发光器件和用于制造发光器件的方法 [0001] 本发明涉及一种光电器件和用于制造光电器件的方法。 背景技术 [0002] 也被称为发光二极管或LED的光电器件需要用于照明的能量的供应。引入光电器件的有源区中的电荷载流子在光的发射下重组。 [0003] 然而，对于发光二极管的已知问题是有效地生成和耦出(outcouple)光，该发光二 2 极管特别是像μ‑LED的非常小的LED，其尺寸在于面积或小于1000μm，并且可以低至约10μ 2 m。一方面，制造过程中沿光电器件的侧表面造成的杂质会导致由于电荷载流子的非辐射重组的(效率)损失。另一方面，内部所产生的光的大部分可以被捕获在LED的结构内，因为内部所产生的光的仅一小部分可以经由内部反射或来自有源区的直接发射从LED被耦出。 然后，被捕获的光必须从LED中被解耦，例如通过合适的耦出结构进行解耦。 [0004] 因此，本发明的目的是解决上述问题中的至少一个，并且提供对应改进的光电器件。本发明的另一个目的是提供一种用于制造对应改进的光电器件的方法。 发明内容 [0005] 具有独立权利要求1的特征的光电器件和具有独立权利要求14的特征的用于制造光电器件的方法满足了这种要求和其他要求。在从属权利要求中描述了本发明的实施方式以及其他发展。 [0006] 发明人提出的构思是针对外延地生长的功能半导体层堆叠来实现电流约束，使得层堆叠内的载流子流被集中在功能层堆叠的中心区域。由此，沿层堆叠的侧表面的载流子密度降低，并且沿侧面的杂质对由于载流子的非辐射重组的(效率)损失没有显著的影响或具有不太显著的影响。因此，功能层堆叠和/或布置在功能层堆叠上的导电接触层被修改/配置成仅在层堆叠的中心区域中形成从导电接触层穿过层堆叠的电流路径。为了另外提供在层堆叠中所生成的光的改进耦出，提出了在层堆叠的面向导电接触层的表面上的耦出结构的几种可能性。 [0007] 根据一个方面，外延地生长的功能层堆叠被设置有布置在功能层堆叠上的导电接触层，从而一起形成光电器件。功能层堆叠包括具有第一导电类型的掺杂剂的第一层、有源区、具有第二导电类型的掺杂剂的第二层和具有第二导电类型的掺杂剂的第三层。功能层堆叠在横向上由功能层堆叠的侧表面所限制，并且功能层堆叠包括沿功能层堆叠的中心线的中心区域，其中，中心线在功能层堆叠的生长方向上延伸。中心区域以这样的方式被限定，使得该中心区域与功能层堆叠的侧表面间隔开，因此形成功能层堆叠的“真正”中心区域，从而仅形成功能层堆叠的子区域。第三层与第二层相比具有更高的第二导电类型的掺杂剂的浓度，并且表现得像电流扩散层，但其电流扩散功能限制于功能层堆叠的中心区域。 这是因为功能层堆叠被修改/配置使得从导电接触层延伸穿过第三层到第二层的电流路径被限制于中心区域。 [0008] 功能层堆叠特别地包括外延地生长层的层堆叠，其具有布置在第一层与第二层之间的有源区。第一层例如可以是p掺杂层，并且第二层可以是n掺杂层。在这种情况下，第三层可以是功能层堆叠的高度n掺杂的顶层，以与涂覆在功能层堆叠上的导电接触层(金属、TCO等)形成电接触。第三层的高度掺杂通常实现到功能层堆叠中的良好的横向电流扩散。 为了实现到层堆叠的中心区域的电流约束，因此对导电接触层的结构化可能并不充分，因为横向电流扩散仍然可能发生在第三层内。这就是为什么高度掺杂的n‑epi顶层要a)在中心区域外的区域被移除，或者b)不连续/断开，以形成电分离的中心区域，以抑制第三层内的横向电流扩散。 [0009] 光电器件是例如辐射发射光电半导体芯片。例如，半导体芯片可以是发光二极管(LED)芯片或激光芯片。光电半导体芯片可以在操作期间生成光。