技术领域 本发明涉及一种处理方法以及处理装置，更详细地说，涉及以不 同的处理条件连续地处理例如液晶显示装置(LCD)玻璃基板或半导体 晶片等多个被处理体的处理方法以及处理装置。 背景技术 通常，在LCD制造中，是通过在作为被处理体的LCD玻璃基板(以 下称为LCD基板)上与半导体晶片的制造工艺同样地成膜出规定的膜 后，涂敷光致抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜，与回路图案相对应地对抗蚀 剂膜进行曝光，对其进行显影处理这种被称为光刻技术而形成回路图 案。 在上述的光刻技术中，作为被处理体的LCD基板通常是经过下述 一系列的处理在抗蚀剂层上形成规定的回路图案，即，在实施了清洗 处理后实施脱水烘烤处理，然后，实施附着性(疏水化)处理，之后， 在冷却处理后，LCD基板在涂敷装置上传送，进行抗蚀剂涂敷。涂敷了 抗蚀剂的LCD基板进而被传送到热处理单元中进行热处理(预烘烤处 理)，抗蚀剂中的水分蒸发。接着，LCD基板向曝光装置传送，在进行 了曝光处理后被传送到显影装置中，在进行了显影处理后被传送到热 处理装置中进行热处理(后烘烤处理)。 而且，在上述的光刻技术的处理工序中，由于存在于LCD基板的 表面上涂敷不同种类的抗蚀剂膜或绝缘膜等的情况，所以在涂敷装置 上设置不同种类的处理液供应喷嘴，根据目的从规定的处理液供应喷 嘴向LCD基板供应例如抗蚀剂膜用或绝缘膜(平坦化膜)用等的处理 液，形成薄膜。 在这种情况下，由于因处理液的种类或膜厚等的不同而涂敷后的 热处理的温度条件也不同，所以需要在不同的温度条件下进行热处 理。因此，例如在前处理批次的LCD基板的处理结束后，进行后处理 批次的LCD基板的处理的情况下，要预先准备两台热处理装置，或者 对一台热处理装置的温度进行切换，进行每一批次的处理。 但是，准备两台热处理装置存在着装置整体大型化，同时设备费 用增大的问题。特别是，近年来，具有大型化倾向的LCD基板的制造 工序中装置整体明显地大型化。而在对一台热处理装置进行切换而加 以使用的方法中，虽然实现了装置的小型化，但对处理温度进行切换、 设定到可供处理的温度需要大量的时间，存在着处理能力显著降低的 问题。 发明内容 本发明是鉴于上述事实而提出的，其目的在于提供一种处理方法 和处理装置，可维持装置的小型化，即使在不同种类的处理条件下也 能够连续地处理多个被处理体。 为了解决上述课题，本发明的处理方法包括下述工序：(a)将对 多个被处理体进行处理的第1处理部的该处理条件设定为第1处理条 件的工序；(b)在上述工序(a)之后，在上述第1处理部中以上述 第1处理条件对上述被处理体中的第1被处理体进行处理的工序；(c) 将对上述被处理体进行处理的第2处理部的该处理条件设定为与上述 第1处理条件不同的第2处理条件的工序；(d)在上述工序(c)之 后，在上述第2处理部中以上述第2处理条件对上述被处理体中的第2 被处理体进行处理的工序；(e)在上述工序(b)之后、并且在上述 工序(d)的中途，将上述第1处理部的处理条件变更设定为上述第2 处理条件的工序；(f)在上述工序(e)之后，在上述第1处理部中 以上述第2处理条件对上述被处理体中的第3被处理体进行处理的工 序。 本发明在工序(e)中，在第1处理部对第1被处理体进行了处理 后，上述第2处理部对第2被处理体进行处理的中途，在第1处理部 中变更设定成第2处理条件。通过重复这样的处理，即使在不同种类 的处理条件下，也能够连续地处理多个被处理体。即，例如在第2处 理部对第2被处理体进行了处理后(工序(d)之后)，上述第1处理 部对第3被处理体进行处理的中途(工序(f)的中途)，将第2处理 部的处理条件变更设定成第3处理条件即可。在这种情况下，第3处 理条件与第2处理条件不同。但也并不一定与第1处理条件不同。这 样，通过尽量抑制增加装置的数量，能够维持装置的小型化，同时， 即使在不同种类的处理条件下，也能够连续地处理多个被处理体。 在本发明中，例如工序(c)可在工序(a)的中途(或者同时)， 工序(a)之后，或者工序(b)的中途进行。而且，第1、第2、第3 被处理体表示各自不同的对象物。 在本发明的一实施方式中，上述工序(c)是在上述工序(b)的 中途进行的。这样，通过尽量较迟地设定第2处理条件，可防止能量 的浪费。在第2处理部中的处理为加热处理的情况下非常有效。 在本发明的一实施方式中，(g)上述工序(b)具有将上述第1 被处理体作为包含在第1批次中的被处理体进行处理的工序，(h)上 述工序(d)和上述工序(f)具有将上述第2和第3被处理体作为包 含在上述第1批次后处理的第2批次中的被处理体进行处理的工序。 所谓批次，在本发明中，包括在第1批次中的多个被处理体中一个或 两个以上的被处理体在第1处理部中进行处理。而且，包含在第一次 之后处理的第2批次中的多个被处理体中的一个或两个以上在第2处 理部中进行处理。进而，在第1处理部的处理结束后，包含在第2批 次中的多个被处理体中的一个或一个以上在第1处理部中进行处理。 这样，本发明在以批次为单位处理被处理体的情况下非常有效。 在本发明的一实施方式中，上述第1处理部具有对上述被处理体 进行处理的第1处理单元和第2处理单元，上述工序(e)具有：(i) 将上述第1处理单元的处理条件变更设定为上述第2处理条件的工 序；(j)在上述工序(i)之后，将第2处理单元变更设定为上述第2 处理条件的工序；上述工序(f)具有：(k)在上述工序(i)之后， 在上述第1处理单元中对多个上述第3被处理体中的第4被处理体进 行处理的工序；(1)在上述工序(j)之后，在上述第2处理单元中 对上述第3被处理体中的第5被处理体进行处理的工序。这样，能够 同时处理多个被处理体，提高处理量，即使在不同种类的处理条件下 也可以连续地处理多个被处理体。 在本发明的一实施方式中，还具有：在上述工序(a)之前，存储 将上述第2处理部的处理条件设定为上述第2处理条件后到能够以该 第2处理条件对上述被处理体进行处理的状态所需要的时间的工序； 通过基于所存储的上述时间进行上述工序(e)，最迟在上述工序(b) 结束时间之前成为能够在上述第1处理部中以第2处理条件对上述被 处理体进行处理的状态的工序。这样，通过预先存储在上述第2处理 部中设定为第2处理条件后到能够以该第2处理部进行处理所需要 的时间，例如能够尽量较迟地设定第2处理条件。可防止能量的浪费。 在第2处理部中的处理为加热处理的情况下非常有效。 