技术领域
[0001] 本发明涉及布线电路基板及其制造方法。
相关背景技术
[0002] 在电子设备中，为了在多个电子部件之间进行电信号的收发而使用布线电路基板。布线电路基板连接有半导体芯片等电子部件。为了使从与布线电路基板连接的电子部件产生的热高效地散发，提出了包括金属制的基板在内的布线电路基板。
[0003] 例如，专利文献1所记载的布线板(布线电路基板)具有芯基板。芯基板例如由铝构成，具有贯通过孔。芯基板的上表面、下表面以及贯通过孔的内周面被绝缘层覆盖。该绝缘层通过使用有机酸的阳极氧化处理而形成。在芯基板的上表面和下表面各自的面上隔着绝缘层设置有布线层。另外，在芯基板的贯通过孔的内部隔着绝缘层设置有导体层。专利文献1：日本特开2004‑179291号公报
具体实施方式
[0039] 以下，参照附图对本发明的一个实施方式所涉及的布线电路基板及其制造方法进行说明。作为布线电路基板的一例，说明再布线基板。再布线基板例如配置在半导体元件等电子部件与刚性印刷布线电路基板(以下简称为刚性基板)等其他布线电路基板之间，承担转换电子部件的微细图案与其他布线电路基板的粗图案的间距(pitch)的作用。再布线基板也被称为中介层基板。
[0040] 1.再布线基板的基本结构图1是表示本发明的一实施方式所涉及的再布线基板的结构的示意性剖视图。图2是图1的再布线基板100的示意性俯视图。图3是图1的再布线基板100的示意性仰视图。图1表示图2以及图3的A‑A线剖面。如图1所示，再布线基板100主要由金属支承体10、绝缘层20、
30和导体层50、60构成，具有60μm以上且500μm以下的厚度。另外，再布线基板100配置在半导体元件700与刚性基板800之间。半导体元件700具有多个电极焊盘71，刚性基板800具有多个电极焊盘81。在图1～图3中，半导体元件700由单点划线表示，刚性基板800由双点划线表示。
[0041] 在图1的再布线基板100中，金属支承体10例如由包含选自铜、铝、铁、镍、铬、钛和钼中的1种或多种元素的金属或者合金形成。在本实施方式中，金属支承体10由不锈钢形成为板状。将金属支承体10中的朝向半导体元件700的面(图1中朝向上方的面)称为上表面10a，将金属支承体10中的朝向刚性基板800的面(图1中朝向下方的面)称为下表面10b。本实施方式所涉及的上表面10a和下表面10b相互平行且与金属支承体10的厚度方向正交且平坦。另外，在以下的说明中，将金属支承体10的上表面10a所朝向的方向设为再布线基板
100的上方，将金属支承体10的下表面10b所朝向的方向设为再布线基板100的下方。
[0042] 不限于上述例子，作为金属支承体10，可以使用42合金或因瓦合金等。在金属支承体10使用因瓦合金的情况下，能够与因瓦合金中的镍(Ni)组成的变化对应地调整金属支承体10的线膨胀系数。该情况下，能够抑制在构成再布线基板100的各层产生翘曲。
[0043] 本实施方式所涉及的金属支承体10优选相对于绝缘层20、30的导热系数具有更高的导热系数，例如具有10W/mK以上且400W/mK以下的导热系数。另外，金属支承体10优选具有10μm以上且100μm以下的厚度，更优选具有20μm以上且50μm以下的厚度。进而，金属支承体10在从25℃至200℃的线膨胀系数为0μm/K以上且25μm/K以下。
[0044] 另外，在金属支承体10上形成有多个过孔19。本例的多个过孔19各自具有在沿再布线基板100的厚度方向(再布线基板100的上下方向)观察的俯视时圆形或矩形的开口部。各过孔19的与再布线基板100的厚度方向正交的开口部的最大尺寸例如为10μm以上且250μm以下。应予说明，上述的最大尺寸例如在俯视时过孔19的开口部具有圆形状的情况下是指过孔19的内径的最大尺寸。另外，例如在俯视时过孔19的开口部具有矩形形状的情况下是指过孔19的开口部的对角线的最大尺寸。
[0045] 在金属支承体10的外表面形成有被覆层11。更具体而言，在金属支承体10中，以覆盖上表面10a、下表面10b和各过孔19的内周面10c的整体的方式形成有被覆层11。被覆层11例如由有机绝缘材料形成。被覆层11的有机绝缘材料例如是感光性聚酰亚胺。被覆层11的有机绝缘材料例如是感光性聚酰亚胺。该情况下，被覆层11具有1μm以上且10μm以下的厚度。应予说明，被覆层11也可以由丙烯酸树脂、聚醚腈树脂、聚醚砜树脂、环氧树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂或聚氯乙烯树脂等其他有机绝缘材料形成。另外，作为被覆层11的材料，也能够使用无机绝缘材料来代替上述的有机绝缘材料。具体而言，作为被覆层11的材料，也能够使用碳化硅、二氧化硅、氮化铝或氧化铝等。在使用这些无机绝缘材料的情况下，被覆层11如后所述，例如能够使用溅射或化学气相沉积法等成膜技术来形成。在选择能够应用溅射或化学气相沉积法等成膜技术的材料作为被覆层11的材料的情况下，被覆层11的厚度能够比使用感光性聚酰亚胺的情况的厚度(1μm以上且10μm以下)设为更小。
[0046] 在金属支承体10的上表面10a上依次层叠有具有规定图案的第一绝缘层21和第二绝缘层22。由第一绝缘层21和第二绝缘层22形成绝缘层20。另外，在金属支承体10的下表面10b上依次层叠有具有规定图案的第三绝缘层31和第四绝缘层32。由第三绝缘层31和第四绝缘层32形成绝缘层30。
[0047] 绝缘层20、30例如由感光性聚酰亚胺形成。应予说明，绝缘层20、30也可以由丙烯酸树脂、聚醚腈树脂、聚醚砜树脂、环氧树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂或聚氯乙烯树脂等其他树脂形成。
[0048] 在金属支承体10的各过孔19内隔着被覆层11设置有过孔导体41。在本实施方式中，过孔导体41由与金属支承体10相同的金属构成。在金属支承体10的上表面10a上，除了形成有第一绝缘层21以外，还形成有第一导体层51。具体而言，在金属支承体10的上表面10a上，在第一绝缘层21的非形成区域(与第一绝缘层21的图案相反图案的区域)隔着被覆层11形成有第一导体层51。第一导体层51的一部分与过孔导体41电连接。本例的多个过孔导体41各自具有在沿再布线基板100的厚度方向观察的俯视时例如与设置有该过孔导体41的过孔19的开口部相似的形状。各过孔导体41的与再布线基板100的厚度方向正交的最大尺寸例如为5μm以上且200μm以下。
[0049] 另外，在第一绝缘层21以及第一导体层51上，在第二绝缘层22的非形成区域(与第二绝缘层22的图案相反图案的区域)形成有第二导体层52。第二导体层52的一部分与第一导体层51电连接。由第一导体层51和第二导体层52形成导体层50。
