0007] 专利文献1：日本特开2005-302412号公报

[0023] 以下，对本发明的一个实施方式进行说明。

[0024] （1）同轴电缆的结构

[0025] 首先，主要使用图1和图2对本发明的一个实施方式的同轴电缆的结构进行说明。

[0026] 如图1所示，本实施方式的同轴电缆1具备：中心导体（内部导体）2；具备发泡层3和充实层4的绝缘层5；外部导体6；和护套7。即，同轴电缆1以中心导体2、绝缘层5、外部导体6和护套7形成同轴结构的方式构成。

[0027] 作为中心导体2，由传导电或信号的材料、例如铜或铜合金构成。作为中心导体2，例如能够使用成形为中空管状的铜材（铜管）、成形为棒状的铜材等。此外，作为中心导体2，例如也可以使用作为含有铜或铝的线材的导线、或将多个线材绞合而形成的绞线等。另外，也可以对中心导体2进行波纹化处理。

[0028] 在中心导体2的外周，以包覆中心导体2的外周的方式形成有绝缘层5。绝缘层5从中心导体2侧起依次具备发泡层3和作为非发泡层的充实层4。发泡层3通过使利用例如挤出机等在中心导体2的外周挤出包覆的绝缘材料发泡而形成。另外，在发泡层3的外周，以包覆发泡层3的外周的方式形成有充实层4。如图2所示，在发泡层3与充实层4的界面（即充实层4的内周面）设置有凸部8。凸部8沿充实层4的长度方向呈直线状设置。此外，凸部8可以沿充实层4的圆周方向以规定间隔设置有多条。

[0029] 由此，在由于对同轴电缆1施加外力而对绝缘层5（发泡层3和充实层4）施加外力时，能够使对发泡层3施加的外力向各个方向分散。即，例如，在后述的由于对外部导体6进行波纹化处理而对绝缘层5施加外力时、或由于同轴电缆1被弯曲而对绝缘层5施加外力时，外力通过充实层4施加于发泡层3。此时，由于在充实层4设置有凸部8，所以，在对发泡层3施加外力时，外力被分散到各个方向。因此，在对发泡层3施加外力时，仅仅主要是发泡层3的凸部、即主要是位于充实层4的凹部的发泡层3的部位被压坏（压溃）而变形。即，能够抑制发泡层3整体被压坏（压溃）、发泡层3整体变形的情况。例如，能够使发泡层3的变形率为10%以下。

[0030] 另外，通过这样设置凸部8、使对发泡层3施加的外力向各个方向分散，即使使充实层4的厚度变薄，也能够抑制发泡层3的变形。由此，能够使充实层4在绝缘层5中所占的比例减小。因此，能够抑制绝缘层5的发泡度的降低。即，能够使绝缘层5的发泡度为70%以上80%以下，优选73%以上77%以上，更优选75%。此外，绝缘层5的发泡度是指将发泡层3和充实层4合在一起时的发泡度。因此，例如在发泡层3的发泡度一定的情况下，充实层4的厚度越薄，能够使绝缘层5的发泡度越大。由此，能够使同轴电缆1的电介质损失降低。此外，当绝缘层5的发泡度小于70%时，同轴电缆1的电介质损失变大。另外，当绝缘层5的发泡度超过80%时，需要使构成绝缘层5的发泡层3的发泡度提高，存在在发泡层
3中产生空心洞的情况。

[0031] 充实层4的最薄的部位的厚度（以下也称为“最薄厚度”）t1可以为100μm以下，优选为50μm以上100μm以下。此外，充实层4的最薄厚度t1是充实层4的除凸部8以外的部位的厚度、即充实层4的凹部的厚度。由此，充实层4在绝缘层5中所占的比例变小，因此，能够进一步抑制绝缘层5的发泡度的降低。