在本发明的一实施方式中，上述工序(a)具有设定第1温度条件 作为上述第1处理条件的工序，同时上述工序(b)具有以上述第1温 度条件对上述被处理体进行热处理的工序，上述工序(c)和上述工序 (e)具有设定第2温度条件作为上述第2处理条件的工序，同时上述 工序(d)和上述工序(f)具有以上述第2温度条件对上述被处理体 进行热处理的工序。 本发明所涉及的处理装置具备：至少能够以第1处理条件和与该 第1处理条件不同的第2处理条件对多个被处理体进行处理的第1处 理部；至少能够以上述第2处理条件对上述被处理体进行处理的第2 处理部；控制机构，所述控制机构进行下述控制，在上述第2被处理 体的上述第2处理部的处理中，在上述第1处理部中以上述第1处理 条件对上述被处理体中的第1被处理体的处理结束后，将上述第1处 理部的处理条件变更设定为上述第2处理条件，在该第1处理部中以 上述第2处理条件对上述被处理体中的第3被处理体进行处理。 在本发明中，通过设置上述的控制机构，即使在不同种类的处理 条件下也能够连续地处理多个被处理体。即控制成，例如在第2处理 部中对第2被处理体进行了处理之后，在上述第1处理部中对第3被 处理体进行处理的中途，例如将第2处理部中的处理条件设定成第3 处理条件即可。在这种情况下，第3处理条件与第2处理条件不同。 但并不是一定与第1处理条件不同。这样，通过尽量抑制增加装置的 数量，能够维持装置的小型化，同时，即使在不同种类的处理条件下， 也能够连续地处理多个被处理体。 在本发明的一实施方式中，上述第1被处理体包含在第1批次中， 上述第2和第3被处理体包含在上述第1批次后处理的第2批次中。 在本发明的一实施方式中，上述第1处理部具有将上述第1和第2 处理条件分别作为第1、第1温度条件对上述被处理体进行热处理的第 1热处理装置，上述第2处理部具有将上述第2处理条件作为上述第2 温度条件对上述被处理体进行热处理的第2热处理装置。 在本发明的一实施方式中，上述第1热处理装置和第2热处理装 置配置在上下方向，还具备至少在上述第1热处理装置和上述第2热 处理装置之间传送被处理体的传送机构，上述控制机构具备发送指 令、将上述被处理体从上述第1或第2中配置在下侧的热处理装置顺 序地传送的机构。由于温度低的热向下方流动，温度高的热向上方流 动，所以通过以传送机构从下侧的热处理装置中顺序地传送进行热处 理，能够不浪费热能地高效率地进行处理。 为了解决上述课题，本发明的处理方法是以不同的处理条件连续 地对实施处理的多个被处理体进行处理的处理方法，准备设定为先处 理的被处理体的处理条件的第1处理部，和设定为后处理的被处理体 的处理条件的至少一个第2处理部，同时使第1处理部和第2处理部 的处理条件可变更，在将先处理的上述被处理体传送到上述第1处理 部进行处理期间，将上述第2处理部设定为后处理的上述被处理体的 处理条件并使其待机，在上述第1处理部的处理结束后，将后处理的 上述被处理体传送到上述第2处理部进行处理，在上述第2处理部的 处理期间，将上述第1处理部变更为与上述第2处理部相同的处理条 件，将后处理的上述被处理体传送到处理条件变更了的第1处理部实 施处理，在上述第2处理部的处理结束后，将上述第2处理部变更为 进而后处理的上述被处理体的处理条件并使其待机，以下，同样地， 将上述第1处理部和第2处理部的处理条件变更为后处理的上述被处 理体的处理条件，连续地进行多个被处理体的处理。 在本发明中，优选地，由多个处理单元形成上述第1处理部，将 各处理单元顺序地变更为后处理的被处理体的处理条件，同时将后处 理的被处理体顺序地传送到变更了的处理单元中进行处理。 而且，上述第1处理部和第2处理部可以是例如在规定的温度条 件下在被处理体上实施热处理的热处理部。 而且，本发明的处理装置为将上述的处理方法具体化的装置，是一种 以不同的处理条件连续地对实施处理的多个被处理体进行处理的处理装 置，具备：被处理体的搬入、搬出部；由可分别设定在上述被处理体的不 同处理条件的第1处理部和至少一个第2处理部构成的处理部；在上述搬 入、搬出部和处理部之间交接、传送上述被处理体的传送机构；控制机构， 所述控制机构进行如下的控制，在先处理的上述被处理体在由上述第1处 理部进行处理的期间，将上述第2处理部设定成后处理的被处理体的处理 条件，在第1处理部的被处理体的处理结束后，向上述传送机构发 送将被处理体传送到第2处理部的指令，同时将第1处理部的处理条 件变更设定成后处理的被处理体的处理条件。 在本发明中，优选地，上述第1处理部具备多个处理单元，上述 控制机构为可顺序地变更设定各处理单元并进行控制的控制机构。 而且，上述第1处理部和第2处理部可以由以规定的温度条件在 被处理体上实施热处理的热处理装置形成。在这种情况下，上述第1 和第2处理部优选地具备：载置被处理体的载置台；加热上述载置台 的加热机构；冷却上述载置台的冷却机构；检测上述载置台的温度的 温度检测机构；基于来自上述温度检测机构的检测信号、或者预先设 定的被处理体的处理开始或处理结束的信号，控制上述加热机构或冷 却机构的控制机构。 根据本发明，在将先处理的被处理体传送到第1处理部进行处理 的期间，将第2处理部设定成后处理的被处理体的处理条件并使其待 机，在第1处理部的处理结束后，可将后处理的被处理体传送到第2 处理部进行处理。而且，可在第2处理部的处理期间，将第1处理部 变更成与第2处理部相同的处理条件，将后处理的被处理体传送到处 理条件变更了的第1处理部中实施处理。另外，在第2处理部的处理 结束后，将第2处理部变更成进而后处理的被处理体的处理条件并使 其待机，以下同样地，将第1处理部和第2处理部的处理条件变更成 后处理的被处理体的处理条件，可连续地进行多个被处理体的处理。 因此，可连续地对不同的处理条件的多个被处理体进行处理。所以， 仅通过存在至少一个第2处理部，即能够连续地处理不同处理条件的 多个被处理体。 根据本发明，由于第1处理部由多个处理单元形成，使各处理单 元顺序地变更成后处理的被处理体的处理条件，同时，将被处理体顺 序地传送到变更了的处理单元中进行处理，所以，实际上处理的被处 理体可同时处理多个，能够实现处理效率的进一步提高。 根据本发明，通过使第1处理部和第2处理部为以规定的温度条 件在被处理体上实施热处理的热处理部，能够连续地对不同热处理条 件的多个被处理体进行热处理。 本发明的其他特征和优点可通过对附图和发明的实施方式的说明 而进一步明了。 附图说明 图1为表示组装了本发明的处理装置的LCD玻璃基板的抗蚀剂涂 敷显影处理系统的立体图。 图2为上述抗蚀剂涂敷显影处理系统的示意俯视图。 