技术领域
[0001] 通过本说明书公开的技术涉及印刷布线板。
相关背景技术
[0002] 专利文献1公开了具有树脂基板、形成在树脂基板上的树脂绝缘层和导体电路的印刷布线板。导体电路隔着包含特定金属的合金层形成在树脂绝缘层上。例如，在专利文献1的第8段落中示出了特定的金属。
[0003] 专利文献1：日本特开2000‑124602号公报
[0004] 专利文献1的课题
[0005] 在专利文献1的具有合金层的印刷布线板中，认为导体电路与树脂绝缘层的密合力不充分。
具体实施方式
[0023] [实施方式]
[0024] 图1是示出实施方式的印刷布线板2的剖视图。图2是示出实施方式的印刷布线板2的一部分的放大剖视图。如图1所示，印刷布线板2具有绝缘层4、第1导体层10、树脂绝缘层20、第2导体层30以及过孔导体40。
[0025] 绝缘层4使用树脂形成。绝缘层4也可以包含二氧化硅等无机粒子。绝缘层4也可以包含玻璃布等加强材料。绝缘层4具有第3面6和与第3面6相反侧的第4面8。
[0026] 第1导体层10形成在绝缘层4的第3面6上。第1导体层10包含信号布线12和衬垫14。虽然图中未示出，但第1导体层10还包含信号布线12和衬垫14以外的导体电路。第1导体层
10主要由铜形成。第1导体层10由绝缘层4上的晶种层10a和晶种层10a上的电镀层10b形成。
晶种层10a通过溅射形成。晶种层10a由第3面6上的第1层11a和第1层11a上的第2层11b形成。第1层11a与绝缘层4相接。第2层11b不是必须的。
[0027] 第1层11a由含有铜、铝和特定金属的合金构成。第1层11a为铜合金。合金优选包含1种特定金属、或2种特定金属、或3种特定金属。合金中的铝的含量为1.0at％以上且
15.0at％以下。特定金属的例子为硅。合金中的特定金属的含量为0.5at％以上且10.0at％以下。第1层11a也可以包含杂质。杂质的例子为氧和碳。第1层11a可以包含氧或碳。第1层
11a可以包含氧和碳。在实施方式中，合金还含有碳。合金中的碳的含量为50ppm以下。合金还含有氧。合金中的氧的含量为100ppm以下。上述各元素的含量的值为一例。在形成第1层
11a的元素中，铜的量最大。接着，铝的量大。特定金属的量小于铝的量。因此，铜为主金属，铝为第1副金属，特定金属为第2副金属。杂质的量小于特定金属的量。
[0028] 第2层11b由铜形成。形成第2层11b的铜的含量为99.9at％以上。第2层11b中的铜的含量优选为99.95at％以上。电镀层10b由铜形成。形成电镀层10b的铜的含量为99.9at％以上。电镀层10b中的铜的含量优选为99.95at％以上。
[0029] 树脂绝缘层20形成在绝缘层4的第3面6和第1导体层10上。树脂绝缘层20具有第1面22和与第1面22相反侧的第2面24。树脂绝缘层20的第2面24与第1导体层10对置。树脂绝缘层20具有使衬垫14露出的开口26。树脂绝缘层20由树脂80和分散在树脂80内的多个无机粒子90形成。树脂80是环氧系树脂。树脂的例子是热固化性树脂和光固化性树脂。无机粒子90例如为玻璃粒子。无机粒子90也可以是氧化铝。
[0030] 如图1和图2所示，无机粒子90包含形成开口26的内壁面27的第1无机粒子91和埋入树脂80内的第2无机粒子92。第2无机粒子92的形状为球。第1无机粒子91的形状是通过用平面切断球而得到的。第1无机粒子91的形状是通过用平面切断第2无机粒子92而得到的。第1无机粒子91的形状与第2无机粒子92的形状不同。
[0031] 树脂绝缘层20的第1面22仅由树脂80形成。无机粒子90(第2无机粒子92)不从第1面22露出。第1面22不包含第2无机粒子92的表面。在树脂绝缘层20的第1面22未形成凹凸。第1面22未被粗糙化。第1面22平滑地形成。第1面22的算术平均粗糙度(Ra)为0.02μm以上