[0050] 在第二导体层52上形成有在第二绝缘层22的非形成区域中向上方露出的多个端子部T1。半导体元件700的多个电极焊盘71经由焊料S与这些端子部T1连接。因此，多个端子部T1的数量和配置以与半导体元件700的多个电极焊盘71的数量和配置对应的方式被确定。
[0051] 在金属支承体10的下表面10b上，除了形成有第三绝缘层31以外，还形成有第三导体层61。具体而言，在金属支承体10的下表面10b上，在第三绝缘层31的非形成区域(与第三绝缘层31的图案相反图案的区域)隔着被覆层11形成有第三导体层61。第三导体层61的一部分与过孔导体41电连接。
[0052] 另外，在第三绝缘层31以及第三导体层61上，在第四绝缘层32的非形成区域(与第四绝缘层32的图案相反图案的区域)形成有第四导体层62。第四导体层62的一部分与第三导体层61电连接。由第三导体层61和第四导体层62形成导体层60。
[0053] 在第四导体层62上形成有在第四绝缘层32的非形成区域中向下方露出的多个端子部T2。刚性基板800的多个电极焊盘81经由焊料S与这些端子部T2连接。因此，多个端子部T2的数量和配置以与刚性基板800的多个电极焊盘81的数量和配置对应的方式被确定。
[0054] 上述的导体层50、60由铜形成。应予说明，导体层50、60也可以由包含铜、金、银、铂、铅、锡、镍、钴、铟、铑、铬、钨以及钌等中的一种或多种的金属或者合金形成。
[0055] 另外，上述多个端子部T1、T2各自具有镍膜和镀金膜的层叠结构。详细而言，各端子部T1具有在第二导体层52的上端部的表面上依次形成有镍膜和镀金膜的结构。另外，各端子部T2具有在第四导体层62的下端部的表面上依次形成有镍膜和镀金膜的结构。应予说明，各端子部T1、T2也可以不具有镍膜，而是仅由镀金膜构成。通过镀金膜确保各端子部T1、T2的耐腐蚀性。或者，各端子部T1也可以由导体层50(第二导体层52)自身构成，也可以具有对第二导体层52的上端部的表面实施了防锈处理的结构。另外，各端子部T2也可以由导体层60(第四导体层62)自身构成，也可以具有对第四导体层62的下端部的表面实施了防锈处理的结构。
[0056] 在上述的再布线基板100中，形成于再布线基板100的上表面的多个端子部T1各自通过多个过孔导体41以及导体层50、60与形成于再布线基板100的下表面的多个端子部T2中的某个电连接。另外，在再布线基板100的多个端子部T1分别连接半导体元件700的多个电极焊盘71，在再布线基板100的多个端子部T2分别连接刚性基板800的多个电极焊盘81。由此，半导体元件700的多个电极焊盘71与刚性基板800的多个电极焊盘81经由再布线基板
100电连接。
[0057] 应予说明，如图2以及图3所示，在本实施方式中，位于再布线基板100的上表面的多个端子部T1的数量与位于再布线基板100的下表面的多个端子部T2的数量一致，但本发明并不限定于此。位于再布线基板100的上表面的多个端子部T1的数量与位于再布线基板100的下表面的多个端子部T2的数量也可以不一致。
[0058] 2.再布线基板100的制造方法(1)再布线基板100的制造方法的第一例
图4～图16是用于说明图1的再布线基板100的制造方法的第一例的示意性剖视图。图4～图16所示的示意性剖视图与图1的示意性剖视图对应。应予说明，在图4～图16中的图7、图9以及图10中，除了示意性的剖视图之外，还在引出框内示出对象物(再布线基板
100的中间体)的局部放大俯视图。本例的再布线基板100通过辊对辊方式制造。
[0059] 首先，准备卷绕有不锈钢制的长条状的金属板90的辊(以下称为送出辊)。从准备好的送出辊送出金属板90。从送出辊送出的金属板90被卷绕于其他辊。在图4中，示出从送出辊送出的金属板90的一部分的剖面。金属板90是用于形成上述金属支承体10的构件，具有上表面10a及下表面10b。根据辊对辊方式，一边使长条状的金属板90在长度方向上移动，一边对金属板90的各区域依次进行以下的处理。
[0060] 首先，如图5所示，在金属板90的下表面10b上粘贴载体膜CF0。进而，如图6所示，在金属板90的上表面10a上粘贴感光性干膜抗蚀剂29a。之后，通过以规定图案对感光性干膜抗蚀剂29a进行曝光，并进行显影处理，由此如图7所示，在金属板90的上表面10a上形成抗蚀层29b。
[0061] 如图7的引出框内所示，本例的抗蚀层29b具有在沿金属板90的厚度方向观察的俯视时分别包围金属板90的多个部分的圆环状的多个开口部29x。由此，金属板90的上表面10a的与抗蚀层29b的多个开口部29x分别重叠的多个部分朝向上方露出。应予说明，抗蚀层
29b的多个开口部29x各自是用于形成图1的过孔19的开口部。
[0062] 接着，如图8所示，对金属板90的通过抗蚀层29b的多个开口部29x而露出的多个部分进行蚀刻。另外，如图9所示，从金属板90的上表面10a剥离抗蚀层29b。这样，通过在金属板90上形成多个过孔19，由此形成金属支承体10。此时，如图9的引出框内所示，在过孔19内部，金属板90的一部分以不与过孔19的内周面10c接触的方式作为过孔导体41形成为岛状。
[0063] 接着，如图10所示，除了过孔导体41的上表面之外，在露出的金属支承体10的上表面10a和内周面10c形成由感光性聚酰亚胺构成的被覆层11。被覆层11的形成具体如下这样进行。
[0064] 首先，在金属支承体10的上表面10a上涂布感光性聚酰亚胺的前体。另外，在金属支承体10的各过孔19的内部，在过孔19的内周面10c与过孔导体41的外周面之间的区域填充感光性聚酰亚胺的前体。之后，通过对所涂布的感光性聚酰亚胺的前体进行曝光和显影，由此除了过孔导体41的上表面的部分之外形成被覆层11。对所形成的被覆层11进行固化处理。
[0065] 应予说明，在使用碳化硅、二氧化硅或氮化铝作为被覆层11的材料的情况下，被覆层11例如通过溅射形成。或者，在使用碳化硅或氧化铝作为被覆层11的材料的情况下，被覆层11例如通过化学气相沉积法形成。
[0066] 接着，如图11所示，从金属支承体10的下表面10b剥离载体膜CF0。之后，如图12所示，除了过孔导体41的下表面的部分之外，在露出的金属支承体10的下表面10b形成由感光性聚酰亚胺构成的被覆层11。相对于金属支承体10的下表面10b形成被覆层11，是通过与相对于金属支承体10的上表面10a形成被覆层11相同的方法进行的。对所形成的被覆层11进行固化处理。
[0067] 接着，如图13所示，在多个过孔导体41的上表面和金属支承体10的上表面10a的规定区域形成由铜构成的第一导体层51。并且，在多个过孔导体41的下表面和金属支承体10的下表面10b的规定区域形成由铜构成的第三导体层61。上述的第一导体层51和第三导体层61的形成具体如下这样进行。
