技术领域 本发明涉及半导体技术领域。尤其涉及权利要求1的前序部分的 IGBT(隔离栅双极型晶体管)。这种IGBT可见于德国专利公开说明 书DE 196 12 516 A1。 技术现状 按当前技术构造的IGBT内，具有0．2cm2极小表面的IGBT芯片的 栅极信号首先借助于栅极导片分布在芯片的周边上(参阅DE 196 12 516 A1)。窄带状栅(栅指)随后把这信号引入芯片内部(详见EP 0 755 076 A2)。无论栅极导片或栅指都由铝金属化层形成。信号也可 从安排在一个角上或中央的栅极垫片出发经栅指分布在芯片表面上 (见图1)。一般采用的设计规则指出，栅指的间距x必须满足以下 条件。 R是多晶硅的薄层电阻，它把信号从栅指引到实际的栅极，c是 单位面积栅极的MOS电容量，τ是由τ=RGate·Ctot给出的IGBT的特 征开关时间，RGate是栅极偏置电阻，Ctot是芯片总MOS电容量，典型值 是c=30nF／cm2，R=30欧姆，τ=200纳秒。这样x＜＜0．47cm。如果满 足上述条件，则在导通期间，与栅极偏置电阻无关，任一时刻栅极上 的电压分布是平缓的，因而电流密度是均匀的。 然而如果需要阴极侧焊接，则栅指需要复杂且昂贵的焊接金属 化，及对钝化提出很高要求。钝化缺陷导至栅极发射极短路，这表现 为早期失效，且只有通过昂贵的老化试验才可以发现。类似的问题在 压力接触情况下会出现。 发明描述 本发明的任务是提供制造方式简单，但仍然可以均一开启的 IGBT。该任务通过独立权利要求的特征来解决。 本发明的核心是：IGBT芯片的栅极电流从栅接线端出发，不用栅 指，直接经栅极的多晶硅层转接到IGBT-单元。栅极信号按照第1实 施例可以经安排在一个角上的栅接线端(栅极垫片)或按照第2实施 例经一个中央栅接线端输入到IGBT芯片。 因此本发明恰恰有别于目前主导的观点，即从一定的芯片尺寸 起，只在应用栅指的情况下才能达到均一接通。更确切地说本发明人 第一次认识到，与适用于MOS晶体管的设计规则不同的另外的设计规 则适用于IGBT均一关断。本发明人尤其发现，当等离子体分布还是 均匀时，最大损耗功率密度总是均匀的。特别是在MOS电流不再能够 用来维持外部电流时，一个双极型器件表现出基本上不同于单极型器 件的性能，如MOS晶体管。在该时刻之后，从双极型电流过渡到纯空 穴电流，并与主结的耗尽相联系。一旦这个过程中止，则全部电流由 空穴输运，并且形成空间电荷区。但是，等离子分布横向总还是相当 均匀的。因此，极不均匀的电流分布也会很快均匀化。在最大功率耗 损时，电流分布差不多是均匀的。因此安全运行区并不减小，而且关 断能量几乎不变。结果可以制造没有栅指的IGBT，尽管超过了适合无 栅指MOS晶体管的0．2cm2最小面积。 图2a和2b示出本发明的IGBT-芯片1的一个实施例。示出的主 接线端3被绝缘体7和栅极性8包围。栅极性8与栅接线端4相连， 从接线端4例如可以把压焊丝连接至相应的外壳引线端。与此相反， 在按照图1a和1b的当前技术中安排了栅指6，它从栅接线端4出发， 将栅极信号分布在芯片表面。 本发明的优点尤其在于： -通过去掉栅指使简单和低成本地实施焊接金属化成为可能。 -较简单的工艺使对芯片压触时，较高的可靠性成为可能。 附图简介 本发明依靠附图进一步说明如下： 图1a：按照当前技术的IGBT芯片俯视图； 图1b：根据图1a的IGBT芯片部分透视图； 图2a：按本发明第1实施例的IGBT芯片俯视图； 图2b：根据图2a的IGBT芯片部分透视图； 图3：按本发明第2实施例的IGBT芯片俯视图； 图4：按本发明的IGBT芯片剖面图； 图5：多晶硅层俯视图。 