0.06μm以下。
[0032] 图3是示出开口26的内壁面27和晶种层30a的一例的截面照片。如图2和图3所示，开口26的内壁面27由树脂80和第1无机粒子91形成。第1无机粒子91具有平坦部91a。平坦部91a形成内壁面27。内壁面27由树脂80和平坦部91a形成。平坦部91a和形成内壁面27的树脂
80的面80a形成大致共同的面。在形成内壁面27的树脂80上未形成凹凸。形成内壁面27的树脂80的面80a平滑。在平坦部91a的露出面(形成内壁面27的面)91b上未形成凹凸。平坦部
91a的露出面91b平滑。内壁面27平滑地形成。在树脂80的面80a与第1无机粒子91的平坦部
91a的边界部形成有台阶28。台阶28的量优选为3.0μm以下。更优选为1.5μm以下。进一步优选为0.5μm以下。台阶28形成在露出面91b与树脂80的面80a之间。台阶28的量与露出面91b和树脂80的面80a之间的距离大致一致。露出面91b相对于树脂80的面80a凹陷。或者，树脂
80的面80a相对于露出面91b凹陷。优选后者。
[0033] 第1无机粒子91的平坦部91a与通过将形成于第1无机粒子91的周围的树脂80的面(形成内壁面27的面)80a延长而得到的面大致一致。在图2中用实质的直线描绘的平坦部91a是指平面。在图2所示的截面中，平坦部91a为平面。平坦部91a也可以不是完全的平面。
平坦部91a是实质上的平面且是大致平滑的面。
[0034] 图4是示出图2中的内壁面27的一部分的放大剖视图。如图4所示，相对于连接形成内壁面27的两个第1无机粒子91的平坦部91a的基准面200，位于其间的树脂80的面80a可以凹陷，也可以突出(参照虚线部)。优选在用于形成基准面200的两个第1无机粒子91之间不存在其他第1无机粒子91。基准面200与树脂80的面80a之间的距离也可以用作台阶28的量的代表值。
[0035] 如图2所示，开口26的内壁面27倾斜。内壁面27与衬垫14的上表面之间的角度(倾斜角度)θ为70°以上且90°以下。
[0036] 在图1和图2所示的截面中，开口26的形状表示为大致倒梯形。然而，实际的开口26的形状为大致倒圆锥台形状。因此，实际的开口26的内壁面(侧壁)27为大致曲面。即，由平坦部91a和树脂80形成的共同的面包含由大致曲面形成的内壁面(侧壁)27。
[0037] 如图1所示，第2导体层30形成在树脂绝缘层20的第1面22上。第2导体层30包含第1信号布线32、第2信号布线34和焊盘36。虽然图中未示出，但第2导体层30还包含第1信号布线32、第2信号布线34和焊盘36以外的导体电路。第1信号布线32和第2信号布线34形成成对布线。第2导体层30主要由铜形成。第2导体层30由第1面22上的晶种层30a和晶种层30a上的电镀层30b形成。晶种层30a通过溅射形成。晶种层30a由第1面22上的第1层31a和第1层31a上的第2层31b形成。第1层31a与第1面22接触。第2层31b不是必须的。
[0038] 形成第2导体层30的第1层31a与形成第1导体层10的第1层11a相同。形成第2导体层30的第2层31b与形成第1导体层10的第2层11b相同。形成第2导体层30的电镀层30b和形成第1导体层10的电镀层10b相同。
[0039] 过孔导体40形成在开口26内。过孔导体40将第1导体层10和第2导体层30电连接。在图1中，过孔导体40将衬垫14与焊盘36电连接。过孔导体40由晶种层30a和晶种层30a上的电镀层30b形成。形成过孔导体40的晶种层30a和形成第2导体层30的晶种层30a是共同的。