[0068] 首先，在金属支承体10的上表面10a、金属支承体10的下表面10b、过孔导体41的上表面和过孔导体41的下表面，通过溅射或无电解镀覆形成例如由铬薄膜和铜薄膜构成的种子层。接着，与上述的抗蚀层29b的例子同样地，在种子层上形成规定图案的抗镀层。接下来，在通过抗镀层的开口部而露出的种子层上，通过电解镀覆形成第一导体层51以及第三导体层61的一部分。此时，第一导体层51与多个过孔导体41电连接。另外，第三导体层61与多个过孔导体41电连接。这里形成的第一导体层51和第三导体层61的部分被用作布线部分。
[0069] 第一导体层51以及第三导体层61除了包括上述的布线部分之外，还包括过孔部分。因此，在形成第一导体层51和第三导体层61的布线部分之后，进一步通过使用了抗镀层的电解镀覆形成第一导体层51和第三导体层61的过孔部分。
[0070] 之后，剥离抗镀层，通过蚀刻去除种子层的露出的部分(未形成第一导体层51和第三导体层61的部分)。进而，在第一导体层51以及第三导体层61的外表面形成用于抑制铜的扩散的阻挡层。阻挡层例如由镍薄膜构成。应予说明，在图13中，省略了种子层以及阻挡层的图示。
[0071] 在形成第一导体层51和第三导体层61后，如图14所示，在金属支承体10的上表面10a中的未形成第一导体层51的区域，形成由感光性聚酰亚胺构成的第一绝缘层21。在第一导体层51的布线部分的区域也形成第一绝缘层21。由此，第一导体层51的布线部分被第一绝缘层21覆盖，第一导体层51的过孔部分(布线部分以外的部分)露出。
[0072] 另外，在金属支承体10的下表面10b中的未形成第三导体层61的区域，形成由感光性聚酰亚胺构成的第三绝缘层31。在第三导体层61的布线部分的区域也形成第三绝缘层31。由此，第三导体层61的布线部分被第三绝缘层31覆盖，第三导体层61的过孔部分(布线部分以外的部分)露出。
[0073] 第一绝缘层21和第三绝缘层31是通过在金属支承体10的上表面10a和下表面10b涂布感光性聚酰亚胺的前体并对该前体进行曝光和显影而形成的。另外，对所形成的第一绝缘层21和第三绝缘层31进行固化处理。
[0074] 接下来，去除第一导体层51的上表面中的存在于预先确定的区域的阻挡层。另外，去除第三导体层61的上表面中的存在于预先确定的区域的阻挡层。
[0075] 之后，如图15所示，在去除了阻挡层的第一导体层51的上表面和第一绝缘层21的上表面的规定区域形成第二导体层52。另外，在去除了阻挡层的第三导体层61的下表面和第三绝缘层31的下表面的规定区域形成第四导体层62。第二导体层52和第四导体层62各自与第一导体层51和第三导体层61同样地具有布线部分和过孔部分。因此，第二导体层52及第四导体层62的形成基本上按照与第一导体层51及第三导体层61的形成相同的顺序进行。
[0076] 接下来，如图16所示，在第一绝缘层21以及第一导体层51的上表面中的未形成第二导体层52的区域，形成由感光性聚酰亚胺构成的第二绝缘层22。在第二导体层52的布线部分的区域也形成第二绝缘层22。由此，第二导体层52的布线部分被第二绝缘层22覆盖，第二导体层52的过孔部分(布线部分以外的部分)露出。
[0077] 另外，在第三绝缘层31以及第三导体层61的下表面中的未形成第四导体层62的区域，形成由感光性聚酰亚胺构成的第四绝缘层32。在第四导体层62的布线部分的区域也形成第四绝缘层32。由此，第四导体层62的布线部分被第四绝缘层32覆盖，第四导体层62的过孔部分(布线部分以外的部分)露出。
[0078] 第二绝缘层22及第四绝缘层32的形成基本上按照与第一绝缘层21及第三绝缘层31的形成相同的顺序进行。
[0079] 最后，去除第二导体层52中的在向上方露出的多个部分形成的阻挡层，并且在第二导体层52的去除了阻挡层的多个部分形成端子部T1(图1)。另外，去除第四导体层62中的在向下方露出的多个部分形成的阻挡层，并且在第四导体层62的去除了阻挡层的多个部分形成端子部T2(图1)。如上所述，端子部T1、T2例如具有镍膜和镀金膜的层叠结构。应予说明，端子部T1、T2也可以仅由镀金膜形成。由此，完成再布线基板100。
[0080] 在上述的再布线基板100的制造方法中，在初始的工序中粘贴于金属板90的载体膜CF0也可以由感光性聚酰亚胺等感光性材料构成。该情况下，例如如图10所示，在金属支承体10的上表面10a形成被覆层11后，通过对载体膜CF0进行曝光和显影，由此能够在金属支承体10的下表面10b形成被覆层11。因此，不再需要剥离载体膜CF0。另外，不再需要在金属支承体10的下表面10b涂布用于形成被覆层11的感光性聚酰亚胺的前体。由此，减少再布线基板100的制造工序的数量。
[0081] (2)再布线基板100的制造方法的第二例图17～图23是用于说明图1的再布线基板100的制造方法的第二例的示意性剖视图。图17～图23所示的示意性剖视图与图4～图16的示意性剖视图同样地对应于图1的示意性剖视图。应予说明，在图17～图23中的图18、图20、图21、图22以及图23中，除了示意性的剖视图之外，还在引出框内示出对象物(再布线基板100的中间体)的局部放大俯视图。以下，关于再布线基板100的制造方法的第二例，主要说明与再布线基板100的制造方法的第一例的不同点。
[0082] 本例的再布线基板100与第一例同样地通过辊对辊方式制造。因此，在本例中，也首先准备卷绕有不锈钢制的长条状的金属板90的送出辊。从准备好的送出辊送出金属板90，将送出的金属板90卷绕于其他辊。对从送出辊向其他辊移动的金属板90的各区域依次进行以下的处理。
[0083] 首先，在金属板90的下表面10b未粘贴相当于图5的载体膜CF0的构件的状态下，如图17所示，在金属板90的上表面10a上粘贴感光性干膜抗蚀剂29a。之后，通过以规定图案对感光性干膜抗蚀剂29a进行曝光，并进行显影处理，由此如图18所示，在金属板90的上表面10a上形成抗蚀层29b。
[0084] 如图18的引出框内所示，本例的抗蚀层29b具有在沿金属板90的厚度方向观察的俯视时圆弧状的多个开口部29y。由此，金属板90的上表面10a的与抗蚀层29b的多个开口部29y分别重叠的多个部分朝向上方露出。应予说明，多个开口部29y各自是用于形成图1的过孔19的开口部。另外，本例的多个开口部29y各自的形状在俯视时接近圆环状。
[0085] 接着，如图19所示，对金属板90的通过抗蚀层29b的多个开口部29y而露出的多个部分进行蚀刻。之后，如图20所示，从金属板90的上表面10a剥离抗蚀层29b。
