[0001] 本公开涉及向多个功率集成电路(IC)供电的领域，并且具体而言，涉及用于平衡供应到多个功率IC的电流的电路。

[0002] 在电子设备中，向多个并联的功率集成电路(IC)供电是特别令人感兴趣的设计的方面。无法平衡供应到这些功率IC的电流会导致各种问题，诸如过热、电压下降、效率降低以及噪声/干扰。

[0003] 当供应的电流不平衡时，一些功率IC会接收过量电流，从而使得它们过热并且不仅可能损坏自身，而且还可能损坏设备中的其它组件。这最终会缩短设备的使用寿命。此外，电流平衡的缺乏会导致设备的某些区域中的电压下降，从而使得设备误运转。由于电流不平衡还会产生噪声和干扰，从而进一步影响设备的性能并可能导致错误。

[0004] 现在将更详细地解释以上内容。参考图1，示出了包括第一功率IC 11的电子设备10，第一功率IC 11具有驱动连接在输入电压Vin与负载(表示为Rload)之间的功率MOS MN1的栅极的第一控制器12，第一控制器12基于感测第一功率IC 11的输出电流Iout1作为反馈来驱动功率MOS MN1的栅极。类似地，电子设备10包括第二功率IC 14，第二功率IC 14具有驱动同样连接在输入电压Vin与负载之间的功率MOS MN2的栅极的第二控制器15，第二控制器15基于感测第二功率IC 14的输出电流Iout2作为反馈来驱动功率MOS MN2的栅极。

[0005] 功率IC 11与14之间的电气特性可能不匹配。因此，施加到功率MOS MN1和MN2的栅极电压在彼此比较时是不相等的并且实际上具有施加到其(在图中表示为电压源)的不同偏移量Voffset1和Voffset2。由于这些不同的电压偏移量Voffset1和Voffset2，输出电流Iout1与Iout2不相等。

[0006] 首先考虑功率MOS MN1和MN2在线性模式下操作时的影响。在线性模式下，功率MOS MN1和MN2充当可变电阻器。当功率MOS MN1和MN2之一开始比另一个传导更多电流时，它将消耗更多功率，从而使其升温。当MOSFET在线性模式下操作时升温时，其导通电阻增加。但是，根据欧姆定律，通过电阻器的电流I与电阻器两端的电压V成正比并且与电阻器的电阻R成反比(例如，I＝V/R)，这意味着，随着电阻器的电阻增加，通过该电阻器的电流下降。这有效地自我限制了电流不匹配的结果。

[0007] 但是，现在考虑当功率MOS MN1和MN2在饱和模式下操作时的影响。在饱和模式下，功率MOS MN1和MN2充当压控电流源。因此，不同的电压偏移量Voffset1和Voffset2(由上述不匹配的电气特性引起)导致输出电流Iout1与Iout2不匹配。当功率MOS MN1和MN2之一开始比另一个传导更多电流时，它将消耗更多功率，从而使其升温。当在饱和状态下操作时，如果以相对于温度产生正温度系数的栅极到源极电压操作，那么MOS的升温会增加通过MOS的电流。这进而将造成MOS进一步升温并传导甚至更多电流，从而导致正反馈回路，这会导致热失控并最终导致MOS的故障。

[0008] 鉴于此，需要开发电流平衡方案以便在预期在饱和模式下操作一段时间时为多个并联连接的功率IC提供安全且正确的操作。

[0032] 以下公开内容使得本领域技术人员能够制作和使用本文所描述的主题。在不脱离本公开的精神和范围的情况下，本公开中概述的一般原理可以应用于除上面详述的那些之外的实施例和应用。并非旨在将本公开限制到所示出的实施例，而是赋予其与本文公开或建议的原理和特征一致的最宽范围。