形成过孔导体40的电镀层30b和形成第2导体层30的电镀层30b是共同的。形成过孔导体40的晶种层30a由形成在开口26的内壁面27上和从开口26露出的衬垫14上的第1层31a和第1层31a上的第2层31b形成。第1层31a与衬垫14的上表面和内壁面27接触。
[0040] 如图1和图2所示，晶种层30a具有第1面22上的第1部分P1、开口26的内壁面27上的第2部分P2以及衬垫14上的从开口26露出的第3部分P3。形成第3部分P3的晶种层30a封闭开口26的底部开口。形成第3部分P3的第1层31a封闭开口26的底部开口。底部开口位于衬垫14的上表面上。
[0041] 图5是示意性地示出图2的内壁面27上的晶种层30a(第2部分P2)的一部分的放大剖视图。晶种层30a的第2部分P2与内壁面27接触。如图2、图3和图5所示，第2部分P2具有大致平滑的第1膜110和大致平滑的第2膜120。第1膜110与第2膜120电连接。第1膜110和第2膜120连续。如图3所示，第1膜110的一部分形成在第2膜120上。第1膜110的前端112形成在第2膜120的后端122上。第1膜110和第2膜120同时形成。第2部分P2的截面具有大致阶梯状的形状。
[0042] 如图5所示，第2部分P2的第1层31a具有第1膜110a和第2膜120a。第1膜110a与第2膜120a电连接。第1膜110a与第2膜120a连续。第1膜110a和第2膜120a同时形成。第1膜110a的前端112a形成在第2膜120a的后端122a上。覆盖内壁面27的第1层31a的截面具有大致阶梯状的形状。内壁面27上的第1层31a与内壁面27相接。
[0043] 第2部分P2的第2层31b具有第1膜110b和第2膜120b。第1膜110b与第2膜120b电连接。第1膜110b和第2膜120b同时形成。第1膜110b的前端112b形成在第2膜120b的后端122b上。形成于内壁面27上的第2层31b的截面具有大致阶梯状的形状。
[0044] 在实施方式中，第1膜110的一部分层叠在第2膜120上。第1膜110的一部分重叠在第2膜120上。第1膜110的前端112层叠在第2膜120的后端122上。第1膜110的前端112重叠在第2膜120的后端122上。
[0045] 实施方式的内壁面27由大致平滑的面形成。如果第1层31a追随内壁面27的形状，则内壁面27上的第1层31a具有大致平滑的面。第1层31a的截面具有线状的形状。内壁面27上的晶种层30a具有大致平滑的面。第2部分P2的截面具有线状的形状。在该情况下，形成过孔导体40的电镀层30b形成在平滑的面上。例如，若印刷布线板2受到较大的冲击，则在内壁面27上的第1层31a与第1层31a上的第2层31b之间产生剥离。或者，在内壁面27上的晶种层30a与形成过孔导体40的电镀层30b之间产生剥离。与此相对，实施方式的晶种层30a和第1层31a的截面具有阶梯状的形状。因此，难以发生剥离。
[0046] 图6是示出晶种层30a的一部分的放大剖视图。图6的(a)表示图2中的符号VI‑1所示的部分(第1部分P1)。图6的(b)表示图2中的符号VI‑2所示的部分(第2部分P2)。图6的(c)表示图2中的符号VI‑3所示的部分(第3部分P3)。如图6所示，第1部分P1的厚度T1比第2部分P2的厚度T2和第3部分P3的厚度T3厚。另外，第3部分P3的厚度T3比第2部分P2的厚度T2厚。