具体地，光电半导体芯片可以生成从UV辐射到红外范围中的光的光谱范围中的光，特别是可见光。替选地，光电半导体芯片可以是辐射检测半导体芯片，例如光电二极管。 [0010] 光电器件可以例如包括小于100μm、或小于40μm、并且特别是小于10μm的边缘长度。因此，光电半导体芯片可以例如是μLED(对于发光器件的LED，对于微型LED的μLED)或μLED芯片。针对这样的小型光电器件，目前未知用于减少由于由沿器件的侧表面的杂质引起的电荷载流子的非辐射重组的(效率)损失的电流约束。然而，所提出的原理为该问题提供了解决方案。 [0011] 在一些方面，第三层被限制于中心区域，以对层堆叠的中心区域提供电流约束。与完整的第三层相比，第三层可以特别地在中心区域外的区域中被移除，以抑制到第三层的移除区域中的横向电流扩散。 [0012] 在一些方面，第三层包括至少一个交叉(intersection)，其中，至少一个交叉将第三层划分为彼此分离的至少第一区域和第二区域。第一区域和第二区域在第三区域内，特别地彼此电绝缘。第一区域被限制于中心区域，从而对层堆叠的中心区域提供电流约束。 [0013] 在一些方面，导电接触层仅在中心区域中与第三层电接触。从而，导电接触层可以例如被限制于功能层堆叠的中心区域，或者可以延伸到中心区域外，但仅在中心区域中与第三层电接触。在一些方面，导电接触层仅在中心区域中被布置在第三层上，并且因此被限制于功能层堆叠的中心区域。 [0014] 在一些方面，光电器件、并且特别是功能层堆叠还包括p型掺杂剂，诸如例如Zn(锌)，其沉积在有源区的边缘区域中，特别是在中心区域外的区域中，从而导致其量子阱混合(QWI)。从而，可以进一步改进例如非常小的InGaAlP光电器件的效率。这样的QWI特别地优选位于中心区域外，以进一步增强已经由约束创建的效果。QWI扩大了靠近层堆叠的侧表面的该外部区域中量子阱的带隙，使得量子阱中的电荷载流子不再能够到达靠近量子阱的侧表面，从而进一步提高了这样的非常小的LED的效率。 [0015] 为了另外提供在层堆叠中生成的光的改进耦出，提出了在层堆叠的面向导电接触层的表面上的耦出结构的几种可能性。通过使用如以下所提出的耦出结构，甚至对于诸如LED特别是μ‑LED的小型光电器件，也可以提供有源区中生成的光的增强光提取，该小型光 2 2 电器件的尺寸在于面积或小于1000μm，并且可以低至约10μm。 [0016] 在一些方面，第三层或者第三层和第二层包括在面向导电接触层的表面上的具有多个突起和沟槽的第一表面结构，第一表面结构用作第三层上的耦出结构，以增强在光电器件内生成的光的耦出效率。从而，第一表面结构的突起和沟槽可以均匀地分布，但也可以具有不均匀/随机分布。第一表面结构的突起可以全部具有相同的高度，或者它们的高度可以针对全部突起或仅针对突起中的几个突起而变化。 [0017] 在一些方面，第一表面结构的中心区域中的突起高于第一表面结构的中心区域外的突起。由此，例如在整个第三层上方延伸的导电接触层可以接触第三层，并且特别是仅在中心区域中接触第三层的第一表面结构的突起。在此上下文中的较高可以特别地以以下方式理解，使得中心区域外的突起的顶部水平高于中心区域内的突起的顶部水平。 [0018] 在一些方面，第一表面结构的至少在中心区域中的突起具有面向导电接触层的平坦化表面。特别地，接触导电接触层的突起具有面向导电接触层的平坦化表面。例如，这样的平坦化表面可以是突起的平坦化的结果，以提供具有面向导电接触层的平坦化表面的接触表面。 [0019] 在一些方面，第一表面结构的突起至少在中心区域中与导电接触层电接触。 [0020] 在一些方面，第二层包括在面向导电接触层的表面上的特别是在中心区域外的区域中的具有多个突起和沟槽的第二表面结构。