图3为表示上述抗蚀剂涂敷显影处理系统中抗蚀剂涂敷显影装置 的抗蚀剂处理单元内部的俯视图。 图4为表示上述抗蚀剂涂敷显影装置的第1热处理单元区的侧视 图。 图5为表示上述抗蚀剂涂敷显影装置的第2热处理单元区的侧视 图。 图6为表示上述抗蚀剂涂敷显影处理装置的第3热处理单元区的 俯视图。 图7为表示本发明的热处理装置主要部分的剖视图。 图8为表示本发明的处理方法的工序一例的框图。 图9为其他实施方式的处理方法的工序一例的框图。 具体实施方式 以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。 图1为表示组装了本发明的处理装置的LCD玻璃基板的抗蚀剂涂 敷显影处理系统的立体图，图2为抗蚀剂涂敷显影处理系统的示意俯 视图。 上述抗蚀剂涂敷显影处理系统100具备载置收放作为被处理体的 多个LCD玻璃基板G(以下称为基板G)的盒体C的盒体站1(搬入、 搬出部)，具有用于在基板G上实施包括抗蚀剂涂敷和显影的一系列 处理的多个处理单元的处理站2(处理部)，以及用于在与曝光装置4 之间进行基板G的交接的接口站3(接口部)，在处理站2的两端上分 别配置盒体站1和接口站3。另外，在图1和图2中，将抗蚀剂涂敷显 影处理系统100的长度方向作为X方向，将在水平面上与X方向垂直 的方向作为Y方向，将在垂直面上与X、Y方向垂直的方向作为Z方向。 盒体站1具备用于在盒体C和处理站2之间进行LCD基板G的搬 入、搬出的传送装置11，在该盒体站1中，进行盒体C相对于外部的 搬入和搬出。而且，传送装置11具有传送臂11a，可在沿着作为盒体 C的配设方向的Y方向设置的传送路径10上移动，通过传送臂11a在 盒体C和处理站2之间进行基板G的搬入和搬出。 处理站2具有基本上沿X方向延伸的基板G传送用的平行的两列 传送线A、B，沿着传送线A，从盒体站1一侧朝向接口站3排列有擦 洗清洗处理单元21(SCR)，第1热处理单元区26，抗蚀剂处理单元 23，以及第2热处理单元区27。而且，沿着传送线B，从接口站3一 侧朝向盒体站1排列有第2热处理单元区27，显影处理单元24(DEV)， i线UV照射单元25(i-UV)，以及第3热处理单元28。擦洗清洗处 理单元21(SCR)上的一部分上设置有激光UV照射单元22(e-UV)。 另外，激光照射单元22(e-UV)是用于在擦洗清洗之前除去基板G 的有机物而设置的，i线UV照射单元25(i-UV)是用于进行显影的 脱色处理而设置的。 上述擦洗清洗处理单元21(SCR)中，基板G不会向以往那样在其 中旋转，而是边大致水平地传送边进行清洗处理和干燥处理。在上述 显影处理单元24(DEV)中，基板G也不会在其中旋转，而是边大致水 平地传送边进行显影液涂敷、显影后的显影液清洗、以及干燥处理。 另外，在这些擦洗清洗处理单元21(SCR)以及显影处理单元24(DEV) 中，基板G的传送是例如通过传送辊或传送带进行的，基板G的搬入 口和搬出口设置在相对向的两边上。而且，基板G向i线UV照射单元 25(i-UV)上的传送是通过与显影处理单元24(DEV)的传送机构相 同的机构连续地进行的。 抗蚀剂处理单元23如图3的其内部的俯视图所示，顺序地配置有 一边通过旋转卡盘51使基板G在杯体50内旋转一边从未图示的喷嘴 滴下抗蚀剂液进行涂敷的抗蚀剂液涂敷处理装置23a(CT)，将形成在 基板G上的抗蚀剂膜在减压容器52内减压干燥的减压干燥这种23b (VD)，以及通过可对载置在转台54上的基板G的四边进行扫描的溶 剂喷头53将附着在基板G周缘上的多于的抗蚀剂除去的周缘抗蚀剂除 去装置23c(ER)。 在这种结构的抗蚀剂处理单元23中，通过由导轨55引导而移动 的一对专用臂56将基板G大致水平地在其间传送。该抗蚀剂处理单元 23在相对向的短边上设置有基板G的搬入口57和搬出口58，导轨55 从这些搬入口57和搬出口58向外侧延伸，可通过辅助臂56进行基板 G的交接。 第1热处理单元区26具有将在基板G上实施热处理的热处理单元 叠层而构成的两个热处理单元块31、32(TB)，热处理单元块31(TB) 设置在擦洗清洗处理单元21(SCR)一侧，热处理单元块32(TB)设 置在抗蚀剂处理单元23一侧。而且，在该两个热处理单元块31、32 (TB)之间设置有第1传送装置33(传送机构)。热处理单元块31(TB) 的结构如图4的侧视图所示，从下开始顺序地叠层进行基板G的交接 的通过单元(PASS)，对基板G进行脱水烘烤处理的两个脱水烘烤单 元62、63(DHP)，对基板G实施疏水化处理的附着性处理单元64(AD) 4级。 而且，热处理单元块32(TB)的结构为从下开始顺序地叠层进行 基板G的交接的通过单元65(PASS)，冷却基板G的两个冷却单元66、 67(COL)，对基板G实施疏水化处理的附着性处理单元68(AD)4级。 第1传送装置33的结构为进行来自经由通过单元61(PASS)的 擦洗清洗处理单元21(SCR)的基板G的接收、上述热处理单元之间的 基板G的搬入和搬出、以及基板G向经由通过单元65(PASS)的抗蚀 剂处理单元23的交接。 在这种情况下，第1传送装置33具备上下延伸的导轨91，沿着导 轨升降的升降台92，在升降台92上可向水平的θ方向旋转地设置的基 台93，可在基台93上前进后退地设置的、保持基板G的基板保持臂 94。而且，升降台92的升降是通过由马达95的驱动而动作的未图示 的升降机构、例如滚珠丝杠机构或者压力缸机构等进行的，基台93的 旋转是通过马达96进行的，基板保持臂94的前后移动是通过马达97 驱动的移动机构(图中未示出)进行的。由于第1传送装置33是能够 这样上下移动、前后移动、旋转移动地设置的，所以可访问热处理单 元块31、32(TB)中的任一个单元块。 另一方面，第2热处理单元区27具有将对基板G实施热处理的热 处理单元叠层而构成、适用本发明的处理方法(装置)的两个热处理 单元块34、35(TB)，热处理单元块34(TB)设置在抗蚀剂处理单元 23一侧，热处理单元块35(TB)设置在显影处理单元24(DEV)一侧。 而且，在这两个热处理单元块34、35(TB)之间设置有作为传送机构 的第2传送装置36。 在这种情况下，热处理单元块34(TB)的结构如图5的侧视图所 示，从下开始顺序地叠层进行基板G的交接的通过单元69(PASS)， 对基板G进行预烘烤处理的三个作为热处理单元的预烘烤单元70c (HP3)，70b(HP2)，70a(HP1)，以及一个作为辅助热处理单元的 辅助预烘烤单元70s(HPS)5级。