[0032] 另外，充实层4的最薄厚度t1与最厚的部位的厚度（以下也称为“最厚厚度”）t2的层厚比可以为最薄厚度t1:最厚厚度t2=1:2～1:4。此外，充实层4的最厚厚度t2是充实层4的凸部8的厚度，与充实层4的凸部8的高度一致。由此，能够进一步抑制发泡层3的变形，同时使同轴电缆1的电介质损失进一步降低。当最薄厚度t1:最厚厚度t2小于1:2时，凸部8的厚度薄，即凸部8的高度低，因此，使对发泡层3施加的外力分散的效果变低。因此，存在发泡层3变形的情况。另外，当最薄厚度t1:最厚厚度t2超过1:4时，凸部8的厚度厚，即凸部8的高度高，因此充实层4在绝缘层5中所占的比例变大，因此存在绝缘层
5的发泡度降低、同轴电缆1的电介质损失变大的情况。

[0033] 凸部8可以以高宽比（凸部8的高度/凸部8的宽度）成为0.5以上1.5以下、优选0.5以上1.0以下的方式形成。由此，能够进一步抑制由于施加外力而导致的发泡层3的变形，同时使同轴电缆1的电介质损失进一步降低。当高宽比小于0.5时，凸部8的高度低，因此使对发泡层3施加的外力分散的效果变低。因此存在发泡层3变形的情况。另外，当高宽比超过1.5时，凸部8的高度变得过高，因此充实层4在绝缘层5中所占的比例变大。即，发泡层3在绝缘层5中所占的比例变小。因此，存在绝缘层5的发泡度变低（例如变成小于70%）的情况，存在同轴电缆1的电介质损失变大的情况。

[0034] 充实层4，在与充实层4的长度方向正交的方向的截面中，凸部8的宽度d1与相邻的凸部8、8间的距离d2的比可以为1:1.2以上1:3以下。由此，能够进一步抑制由于施加外力而导致的发泡层3的变形。当凸部8的宽度d1与相邻的凸部8、8间的距离d2的比小于1:1.2时，相邻的凸部8、8间的距离d2过短，因此，使外力分散的效果降低，并且存在充实层4在绝缘层5中所占的比例变多、绝缘层5的发泡度变高的情况。另外，当凸部8的宽度d1与相邻的凸部8、8间的距离d2的比超过1:1.2时，相邻的凸部8、8间的距离d2变长，使外力分散的效果降低。

[0035] 充实层4通过利用例如挤出机等挤出包覆规定的材料而形成。作为形成充实层4的材料，可以使用与形成发泡层3的材料的粘度相比具有更高的粘度的树脂。作为形成充实层4的材料，能够使用例如聚烯烃类树脂等。即，作为形成充实层4的材料，能够将例如LDPE（低密度聚乙烯）、HDPE（高密度聚乙烯）、LLDPE（直链状低密度聚乙烯）、MDPE（中密度聚乙烯）、UHMWPE（超高分子量聚乙烯）等各种聚乙烯单独使用或多种混合使用。

[0036] 另外，发泡层3的发泡度可以为例如70%以上80%以下。由此，容易使绝缘层5的发泡度为70%以上80%以下，能够使同轴电缆1的电介质损失进一步降低。此外，当发泡层3的发泡度小于70%时，同轴电缆1的电介质损失变大。另外，当发泡层3的发泡度超过80%时，存在在发泡层3中产生空心洞的情况。

[0037] 作为形成发泡层3的绝缘材料，能够使用例如介电常数低的树脂等。作为形成发泡层3的绝缘材料，能够使用例如聚烯烃类树脂。作为聚烯烃类树脂，可以列举聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、嵌段聚丙烯、无规聚丙烯、植入（implant）型TPO、乙烯-丙烯-丁烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-辛烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、乙烯-戊烯共聚物。作为聚乙烯，能够将LDPE（低密度聚乙烯）、HDPE（高密度聚乙烯）、LLDPE（直链状低密度聚乙烯）、MDPE（中密度聚乙烯）、UHMWPE（超高分子量聚乙烯）等各种聚乙烯单独使用或多种混合使用。例如，作为绝缘材料，能够使用将MDPE和LDPE以70/30～90/10的比例混合而得到的材料。