第二表面结构可以特别地被布置在中心区域外的第三层被移除的区域中，用作第二层上的耦出结构，以增强光电器件内生成的光的耦出效率。从而，第二表面结构的突起和沟槽可以均匀地分布，但也可以具有不均匀/随机分布。第二表面结构的突起可以全部具有相同的高度，或者它们的高度可以针对全部突起或仅针对突起中的几个突起而变化。 [0021] 第一表面结构和/或第二表面结构可以对应于第三层和/或第二层的粗糙化，并且可以关于期望的需求和期望的耦出特性被选择/生成。 [0022] 在一些方面，光电器件还包括布置在第三层和/或第二层上的平坦化层。平坦化层特别地填充至少一个交叉以及/或者第一表面结构和/或第二表面结构的沟槽和/或至少在中心区域外的区域中覆盖第一表面结构和/或第二表面结构。平坦化层具体地是透明材料，以允许在光电器件内生成的光透射通过平坦化层。在平坦化层覆盖第一表面结构和/或第二表面结构的情况下，平坦化层附加地具有低折射率，以进一步改进或至少不抵消由于第一表面结构和/或第二表面结构的耦出改进的耦出效率。 [0023] 在一些方面，平坦化层是电绝缘材料。由此，第三层和可选的第二层的在中心区域外的区域可以与导电接触层电绝缘，特别是在导电接触层在整个功能层堆叠上方延伸的情况下。 [0024] 在一些方面，平坦化层在整个功能层堆叠上方覆盖功能层堆叠，而在一些方面，平坦化层仅在中心区域中覆盖功能层堆叠。在后一种情况下，平坦化层例如也可以是透明导电材料，诸如铟锡氧化物(ITO)。 [0025] 在一些方面，中心区域被限制成功能层堆叠的两个相对侧表面之间的距离的一半。中心区域可以特别地是沿功能层堆叠的中心线延伸的功能层堆叠的子区域，其中，中心区域与功能层堆叠的其余部分相比较小，并且特别地小于功能层堆叠的一半。 [0026] 在一些方面，中心区域到相邻侧表面的距离在功能层堆叠的移动载流子的平均自由程的范围。由此，可以抑制靠近侧表面的电荷载流子的重组。在一些方面，中心区域与相邻侧表面之间的距离在500nm和2500nm之间、在500nm和2000nm之间或在500nm和1500nm之间。 [0027] 在一些方面，第一层和/或第二层和/或第三层包括选自由以下组成的组的基础材料： [0028] ‑GaN； [0029] ‑AlGaN； [0030] ‑AlGaInP； [0031] ‑AlGaInN；以及 [0032] ‑AlGaP。 [0033] 也可以使用其他材料。第一层和/或第二层特别地包括外延地生长层。 [0034] 一些其他方面涉及一种用于制造至少一个光电器件的方法。在第一步中，提供功能层堆叠，该功能层堆叠包括具有第一导电类型的掺杂剂的第一层、布置在第一层上的有源区、布置在有源区上的具有第二导电类型的掺杂剂的第二层以及布置在第二层上的具有第二导电类型的掺杂剂的第三层，第三层与第二层相比具有更高的第二导电类型的掺杂剂的浓度。功能层堆叠在横向上由功能层堆叠的侧表面所限制，并且包括沿功能层堆叠的中心线的中心区域，其中，中心区域与侧表面间隔开，从而形成功能层堆叠的子区域。然后在第三层上设置导电接触层，使得从导电接触层穿过第三层到第二层的电流路径被限制于中心区域。 [0035] 在一些方面，该方法还包括在中心区域外的区域中移除或减薄第三层，或者该方法还包括在第三层中创建至少一个交叉，使得至少一个交叉将第三层划分为彼此分离的至少第一区域和第二区域，第一区域被限制于中心区域。在功能层堆叠已经在例如晶圆上生长之后、以及在功能层堆叠已经从晶圆移除并且转移到最终目的地之后，可以完成交叉的创建或移除。交叉的创建或移除可以包括蚀刻过程和/或光刻过程。 [0036] 在一些方面，该方法还包括对第三层的面向导电接触层的表面进行粗糙化，以创建具有多个突起和沟槽的第一表面结构。 [0037] 在一些方面，该方法还包括特别地在中心区域外的第三层已经被移除的区域中对第二层的面向导电接触层的表面进行粗糙化，以创建具有多个突起和沟槽的第二表面结构。 [0038] 移除或减薄第三层、在第三层中创建至少一个交叉、使第三层的表面粗糙化和/或使第二层的表面粗糙化的步骤可以例如在一个并且同一过程中完成。这可以例如通过使用利用干蚀刻工艺的负载效应来实现。因此，大结构与小结构相比被蚀刻得更快/更深，使得可以同时开始粗糙化的创建和例如至少一个交叉的创建，从而产生相应的结构。 [0039] 第二层和/或第三层的粗糙化可以包括蚀刻过程和/或光刻过程。粗糙化可以例如在第三层的面向导电接触层的整个表面上方完成，或者可以仅在中心区域中完成，或者可以仅在中心区域附近完成。 [0040] 例如通过使用来自OSRAM薄膜产品的“Kugelfischen/天然光刻”或者通过光刻过程然后进行蚀刻过程可以例如完成粗糙化。为了避免由于规则的表面图案(光子网格)而导致的远场特征，随机地布置结构/突起可以是有益的。蚀刻可以通过蚀刻到第三层和/或第二层的表面里的“孔”或者通过保留区域(蚀刻除限定区域之外的所有区域)来完成。已经发现，蚀刻导致成形的/成角度的侧壁(例如，椎体与柱状)是有益的，以及蚀刻除限定区域外的所有区域是有益的。还发现，CD(临界尺寸，例如顶表面的直径)低于1μm的结构尺寸是有益的。 [0041] 例如，已经在第三层上、特别是在中心区域的第三层上设置导电接触层的至少一部分之后可以完成对第三层的粗糙化。例如，可以在使用光刻和蚀刻过程进行粗糙化之前使AuGe沉积在中心区域中的第三层上。粗糙化过程可以被这样完成，即金属的部分被保留在第三层中的所得突起的顶部上(仅在剩余椎体的顶部上存在AuGe并与第三层接触)。在后续步骤中并且为了完成导电接触层，可以通过随后沉积导电材料、诸如例如透明导电氧化物(TCO)来连接AuGe部分。 [0042] 提供导电接触层的步骤可以包括将薄金属层和/或TCO层涂覆到第三层上，并且特别是涂覆到第一表面结构的突起上。 [0043] 在一些方面，该方法还包括用填充材料、例如电绝缘填充材料填充至少一个交叉以及/或者第一表面结构和/或第二表面结构的沟槽。填充可以例如包括将填充材料沉积到第三层和/或第二层上。填充材料可以形成平坦化层，该平坦化层在整个功能层堆叠上方覆盖功能层堆叠或仅在中心区域中覆盖功能层堆叠。平坦化层例如也可以是透明导电材料，诸如例如铟锡氧化物(ITO)。 [0044] 填充可以例如用任何透明材料完成。针对材料的选择，除了其他方面外，还可以考虑以下方面： [0045] ‑低折射率；折射率越高，粗糙化提高耦出效率的效率就越小。 [0046] ‑电绝缘材料在所期望区域中将导电接触层和第三层进行电绝缘。 [0047] ‑导电材料可以具有以下优点： [0048] 1)电接触容易完成，并且不需要其他处理步骤。 [0049] 2)如果使用利用静电力的拾取方法，并且可极化表面对于拾取过程是有利的，并且导电材料总是可良好极化的。 [0050] 在一些方面，该方法还包括对第一表面结构的至少在中心区域中的突起进行平坦化以及对填充材料(如果存在)进行平坦化。平坦化可以有助于提供用于在其上设置导电接触层的平坦表面。 [0051] 根据本发明的一些方面的光电器件的优点是，由于光电器件的侧表面处的损失减少，内部效率(IQE)更高。此外，光提取效率(LEE)可以通过适当移除第三层来提高，或者通过对发射表面成形(通过例如在光电器件的发射表面上创建表面结构)来提高。