[0086] 此时，如图20的引出框内所示，在金属板90形成圆弧状的多个开口部10y。由此，在金属板90中的各开口部10y的形成区域中形成导体形成部10i和连结部10j。连结部10j是位于在俯视时呈圆弧状延伸的开口部10y的一端部与另一端部之间的部分。另外，导体形成部10i是在俯视时被开口部10y和连结部10j包围的部分。在图20和后述的图21中，用单点划线表示导体形成部10i和连结部10j。
[0087] 上述的导体形成部10i最终通过与金属板90的其他部分分离而用作过孔导体41。然而，在图20的工序中，连结部10j与金属板90的其他部分一体地形成。由此，包括多个导体形成部10i的金属板90不使用载体膜CF0就能够单独地基于辊对辊方式进行输送。
[0088] 接着，如图21所示，除了金属板90的多个导体形成部10i的上表面及下表面之外，在露出的金属板90的上表面10a及下表面10b形成由感光性聚酰亚胺构成的被覆层11。另外，在金属板90的多个开口部10y内形成被覆层11。
[0089] 具体而言，在金属板90的上表面10a及下表面10b上涂布感光性聚酰亚胺的前体。另外，在金属板90的各开口部10y的内部填充感光性聚酰亚胺的前体。之后，通过对所涂布的感光性聚酰亚胺的前体进行曝光和显影，由此除了导体形成部10i的上表面和下表面的部分之外在金属板90的整个表面形成被覆层11。对所形成的被覆层11进行固化处理。
[0090] 接着，如图22所示，去除金属板90的多个连结部10j。多个连结部10j能够通过使用激光加工技术在金属板90的包括连结部10j的部分形成贯穿孔H1来去除。以这种方式，在金属板90中形成由开口10y和贯穿孔H1构成的多个过孔19。由此，金属板90形成为金属支承体10。应予说明，用于去除多个连结部10j的贯穿孔H1的形成例如也可以使用钻孔加工技术或冲孔加工技术来进行。
[0091] 接下来，如图23所示，在为了去除多个连结部10j而形成的多个贯穿孔H1的内部埋入绝缘性材料MI。作为绝缘性材料MI，使用碳化硅、二氧化硅或氮化铝等绝缘性填料。该情况下，各导体形成部10i相对于过孔19的内周面10c被被覆层11和绝缘性材料MI电分离。由此，各导体形成部10i能够在收容有该导体形成部10i的各过孔19内用作过孔导体41。
[0092] 之后，在图23所示的金属支承体10的上方，以与再布线基板100的制造方法的第一例同样的工序形成导体层50和绝缘层20。另外，在图23所示的金属支承体10的下方，以与再布线基板100的制造方法的第一例同样的工序形成导体层60和绝缘层30。
[0093] 应予说明，在再布线基板100的制造方法的第二例中，在形成导体层50时，第一导体层51的至少一部分形成为与向上方露出的多个过孔导体41的上表面电连接。另外，第三导体层61的至少一部分形成为与向下方露出的多个过孔导体41的下表面电连接。
[0094] 在再布线基板100的制造方法的第二例中，为了将金属支承体10与过孔导体41电分离，除了被覆层11之外还使用绝缘性材料MI。因此，根据按照第二例制作的再布线基板100的结构，在图1的剖视图中，在金属支承体10的过孔19内追加绝缘性材料MI。
[0095] 3.效果(1)在上述的再布线基板100的制造方法的第一以及第二例中，以不与过孔19的内周面10c接触的方式，在过孔19内形成由金属板90的一部分构成的过孔导体41。该情况下，在形成金属支承体10后，不再需要另外设置形成用于将导体层50、60相互电连接的过孔导体41的工序。另外，过孔19内的过孔导体41由金属板90的一部分构成，因此不再需要通过镀覆等在过孔19内形成过孔导体41。因此，容易形成过孔19内的过孔导体41。另外，能够防止在过孔导体41产生空隙等缺陷。这些结果，实现制造容易且电导通的可靠性提高的再布线基板100。
[0096] (2)如上所述，作为覆盖金属支承体10的表面的被覆层11的材料，例如使用感光性聚酰亚胺。该情况下，通过使用光刻技术，能够在金属支承体10的表面的期望区域容易地形成被覆层11。
[0097] 因此，在上述的例子中，被覆层11几乎遍及金属支承体10的整个表面而形成，但被覆层11也可以选择性地形成于金属支承体10的表面的一部分。例如，被覆层11可以仅形成于金属支承体10的过孔19的内周面10c、金属支承体10的上表面10a中的第一导体层51的形成区域和金属支承体10的下表面10b中的第三导体层61的形成区域。
[0098] (3)如上所述，金属支承体10在从25℃至200℃的线膨胀系数为0μm/K以上且25μm/K以下。该情况下，防止金属支承体10随着再布线基板100的温度变化而大幅变形。由此，再布线基板100的可靠性提高。
[0099] (4)金属支承体10优选包含使该金属支承体10与被覆层11之间的密合性提高的成分。该情况下，抑制被覆层11从金属支承体10的表面剥离。由此，确保金属支承体10与过孔导体41以及导体层50、60之间的绝缘性，因此再布线基板100的可靠性提高。作为使金属支承体10与被覆层11之间的密合性提高的成分，可以举出铜、铝、镍、铬、钛和钼等。
[0100] 4.考虑了多个端子部间的高度位置的不均的结构在以下的说明中，将再布线基板100的厚度方向(再布线基板100的上下方向)上的再布线基板100的各部分的位置适当地称为该部分的高度位置。
[0101] ＜1＞多个端子部T1的高度位置的不均如上所述，在再布线基板100上安装半导体元件700。半导体元件700具备多个电极焊盘71作为多个端子。这些多个电极焊盘71基本上形成为多个电极焊盘71的顶端部(相对于再布线基板100的电连接部)位于一个平面上。
[0102] 因此，在再布线基板100的厚度方向上，若在再布线基板100的向上方露出的多个端子部T1的位置(高度位置)存在较大的不均，则半导体元件700相对于该再布线基板100的安装的可靠性降低。
[0103] 例如，若在多个端子部T1的高度位置存在较大的不均，则再布线基板100有可能以不期望的姿势安装于再布线基板100。或者，在安装半导体元件700时，有可能难以将半导体元件700的多个电极焊盘71与再布线基板100的多个端子部T1电连接。
[0104] 另外，半导体元件700的各电极焊盘71的顶端部具有例如直径30μm左右的圆形的露出面。在对再布线基板100安装半导体元件700时，在各电极焊盘71的顶端部的露出面预先设置半球状的焊料S。因此，设置于各电极焊盘71的焊料S从该电极焊盘71的顶端部突出约15μm。因此，再布线基板100需要形成为使多个端子部T1的高度位置的不均至少为15μm以下。