[0038] 作为使绝缘材料发泡的方法，有物理的发泡方法（物理发泡）和化学的发泡方法（化学发泡）。物理发泡例如是指以下的方法：在比大气压高的压力（高压）下的挤出机内向绝缘材料中注入（压入）发泡气体，使发泡气体在绝缘材料中溶解后，使这样的绝缘材料在大气压下开放，由此使绝缘材料发泡。作为发泡气体，能够使用例如二氧化碳（CO2）气体、氮（N2）气、氩（Ar）气等不活泼气体。此时，发泡气体的注入压力能够根据发泡层3的发泡度和绝缘材料的种类等适当进行调整。此外，在利用物理发泡使绝缘材料发泡的情况下，可以在绝缘材料中添加有发泡成核剂。化学发泡是指以下的方法：在使用挤出机使化学发泡剂在绝缘材料中混合而分散的状态下，在混炼时将分散在绝缘材料中的化学发泡剂加热至化学发泡剂的分解温度以上，由此使化学发泡剂发生分解反应，利用由化学发泡剂的分解产生的气体使绝缘材料发泡。此外，作为化学发泡剂，没有特别限定，能够使用公知的各种化学发泡剂。

[0039] 在形成发泡层3的绝缘材料中，除了发泡剂（化学发泡剂）以外，还可以添加有例如抗氧化剂、粘度调整剂、增稠剂、增强剂、填充剂、增塑剂（软化剂）、硫化剂、硫化促进剂、交联剂、交联助剂、发泡助剂、加工助剂、防老化剂、耐热稳定剂、耐侯稳定剂、防静电剂、润滑剂、其它添加剂等。

[0040] 在绝缘层5的外周、即充实层4的外周，以包覆充实层4的外周表面的方式设置有外部导体6。作为外部导体6，能够使用例如成形为圆筒状的铜材（铜管）。此外，可以对外部导体6进行波纹化处理。由此，能够使同轴电缆1的弯曲性提高。

[0041] 在外部导体6的外周，以包覆外部导体6的外周表面的方式设置有护套（外包覆层）7。护套7通过将例如聚乙烯（PE）、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（EVA）、聚氨酯等树脂挤出成形而形成。

[0042] （2）同轴电缆的制造方法

[0043] 接着，对本发明的一个实施方式的同轴电缆1的制造方法进行说明。

[0044] （中心导体形成工序）

[0045] 首先，作为中心导体2，准备例如成形为管状的铜材（铜管）。然后，对中心导体2进行波纹化处理，使得在中心导体2形成峰部和谷部。此外，也可以不进行波纹化处理。

[0046] （绝缘层形成工序）

[0047] 在中心导体形成工序结束之后，以包覆中心导体2的外周的方式，从中心导体2侧起依次形成发泡层3和充实层4以形成绝缘层5。

[0048] [发泡层形成工序]

[0049] 首先，以包覆中心导体2的外周的方式，利用例如挤出机等挤出包覆形成发泡层3的绝缘材料以形成发泡层3。例如，首先，将挤出机内调整为比大气压高的压力（高压），在这样的高压下，向挤出机内的绝缘材料中注入发泡气体。由此，发泡气体溶解在绝缘材料中。然后，在向绝缘材料中注入发泡气体的同时，以包覆从例如送出机等送出的中心导体2的外周的方式，挤出包覆溶解有发泡气体的绝缘材料。当在中心导体2的外周挤出包覆的绝缘材料从高压下向大气压开放时，溶解在绝缘材料中的发泡气体变得过饱和而成为气体。
由此，绝缘材料发泡，形成发泡层3。

[0050] [充实层形成工序]

[0051] 在发泡层形成工序结束后，以包覆发泡层3的外周的方式，利用例如挤出机等挤出包覆形成充实层4的材料以形成充实层4。然后，例如使形成有发泡层3和充实层4的中心导体2通过冷却管（精整模（sizing die））内，由此，在调整好充实层4的外径的同时，使发泡层3和充实层4冷却凝固以形成绝缘层5。

[0052] 例如，如图3所示，冷却管9可以沿冷却管9的圆周方向交替地设置有：规定温度（例如10℃～15℃左右）的水通过的水通路10；和规定温度（例如40℃～50℃左右）的温水通过的温水通路11。此时，在水通路10与温水通路11之间可以设置有绝热材料。由此，能够在冷却管9的周方向使冷却速度不同。其结果，能够在发泡层3与充实层4的界面（即充实层4的内周面）形成凸部8。

