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抗氧化性强的导电膜及其制备工艺实质审查 发明

技术总结

本发明公开了抗氧化性强的导电膜及其制备工艺,抗氧化性强的导电膜包括基材层,基材层依次层叠设有上底涂层、打底层、硅铝混合层、ITO层、附着力层、第一铜镍钛混合层、铜层、第二铜镍钛混合层;第二铜镍钛混合层中铜镍钛摩尔比为(20~45):(50~70):(1~10),第二铜镍钛混合层的厚度为1~30nm。制备工艺为:在基材层的双面分别涂布上底涂层和下底涂层,在下底涂层上设置高温保护膜;在上底涂层上依次镀设打底层、硅铝混合层、ITO层、附着力层、第一铜镍钛混合层、铜层、第二铜镍钛混合层;在第二铜镍钛混合层上设置正保护膜。本发明中导电膜通过在铜层上设置第二铜镍钛混合层,使导电膜的抗氧化性能得到有效提高。

技术研发人员:

高毓康; 陈超; 王志坚; 陈涛; 赵飞; 冯燕佳; 戴城城

受保护的技术研发主体:

浙江日久新材料科技有限公司

技术申请主体:

浙江日久新材料科技有限公司

技术研发申请日期:

2024-08-12

技术被公开/公告日期:

2024-11-22

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