[0033] 请注意，在下面的描述中，任何提到的电阻器或电阻都不是两点之间的简单电引线。因此，连接在两点之间的任何电阻器或电阻将比那两点之间的引线具有更高的电阻。因此，这种电阻器或电阻不能被解释为引线，并且现有技术参考文献中的引线不能被解释为本公开中的电阻器。类似地，任何提到的电容器或电容都不是寄生元件。因此，这种电容器或电容不能被解释为寄生电容，并且现有技术参考文献中的寄生电容不能被解释为本公开的电容器。而且，任何提到的电感器或电感都不是寄生元件。因此，这种电感器或电感不能被解释为寄生电感，并且现有技术参考文献中的寄生电感不能被解释为本公开的电感器。

[0034] 而且，除非另外明确说明，否则任何存在的电阻器都可以具有与存在的一个或多个其它电阻器相同的电阻，或者它可以具有不同的电阻。类似地，除非另外明确说明，否则任何存在的电容器都可以具有与存在的一个或多个其它电容器相同的电容，或者它可以具有不同的电容。此外，除非另外明确说明，否则任何存在的电流源都可以生成等于由存在的一个或多个其它电流源生成的输出电流的输出电流，或者它可以生成具有不同值的输出电流。

[0035] 现在在本文参考图2描述包括第一功率集成电路(IC)21和第二功率IC(31)的电子设备20。

[0036] 第一功率IC 21包括n沟道MOS T1，其漏极连接到输入节点以接收输入电压Vin，其源极连接到负载(表示为电阻器Rload)，并且其栅极由运算放大器23的输出控制。放大器23在提升输入电压Vin的电荷泵24的输出端与地之间被供电，其非反相输入端子连接到软启动电容器Css，并且其反相输入端子连接到节点N1。生成电流Iss的电流源27连接在Vdd与放大器23的非反相输入端子之间，并且开关S1连接在放大器23的非反相输入端子与地之间。开关S1由反相器25提供的控制信号Von的反相控制。电阻器Rtop1连接在放大器23的输出端与节点N1之间，并且电阻器Rbot1连接在节点N1与地之间。运算跨导放大器22的输出端连接到节点N1，其非反相输入端子连接到节点N2，并且其反相输入端子连接到节点N3。独立电阻器Rind1(在第一功率IC 21外部并且与第一功率IC 21相关联)连接在节点N2与地之间。电流感测电路26感测源自MOS晶体管T1的源极的电流Iout1，基于感测到的电流Iout1向节点N2源出第一感测电流Isns1，并且基于感测到的电流Iout1向节点N3源出第二感测电流Isns2。感测电流Isns1与Isns2相等。电阻器Rcom(在所有功率IC外部)连接在节点N3与地之间。

[0037] 第二功率IC 31包括n沟道MOS T2，其漏极连接到输入节点以接收输入电压Vin，其源极连接到负载(表示为电阻器Rload)，并且其栅极由运算放大器33的输出控制。放大器33在提升输入电压Vin的电荷泵34的输出端与地之间供电，其非反相输入端子连接到软启动电容器Css，并且其反相输入端子连接到节点N4。生成电流Iss的电流源37连接在Vdd与放大器33的非反相输入端子之间，并且开关S2连接在放大器33的非反相输入端子与地之间。开关S2由反相器35提供的控制信号Von的反相控制。电阻器Rtop2连接在放大器33的输出端与节点N4之间，并且电阻器Rbot2连接在节点N4与地之间。运算跨导放大器32的输出端连接到节点N4，其非反相输入端子连接到节点N5，并且其反相输入端子连接到节点N6。电阻器Rind2(在第二功率IC 31外部并且与第二功率IC 31相关联)连接在节点N5与地之间。电流感测电路36感测源自MOS晶体管T2的源极的电流Iout2，基于电流Iout2向节点N5源出第三感测电流Isns3，并且基于电流Iout2向节点N6源出第四感测电流Isns4。感测电流Isns3与Isns4相等。