[0053] 即，当形成有发泡层3和充实层4的中心导体2通过交替地设置有水通路10和温水通路11的冷却管9内时，通过设置有水通路10的部分的充实层4比通过设置有温水通路11的部分的充实层4更快地被冷却凝固。即，通过设置有温水通路11的部分的充实层4，与通过设置有水通路10的部分的充实层4相比，凝固的速度慢。因此，通过设置有温水通路11的部分的充实层4在周方向上被向设置有水通路10的部分拉拽。此时，充实层4的外周与冷却管9的内周接触。因此，通过设置有温水通路11的部分的充实层4，当在周方向上被向设置有水通路10的部分拉拽时，被向充实层4的内周侧拉拽。其结果，能够在充实层4的内周面形成凸部8。此外，通过分别改变在温水通路11内流动的温水的温度、水通路10和温水通路11的宽度，能够分别调整充实层4的最薄厚度t1、最厚厚度t2、凸部8的宽度d1、相邻的凸部8、8间的距离d2、高宽比。

[0054] （外部导体形成工序）

[0055] 接着，以包覆绝缘层5的外周的方式设置外部导体6，使得外部导体6与中心导体2和绝缘层5形成同轴结构。作为外部导体6，例如能够使用成形为圆筒状的铜材（铜管）。
对外部导体6进行以下的波纹化处理：通过使用例如环形圈等对外部导体6的规定部位进行加压使外部导体6的规定部位凹陷，在外部导体6形成谷部和峰部。此外，也可以不进行波纹化处理。

[0056] （护套形成工序）

[0057] 以包覆外部导体6的周围的方式，将例如聚乙烯（PE）等树脂挤出成形而形成护套7，形成同轴电缆1。由此，本实施方式的同轴电缆1的制造工序结束。

[0058] （3）本实施方式的效果

[0059] 根据本实施方式，能够得到以下所示的1个或多个效果。

[0060] （a）根据本实施方式，以包覆中心导体2的外周的方式，形成有从中心导体2侧起依次具备发泡层3和充实层4的绝缘层5。而且，在发泡层3与充实层4的界面，沿充实层4的长度方向设置有凸部8。通过这样设置凸部8，能够使由于对同轴电缆1施加外力而被施加至发泡层3的外力向各个方向分散。因此，能够抑制发泡层3被压坏（压溃）、发泡层3整体变形的情况。即，即使在对发泡层3施加有外力的情况下，也能够仅止于主要是发泡层
3的凸部、即主要是位于充实层4的凹部的发泡层3的部位被压坏（压溃）。

[0061] （b）根据本实施方式，如上所述，在发泡层3与充实层4的界面，沿充实层4的长度方向设置凸部8，使对发泡层3施加的外力向各个方向分散。由此，即使使充实层4的厚度变薄也能够抑制发泡层3的变形。因此，能够使充实层4在绝缘层5中所占的比例变小，能够抑制绝缘层5的发泡度的降低。即，能够使绝缘层5的发泡度为70%以上80%以下。其结果，能够使同轴电缆1的电介质损失降低。

[0062] （c）根据本实施方式，凸部8的高宽比为0.5以上1.5以下。由此，能够进一步抑制由于施加外力而导致的发泡层3的变形，同时使同轴电缆1的电介质损失进一步降低。即，在对同轴电缆1施加外力时，能够使外力分散以抑制发泡层3的变形，并且能够抑制由于充实层4在绝缘层5中所占的比例变小而导致的绝缘层5的发泡度的降低，能够使同轴电缆1的电介质损失进一步降低。

[0063] （d）根据本实施方式，凸部8的最薄的部位的厚度为100μm以下。由此，充实层4在绝缘层5中所占的比例变小，因此，能够进一步抑制绝缘层5的发泡度的降低。因此，能够使同轴电缆1的电介质损失进一步降低。

[0064] （本发明的其它实施方式）

[0065] 以上，对本发明的一个实施方式进行了具体说明，但是本发明并不限定于上述的实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内适当变更。

[0066] 在上述的实施方式中，对沿充实层4的长度方向呈直线状设置凸部8的情况进行了说明，但是并不限定于此。例如，凸部8也可以在充实层4的内周面呈波状设置。另外，例如，凸部8也可以在充实层4的内周面呈以充实层4的中心轴为轴的螺旋状设置。