在此，在热处理单元34(TB)上将 三个预烘烤单元70a、70b、70c(HP1、HP2、HP3)和一个辅助预烘烤 单元70s(HPS)叠层设置的理由是，在由预烘烤单元70a、70b、70c (HP1、HP2、HP3)(以下称为第1、第2、第3预烘烤单元70a、70b、 70c)对先热处理批次的基板G进行热处理的期间，预先将辅助预烘烤 单元70s(HPS)设定在后热处理批次的基板G的热处理温度并使其待 机，在前处理批次的基板G的热处理结束后，能够由辅助预烘烤单元 70s(HPS)对后热处理批次的基板G进行热处理。 而且，热处理单元块35(TB)的结构为，从下开始顺序地叠层进 行基板G的交接的通过单元71(PASS)，冷却基板G的冷却单元72 (COL)，以及对基板G进行预烘烤处理的两个预烘烤单元708，70d (HP5、HP4)4级。 第2传送装置36的结构为，进行来自经由通过单元69(PASS) 的抗蚀剂处理单元23的基板G的接收，基板G在上述热处理单元之间 的搬入和搬出，基板G向经由通过单元71(PASS)的显影处理单元24 (DEV)的交接，以及基板G相对于作为后述的接口站3的基板交接部 的扩展、冷却级44(EXT、COL)的交接和接收。另外，由于第2传送 装置36具有与第1传送装置33相同的结构，所以对相同的部分赋予 相同的附图标记，省略其说明。第2传送装置36可访问热处理单元块 34、35中的任一个单元块。 在具有上述结构的第2热处理单元区27中，在预烘烤单元70a～ 70e和辅助预烘烤单元70s上配置有具有同样结构的热处理装置。以 下，以预烘烤单元70a为代表对热处理装置进行详细说明。 上述热处理装置80如图7所示，具备作为载置由第2传送装置36 传送的基板G的载置台的板件P，以及由包围该板件P的下部和周围的 下部容器81a和包围板件P的周围和上部的盖体81构成的处理容器 81。 在这种情况下，处理容器81制成由方形的盖体81b和下部容器81a 构成的例如大致方形的筒状体，盖体81b的结构为进入下部容器81a 的侧壁内侧而形成内部密闭的空间。盖体81b的结构为侧部由支承臂 82支承，可通过未图示的升降机构自由升降。 在盖体81b的中央上设置有连接在排气管83上的排气口81c，在 该排气口81c的周围例如沿着盖体81b的周边方向形成有多个气体供 应孔81d。而且，盖体81b的顶部在从内侧观察时呈从外侧向中心部逐 渐增高地缓慢倾斜，在该倾斜部81e的外缘部上沿着盖体81b的周边 方向形成有多个气体供应孔81d，而且，在盖体81d的顶部上连接有用 于供应氮气或氩气等惰性气体作为净化气体的气体供应管84。 下部容器81a形成有朝向内侧突出的台阶部81f，在该台阶部81f 上设置有例如由铝或陶瓷构成的例如方形的板件P，由台阶部81f保持 该板件P的周缘区域。 在这种板件P的表面上，突出设置有用于以从板件P上浮例如 0.1～0.5mm的状态保持基板G、由例如陶瓷构成的多个、例如3个邻 近支杆85，以从板件P稍稍上浮的状态保持基板G是为了防止基板背 面的颗粒污染的缘故。而且，在板件P的背面上设置有由例如镍丝或 烧结金属构成的、作为加热机构的加热器H，通过该加热器H进行的加 热将板件P加热到规定的温度。 具有上述结构的处理容器81的内部在关闭盖体81b时在板件P的 上下形成两个区分出的空间，即由板件P和盖体81b包围的区域为加 热处理室S1，由板件P和下部容器81a包围的区域为冷却室S2。 在冷却室S2内，在板件P的背面一侧上设置有例如喷出空气或氮 气等冷却气体的多个喷嘴部86a，各喷嘴部86a上连接有由设置在下部 容器81a外侧上的多支管M分支的、构成冷却气体流路的冷却气体供 应管86b的分支端一侧。而且，多支管M经由冷却气体供应主管86c 连接在冷却气体供应源87上。在这种情况下，在冷却气体供应主管86c 上，从冷却气体供应源87一侧开始顺序地加装有流量可调整的第1开 闭阀V1，具有构成冷却模式的佩尔蒂元件的冷却装置88，以及流量可 调整的第2开闭阀V2。而且，通过上述喷嘴部86a、冷却装置88、以 及冷却气体供应源87等构成冷却机构。 而且，在下部容器81a上，贯通冷却室S2和板件P地设置有多个、 例如3个升降销89a，用于在将由第2传送装置36传送的基板G交接 到邻近支杆85上时使基板G升降，这些升降销89的结构为可通过设 置在处理容器81外侧上的升降机构89b升降。而且，在下部容器81a 上设置有导向部件89c，用于不妨碍加热器H的配线地使升降销89a 升降，在侧壁的适当位置上设置有多个冷却气体的排气口81g。 在上述加热处理室S1中，通过从气体供应管84经由气体供应孔 81d供应的、由惰性气体构成的净化气体，产生图中虚线所示的热氛围 的气流。而且，在冷却室S2内，从冷却气体供应管86b经由喷嘴部86a， 向板件P的背面一侧喷出冷却气体，板件P被冷却到规定的温度，进 行该板件P的温度调整。 而且，在上述板件P上埋设有作为温度检测机构的例如由热电偶 构成的温度传感器TS，由该温度传感器TS检测出的温度检测信号传送 到控制机构、例如中央运算处理装置200(以下称为CPU200)中，来 自CPU200的控制信号传送到加热器H以及第1和第2开闭阀V1、V2 上。而且，CPU200接收来自设置在上述盒体站1(搬入、搬出部)上、 检测盒体C内有无基板G的传感器(未图示)的检测信号，输入并存 储处理的基板G的批次单位的开始和结束的信息，基于来自CPU200的 控制信号驱动控制第2传送装置36。 因此，通过由温度传感器TS检测出的温度检测信号以及基于来自 盒体站1(搬入、搬出部)一侧的传感器的信号、来自CPU200的控制 信号，控制加热器H以及第1和第2开闭阀V1、V2和第2传送装置36， 可将板件P的温度切换到先热处理批次的基板G的处理温度和后热处 理批次的基板G的处理温度，规定的热处理单元、即第1～第3预烘烤 单元70a～70c可将基板G传送到辅助热处理单元、即辅助预烘烤单元 70s上进行热处理。 通过将具有上述结构的热处理装置80配置在预烘烤单元70a～ 70c和辅助预烘烤单元70s中，可连续地对实施不同种类的热处理的批 次的基板G进行热处理。例如，在先热处理批次的基板G的热处理温 度条件为最适合于抗蚀剂膜形成的预烘烤温度、例如100℃，后热处理 批次的基板G的热处理温度条件为最适合于绝缘膜(平坦化膜)形成 的预烘烤温度、例如80℃的情况下，可通过以下所示的处理方法连续 处理。 另外，在上述实施方式中，对热处理装置80的加热机构采用加热 器H，冷却机构采用冷却气体的情况进行了说明，但并不仅限于这种结 构。