[0038] 应当理解的是，可以有任何数量的与功率IC 21和31并联连接的功率IC(例如，3、4、5个等)，每个功率IC具有与功率IC 21和31相同的布置。为了便于描述和简洁，本文示出并描述了两个功率IC 21和31。独立电阻器Rind1与Rind2电阻相等(例如，Rind)，而Rcom的电阻等于Rind/N，其中N是并联连接的功率IC的数量。

[0039] 现在附加参考图3来描述操作。MOS晶体管T1和T2在线性操作模式下用作源极跟随器，其输出电压以近似单位增益跟随其输入电压。最初，电子设备20关闭，如输入电压Vin、输出电压Vout以及MOS T1和T2的栅极电压在时间t0处为零所反映的。为了避免过多的涌入电流并保护功率IC 21和31的组件，从时间t1开始(并且最终在时间t2结束)执行晶体管T1和T2的“软启动”。

[0040] 软启动开始于控制信号Von的断言，断开开关S1和S2，其结果是由电流源27和37输出的软启动电流Iss对软启动电容器Css充电，从而使得形成并增加软启动电容器Css两端的软启动电压Vss。此时，在非反相端子处形成的反馈电压Fbk1将小于软启动电压Vss，因此运算放大器23增加其输出电压，这是施加到MOS晶体管T1的栅极的栅极电压Vgate1；同样，在运算放大器33的非反相端子处形成的反馈电压Fbk2将小于软启动电压Vss，因此运算放大器33增加其输出电压，这是施加到MOS晶体管T2的栅极的栅极电压Vgate2。随着软启动电流Iss继续对软启动电容器Css充电，软启动电压Vss继续增加，并且运算放大器23和33进而相应地增加栅极电压Vgate1和Vgate2。

[0041] 这个操作的效果是栅极电压Vgate1和Vgate2在时间t1与t2之间向上斜升，其中MOS晶体管T1和T2在饱和操作模式下操作。输出电流Iout1和Iout2在时间t1与t2之间相应地向上斜升。在时间t1与t2之间的软启动时段期间，由于晶体管T1和T2在饱和状态下工作，因此可能存在由于功率IC 21与31之间的不匹配特性而引起的热失控的担忧。执行电流平衡以减少或消除这种风险。

[0042] 如下执行电流平衡。在功率IC 21中，电流感测电路26感测源自MOS晶体管T1的输出电流Iout1，并生成代表输出电流Iout1并且彼此相等的两个感测电流Isns1和Isns2。电流Isns1流经与功率IC 21相关联的独立电阻器Rind1，从而生成电压Vind1。类似地，在功率IC 22中，电流感测电路36感测源自MOS晶体管T2的输出电流Iout2，并生成代表输出电流Iout2并彼此相等的两个感测电流Isns3和Isns4。电流Isns3流经与功率IC 31相关联的独立电阻器Rind2，从而生成电压Vind2。电流Isns2和Isns4都通过公共电阻器Rcom流到地，从而生成电压Vcom，该电压代表输出电流Iout1和Iout2的平均值。

[0043] 由于独立电阻器Rind1与Rind2的电阻相等(例如，Rind)，而Rcom的电阻等于Rind/2，因此Rcom＝Rind/2，并且Rcom两端的电压将是：

[0044]

[0045] 代表输出电流Iout1的Rind1两端的电压Vind1将是：

[0046] Vind1＝Isns1×Rind1＝Isns1×Rind

[0047] 代表输出电流Iout2的Rind2两端的电压Vind2将是：

[0048] Vind2＝Isns3×Rind2＝Isns3×Rink

[0049] 理想地，功率IC 21和31源出其相等的输出电流Iout1和Iout2，因此，理想地，感测电流Isns1、Isns2、Isns3与Isns4是相等的。这意味着，理想地，Rind1、Rind2与Rcom两端的电压相等。