[0105] 但是，若考虑半导体元件700相对于再布线基板100的安装的可靠性，则再布线基板100优选形成为使多个端子部T1的高度位置的不均为10μm以下。另外，再布线基板100更优选形成为使多个端子部T1的高度位置的不均为5μm以下，进一步优选形成为使多个端子部T1的高度位置的不均为2μm以下。
[0106] ＜2＞多个端子部T1的高度位置的不均的产生原因对多个端子部T1的高度位置的不均的产生原因进行研究。在俯视时与过孔导体41重叠的一个或多个端子部T1，是例如通过在位于与金属支承体10的上表面10a相同的高度位置的过孔导体41的上表面上直接形成导体层50而形成的。另一方面，在俯视时不与过孔导体41重叠的1个或多个端子部T1，是通过在金属支承体10的除过孔导体41之外的上表面
10a上隔着被覆层11形成导体层50而形成的。
[0107] 因此，多个端子部T1的高度位置的不均主要在俯视时与过孔导体41重叠的一个或多个端子部T1和在俯视时不与过孔导体41重叠的一个或多个端子部T1之间产生。考虑到这一点，再布线基板100也可以具有以下说明的结构(第一至第四结构例)，以使多个端子部T1的高度位置的不均至少为15μm以下。应予说明，在以下说明的第一至第四结构例中，多个端子部T1各自是由导体层50自身形成的。
[0108] ＜3＞考虑了多个端子部T1的高度位置的不均的降低的第一结构例图24是表示考虑了多个端子部T1的高度位置的不均的降低的再布线基板100的第一结构例的示意性剖视图。在图24中，放大示出第一结构例所涉及的再布线基板100的一部分。
[0109] 图24的再布线基板100具有形成有过孔19的金属支承体10。在图24中，过孔19由粗虚线的框表示。在金属支承体10的过孔19内形成有由与金属支承体10相同的金属构成的过孔导体41。
[0110] 被覆层11形成为覆盖金属支承体10的上表面10a和下表面10b并且覆盖金属支承体10的过孔19的内周面10c。在本例中，将被覆层11中的覆盖金属支承体10的上表面10a的部分称为上表面被覆部11a。另外，将被覆层11中的覆盖金属支承体10的下表面10b的部分称为下表面被覆部11b。进而，将被覆层11中的覆盖金属支承体10的内周面10c的部分称为孔内被覆部11c。孔内被覆部11c在俯视时位于过孔19的内部，包围过孔导体41。
[0111] 在被覆层11的上表面被覆部11a上形成有具有规定的图案的多个导体层50。另外，绝缘层20形成为覆盖各导体层50的一部分。在被覆层11的下表面被覆部11b上层叠形成有具有规定的图案的多个(在本例中为两个)导体层63、64和多个(在本例中为两个)绝缘层33、34。
[0112] 在第一结构例中，多个导体层50中的一个导体层50包括第一连接导体部50a。第一连接导体部50a与过孔导体41接触且从过孔导体41朝向再布线基板100的上方延伸。即，第一连接导体部50a从过孔导体41向金属支承体10的上表面10a所朝向的方向延伸。第一连接导体部50a的顶端部构成端子部T1。在以下的说明中，将由第一连接导体部50a的顶端部构成的端子部T1称为第一端子部T1a。
[0113] 另外，多个导体层50中的其他导体层50包括第二连接导体部50b。第二连接导体部50b隔着上表面被覆部11a的一部分形成在金属支承体10的上表面10a上。另外，第二连接导体部50b从上表面被覆部11a的一部分朝向再布线基板100的上方延伸。即，第二连接导体部
50b从上表面被覆部11a的一部分向金属支承体10的上表面10a所朝向的方向延伸。第二连接导体部50b的顶端部构成端子部T1。在以下的说明中，将由第二连接导体部50b的顶端部构成的端子部T1称为第二端子部T1b。
[0114] 图25是表示图24的第一端子部T1a、第一连接导体部50a、第二端子部T1b、第二连接导体部50b、金属支承体10及过孔导体41的位置关系的俯视图。应予说明，图25的俯视图的比例尺与图24的示意性剖视图的比例尺不同。如图25所示，第一端子部T1a和第一连接导体部50a在俯视时与过孔导体41重叠。另一方面，第二端子部T1b和第二连接导体部50b在俯视时不与过孔导体41重叠。
[0115] 在第一结构例所涉及的再布线基板100中，如图24所示，第一连接导体部50a的上下方向的长度(厚度)da和第二连接导体部50b的上下方向的长度(厚度)db大致相同。因此，第一端子部T1a的高度位置与第二端子部T1b的高度位置的差值由位于金属支承体10与第二连接导体部50b之间的上表面被覆部11a的厚度决定。因此，在本例中，上表面被覆部11a形成为使上表面被覆部11a中的形成第二连接导体部50b的部分的厚度比其他部分的厚度小。
[0116] 图26是表示在图24的再布线基板100安装半导体元件700时的一例的图。如图26所示，从再布线基板100的上方安装半导体元件700。此时，在半导体元件700的多个电极焊盘71各自如上述那样设置焊料S。焊料S从电极焊盘71的顶端部突出规定的长度sh。
[0117] 在第一结构例中，调整上表面被覆部11a的与第二连接导体部50b重叠的部分的厚度，以使第一端子部T1a的高度位置与第二端子部T1b的高度位置的差值dd为设置于半导体元件700的多个电极焊盘71的焊料S的长度sh以下。在本例中，设置于多个电极焊盘71的焊料S的长度sh为15μm。
[0118] 根据这样的结构，与第一端子部T1a以及第二端子部T1b的高度位置的差值dd比设置于多个电极焊盘71的焊料S的长度sh(15μm)大的情况相比，能够将半导体元件700在结构上稳定地安装于再布线基板100上。另外，在再布线基板100上安装有半导体元件700的状态下，该再布线基板100与半导体元件700的电导通的可靠性提高。
[0119] 在此，在设置于半导体元件700的多个电极焊盘71的焊料S的长度sh为15μm的情况下，第一结构例的再布线基板100中的上述差值dd优选为10μm以下，更优选为5μm以下，进一步优选为2μm以下。在这些情况下，半导体元件700相对于再布线基板100的安装的可靠性进一步提高。
[0120] 图27～图34是用于说明图24的再布线基板100的制造方法的一例的示意性剖视图。第一结构例所涉及的再布线基板100与使用图4～图16说明的再布线基板100的制造方法的第一例同样，例如通过辊对辊方式制造。
[0121] 首先，准备卷绕有不锈钢制的长条状的金属板90的送出辊，从准备好的送出辊送出金属板90。将送出的金属板90卷绕于其他辊。金属板90是与图4的金属板90同样地为用于形成金属支承体10的构件，具有上表面10a及下表面10b。一边使金属板90在长度方向上移动，一边对金属板90的各区域依次进行以下的处理。