[0067] 实施例

[0068] 接着，对本发明的实施例进行说明，但是本发明并不限定于这些实施例。

[0069] （实施例1）

[0070] 在实施例1中，作为中心导体，使用成形为中空管状、直径为13.5mm的铜材（铜管）。

[0071] 接着，首先，将挤出机内调整为比大气压高的压力，在这样的高压下，向挤出机内的形成发泡层的绝缘材料中注入规定量的发泡气体，使发泡气体溶解在绝缘材料中。然后，在向绝缘材料中注入发泡气体的同时，以包覆中心导体的外周的方式，挤出包覆溶解有发泡气体的绝缘材料。然后，将在中心导体的外周挤出包覆的绝缘材料从高压下向大气压开放，使溶解在绝缘材料中的发泡气体成为气体，由此使绝缘材料发泡，形成发泡度为76.35%的发泡层。

[0072] 接着，使用挤出机，在发泡层的外周挤出包覆形成充实层的材料，形成充实层。然后，使形成有发泡层和充实层的中心导体，通过沿周方向交替地设置有水通过的水通路和温水通过的温水通路、且内周的直径为33.5mm的冷却管内。此时，在水通路使10℃的水通过，在温水通路使50℃的温水通过，使得充实层的最薄厚度t1成为50μm、最厚厚度t2成为200μm。由此，在充实层的内周面形成高宽比为0.5的凸部，同时使发泡层和充实层冷却凝固，形成外径为33.5mm、发泡度为75%的绝缘层。然后，抽出中心导体，将抽出中心导体后的绝缘层作为实施例1的试样。

[0073] （实施例2）

[0074] 在实施例2中，对在挤出机内向形成发泡层的绝缘材料中注入的发泡气体的量进行调整，形成发泡度为75.81%的发泡层，并且，在水通路使30℃的水通过，在温水通路使50℃的温水通过，使得充实层的最薄厚度t1成为100μm、最厚厚度t2成为200μm，在充实层的内周面形成高宽比为1的凸部。除此以外，与上述的实施例1同样地操作，在中心导体的外周形成绝缘层。然后，抽出中心导体，将抽出中心导体后的绝缘层作为实施例2的试样。

[0075] （实施例3）

[0076] 在实施例3中，对在挤出机内向形成发泡层的绝缘材料中注入的发泡气体的量进行调整，形成发泡度为75.74%的发泡层，并且，在水通路使10℃的水通过，在温水通路使50℃的温水通过，使得充实层的最薄厚度t1成为50μm、最厚厚度t2成为200μm，在充实层的内周面形成高宽比为0.25的凸部。除此以外，与上述的实施例1同样地操作，在中心导体的外周形成绝缘层。然后，抽出中心导体，将抽出中心导体后的绝缘层作为实施例3的试样。

[0077] （实施例4）

[0078] 在实施例4中，对在挤出机内向形成发泡层的绝缘材料中注入的发泡气体的量进行调整，形成发泡度为76.8%的发泡层，并且，在水通路使10℃的水通过，在温水通路使50℃的温水通过，使得充实层的最薄厚度t1成为50μm、最厚厚度t2成为200μm，在充实层的内周面形成高宽比为2的凸部。除此以外，与上述的实施例1同样地操作，在中心导体的外周形成绝缘层。然后，抽出中心导体，将抽出中心导体后的绝缘层作为实施例4的试样。

[0079] （比较例1）

[0080] 在比较例1中，对在挤出机内向形成发泡层的绝缘材料中注入的发泡气体的量进行调整，在中心导体的外周形成发泡度为75%的发泡层。然后，使形成有发泡层的中心导体通过内周的直径为33.5mm的冷却管内，使发泡层冷却凝固。此时，作为冷却管，使用在圆周方向不产生温度差的、即在周方向冷却速度均匀的冷却管。除此以外，与上述的实施例1同样地操作，在中心导体的外周形成由发泡层构成的绝缘层。然后，抽出中心导体，将抽出中心导体后的绝缘层作为比较例1的试样。