例如，也可以是在设置于板件P上的流通路内流通高温度的热媒 体的加热机构，在同样设置于板件P上的流通路内流通低温度的热媒 体的冷却机构。 以下，参照图8对上述处理方法加以说明。首先，将第1～第3预 烘烤单元70a～70c(HP1～HP3)的板件P设定在先热处理批次的基板 G的热处理温度、例如100℃，将辅助预烘烤单元70s(HPS)的板件P 设定在后热处理批次的基板G的热处理温度、例如80℃(参照图8 (a))。在这种状态下，第2传送装置36将基板G顺序地从上方一 侧向第1～第3预烘烤单元70a～70c(HP1～HP3)的板件P上搬送(搬 入)，交接到板件P上，进行基板G的热处理。热处理结束的基板G 再次通过第2传送装置36从第1～第3预烘烤单元70a～70c(HP1～ HP3)取出，传送到下一处理部。 这样，进行第1～第3预烘烤单元70a～70c(HP1～HP3)的热处 理，批次中最后的基板G被搬入第3预烘烤单元70c(HP3)中进行热 处理，后热处理批次的最初的基板G被搬入辅助预烘烤单元70s(HPS) 中，在80℃的温度下进行热处理(参照图8(b))。其间，当先热处 理批次的倒数第3个基板G通过第2传送装置36从第1预烘烤单元70a (HP1)中取出，即在第1预烘烤单元70a进行先处理的最后的基板G 取出时，基于来自CPU200的控制信号，加热器H的加热温度被控制到 低温一侧，同时，第1和第2开闭阀V1、V2打开，向板件P供应冷却 气体，第1预烘烤单元70a的板件P的温度从100℃切换到80℃(参 照图8(b))。在这种状态下，后处理批次的第2个基板G由第2传 送装置36搬入第1预烘烤单元70a(HP1)中，在80℃的温度下进行 热处理。 然后，当先处理批次的倒数第2个基板G从第2预烘烤单元70b (HP2)取出时，与上述同样地，第2预烘烤单元70b(HP2)的板件P 的温度从100℃切换到80℃(参照图8(c))。在这种状态下，后热 处理批次的第3个基板G由第2传送装置36搬入第2预烘烤单元70b (HP2)中，在80℃的温度下进行热处理。 然后，当先处理批次的最后的基板G从第3预烘烤单元70c(HP3) 中取出时，与上述同样地，第3预烘烤单元70c(HP3)的板件P的温 度从100℃切换到80℃(参照图8(d))。在这种状态下，后处理批 次的第4个基板G由第2传送装置36搬入第3预烘烤单元70c(HP3) 中，在80℃的温度下进行热处理。在这种状态下，在所有的第1～第3 预烘烤单元70a～70c(HP1～HP3)中，后处理批次的第2～第4个基 板G在80℃的温度下进行热处理，第5个以后的基板G顺序地被搬入 第1～第3预烘烤单元70a～70c(HP1～HP3)中进行热处理。其间， 辅助预烘烤单元70s(HPS)在后处理批次的最初的基板G由第2传送 装置36取出后，基于来自CPU200的控制信号，加热器H的加热温度 被控制为高温一侧，同时，第1和第2开闭阀V1、V2关闭，停止供应 冷却气体，板件P的温度例如从80℃切换到100℃，继续进行后处理 批次的基板G的处理。 如上所述，在将先处理批次的基板G传送到作为等1处理部的第 1～第3预烘烤单元70a～70c(HP1～HP3)中进行热处理的期间，将 作为第2处理部的辅助预烘烤单元70s(HPS)设定在后热处理批次的 基板G的处理条件(80℃)并使其待机，在第1～第3预烘烤单元70a～ 70c(HP1～HP3)(第1处理部)的处理结束后，可将后处理批次的基 板G传送到辅助预烘烤单元70s(HPS)(第2处理部)中进行处理。 而且，在辅助预烘烤单元70s(HPS)(第2处理部)的处理期间，可 将预烘烤单元70a～70c(HP1～HP3)(第1处理部)变更成与辅助预 烘烤单元70s(HPS)(第2处理部)同样的处理条件(80℃)，将后 处理批次的基板G传送到处理条件变更了的第1～第3预烘烤单元 70a～70c(HP1～HP3)(第1处理部)中实施处理。另外，在辅助预 烘烤单元70s(HPS)(第2处理部)的处理结束后，进而将辅助预烘 烤单元70s(HPS)(第2处理部)变更成后处理批次的基板G的处理 条件(例如100℃)并使其待机，以下，同样地将第1～第3预烘烤单 元70a～70c(HP1～HP3)(第1处理部)和辅助预烘烤单元70s(HPS) (第2处理部)的处理条件变更成后处理批次的基板G的处理条件， 可连续地进行多个基板G的热处理。因此，能够连续地处理不同处理 条件的多个批次的基板G。从而，可通过仅存在一个辅助预烘烤单元 70s(HPS)(第2处理部)即可连续地对不同处理条件的多个批次的 基板G进行热处理。 另外，在上述的说明中，对在设定第1～第3预烘烤单元70a～70c (HP1～HP3)(第1处理部)的温度的同时预先进行辅助预烘烤单元 70s(HPS)(第2处理部)的温度设定的情况进行了说明，但辅助预 烘烤单元70s(HPS)(第2处理部)的温度设定也可以在先处理批次 的基板G在预烘烤单元70a～70c(HP1～HP3)(第1处理部)进行热 处理期间进行。 另外，在这种情况下，预先制出并存储归纳了使温度从某一温度 变化到某一温度所需要的时间的表格，对于辅助预烘烤单元70s的温 度设定时刻，可根据表格求出温度设定所需要的时间。此时，由于能 够通过CPU200计算出先处理批次的最后的基板处理结束时间，所以 在根据所计算出的时间在温度设定所需要的时间之前切换，不存在问 题，通过在该范围内尽可能地使辅助预烘烤单元70s的切换时刻延迟， 能够与预烘烤单元70a～70c同样地将辅助预烘烤单元70s也用于先处 理批次的处理中，直到温度切换的时刻。 而且，在上述实施方式中，对辅助预烘烤单元70s(HPS)(第2 处理部)为一个的情况进行了说明，但辅助预烘烤单元70s(HPS)(第 2处理部)只要是至少一个即可，也可以是多个、例如2个。 另外，例如在将预烘烤单元70a～70c的温度从先处理的温度切换 到后处理的温度需花费时间时，当然也可以在温度的切换结束之前， 仅由辅助预烘烤单元70s进行加热处理，在预烘烤单元70a～70c的温 度切换结束后，顺序地进行预烘烤单元70a～70c的加热处理，即使处 理量降低也可以连续地进行处理。 上述第3热处理单元区28具有将在基板G上实施热处理的热处理 单元叠层构成的两个热处理单元块37、38(TB)，热处理单元块37 (TB)设置在显影处理单元24(DEV)一侧，热处理单元块38(TB) 设置在盒体站1一侧。