[0050] 在功率IC 21中，如果电压Vind1(代表Iout1)大于电压Vcom(代表Iout1和Iout2的平均值)，那么OTA 22向节点N1源出电流，从而增加运算放大器23的反相输入端子处的电压，从而降低输出电压Vgate1的上升速率，进而降低输出电流Iout1的上升速率。相反，如果电压Vind1小于电压Vcom，那么OTA 22减少到节点N1的电流(或从节点N1吸收电流)，从而降低运算放大器23的反相输入端子处的电压，由此增加输出电压Vgate1的上升速率，进而增加输出电流Iout1的上升速率。因此，综上所述，OTA 22的布置运转使得如果Isns1(代表Iout1)大于(Isns2+Isns4)/2，那么Iout1减小，但是如果Isns1小于(Isns2+Isns4)/2，那么Iout1增加。

[0051] 在功率IC 31中，如果电压Vind2(代表Iout2)大于电压Vcom(代表Iout1和Iout2的平均值)，那么OTA 32向节点N4源出电流，从而增加运算放大器33的反相输入端子处的电压，由此降低输出电压Vgate2的上升速率，进而降低输出电流Iout 2的上升速率。相反，如果电压Vind2小于电压Vcom，那么OTA 32减少到节点N4的电流(或从节点N4吸收电流)，从而降低运算放大器33的反相输入端子处的电压，由此增加输出电压Vgate2的上升速率，进而增加输出电流Iout2的上升速率。因此，综上所述，OTA 32的布置运转使得如果Isns3(代表Iout2)大于来自所有功率IC的平均电流，那么Iout2减小，但如果Isns3小于来自所有功率IC的平均电流，那么Iout2增加。

[0052] 凭借这种电流平衡操作，输出电流Iout1与Iout2在时间t1与t2之间的软启动阶段期间几乎完全相同，如图3中观察到的。

[0053] 在时间t2，Vin与Vout变得相等并且稳态操作开始。在稳态下，运算放大器23进入开环并且停止影响Vgate，并且因此晶体管T1和T2进入线性操作模式并且不再存在热失控的担忧。

[0054] 图4中所示是类似的操作示例，但在软启动期间，在时间t1与t2之间的时间t1.5处发生负载阶跃。在所示的具体示例中，在时间t1.5处，负载的电阻Rload突然增加，但是，如图4中可以观察到的，由于负载阶跃，输出电压Vout中没有发生可见的阶跃。这表明负载平衡不影响Vout。

[0055] 在图2的上述示例中，独立电阻器Rind1和Rind2位于功率IC 21和31的外部，公共电阻器Rcom也是如此。在一些应用中，可能不期望使用外部电阻器。图5中所示的电子设备20'的实施例缺少外部电阻器。代替在功率IC 21'外部存在独立电阻器Rind1，功率IC 21'内的电阻器Rs11连接在OTA 22的非反相输入端子与地之间，并且代替在功率IC 31'外部存在独立电阻器Rind2，电阻器Rs21连接在OTA 32的非反相输入端子与地之间。代替单个公共电阻器，功率IC 21'中包括连接在OTA 22的反相输入端子与地之间的电阻器Rs12，功率IC 
31'中包括连接在OTA 32的反相输入端子与地之间的电阻器Rs22，并且这些电阻器Rs12和Rs22彼此并联连接。电阻器Rs11、Rs21、Rs12与Rs22的电阻相等。

[0056] 这个示例中的操作如上面参考图2所述进行，其中电阻器Rs11和Rs21在操作方面与独立电阻器Rind1和Rind2对应，并且并联的电阻器R12和R22在操作方面与公共电阻器Rcom对应。

[0057] 在另一个示例实施例中，独立电阻器Rind1、Rind2和公共电阻器Rcom保持它们在图2中的样子，但是运算放大器23和33的反馈点改变，如图6中所示。这里，在功率IC 21”中，电阻器Rtop1、Rbot1串联连接在MOS T1的源极与地之间，运算放大器23的反相输入端子连接到Rtop1、Rbot1之间的抽头。同样，在功率IC 31”中，电阻器Rtop2、Rbot2串联连接在MOS T2的源极与地之间，运算放大器33的反相输入端子连接到Rtop2、Rbot2之间的抽头。