除了提高光提取效率外，对发射表面成形还可以导致更高水平的朗伯远场分布。同时，根据本发明的一些方面的光电器件仍可以被提供有良好的拾取和放置能力。 附图说明 [0052] 在下文中，将参照附图更详细地说明本发明的实施方式。在附图中： [0053] 图1示意性地示出了光电器件的截面图， [0054] 图2A和图2B各自示意性地示出了根据本发明的一些方面的光电器件的截面图，以及 [0055] 图3A至图7C各自示意性地示出了根据本发明的一些方面的光电器件的其他实施方式的截面图。 具体实施方式 [0056] 在下文中将参照附图更全面地描述本公开内容，附图中示出了本公开内容的示例性实施方式。然而，本公开内容可以以许多不同形式实施，并且不应该被解释为限制于本文阐述的实施方式；相反，这些实施方式是为了全面性和完整性而提供。在整个说明书中，相似的附图标记是指相似的元素。附图不一定按比例绘制，并且某些特征可能被夸大，以便更好地示出和说明本公开内容的示例性实施方式。 [0057] 图1示出了光电器件的截面图，该光电器件包括层堆叠2，层堆叠2包括具有第一导电类型的掺杂剂的第一层3、布置在第一层3上的有源区4、布置在有源区4上的具有第二导电类型的掺杂剂的第二层5、以及布置在第二层5上的具有第二导电类型的掺杂剂的第三层 6，第三层6与第二层5相比具有更高的第二导电类型的掺杂剂的浓度。除此之外，在第三层6上布置导电接触层7。通过电连接光电器件，电荷载流子(由树形箭头指示)是由于第三层6的高掺杂而扩散到整个第三层中并且被引入光电器件的有源区4中，并且在光的发射下重组。然而，沿功能层堆叠的侧表面重组的电荷载流子可能由于材料中的杂质而在没有光的发射的情况下重组，从而导致非辐射损失(由两个闪电指示)。这些非辐射损失降低了光电器件的内部效率(IQE)，并且因此是不需要的，特别是对于特别小的光电器件是不需要的。 [0058] 然而，发明人发现，针对功能层堆叠实现电流约束，使得层堆叠内的载流子流集中到功能层堆叠的中心区域可以有助于减少这些非辐射损失。通过电流约束，沿层堆叠的侧表面8的载流子密度降低，并且沿侧面的杂质对由于载流子的非辐射重组的(效率)损失没有显著的影响或具有不太显著的影响。因此，功能层堆叠和/或布置在功能层堆叠上的导电接触层被修改/配置成仅在层堆叠的中心区域中形成从导电接触层穿过层堆叠的电流路径，如图2A至图7C中的几个实施方式所示出的。图中所示出的实施方式中的一些实施方式通过在层堆叠的面向导电接触层的表面上提供耦出结构来另外提供在层堆叠中生成的光的改进的耦出。 [0059] 图2A以截面图示出了光电器件1。光电器件1包括层堆叠2，层堆叠2包括具有第一导电类型的掺杂剂的第一层3、布置在第一层3上的有源区4、布置在有源区4上的具有第二导电类型的掺杂剂的第二层5、以及布置在第二层5上的具有第二导电类型的掺杂剂的第三层6，第三层6与第二层5相比具有更高的第二导电类型的掺杂剂的浓度。除此之外，在第三层6上布置导电接触层7。功能层堆叠2在横向上由功能层堆叠2的侧表面8限制，并且包括沿功能层堆叠2的中心线10的中心区域9。中心区域9与侧表面8间隔开，从而形成层堆叠的子区域，该子区域沿功能层堆叠的中心线10延伸到整个层堆叠中。为了提供电流约束，第三层 6以这样的方式被修改，使得从导电接触层7穿过第三层6到第二层5的电流路径被限制于中心区域9。为此，已经移除了第三层6的在中心区域外的区域，或者已经降低了其在中心区域外的区域的高度，以便将引入导电接触层7中的电流引导到中心区域，而不是使其扩散到遍及整个功能层堆叠2延伸的整个第三层中。