[0047] 在晶种层30a由多个层形成的情况下，厚度T1、厚度T2以及厚度T3是各层的厚度的合计。第1层31a的第1部分P1的厚度T1a比第1层31a的第2部分P2的厚度T2a和第1层31a的第3部分P3的厚度T3a厚。另外，第1层31a的第3部分P3的厚度T3a比第1层31a的第2部分P2的厚度T2a厚。其他层的厚度也具有与第1层31a的厚度相同的关系。因此，在晶种层30a由两层形成的情况下，第2层31b的第1部分P1的厚度T1b比第2层31b的第2部分P2的厚度T2b以及第2层31b的第3部分P3的厚度T3b厚。另外，第2层31b的第3部分P3的厚度T3b比第2层31b的第2部分P2的厚度T2b厚。
[0048] 第2部分P2的厚度T2与第1部分P1的厚度T1之比(第2部分P2的厚度T2/第1部分P1的厚度T1)为0.2以上且0.6以下。第3部分P3的厚度T3与第1部分P1的厚度T1之比(第3部分P3的厚度T3/第1部分P1的厚度T1)为0.5以上且0.9以下。
[0049] 第2层31b的厚度比第1层31a的厚度厚。厚度T1b比厚度T1a厚。厚度T2b比厚度T2a厚。厚度T3b比厚度T3a厚。
[0050] 在晶种层30a仅由第1层31a形成的情况下，第1层31a的第1部分P1的厚度T1a比第1层31a的第2部分P2的厚度T2a和第1层31a的第3部分P3的厚度T3a厚。另外，第1层31a的第3部分P3的厚度T3a比第1层31a的第2部分P2的厚度T2a厚。
[0051] 晶种层30a的第1部分P1的厚度T1为0.02μm以上且1.0μm以下。第1层31a的第1部分P1的厚度T1a为0.01μm以上且0.5μm以下。第2层31b的第1部分P1的厚度T1b为0.01μm以上且0.9μm以下。当晶种层30a的第1部分P1的厚度T1小于0.02μm时，树脂绝缘层20与晶种层30a之间的密合强度低。当第1部分P1的厚度T1超过1.0μm时，用于去除晶种层30a的蚀刻量多。
难以控制布线宽度。
[0052] 晶种层30a的第2部分P2的厚度T2为0.004μm以上且0.6μm以下。第1层31a的第2部分P2的厚度T2a为0.002μm以上且0.3μm以下。第2层31b的第2部分P2的厚度T2b为0.002μm以上0.54μm以下。
[0053] 晶种层30a的第3部分P3的厚度T3为0.01μm以上且0.9μm以下。第1层31a的第3部分P3的厚度T3a为0.005μm以上且0.45μm以下。第2层31b的第3部分P3的厚度T3b为0.005μm以上且0.81μm以下。
[0054] 虽未图示，但印刷布线板2的各边的长度为50mm以上。各边的长度优选为100mm以上。各边的长度为250mm以下。根据实施方式形成的信号布线的长度为5mm以上。信号布线的长度可以为10mm以上且20mm以下。
[0055] [实施方式的印刷布线板2的制造方法]
[0056] 图7A～图7G示出实施方式的印刷布线板2的制造方法。图7A～图7C、图7E～图7F是剖视图。图7D、图7G是放大剖视图。图7A示出绝缘层4和形成在绝缘层4的第3面6上的第1导体层10。第1导体层10通过半加成法形成。第1层11a和第2层11b通过溅射形成。第1层11a由含有铜、铝和特定金属的合金形成。特定金属的例子为硅或镍。第2层11b由铜形成。电镀层10b通过电镀形成。电镀层10b由铜形成。
[0057] 如图7B所示，在绝缘层4和第1导体层10上形成树脂绝缘层20和保护膜50。树脂绝缘层20的第2面24与绝缘层4的第3面6对置。在树脂绝缘层20的第1面22上形成有保护膜50。树脂绝缘层20具有树脂80和无机粒子90(第2无机粒子92)。无机粒子90埋入树脂80内。
[0058] 保护膜50完全覆盖树脂绝缘层20的第1面22。保护膜50的例子是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制的膜。在保护膜50与树脂绝缘层20之间形成有脱模剂。