而且，在这两个热处理单元块37、37(TB)之 间设置有作为传送机构的第3传送装置39。热处理单元块37(TB)的 结构如图6的侧视图所示，从下开始顺序地叠层有进行基板G的交接 的通过单元73(PASS)，对基板G进行后烘烤处理的三个后烘烤单元 70h，70g，70f(HP8、HP7、HP6)4级。而且，热处理单元块38(TB) 的结构为，从下开始顺序地叠层有后烘烤单元70i(HP9)，进行基板 G的交接和冷却的通过、冷却单元74(PASS、COL)，对基板G进行后 烘烤处理的两个后烘烤单元70j，70k(HP10、HP11)，以及一个辅助 后烘烤单元70s(HPS)5级。 第3传送装置39接收来自经由通过单元73(PASS)的i线UV照 射单元25(i-UV)的基板G，进行基板G在上述热处理单元之间的搬 入、搬出，基板G向经由通过、冷却单元74(PASS、COL)的盒体站1 的交接。另外，第3传送装置39也具有和第1传送装置33相同的结 构，可访问热处理单元块37、38(TB)中的任一个单元。 通过上述结构，在第3热处理单元区28中，与上述第2热处理单 元区27同样，可连续地对不同处理条件(温度条件)的多个批次的基 板G进行热处理。 另外，基板G向上述擦洗清洗单元21(SCR)和激光UV照射单元 22(e-UV)的搬入是通过盒体站1的传送装置11进行的。而且，擦 洗清洗处理单元21(SCR)的基板G象上述那样例如由传送辊搬出到热 处理单元块31(TB)的通过单元(PASS)，在此由未图示的销突出而 上抬的基板G由第1传送装置33传送。而且，基板G向抗蚀剂处理单 元23中的搬入是在由第1传送装置33将基板G交接到通过单元65 (PASS)后，由一对副臂56从搬入口57进行的。在抗蚀剂处理单元 23中，基板G由副臂56通过搬出口58被传送到热处理单元块34(TB) 的通过单元69(PASS)，在此基板G被传送到突出的销(图中未示出) 上。基板G向显影处理单元24(DEV)中的搬入是在热处理单元块35 (TB)的通过单元(PASS)73中，通过从使未图示的销突出，使基板 上升的状态下降，使延长到通过单元(PASS)73的例如传送辊机构动 作而进行的。i线UV照射单元25(i-UV)的基板G例如由传送辊搬 出到热处理单元块37(TB)的通过单元73(PASS)中，在此由第3传 送装置39传送通过未图示的销突出而上抬的基板G。另外，所有的处 理结束后的基板G被传送到热处理单元块38(TB)的通过、冷却单元 74(PASS、COL)中，由盒体站的传送装置11搬出。 在处理单元站2中，以上所述那样构成两列的传送线A、B，并且 基本上为处理顺序的方式配置各处理单元和传送装置，在这些传送线 A、B之间设置有空间部40。而且，设置有可在该空间部40中往返移 动的传送容器(基板载置部件)41。该传送容器41的结构为可保持基 板G，基板G可在传送线A、B之间交接。 接口站3具有在处理站2和曝光装置4之间进行基板G的搬入和 搬出的传送装置42，配置缓冲盒体的缓冲站(BUF)43，以及具备冷 却功能的作为基板交接部的扩展、冷却站44(EXT、COL)，标识拍录 装置(TITLER)和周边曝光装置(EE)上下叠层的外部装置45与传送 装置42邻接地设置。传送装置42具备传送臂42a，通过该传送臂42a 在处理站2和曝光装置4之间进行基板G的搬入和搬出。 在这样构成的抗蚀剂涂敷显影处理系统100中，首先，配置在盒 体站1中的盒体C内的基板G通过传送装置11被直接搬入处理站2的 激光UV照射单元22(e-UV)中，进行擦洗前处理。然后，通过传送 机构11，基板G被搬入配置在激光UV照射单元22(e-UV)下方的擦 洗清洗处理单元21(SCR)中，进行擦洗清洗。在该擦洗清洗中，基板 G不是象以往那样旋转而是大致水平地传送，进行清洗处理和干燥处 理，因此，能够以更小的空间实现与以往的使用两台旋转型擦洗清洗 处理单元相同的处理能力。擦洗清洗处理后，基板G例如由传送辊搬 出到属于第1热处理单元区26的热处理单元块31(TB)的通过单元 61(PASS)。 配置在通过单元61(PASS)中的基板G由未图示的销突出而上抬， 被传送到第1热处理单元区26中，进行以下一系列的处理。即，最初， 被传送到热处理单元块31(TB)的脱水烘烤单元62、63(DHP)中任 一个，进行加热处理，然后，被传送到热处理单元块32(TB)的冷却 单元66、67(COL)中的任一个，在冷却后，为了提高抗蚀剂的定着 性，传送到热处理单元块31(TB)的附着性处理单元(AD)64以及热 处理单元块32(TB)的附着性处理单元(AD)68中的任一个，在此通 过HMDS进行附着性处理(疏水化处理)，之后，传送到冷却单元66、 67(C0L)中任一个进行冷却，进而传送到热处理单元块32(TB)的 通过单元65(PASS)。此时，传送处理均由第1传送装置33进行。 另外，也有不进行附着性处理的情况，在这种情况下，基板G在脱水 烘烤和冷却后立即被传送到通过单元65(PASS)中。 然后，配置在通过单元65(PASS)中的基板G由抗蚀剂处理单元 23的副臂56搬入抗蚀剂处理单元23内。而且，基板G首先被传送到 其中的抗蚀剂涂敷处理装置23a(CT)中，在此实施抗蚀剂液在基板G 上的旋涂，接着，由副臂56传送到减压干燥装置23b(VD)中进行减 压干燥，进而由副臂56传送到周缘抗蚀剂除去装置23c(ER)中，除 去基板G周缘上的多余的抗蚀剂。而且，在除去了周缘上的抗蚀剂后， 通过副臂56将基板G从抗蚀剂处理单元23中搬出。这样，在抗蚀剂 涂敷处理装置23a(CT)之后设置减压干燥装置23b(VD)是由于在不 设置其的情况下，在对涂敷了抗蚀剂的基板G进行了预烘烤处理或显 影处理后的后烘烤处理之后，升降销、固定销等的形状有可能转印在 基板G上，通过这样由减压干燥装置(VD)不进行加热而进行减压干 燥，抗蚀剂中的溶剂逐渐放出，不产生加热干燥时那样急剧的干燥， 能够不对抗蚀剂产生恶劣影响地促进抗蚀剂的干燥，成功地防止在基 板上产生转印的缘故。 在涂敷处理结束后，由副臂56从抗蚀剂处理单元23搬出的基板G 交接到属于第2热处理单元区27的热处理单元块34(TB)的通过单元 69(PASS)中。配置在通过单元69(PASS)中的基板G由第2传送装 置36传送到热处理单元块34(TB)的预烘烤单元70a～70c(HP1～ HP3)以及热处理单元块35(TB)的预烘烤单元70d、70e(HP4、HP5) 中任一个中进行预烘烤处理，之后，传送到热处理单元块35(TB)的 冷却单元72(COL)中冷却到规定温度。