本发明公开了一种基于碳化硅的指状肖特基接触式核电池及其制作方法，主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、指状半透明肖特基接触层(2)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(5)、掺杂浓度为5×1017～5×1018cm-3的n型SiC衬底(6)和欧姆接触电极(7)，放射性同位素源层的周围是SiO2钝化层(4)。该肖特基接触层(2)由一条由水平指条和多条垂直指条组成，所有垂直指条位于水平指条的一侧，放射性同位素源层(3)位于垂直指条及垂直指条之间的外延层(5)上。本发明具有能量损失小，能量转换效率高的优点，可作为MEMS的片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。