[0122] 如图27所示，在金属板90的下表面10b以规定的图案形成下表面被覆部11b。下表面被覆部11b由感光性材料形成。该情况下，通过选择性地进行构成下表面被覆部11b的感光性材料的曝光，能够容易地对下表面被覆部11b进行图案化。作为感光性材料，例如能够使用感光性聚酰亚胺。应予说明，作为感光性材料，也能够使用其他感光性树脂(丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚苯并噁唑树脂或聚氯乙烯树脂等其他感光性树脂)来代替感光性聚酰亚胺。
[0123] 接着，如图28所示，在下表面被覆部11b的向下方露出的一面上以及金属板90的向下方露出的部分上，以规定的图案形成多个导体层63。另外，如图29所示，以覆盖导体层63的至少一部分的方式在下表面被覆部11b上以规定的图案形成绝缘层33。
[0124] 进而，如图30所示，在绝缘层33的向下方露出的一面上以及导体层63的向下方露出的部分上，以规定的图案形成多个导体层64。另外，如图31所示，以覆盖导体层64的至少一部分的方式在绝缘层33上以规定的图案形成绝缘层34。
[0125] 上述的导体层63、64的形成按照与使用图4～图16说明的再布线基板100的制造方法中的各导体层(51、52、61、62)的形成相同的顺序进行。另外，上述的绝缘层33、34的形成按照与使用图4～图16说明的再布线基板100的制造方法中的各绝缘层(21、22、31、32)的形成相同的顺序进行。
[0126] 接着，如图32所示，在金属板90形成圆环状的开口部19x。由圆环状的开口部19x形成过孔19并且形成金属支承体10。该过孔19通过与使用图4～图16说明的再布线基板100的制造方法中的过孔19的形成(特别参照与图6～图9对应的说明部分)相同的方法形成。由此，金属板90的一部分以不与过孔19的内周面10c接触的方式作为过孔导体41形成为岛状。
[0127] 接着，如图33所示，以在下表面被覆部11b的向上方露出的一面上覆盖过孔19的内周面10c的方式形成孔内被覆部11c。另外，在金属支承体10的上表面10a上以规定的图案形成上表面被覆部11a。
[0128] 上表面被覆部11a与下表面被覆部11b同样地由感光性材料形成。在此，在图24的过孔导体41的上方的应形成第一连接导体部50a的位置，形成用于使过孔导体41的上表面露出的开口部h11。另外，在图24的上表面被覆部11a的应形成第二连接导体部50b的一部分的位置，形成用于使该一部分的厚度比上表面被覆部11a的其他部分的厚度局部地小的开口部h12。该开口部h12例如使用梯度曝光(日文：諧調露光)技术形成。上表面被覆部11a的形成有开口部h12的部分的厚度优选为1μm～5μm，在本例中为2μm。另外，在本例中，上表面被覆部11a的未形成开口部h12的部分的厚度为10μm。
[0129] 在此，开口部h12优选形成为：俯视时的开口部h12的最大尺寸的值，比俯视时的设计上的第二端子部T1b的最大尺寸的值大10μm以上且50μm以下的范围。另外，开口部h12更优选形成为：俯视时的开口部h12的最大尺寸的值，比俯视时的设计上的第二端子部T1b的最大尺寸的值大15μm以上且40μm以下的范围。例如在设计为第二端子部T1b在俯视时具有直径30μm的圆形状的情况下，开口部h12优选形成为具有俯视时直径40μm的圆形状或俯视时直径50μm的圆形状。该情况下，在再布线基板100的制造工序中，即使在多个导体层50的形成位置产生偏移的情况下，其位置偏移也被开口部h12的大小吸收。
[0130] 之后，如图34所示，在上表面被覆部11a的露出的上表面和过孔导体41的通过开口部h11露出的部分中的预先确定的多个区域中，以规定的图案形成多个导体层50。
[0131] 此时，在形成于过孔导体41上的导体层50中，形成第一连接导体部50a。另外，在形成于上表面被覆部11a的开口部h12的底部上的导体层50中，形成第二连接导体部50b。第一连接导体部50a和第二连接导体部50b各自具有例如在再布线基板100的上下方向上延伸的圆柱形状。
[0132] 多个第一连接导体部50a的顶端部构成上述的第一端子部T1a，多个第二连接导体部50b的顶端部构成上述的第二端子部T1b。本例中形成的第一连接导体部50a的上下方向的长度(厚度)da和第二连接导体部50b的上下方向的长度(厚度)db相同(参照图24)。
[0133] 最后，以覆盖各导体层50的一部分的方式在上表面被覆部11a上以规定的图案形成绝缘层20。本例的绝缘层20的形成按照与使用图4～图16说明的再布线基板100的制造方法中的各绝缘层(21、22、31、32)的形成相同的顺序进行。这些结果，完成图24的再布线基板100。
[0134] 在上述的图24的再布线基板100中，假定上表面被覆部11a的形成有开口部h12的部分的厚度为2μm，上表面被覆部11a的未形成开口部h12的部分的厚度为10μm的情况。该情况下，第一端子部T1a的高度位置与第二端子部T1b的高度位置之差值dd(图26)为8μm。
[0135] ＜4＞考虑了多个端子部T1的高度位置的不均的降低的第二结构例图35是表示考虑了多个端子部T1的高度位置的不均的降低的再布线基板100的第二结构例的示意性剖视图。在图35中，放大示出第二结构例所涉及的再布线基板100的一部分。对于第二结构例的再布线基板100，说明与图24的第一结构例的再布线基板100的不同点。
[0136] 如图35所示，在第二结构例所涉及的再布线基板100中，被覆层11中的上表面被覆部11a的整体的厚度比第一结构例所涉及的上表面被覆部11a的最大厚度小。具体而言，第二结构例所涉及的上表面被覆部11a具有15μm以下的厚度，优选具有10μm以下的厚度，更优选具有5μm以下的厚度，进一步优选具有2μm以下的厚度。
[0137] 该情况下，即使在第一连接导体部50a的上下方向的长度(厚度)da和第二连接导体部50b的上下方向的长度(厚度)db相同的情况下，第一端子部T1a的高度位置与第二端子部T1b的高度位置的差值dd也为上表面被覆部11a的厚度即15μm以下。
[0138] 应予说明，在图35的例子中，下表面被覆部11b也形成为具有与上表面被覆部11a相同程度的厚度。
[0139] 第二结构例所涉及的再布线基板100除了以整体上厚度均匀的方式形成上表面被覆部11a这一点以外，能够通过与第一结构例所涉及的图27～图34的制造方法基本相同的方法来制作。应予说明，在由感光性聚酰亚胺形成具有小厚度的上表面被覆部11a的情况下，例如在金属支承体10的上表面10a上涂布感光性聚酰亚胺的前体，在过孔19内填充感光性聚酰亚胺的前体。此时，调整前体的供给量，以使涂布在金属支承体10的上表面10a上的前体的厚度充分变小。之后，对被涂布和填充的感光性聚酰亚胺进行曝光、显影，由此形成具有小厚度的上表面被覆部11a。