而且，通过第2传送装置36 传送到热处理单元块35(TB)的通过单元71(PASS)中。 之后，基板G由第2传送装置36向接口站3的扩展、冷却区44 (EXT、COL)传送，通过接口站3的传送装置42传送到外部装置块45 的周边曝光装置(EE)中，进行用于除去周边的抗蚀剂的曝光，然后 通过传送装置42传送到曝光装置4中，在此，基板G上的抗蚀剂膜被 曝光，形成规定的图案。因情况不同，在缓冲级43(BUF)上的缓冲盒 体中收放基板G，并传送到曝光装置4中。 在曝光结束后，基板G由接口站3的传送装置42搬入外部装置块 45上段的标识拍录装置(TITLER)中，在基板G上计录了规定的信息 后，载置在扩展、冷却区44(EXT、COL)中，从此处再搬入处理站2 中。即，基板G由第2传送装置36传送到属于第2热处理单元区27 的热处理单元块35(TB)的通过单元71(PASS)中。而且，在通过单 元71(PASS)中，从使销突出、使基板G上升的状态下降，从而通过 从显影处理单元24(DEV)延长到通过单元71(PASS)的例如传送辊 机构动作，将基板G向显影处理单元24(DEV)搬入，实施显影处理。 在该显影处理中，基板G不会象以往那样旋转，而是由例如传送辊大 致水平地传送，进行显影液涂敷、显影后的显影液除去、以及干燥处 理，因此，能够以更小的空间实现与以往的使用3台旋转型显影处理 单元同样的处理能力。 在显影处理结束后，基板G由与显影处理单元24(DEV)连续的传 送机构、例如传送辊传送到i线UV照射单元25(i-UV)中，对基板 G进行脱色处理。之后，基板G由i线UV照射单元25(i-UV)内的 传送机构、例如传送辊搬出到属于第3热处理单元区28的热处理单元 块37(TB)的通过单元73(PASS)中。 配置在通过单元73(PASS)中的基板G由第3传送装置39传送 到热处理单元块37(TB)的后烘烤单元70f～70h(HP6～HP8)以及热 处理单元块38(TB)的后烘烤单元70i～70k(HP9～HP11)中的任一 个中，进行后烘烤处理，之后，传送到热处理单元块38(TB)的通过、 冷却单元71(PASS、COL)中，冷却到规定的温度后，通过盒体站1 的传送装置11收放在配置在盒体站1中的规定盒体C内。 如上所述，擦洗清洗处理单元21(SCR)、抗蚀剂处理单元23、 以及显影处理单元24(DEV)的结构为基板G在其中大致水平地传送， 并进行规定的液体处理，将其以处理的顺序配置成基板G的传送线呈 两列，由于基板G一边沿着平行的两列传送线A、B流动一边进行一系 列的处理，所以能够维持高的处理量，同时基本上不需要以往那样的 在多个处理单元之间行走的大型中央传送装置以及其行走的中央传送 路径，能够相应地节省空间，减小占地面积。而且，在擦洗清洗处理 单元21(SCR)以及显影处理单元24(DEV)中，是一边不使基板G旋 转地向水平方向传送一边进行处理的所谓平流方式，能够减少以往使 基板G旋转时经常产生的雾沫。 而且，每个擦洗清洗处理单元21(SCR)、抗蚀剂处理单元23、 以及显影处理单元24(DEV)各液体处理单元中集中进行其后的热处理 的多个热处理单元设置第1至第3热处理单元区26、27、28，而且由 将热处理单元叠层成多级的热处理单元块(TB)构成，所以可相应地 减小占地面积，同时由于能够尽量减少基板G的传送地沿着基板G的 处理流向进行热处理，所以能够进一步提高处理量。而且，由于与各 热处理单元区分别相对应地设置各热处理单元区专用的第1至第3传 送装置33、36、39，所以也可以因此提高处理量。 以上为基本的处理模式，但在本实施方式中，由于在处理站2上， 在两列的传送线A、B之间设置有空间部40，并设置有可在该空间部 40中往返移动的传送容器41，所以除了上述基本的处理模式之外，也 可以进行各种模式的处理，处理的自由度高。 例如，在仅要进行抗蚀剂处理的情况下，可以是以下的顺序。首 先，将传送容器41预先移动到与盒体站1邻接的位置上，然后，通过 传送装置11从盒体C中取出一片基板G，载置在传送容器41上，使传 送容器41移动到与第1传送装置33相对应的位置，通过第1传送装 置33将传送容器41上的基板G传送到附着性处理单元64、68(AD) 中的任一个中，对基板G进行附着性处理，之后，在冷却单元66(COL) 或者67中冷却基板G，经过热处理单元块32(TB)的通过单元65 (PASS)搬入抗蚀剂处理单元23中。而且，在抗蚀剂处理单元23中， 由周缘抗蚀剂除去装置23c(ER)进行的抗蚀剂除去处理结束后，将基 板G搬出到热处理单元块34(TB)的通过单元69(PASS)中，通过第 2传送装置36将基板G载置在传送容器41中，返回盒体站1。另外， 在不进行附着性处理的情况下，从传送容器41上接收了基板G的第1 传送装置33直接将基板G向通过单元65(PASS)中传送。 而且，在仅要进行显影处理的情况下，可以是以下的顺序。首先， 使从盒体站1接收了基板G的传送容器41移动到与第2传送装置36 相对应的位置，通过第2传送装置36将传送容器41上的基板G经由 热处理单元块35(TB)的通过单元(PASS)73搬入显影处理单元24 (DEV)中。而且，在由显影处理单元以及i线UV照射单元25(i-UV) 进行的脱色处理结束后，将基板G搬出到热处理单元块37(TB)的通 过单元73(PASS)中，通过第3传送装置39将基板G载置在传送容 器41中，返回盒体站1。 另外，在不使用传送容器41时，通过预先使传送容器41退避到 空间部40的端部上，可将空间部40作为维修空间使用。 这种传送容器41与以往的中央传送装置不同，由于仅保持被处理 基板并使其移动，所以不需要大型的机构，不需要以往的中央传送装 置行走的中央传送路径那样大的空间，即使设置传送容器41，也可以 维持节省空间的效果。 另外，在上述实施方式中，对被处理体为LCD玻璃基板的情况进 行了说明，但被处理体并不仅限于LCD玻璃基板，本发明同样也可以 适用于例如半导体晶片或CD等。 而且，在上述实施方式中，对加热处理被处理体的情况进行了说 明，但并不仅限于加热处理，本发明也可以适用于冷却处理或者在不 同的处理氛围下实施处理的情况。 上述第1～第3预烘烤单元70a～70c中的预烘烤温度并不限于80 ℃。在形成绝缘膜(平坦化膜)时的预烘烤的温度也可以是80℃～90 ℃。在上述那样正片型的抗蚀剂膜的情况下，预烘烤的温度也可以是 100℃或者高于100℃。另外，预烘烤的温度在形成绝缘膜(平坦化膜) 的情况下为300℃，在形成正片型的抗蚀剂膜的情况下为130℃。 