[0081] （比较例2）

[0082] 在比较例2中，对在挤出机内向形成发泡层的绝缘材料中注入的发泡气体的量进行调整，在中心导体的外周形成发泡度为77.19%的发泡层。然后，在发泡层的外周形成厚度为200μm的充实层。此时，作为冷却管，使用在圆周方向不产生温度差的、即在周方向冷却速度均匀的冷却管。由此，在中心导体的外周形成绝缘层，该绝缘层具备发泡层和未形成凸部的充实层。然后，抽出中心导体，将抽出中心导体后的绝缘层作为比较例2的试样。

[0083] （比较例3）

[0084] 在比较例3中，对在挤出机内向形成发泡层的绝缘材料中注入的发泡气体的量进行调整，在中心导体的外周形成发泡度为75.54%的发泡层。然后，在发泡层的外周形成厚度为50μm的充实层。除此以外，与比较例2同样地操作，在中心导体的外周形成绝缘层，该绝缘层具备发泡层和未形成凸部的充实层。然后，抽出中心导体，将抽出中心导体后的绝缘层作为比较例3的试样。

[0085] 对这些实施例1～4和比较例1～3的各试样，测定变形率进行了评价。变形率的测定利用以下记载的方法进行。即，首先，从实施例1～4和比较例1～3的各试样分别切出长度为50mm的样品。接着，在从各试样切出的各样品上卷绕1周宽度为25mm的铜带。然后，将铜带的一端固定，用250N的力拉铜带的另一端，进行拉伸试验。对进行拉伸试验前的各样品的截面积和进行拉伸试验后的各样品的截面积进行测定，根据下述的（式1）计算出变形率。此外，在本实施例中，将变形率为10%以下的样品判定为发泡层的变形被抑制的样品。

[0086] （式1）

[0087] 变形率（%）=（（拉伸试验前的样品的截面积-拉伸试验后的样品的截面积）/拉伸试验前的样品的截面积）×100

[0088] 将对实施例1～4和比较例1～3的各试样测定的变形率的测定结果汇总示于表1。

[0089] [表1]

[0090]

[0091] 从表1确认了：实施例1～4的各试样，当在充实层设置有凸部的情况下，即使使充实层的最薄厚度为100μm以下，也能够抑制发泡层的变形。即，确认了：对发泡层施加的外力由凸部分散，能够抑制发泡层的变形。另外，确认了：使发泡层的发泡度为75.74%～76.8%，能够使绝缘层的发泡度为75%。即，确认了：能够使发泡层的发泡度降低至与绝缘层仅由发泡层构成、未形成充实层的比较例1的发泡层相同的程度。此外，由比较例2可知，当在充实层未设置凸部的情况下，为了使变形率为10%以下，需要使充实层的厚度为200μm。
因此，确认了：为了使绝缘层的发泡度为75%，需要使发泡层的发泡度为77.19%。确认了：
当发泡层的发泡度变高时，在发泡层中产生空心洞。另外，由比较例3确认了：当在充实层未设置凸部的情况下，当使充实层的厚度（即，充实层的最薄厚度）为100μm以下、即50μm时，发泡层的变形率变得高于10%。

[0092] 另外，由实施例1～2确认了：当凸部的高宽比为0.5～1.5时，能够使发泡层的变形率进一步降低至7%以下，并且在发泡层中不产生空心洞。此外，实施例4中，虽然发泡层的变形率能够降低至3%，但是在发泡层中产生了空心洞。

[0093] 由以上的结果确认了：当由发泡层和充实层构成绝缘层，并且在充实层的内周面沿上述充实层的长度方向设置有凸部时，对发泡层施加的外力由凸部分散，能够抑制发泡层的变形。另外，确认了：能够使充实层的最薄厚度变薄，因此能够使充实层在绝缘层中所占的比例降低，因此能够抑制发泡层的发泡度变高。其结果，具备这样的绝缘层而形成的同轴电缆，电介质损失降低。

[0094] 符号说明

[0095] 1 同轴电缆

[0096] 2 中心导体

[0097] 3 发泡层

[0098] 4 充实层

[0099] 5 绝缘层

[0100] 6 外部导体

[0101] 7 护套

[0102] 8 凸部