附图中用的参考符号在参考符号表内一起列出。 发明实施途径 在预试验中，制造了具有0．2cm2最小表面没有栅指的慢速2．5kV 芯片并测量其特性。它在误差范围内与带栅指的类型没有差别。然而 令人担心的是，快速芯片没有栅指的话可能会在极不均匀的电流分布 情况下关断，因此会具有高的开关损耗、缓慢瞬变过程以及小的SOA。 然而开关特性的分析计算、数字模拟以及没有栅指的快速IGBT的开 关试验给出令人惊愕的结果。事实表明在关断时与开关时间τ可比较 的信号传输时间并非一定导至不均匀的电流分布。试验还表明，与关 断相比，接通是非关键的。 对于进行芯片周边的栅极控制和选择 的情况，在关断 时首先出现电流重新分布。芯片外部开始关断，负荷维持总电流恒 定，并将电流引入芯片中央。在此时刻阳极电压基本上还是零。 在此时刻，MOS电流不再够用于维持外部电流。在纯MOS晶体管 内，现在开始电压上升。电压上升是这样经栅-阳极(密勒效应)将 电容电荷耦合到栅极，使得在栅极上的电压分布维持恒定，并且电流 不再下降。一旦达到满负载电压，则调节机制中止栅压下降且使器件 关断。 本发明的核心是，识别和充分利用双极型器件从上述时刻起主要 表现出的另一种性能。在该时刻之后，与主结耗尽相联系双极型电流 过渡到纯空穴电流。一旦该过程中止，则全部电流由空穴输运，而且 形成空间电荷区。但等离子区横向仍旧维持均匀分布。因此，在该时 刻极其不均匀的电流分布快速均匀化。到最大耗损功率时，电流分布 几乎是均匀的。因此安全运行区不减小且关断能量几乎不变。因此， 可以制造没有栅指也行的IGBT。 图2a和2b为由俯视或透视示出的按本发明的无栅指IGBT芯片 1，它具有可见的第1主接线端3和未示出的第2主接线端以及栅接 线端4，该接线端4在由图2a、2b所示实施例内安排在IGBT-芯片1 的边缘，尤其是在一个角上。与展示现有技术的图1a和1b相反，它 没有栅指6，而是栅极信号从栅接线端4出发经栅极性8分布在周边 上。如图2b所看到的，栅极框8也是直接与栅极5有效连接的。栅 极框最好具有小于5欧姆的电阻。 因此，第1主接线端3经一面形成，该面直到栅极引线4的凹槽 为止是凸出的。其中在图2a和2b的实施例情况下，其凸出构形的面 区被栅极性8所包围。如果存在多个栅接线端4，则第1主接线端的 实际凸出的面具有相应数目的凹槽。 在尤其由IGBT的阴极形成的大面积第1主接线端(作为金属化 层示出)和栅接线端4以及栅极框8之间安排绝缘体7。根据本发明， 栅接线端4或栅极框8与IGBT的栅极5的多晶硅层直接连接，即没 用栅指的中间连接。这在图4中用剖面示出。IGBT的多晶硅层5直接 与栅接线端4相连。其余的IGBT单元2的多晶硅层5在组件内并联。 图5描绘了多晶硅层5排列的实施例。在这种情况下它大面积复盖芯 片并且具有凹槽5’。在图4也可以清楚地看到安排在栅接线端4和 主接线端3之间的绝缘体7或为此用的沟。 显然栅接线端4也可以安排在IGBT芯片1的中央。图3示出该 实施例。栅接线端4仍是被绝缘体7包围，该绝缘体7使栅接线端4 与主接线端3断开。 参考符号表 1 IGBT-芯片 2 IGBT-单元 3 第一主接线端 4 栅接线端(栅极垫片) 5 栅极 5’ 凹槽 6 栅指 7 绝缘体 8 栅极框