[0058] 这个实施例的操作实际上与图2的实施例相同，不同之处在于，通过从MOS晶体管T1和T2的源极获取反馈，由运算放大器23和33执行的调节基于T1和T2的源极电压而不是它们的栅极电压。这可以产生更准确的慢启动，因为T1和T2的栅极到源极电压现在受到严格控制。无论如何，电流平衡的操作都保持不变。

[0059] 在图7中所示的另外的示例实施例中，独立电阻器Rind1、Rind2和公共电阻器Rcom保留它们在图2中的样子，但是运算放大器23和33从功率IC 21”’和31”’移除。代替地，在功率IC 21”’中，电流源27连接在电荷泵24与MOS T1的栅极之间，开关S1连接在MOS T1的栅极与地之间，并且OTA 22的输出端连接到MOS T1的栅极。此外，在功率IC 21”’外部，软启动电容器Cs1连接在MOS T1的栅极与地之间。类似地，在功率IC 31”’中，电流源37连接在电荷泵34与MOS T2的栅极之间，开关S2连接在MOS T2的栅极与地之间，并且OTA 32的输出端连接到MOS T2的栅极。此外，在功率IC 31”’外部，软启动电容器Cs2连接在MOS T2的栅极与地之间。进一步要注意的是，这里，OTA 22和32的输入端的极性反转；OTA22的反相输入端被耦合成接收电压Vind1并且OTA 22的非反相输入端被耦合成接收电压Vcom，而OTA 32的反相输入端被耦合成接收电压Vind2并且OTA 32的非反相输入端被耦合成接收电压Vcom。

[0060] 这个实施例的操作如下进行。在启动时，一旦输入电压Vin达到其稳态值，信号Von就被断言，从而断开开关S1和S2。因此，软启动电流Iss开始对软启动电容器Cs1和Cs2充电至软启动电压Vss1和Vss2。这里，软启动电压Vss1和Vss2充当栅极电压Vgate1和Vgate2，因此当软启动电压Vss1和Vss2向上斜升时，栅极电压Vgate1和Vgate2向上斜升。

[0061] 与图2的上述实施例一样，电流感测电路26和36将独立电阻器Rind1和Rind2两端形成的电压Vind1和Vind2与公共电阻器Rcom两端形成的电压Vcom进行比较。但是，这里，如果Vind1(代表输出电流Iout1)大于Vcom，那么放大器22减小其到节点N1的输出电流(或从节点N1吸收电流)，从而减小栅极电压Vgate1的斜升速率；如果Vind1小于Vcom，那么放大器22增加其到节点N1的输出电流，从而增加栅极电压Vgate1的斜升速率。同样，如果Vind2(代表输出电流Iout2)大于Vcom，那么放大器32减小其到节点N4的输出电流(或从节点N4吸收电流)，从而减小栅极电压Vgate2的斜升速率；如果Vind2小于Vcom，那么放大器32增加其到节点N4的输出电流，从而增加栅极电压Vgate2的斜升速率。因此，栅极电压Vgate1和Vgate2在软启动期间彼此跟踪，并且输出电流Iout1和Iout2同样在软启动期间彼此跟踪。因此，这个实施例实际上执行与上述相同的电流平衡。

[0062] 通过将功率IC以菊花链方式连接在一起，有可能完全移除公共电阻器Rcom，如图8中所示。回想一下上面提到的，在上面示出的配置中可以有任何数量的功率IC。在图8的示例设备120中，示出了三个功率IC 121、131和141，但是可以存在如此布置的任何数量的功率IC。如上所述，公共电阻器已被移除，但是除了与OTA 122、132、142的反相输入端子的连接之外，功率IC 121、131和141本身与上面参考图2所描述的相同。注意的是，并联连接在放大器123、133和143的非反相输入端子与地之间的软启动电容器Css可以表示分别连接在放大器123、133和143中的每一个的非反相输入端子与地之间的不同的单独的独立软启动电容器。