在上述的实施方式中，“绝缘膜(平坦化膜)”是指平坦化用的 绝缘膜。该绝缘膜的材料是例如使丙烯基为液状的材料，并且具有感 光性。通过对绝缘膜进行曝光和显影，例如在该绝缘膜上形成通孔， 可将形成在该绝缘膜的上下表面上的零件和配线连接在一起。 在冷却室S2内，向板件P的背面一侧吹出冷却气体，将板件P冷 却的规定的温度，进行板件P的温度调整。因此，在例如将板件P的 温度从100℃切换到80℃的情况下，若通过冷却气体急速地冷却板件 P，则即使是不同的膜也能够立即以相同的单元进行热处理，可连续地 进行处理。但是，当急速地冷却或加热板件P时，由于板件P的热变 化的影响有可能产生裂纹等损伤。特别是在近年来，由于玻璃基板大 型化，基板P也大型化，所以容易受到热的影响。因此，不希望板件P 这样急速的冷却或加热，通过象上述实施方式那样仅设置一台辅助预 烘烤单元40s，可进行连续的处理。 以下，对本发明的其他实施方式加以说明。对于本例中的处理方 法参照图9进行说明。首先，将第1～第3预烘烤单元70a～70c(HP1～ HP3)的板件P设定在先处理批次的基板G的热处理温度、例如100℃， 将辅助预烘烤单元70s(HPS)的板件P设定在后热处理批次的基板G 的热处理温度、例如80℃(参照图9(a))。在这种状态下，第2传 送装置36将基板G顺序地从下方传送(搬入)第1～第3预烘烤单元 70a～70c(HP1～HP3)的板件P上，交接到基板P上，进行基板G的 热处理。热处理结束后的基板G再次由第2传送装置36从第1～第3 预烘烤单元70a～70c(HP1～HP3)中取出，传送到下一处理部。 这样，进行第1～第3预烘烤单元70a～70c(HP1～HP3)的热处 理，批次中最后的基板G被搬入第1预烘烤单元70a(HP1)中进行热 处理，后处理批次的最初的基板G被搬入辅助预烘烤单元70s(HPS) 中，在80℃的温度下进行热处理(参照图9(b))。其间，先处理批 次的倒数第31个基板G由第2传送装置3 6从第3预烘烤单元70c(HP3) 中取出。即，在第3预烘烤单元70c进行先处理的最后的基板G取出 时，基于来自CPU200的控制信号，将加热器H的加热温度控制到低温 一侧，同时第1和第2开闭阀V1、V2打开，向板件P供应冷却气体， 将第3预烘烤单元70c的板件P的温度从100℃切换到80℃(参照图9 (b))。在这种状态下，后处理批次的第2个基板G由第2传送装置 36搬入第3预烘烤单元70c(HP 3)中，在80℃的温度下进行热处理。 然后，当将先处理批次的倒数第2个基板G从第2预烘烤单元70b (HP2)中取出时，与上述同样地，将第2预烘烤单元70b(HP2)的 板件P的温度从100℃切换到80℃(参照图9(c))。在这种状态下， 后处理批次的第3个基板G由第2传送装置36搬入第2预烘烤单元70b (HP2)中，在80℃的温度下进行热处理。 然后，当将先处理批次的最后的基板G从第1预烘烤单元70a (HP1)中取出时，与上述同样地，将第1预烘烤单元70a(HP1)的 板件P的温度从100℃切换到80℃(参照图9(d))。在这种状态下， 后处理批次的第4个基板G由第2传送装置36搬入第1预烘烤单元70a (HP1)中，在80℃的温度下进行热处理。在这种状态下，在所有的第 1～第3预烘烤单元70a～70c(HP1～HP3)中，后处理批次的第2～第 4个基板G在80℃的温度下进行热处理，第5个以后的基板G顺序地 从下方搬入第1～第3预烘烤单元70a～70c(HP1～HP3)中进行热处 理。其间，辅助预烘烤单元70s(HPS)在后处理批次的最初的基板G 由第2传送装置36取出后，基于来自CPU200的控制信号，将加热器H 的加热温度控制在高温一侧，同时第1和第2开闭阀V1、V2关闭，停 止供应冷却气体，将基板P的温度从例如80℃切换到100℃，进而进 行后处理批次的基板G的处理(参照图9(e)、(f))。 如上所述，在将先处理批次的基板G传送到作为第1处理部的第 1～第3预烘烤单元70a～70c(HP1～HP3)中进行热处理期间，将作 为第2处理部的辅助预烘烤单元70s(HPS)设定在后处理批次的基板 G的处理条件(80℃)并使其待机，在第1～第3预烘烤单元70a～70c (HP1～HP3)(第1处理部)的处理结束后，可将后处理批次的基板G 传送到辅助预烘烤单元70s(HPS)(第2处理部)中进行处理。而且， 在辅助预烘烤单元70s(HPS)(第2处理部)的处理期间，可将预烘 烤单元70a～70c(HP1～HP3)(第1处理部)变更到与辅助预烘烤单 元70s(HPS)(第2处理部)相同的处理条件(80℃)，将后处理批 次的基板G传送到处理条件变更了的第1～第3预烘烤单元70a～70c (HP1～HP3)(第1处理部)中实施处理。另外，在辅助预烘烤单元 70s(HPS)(第2处理部)的处理结束后，将辅助预烘烤单元70s(HPS) (第2处理部)变更到后处理批次的基板G的处理条件(例如100℃) 并使其待机，以下，同样地，将第1～第3预烘烤单元70a～70c(HP1～ HP3)(第1处理部)和辅助预烘烤单元70s(HPS)(第2处理部) 的处理条件变更到后处理批次的基板G的处理条件，连续地进行多个 基板G的热处理。因此，可连续地处理不同处理条件的多个批次的基 板G。因而，通过仅存在一个辅助预烘烤单元70s(HPS)(第2处理 部)即能够连续地对不同处理条件的多个批次的基板G进行热处理。 温度低的热向下方流动，温度高的热向上方流动。因此，在本实 施方式中，通过由第2传送装置36从下侧的预烘烤单元顺序地搬入基 板进行热处理，可不浪费热能地高效率进行连续处理。 如以上所详细说明的，由于本发明具有上述的结构，所以获得了 以下优异的效果。 由于通过将第1处理部和至少一个第2处理部的处理条件变更到 后处理的被处理体的处理条件，能够连续地进行多个被处理体的处 理，所以可维持装置整体的小型化，同时可连续地处理不同处理条件 的多个被处理体。而且，通过至少存在一个第2处理部即能够连续地 处理不同处理条件的多个被处理体。 由多个处理单元形成第1处理部，使各处理单元顺序地变更到后 处理的被处理体的处理条件，同时将后处理的被处理体顺序传送到变 更了处理条件的单元中进行处理，所以能够同时地处理实际处理的多 个被处理体，并可进一步提高处理效率。 通过将第1和第2处理部作为在规定的温度条件下对被处理体实 施热处理的热处理部，所以能够连续地热处理不同热处理条件的多个 被处理体。