移除第三层6的在中心区域外的区域还可以另外导致第二层5的至少部分移除，从而降低其在中心区域外的区域中的高度。 [0060] 图2B示出了光电器件1的替选实施方式。为了提供电流约束，第三层6在中心区域外的区域中没有被完全移除，而是已经引入了交叉11以将第三层6划分为第一区域6a和第二区域6b。从而，第一区域6a被限制于中心区域9，并且导电接触层7仅在第一区域/中心区域中接触第三层。因此，从导电接触层7穿过第三层6到第二层5的电流路径被限制于中心区域9，以便将引入到导电接触层7的电流引导到中心区域，而不是使其扩散到整个第三层6中。 [0061] 图3A至图3C示出了第三层6的中心区域9外的区域已经被移除以提供电流约束的实施方式。另外，第一表面结构12在面向导电接触层7的表面上设置在第三层6上，该第一表面结构12包括多个突起和沟槽。第一表面结构可以用于改进光电器件1的耦出效率。 [0062] 如图3A和图3B所示，平坦化层14被布置在层堆叠2上，替代在中心区域外的已经从第三层6移除的区域，并且用于提供第一表面结构12。平坦化层14具体地由透明材料制成，在图3A和图3B的情况下，其还可以是电绝缘材料，以不抵消通过移除中心区域外的第三层而生成的电流约束。导电接触层7接触第一表面结构的突起，同时由平坦化层填充沟槽。为了更好地接触，可以使突起平坦化，以为导电接触层7提供良好的接触表面。 [0063] 导电接触层7可以在整个功能层堆叠上方延伸(参见图3A)或者可以被限制于中心区域9(参见图3B)。特别是在导电接触层7在整个功能层堆叠上方延伸的情况下，其可以是透明导电材料，以允许在功能层堆叠中生成的光从光电器件1出射。 [0064] 如图3C所示，平坦化层也可以仅覆盖第一表面结构，从而填充第一结构12的沟槽。 在这种情况下，平坦化层也可以是导电材料，诸如例如TCO，以提供到中心区域9内的第三层中的良好的电流扩散。 [0065] 图4A和图4B示出了光电器件1的没有平坦化层的实施方式。除了图2B中所示出的实施方式外，图4A的光电器件、并且特别是光电器件1的第三层6还包括在面向导电接触层7的表面上在第三层6的第二区域6b上的第一表面结构。第一表面结构包括多个突起和沟槽，并且可以用于改进光电器件1的耦出效率。 [0066] 除了图2A中所示出的实施方式外，图4B的光电器件、并且特别是光电器件1的中心区域外的第二层6还包括在面向导电接触层7的表面上的第二表面结构。第二表面结构包括多个突起和沟槽，并且可以用于改进光电器件1的耦出效率。 [0067] 在未示出的实施方式中，光电器件1的第三层6包括如例如图4A中所示出的在面向导电接触层7的表面上在第三层6的第二区域6b上的第一表面结构，其中，第一表面结构也向下延伸到第二层5中。因此，第一表面结构包括多个突起和沟槽，其中，沟槽可以至少部分地被布置在第二层5中，并且可以用于改进光电器件1的耦出效率。 [0068] 图5A至图5C示出了光电器件1的实施方式，除了图4A中所示出的实施方式外，光电器件1还包括平坦化层14，并且其中第一表面结构12还在中心区域9中的第三层6的表面上延伸。从而，第一表面结构12的突起在中心区域9中比在中心区域外的区域中更高，以提供用于导电接触层7的接触表面，并且在布置第三层时为中心区域9提供电流约束，其中，导电接触层7在整个功能层堆叠上方延伸，如图5A所示。 [0069] 另外，并且为了提供电流约束，第三层可以包括至少一个交叉，所述至少一个交叉将第三层划分为至少第一区域和第二区域，其中，第一区域与导电接触层7接触并且形成从导电接触层7到第二层的电流路径。 [0070] 如图5A和图5B所示，平坦化层14被布置在层堆叠2上，替代中心区域外的已经从第三层6移除的区域，并且用于提供第一表面结构12。平坦化层14具体地是透明材料，在图5A和图5B的情况下平坦化层14还应该是电绝缘材料，以不抵消通过移除中心区域外的第三层而生成的电流约束。导电接触层7接触第一表面结构的突起，同时由平坦化层填充沟槽。为了更好地接触，可以使突起平坦化，以为导电接触层7提供良好的接触表面。 [0071] 导电接触层7可以在整个功能层堆叠上方延伸(参见图5A)或者可以被限制于中心区域9(参见图5B)。特别是在导电接触层7在整个功能层堆叠上方延伸的情况下，其可以是透明导电材料，以允许在功能层堆叠中生成的光从光电器件1出射。 [0072] 如图5C中所示，平坦化层14也可以仅覆盖第一表面结构12，从而填充中心区域9中的第一结构12的沟槽。在这种情况下，平坦化层也可以是导电材料，诸如例如TCO，以提供到中心区域9内的第三层中的良好的电流扩散。 [0073] 图6A和图6B示出了光电器件1的实施方式，其中，与图5A和图5B中所示出的实施方式相比，第一表面结构12的突起在整个第一表面结构12中基本上具有相同的高度。为了向中心区域9提供电流约束，第三层包括交叉11，交叉11将第三层划分为第一区域6a和第二区域6b，其中，第一区域被限制于中心区域并且接触导电接触层7，导电接触层7也被限制于中心区域9。 [0074] 如图6A中所示，平坦化层14被布置在层堆叠2上，替代在交叉中和第一表面结构的沟槽中已经从第三层6移除的区域。如图6B中所示，平坦化层14可以仅覆盖第一表面结构 12，从而填充中心区域9中的第一结构12的沟槽。在这种情况下，平坦化层也可以是导电材料，诸如例如TCO，以提供到中心区域9内的第三层中的良好的电流扩散。 [0075] 图7A至图7C示出了图4B的实施方式的其他发展，根据该实施方式，不仅第二层包括第二表面结构13，而且第三层6还包括第一表面结构，该第一表面结构在面向导电接触层 7的表面上设置第三层6上，该第一表面结构包括多个突起和沟槽。第一表面结构可以用于改进光电器件1的耦出效率。 [0076] 如图7A和图7B中所示，平坦化层14被布置在层堆叠2上，替代中心区域外的已经从第三层6移除的区域，并且用于提供第一表面结构12以及第二表面结构13的沟槽中。平坦化层14具体地是透明材料，在图3A和3B的情况下，平坦化层14还应该是电绝缘材料，以不抵消通过移除中心区域外的第三层而生成的电流约束。导电接触层7接触第一表面结构的突起，同时由平坦化层填充沟槽。为了更好地接触，可以使突起平坦化，以为导电接触层7提供良好的接触表面。 [0077] 导电接触层7可以在整个功能层堆叠上方延伸(参见图7A)，或者可以被限制于中心区域9(参见图7B)。特别是在导电接触层7在整个功能层堆叠上方延伸的情况下，其可以是透明导电材料，以允许在功能层堆叠中生成的光从光电器件1出射。 [0078] 如图7C中所示，平坦化层也可以仅覆盖第一表面结构，从而填充第一结构12的沟槽。在这种情况下，平坦化层也可以是导电材料，诸如例如TCO，以提供到中心区域9内的第三层中的良好的电流扩散。 [0079] 附图标记列表 [0080] 1光电器件 [0081] 2功能层堆叠 [0082] 3第一层 [0083] 4有源区 [0084] 5第二层 [0085] 6第三层 [0086] 6a第一区域 [0087] 6b第二区域 [0088] 7导电接触层 [0089] 8侧表面 [0090] 9中心区域 [0091] 10中心线 [0092] 11交叉 [0093] 12第一表面结构 [0094] 13第二表面结构 [0095] 14平坦化层