[0063] 用于OTA 122、132和142的连接布置如下。OTA 122的非反相输入端子连接到节点N2以接收在独立电阻器Rind1两端形成的电压Vind1，而OTA 122的反相输入端子连接到节点N8以接收在独立电阻器Rind3两端形成的电压Vind3。OTA 132的非反相输入端子连接到节点N5以接收在独立电阻器Rind2两端形成的电压Vind2，而OTA 132的反相输入端子连接到节点N2以接收在独立电阻器Rind1两端形成的电压Vind1。OTA 142的非反相输入端子连接到节点N8以接收在独立电阻器Rind3两端形成的电压Vind3，而OTA 142的反相输入端子连接到节点N5以接收在独立电阻器Rind2两端形成的电压Vind2。

[0064] 因此操作如下。在软启动以及饱和的晶体管T1、T2和T3的操作开始时，信号Von被断言以断开开关S1、S2和S3，从而使得电流Iss开始对软启动电容器Css充电并开始使软启动电压Vss向上斜升。因此，此时，Vss大于节点N1、N4和N7处的电压，因此运算放大器123、133和143开始使栅极电压Vgate1、Vgate2和Vgate3的值向上斜升，从而使得输出电流Iout1、Iout2和Iout3的值向上斜升，直到输出电压Vout变得等于输入电压Vin并且晶体管T1、T2和T3开始处于线性模式的稳态操作。

[0065] 在软启动操作期间，如下执行电流平衡。在功率IC 121中，如果独立电压Vind1(代表电流Iout1)大于独立电压Vind3(代表电流Iout3)，那么OTA 122向节点N1源出电流，从而在运算放大器123的反相输入端子处施加正偏压，由此降低电压Vgate1(或者当其向上斜升时降低其斜率)；相反，如果独立电压Vind1小于独立电压Vind3，那么OTA 122从节点N1吸收电流，从而在运算放大器123的反相输入端子处施加负偏压，由此增加电压Vgate1(或者当其向上斜升时增加其斜率)。

[0066] 在功率IC 131中，如果独立电压Vind2(代表电流Iout2)大于独立电压Vind1(代表电流Iout1)，那么OTA 132将电流源出到节点N4，从而在运算放大器133的反相输入端子处施加正偏压，由此降低电压Vgate2(或者当其向上斜升时降低其斜率)；相反，如果独立电压Vind2小于独立电压Vind1，那么OTA 132从节点N4吸收电流，从而在运算放大器133的反相输入端子处施加负偏压，由此增加电压Vgate2(或者当其向上斜升时增加其斜率)。

[0067] 在功率IC 141中，如果独立电压Vind3(代表电流Iout3)大于独立电压Vind2(代表电流Iout2)，那么OTA 142向节点N7源出电流，从而在运算放大器143的反相输入端子处施加正偏压，由此降低电压Vgate3(或者当其向上斜升时降低其斜率)；相反，如果独立电压Vind3小于独立电压Vind2，那么OTA 142从节点N7吸收电流，从而在运算放大器143的反相输入端子处施加负偏压，由此增加电压Vgate3(或者当其向上斜升时增加其斜率)。

[0068] 通过这个动作，功率IC 121将其输出电流Iout1调整为等于输出电流Iout3，功率IC 131将其输出电流Iout2调整为等于输出电流Iout1，并且功率IC 141将其输出电流Iout3调整为等于输出电流Iout2。结果是输出电流Iout1、Iout2与Iout3相等，Vgate1、Vgate2与Vgate3也相等。

[0069] 在另一种菊花链配置中，外部独立电阻器Rind1、Rind2和Rind3可以代替地位于其相关联的功率IC 121、131和141内，如图9中所示。操作与图8的配置相同。

[0070] 在图10中所示的又一个菊花链配置中，电阻器Rtop1和Rbot1串联连接在晶体管T1的源极与地之间，电阻器Rtop2和Rbot2串联连接在晶体管T2的源极与地之间，并且电阻器Rtop3和Rbot3串联连接在晶体管T3的源极与地之间。