[0059] 如图7C所示，从保护膜50之上照射激光L。激光L同时贯通保护膜50和树脂绝缘层20。形成到达第1导体层10的衬垫14的过孔导体用的开口26。激光L例如是UV激光、CO2激光。
通过开口26使衬垫14露出。在形成开口26时，第1面22被保护膜50覆盖。因此，在形成开口26时，即使树脂飞散，也能够抑制树脂附着于第1面22。
[0060] 图7D示出激光照射后的开口26的内壁面27b。内壁面27b由树脂80和从树脂80突出的无机粒子90形成。为了控制内壁面的形状，对激光照射后的内壁面27b进行处理。优选选择性地去除从树脂80突出的无机粒子90。由此，由无机粒子90形成第1无机粒子91。例如，通过利用药品对激光照射后的内壁面27b进行处理，选择性地去除从树脂80突出的无机粒子90。或者，通过利用等离子体对激光照射后的内壁面27b进行处理，选择性地去除从树脂80突出的无机粒子90。选择性地去除包含：无机粒子90的蚀刻速度大于树脂80的蚀刻速度。例如，两者的蚀刻速度差为10倍以上。或者，两者的蚀刻速度差为50倍以上。或者，两者的蚀刻速度差为100倍以上。通过对激光照射后的内壁面27b进行处理，得到具有平坦部91a(参照图2)的第1无机粒子91。通过控制用于处理激光照射后的内壁面27b的条件，能够控制内壁面27b的形状。条件的例子是温度、浓度、时间、气体的种类、压力。控制无机粒子90的蚀刻速度和树脂的蚀刻速度。
[0061] 通过对树脂绝缘层20照射激光L，埋入树脂80的第2无机粒子92的一部分形成激光照射后的内壁面27b。形成激光照射后的内壁面27b的第2无机粒子92由从树脂80突出的突出部分P和埋入树脂80的部分E形成。对激光照射后的内壁面27b进行处理。例如，用含有四氟甲烷的气体的等离子体处理内壁面27b。选择性地去除突出部分P，形成实施方式的内壁面27(图1、图2)。由第2无机粒子92形成第1无机粒子91。通过选择性地去除突出部分P，形成具有平坦部91a的第1无机粒子91。平坦部91a为平面。具有球形的第2无机粒子92被平面切断时，得到第1无机粒子91的形状。内壁面27由平坦部91a和树脂80的面80a形成，平坦部91a的露出面91b和树脂80的面80a位于大致同一平面上。例如，当通过溅射在内壁面27b上形成晶种层30a时，突出部分P阻碍溅射膜(溅射制膜)的生长。例如，在内壁面27b上不形成连续的晶种层30a。或者，必须增大晶种层30a的厚度。无法形成微细的导体电路。在实施方式中，突出部分P被去除。能够使通过溅射形成的晶种层30a的厚度变薄。即使通过溅射形成的晶种层30a的厚度薄，也能够得到连续的晶种层30a。
[0062] 形成开口26包含如下步骤：形成具有突出部分P的无机粒子(第2无机粒子92)90。突出部分P从形成开口26的内壁面27b的树脂80突出。第1无机粒子91是通过去除无机粒子(第2无机粒子92)90的突出部分P而形成的。开口26的内壁面27包含第1无机粒子91的露出面91b。第1无机粒子91的露出面91b通过去除突出部分P而形成。
[0063] 通过用平面切断具有球形的第2无机粒子92而得到第1无机粒子91的形状包含如下步骤：将无机粒子90的突出部分P去除。实际的开口26的内壁面27为大致曲面。通过去除突出部分P而形成平坦部91a，因此平坦部91a的露出面91b包含曲面。即，由平坦部91a和树脂80形成共同的面包含如下步骤：形成由实质的曲面形成的内壁面27。