[0140] 第二结构例所涉及的上表面被覆部11a也可以代替感光性聚酰亚胺等感光性树脂地由碳化硅、二氧化硅、氮化铝或氧化铝等无机绝缘材料形成。该情况下，能够使用溅射或化学气相沉积法等成膜技术来形成上表面被覆部11a。
[0141] 与第一结构例同样地，在设置于半导体元件700的多个电极焊盘71的焊料S的长度sh为15μm的情况下，第二结构例的再布线基板100中的上述差值dd优选为10μm以下，更优选为5μm以下，进一步优选为2μm以下。在这些情况下，半导体元件700相对于再布线基板100的安装的可靠性进一步提高。
[0142] ＜5＞考虑了多个端子部T1的高度位置的不均的降低的第三结构例图36是表示考虑了多个端子部T1的高度位置的不均的降低的再布线基板100的第三结构例的示意性剖视图。在图36中，放大示出第三结构例所涉及的再布线基板100的一部分。对于第三结构例所涉及的再布线基板100，说明与图24的第一结构例所涉及的再布线基板100的不同点。
[0143] 如图36所示，在第三结构例中，在被覆层11的上表面被覆部11a未形成图33的开口部h12。即，在上表面被覆部11a未形成局部的小厚度的部分。
[0144] 另一方面，在第三结构例中，在俯视时与过孔导体41重叠的第一连接导体部50a的上下方向的长度(厚度)da，比在俯视时不与过孔导体41重叠的第二连接导体部50b的上下方向的长度(厚度)db大。换言之，与过孔导体41接触的第一连接导体部50a的上下方向的长度(厚度)da，比隔着上表面被覆部11a形成于金属支承体10上的第二连接导体部50b的上下方向的长度(厚度)db大。由此，第一端子部T1a的高度位置与第二端子部T1b的高度位置的差值dd成为15μm以下。在图36的例子中，第一端子部T1a的高度位置与第二端子部T1b的高度位置的差值dd为0。
[0145] 第三结构例所涉及的再布线基板100除了多个导体层50的形成方法以及上表面被覆部11a的形成方法以外，能够通过与第一结构例所涉及的图27～图34的制造方法基本相同的方法来制作。
[0146] 本例的上表面被覆部11a形成为整体上厚度均匀。即，在上表面被覆部11a未形成局部的开口部h12(图33)。
[0147] 在形成多个导体层50时，例如用于形成第一连接导体部50a的镀覆形成工序和用于形成第二连接导体部50b的镀覆形成工序在互不相同的条件下单独地进行。各镀覆形成工序的条件调整为使以第一端子部T1a的高度位置与第二端子部T1b的高度位置的差值dd为0或15μm以下。
[0148] 在形成第三结构例所涉及的多个导体层50的情况下，也可以采用以下的方法，来代替单独地进行与第一连接导体部50a对应的镀覆形成工序和与第二连接导体部50b对应的镀覆形成工序。
[0149] 例如，以共通的条件同时形成包括第一连接导体部50a以及第二连接导体部50b的全部导体层50。该情况下，第一连接导体部50a的上下方向的长度(厚度)da与第二连接导体部50b的上下方向的长度(厚度)db例如形成为相同的长度。由此，在形成多个导体层50的时刻，在第一端子部T1a的高度位置与第二端子部T1b的高度位置之间，基本上产生上表面被覆部11a的厚度量的差值dd。因此，在形成了全部导体层50之后，通过研磨或切削将第二连接导体部50b的顶端部去除上表面被覆部11a的厚度的量。其结果，被调整为第一端子部T1a的高度位置与第二端子部T1b的高度位置的差值dd为0或15μm以下。
[0150] 与第一结构例同样地，在设置于半导体元件700的多个电极焊盘71的焊料S的长度sh为15μm的情况下，第三结构例的再布线基板100中的上述差值dd优选为10μm以下，更优选为5μm以下，进一步优选为2μm以下。在这些情况下，半导体元件700相对于再布线基板100的安装的可靠性进一步提高。应予说明，在图36的例子中，第一端子部T1a的高度位置与第二端子部T1b的高度位置的差值dd为0，因此省略了表示差值的符号dd的图示。
[0151] ＜6＞考虑了多个端子部T1的高度位置的不均的降低的第四结构例图37是表示考虑了多个端子部T1的高度位置的不均的降低的再布线基板100的第四结构例的示意性剖视图。在图37中，放大示出第四结构例所涉及的再布线基板100的一部分。对于第四结构例所涉及的再布线基板100，说明与图37的第三结构例所涉及的再布线基板100的不同点。
[0152] 第四结构例所涉及的再布线基板100除了多个导体层50的形成方法不同这一点以外，能够通过与第三结构例所涉及的再布线基板100相同的方法制作。具体而言，在制作第四结构例所涉及的再布线基板100时，在金属支承体10上形成上表面被覆部11a后，进行过孔填充镀覆，以填埋形成于各过孔导体41上的开口部h11。由此，如图37中双点划线的框以及符号vf所示，通过过孔填充镀覆而填充于开口部h11的导体层50的部分的上端部与上表面被覆部11a的上表面的高度位置在同一面内或大致在同一面内。
[0153] 之后，例如通过通常的电解镀覆，进一步在上表面被覆部11a上形成多个导体层50的剩余部分。由此，形成位于过孔导体41上的多个导体层50和位于上表面被覆部11a上的多个导体层50。
[0154] 该情况下，第一连接导体部50a的上下方向的长度(厚度)da，比第二连接导体部50b的上下方向的长度(厚度)db大开口部h11内的过孔填充镀覆的厚度的量。根据该结构，第一端子部T1a的高度位置与第二端子部T1b的高度位置的差值dd为0或大致为0。
[0155] 与第一结构例同样地，在设置于半导体元件700的多个电极焊盘71的焊料S的长度sh为15μm的情况下，第四结构例的再布线基板100中的上述差值dd优选为10μm以下，更优选为5μm以下，进一步优选为2μm以下。在这些情况下，半导体元件700相对于再布线基板100的安装的可靠性进一步提高。应予说明，在图37的例子中，第一端子部T1a的高度位置与第二端子部T1b的高度位置的差值dd为0，因此省略表示差值的符号dd的图示。
[0156] ＜7＞多个端子部T2的高度位置的不均的降低在上述的第一至第四结构例中，降低了位于再布线基板100的上部的多个端子部T1的高度位置的不均。不限于此，再布线基板100也可以包括用于降低位于该再布线基板
100的下部的多个端子部T2(图1)的高度位置的不均的结构。
[0157] 例如，可以在层叠形成于金属支承体10的下表面10b上的多个层上形成与上述第一至第四结构例中的某一结构例所涉及的上表面被覆部11a、绝缘层20和导体层50对应的层。该情况下，通过多个端子部T2的高度位置的不均成为15μm以下，能够将再布线基板100在结构上稳定地安装于刚性基板800上。另外，在刚性基板800上安装有再布线基板100的状态下，该再布线基板100与刚性基板800的电导通的可靠性提高。