[0071] 这个实施例的操作实际上与图8的实施例相同，不同之处在于，通过从MOS晶体管T1、T2和T3的源极获取反馈，由运算放大器123、133和143执行的调节基于T1、T2和T3的源极电压而不是它们的栅极电压。这可以产生更准确的慢启动，因为T1、T2和T3的栅极到源极电压现在受到严格控制。无论如何，电流平衡的操作都保持不变。

[0072] 在图11中所示的另外的示例实施例中，独立电阻器Rind1、Rind2和Rind3保留它们在图8中的样子，但是运算放大器123、133和143从功率IC 121”’、131”’以及141”’移除。代替地，在功率IC 121”’中，电流源127连接在电荷泵124与MOS T1的栅极之间，开关S1连接在MOS T1的栅极与地之间，并且OTA 122的输出端连接到MOS T1的栅极。位于功率IC 121”’外部的软启动电容器Cs1连接在MOS T1的栅极与地之间。类似地，在功率IC 131”’中，电流源137连接在电荷泵134与MOS T2的栅极之间，开关S2连接在MOS T2的栅极与地之间，并且OTA 
132的输出端连接到MOS T2的栅极。位于功率IC 131”’外部的软启动电容器Cs2连接在MOS T2的栅极与地之间。在功率IC 141”’中，电流源147连接在电荷泵144与MOS T3的栅极之间，开关S3连接在MOS T3的栅极与地之间，并且OTA 142的输出端连接到MOS T3的栅极。位于功率IC 141”’外部的软启动电容器Cs3连接在MOS T3的栅极与地之间。

[0073] 这个实施例的操作如下进行。在启动时，一旦输入电压Vin达到其稳态值，信号Von就被断言，从而断开开关S1、S2和S3。因此，软启动电流Iss开始对软启动电容器Cs1、Cs2和Cs3充电至软启动电压Vss1、Vss2和Vss3。这里，软启动电压Vss1、Vss2和Vss3充当栅极电压Vgate1、Vgate2和Vgate3，使得软启动电压Vss1、Vss2和Vss3向上斜升，栅极电压Vgate1、Vgate2和Vgate3向上斜升。

[0074] 与图8的上述实施例一样，电流感测电路126、136和146将电压Vind1、Vind2和Vind3与电压Vind3、Vind1和Vind2进行比较。如果Vind1(代表输出电流Iout1)大于Vind3，那么放大器123减小其到节点N1的输出电流，从而减小栅极电压Vgate1的斜升速率；如果Vind1小于Vind3，那么放大器122向节点N1源出电流，从而增加栅极电压Vgate1的斜升速率。如果Vind2(代表输出电流Iout2)大于Vind1，那么放大器132减小其到节点N4的输出电流，从而减小栅极电压Vgate2的斜升速率；如果Vind2小于Vind1，那么放大器132向节点N4源出电流，从而增加栅极电压Vgate2的斜升速率。如果Vind3(代表输出电流Iout3)大于Vind2，那么放大器142减小其到节点N7的输出电流，从而减小栅极电压Vgate3的斜升速率；如果Vind3小于Vind2，那么放大器142向节点N7源出电流，从而增加栅极电压Vgate3的斜升速率。

[0075] 因此，栅极电压Vgate1、Vgate2和Vgate3在软启动期间彼此跟踪，并且输出电流Iout1、Iout2和Iout3同样在软启动期间彼此跟踪。因此，这个实施例实际上执行与上述相同的电流平衡。

[0076] 显然，在不脱离本公开的范围的情况下，可以对本文已经描述和示出的内容进行修改和变化。

[0077] 虽然已经利用有限数量的实施例描述了本公开，但是受益于本公开的本领域技术人员可以设想不偏离所公开的范围的其它实施例。此外，技术人员可以设想表示以各种方式进行的本文公开的实施例的各种组合的实施例。