[0158] 5.其他实施方式(1)在上述实施方式所涉及的图1的再布线基板100中，为了得到金属支承体10与过孔导体41及导体层50、60之间的绝缘性，在金属支承体10的外表面形成被覆层11。在此，为了提高金属支承体10与过孔导体41和导体层50、60之间的绝缘的可靠性，可以在金属支承体10的外表面与被覆层11之间形成提高金属支承体10的外表面与被覆层11之间的密合性的密合性强化层。
[0159] 图38是具备密合性强化层的再布线基板100的示意性剖视图。在图38中，放大示出再布线基板100中的金属支承体10的一个过孔19及其周边部分的剖面。在图38的例子中，在金属支承体10的上表面10a、下表面10b和内周面10c与被覆层11之间形成有密合性强化层12。
[0160] 密合性强化层12包含提高金属支承体10与被覆层11之间的密合性的成分，是例如通过对金属支承体10的上表面10a、下表面10b和内周面10c进行使用溅射或化学气相沉积法等的成膜处理而形成的。或者，密合性强化层12包含提高金属支承体10与被覆层11之间的密合性的成分，是例如通过对金属支承体10的上表面10a、下表面10b和内周面10c进行阳极氧化处理等表面处理而形成的。
[0161] 该情况下，通过密合性强化层12，金属支承体10与被覆层11之间的密合性提高，因此抑制被覆层11从金属支承体10剥离。由此，确保金属支承体10与过孔导体41和导体层50、60之间的绝缘性，因此金属支承体10的可靠性提高。
[0162] 在此，由半导体元件700产生的热通过过孔导体41、导体层50和被覆层11传递至金属支承体10。进而，传递至金属支承体10的热例如通过导体层60传递至刚性基板800。该情况下，金属支承体10具有比树脂等高的导热系数，因此作为半导体元件700的散热构件或者半导体元件700与刚性基板800之间的热传导构件发挥功能。考虑到这一点，在密合性强化层12由铬或铝的氧化物构成的情况下，密合性强化层12中的铬或铝的氧化物的含量优选为50重量％以下。
[0163] 铬和铝通过氧化而导热系数降低。因此，根据上述构成，与密合性强化层12中的铬或铝的氧化物的含量大于50重量％的情况相比，密合性强化层12的导热系数的降低被减少。因此，减少由密合性强化层12引起的半导体元件700的散热效率的降低。
[0164] (2)上述实施方式所涉及的被覆层11用于在金属支承体10的上表面10a上确保第一导体层51与金属支承体10的绝缘性，但本发明不限于此。被覆层11可以形成为在金属支承体10的上表面10a上使第一导体层51的一部分与金属支承体10的上表面10a直接接触。该情况下，能够将第一导体层51的与金属支承体10的上表面10a直接接触的部分作为用于在设置于金属支承体10的上表面10a上的电子部件与金属支承体10之间高效地传递热的热传导用布线(热布线)。
[0165] 应予说明，在上述结构中，在直接形成于金属支承体10上的第一导体层51的端子部T1的高度位置与隔着被覆层11形成于金属支承体10上的第一导体层51的端子部T1的高度位置之间产生差值。因此，对于第一导体层51的一部分直接形成于金属支承体10上的再布线基板100，优选应用考虑了降低多个端子部T1的高度位置的不均的上述第一至第四结构例中的某一构成。
[0166] 另外，上述实施方式所涉及的被覆层11用于在金属支承体10的下表面10b确保第三导体层61与金属支承体10的绝缘性，但本发明不限于此。被覆层11可以形成为在金属支承体10的下表面10b上使第三导体层61的一部分与金属支承体10的下表面10b直接接触。该情况下，能够将第三导体层61的与金属支承体10的下表面10b直接接触的部分作为用于在设置于金属支承体10的下表面10b上的电子部件与金属支承体10之间高效地传递热的热传导用布线(热布线)。
[0167] (3)上述实施方式是将本发明应用于再布线基板的例子，但不限于此，也可以将本发明应用于具有过孔的其他布线电路基板。另外，上述实施方式所涉及的再布线基板100也可以构成半导体封装基板的一部分。
[0168] (4)在上述实施方式中，绝缘层20由第一绝缘层21和第二绝缘层22形成，但本发明并不限定于此。绝缘层20可以是单层的绝缘层，也可以由3个以上的多个绝缘层形成。另外，在上述实施方式中，绝缘层30由第三绝缘层31和第四绝缘层32形成，但本发明并不限定于此。绝缘层30可以是单层的绝缘层，也可以由3个以上的多个绝缘层形成。在这些情况下，导体层50、60的形状根据绝缘层20、30的结构而决定。
[0169] (5)在制造再布线基板100时，形成于金属支承体10的上表面10a的被覆层11和形成于金属支承体10的下表面10b的被覆层11可以使用感光性的载体膜CF0来形成。具体而言，可以在金属支承体10(或金属板90)的上表面10a上粘贴由感光性聚酰亚胺构成的载体膜，在金属支承体10(或金属板90)的下表面10b上粘贴由感光性聚酰亚胺构成的载体膜。该情况下，通过对金属支承体10的上下的载体膜进行曝光和显影，能够在金属支承体10的上下形成被覆层11。
[0170] (6)在上述实施方式中，金属支承体10的过孔19具有在俯视时圆形或矩形的开口部，但过孔19可以具有在俯视时椭圆形的开口部，也可以具有三角形或五边形等四边形以外的多边形的开口部。另外，在上述实施方式中，设置于各过孔19内的过孔导体41具有在俯视时与该过孔19的开口部相似的形状，但过孔导体41也可以具有在俯视时与该过孔19的开口部不同的形状。
[0171] 6.技术方案的各构成要素与实施方式的各部的对应关系以下，对技术方案的各结构要素与实施方式的各要素的对应的例子进行说明，但本发明并不限定于下述的例子。作为技术方案的各结构要素，也能够使用具有技术方案所记载的结构或功能的其他各种要素。
[0172] 在上述实施方式中，再布线基板100是布线电路基板的例子，金属支承体10的上表面10a是第一面的例子，金属支承体10的下表面10b是第二面的例子，过孔19是过孔的例子，金属支承体10是金属支承体的例子，被覆层11是绝缘被覆层的例子。另外，导体层50是第一导体层的例子，导体层60是第二导体层的例子，过孔导体41是过孔导体的例子，密合性强化层12是密合性强化层的例子，半导体元件700是第一电子部件的例子，刚性基板800是第二电子部件的例子。
[0173] 另外，上表面被覆部11a是第一面被覆部的例子，第一连接导体部50a是第一连接导体部的例子，第二连接导体部50b是第二连接导体部的例子，半导体元件700是电子部件的例子，多个电极焊盘71的一部分是电子部件的一个端子的例子，多个电极焊盘71的其他部分是电子部件的其他端子的例子。