[0064] 在内壁面27上未形成凹凸。内壁面27平滑地形成。如图3所示，在形成内壁面27的树脂80的面80a与第1无机粒子91的平坦部91a的边界部形成有台阶28。即使形成有台阶28，由于台阶28小，因此露出面91b与树脂80的面80a也形成大致共同的面。通过控制用于处理激光照射后的内壁面27b的条件，来控制凹凸的大小、台阶28的大小。
[0065] 对开口26内进行清洗。通过对开口26内进行清洗，从而去除在开口26形成时产生的树脂残渣。开口26内的清洗通过等离子体进行。即，清洗通过干式工艺进行。清洗包含除胶渣处理。
[0066] 在清洗开口26内时，树脂绝缘层20的第1面22被保护膜50覆盖。第1面22不受等离子体的影响。第1面22仅由树脂80形成。无机粒子90不从第1面22露出。第1面22不包含无机粒子90的表面。树脂绝缘层20的第1面22不具有凹凸。第1面22平滑地形成。
[0067] 在处理激光照射后的内壁面27b包含清洗开口26内的情况下，能够删除掉清洗开口26内的步骤。
[0068] 如图7E所示，在对开口26内进行清洗之后，从树脂绝缘层20去除保护膜50。在对激光照射后的内壁面27b进行处理包含对开口26内进行清洗的情况下，在对激光照射后的内壁面27b进行处理之后，从树脂绝缘层20去除保护膜50。在对激光照射后的内壁面27b进行处理时，保护膜50覆盖树脂绝缘层20的第1面22。在去除保护膜50之后，不使树脂绝缘层20的第1面22粗糙化。
[0069] 如图7F所示，在树脂绝缘层20的第1面22上形成晶种层30a。晶种层30a通过溅射形成。晶种层30a的形成通过干式工艺进行。例如，溅射经由掩模而进行。首先，在树脂绝缘层20上配置覆盖各过孔导体用的开口26的第1掩模。第1掩模仅使树脂绝缘层20的第1面22露出。经由第1掩模在树脂绝缘层20的第1面22上形成具有厚度T1a的第1部分P1。去除第1掩模。仅使各过孔导体用的开口26的内壁面27露出的第2掩模配置在树脂绝缘层20上。经由第
2掩模在内壁面27上形成具有厚度T2a的第2部分P2。去除第2掩模。仅使从各过孔导体用的开口26露出的衬垫14露出的第3掩模配置在树脂绝缘层20上。经由第3掩模在衬垫14上形成具有厚度T3a的第3部分P3。去除第3掩模。由此，在第1面22上形成第1层31a。在从开口26露出的内壁面27和衬垫14上形成第1层31a。然后，在第1层31a上形成第2层31b。第1层31a的形成方法与第2层31b的形成方法相同。第1层31a由含有铜、铝和特定金属(例如硅)的合金形成。第2层31b由铜形成。
[0070] 通过溅射形成第1层31a和第2层31b。溅射的条件的例子如下所示。靶与树脂绝缘层20的第1面22之间的距离为50mm以上且250mm以下。电压为15eV以上且50eV以下。气体浓度为0.1Pa以上且1.0Pa以下。例如，通过改变处理时间，能够调整晶种层30a的第1部分P1的厚度T1、第2部分P2的厚度T2以及第3部分P3的厚度T3。第1层31a的第1部分P1的厚度T1a比第1层31a的第2部分P2的厚度T2a和第1层31a的第3部分P3的厚度T3a厚。另外，第1层31a的第3部分P3的厚度T3a比第1层31a的第2部分P2的厚度T2a厚。第2层31b的第1部分P1的厚度T1b比第2层31b的第2部分P2的厚度T2b以及第2层31b的第3部分P3的厚度T3b厚。另外，第2层31b的第3部分P3的厚度T3b比第2层31b的第2部分P2的厚度T2b厚。其结果，晶种层30a的第1部分P1的厚度T1比第2部分P2的厚度T2以及第3部分P3的厚度T3厚。晶种层30a的第3部分P3的厚度T3比第2部分P2的厚度T2厚。
[0071] 第2层31b的厚度与第1层31a的厚度之比(第2层31b的厚度/第1层31a的厚度)为1.2以上且2以下。比(厚度T1b/厚度T1a)和比(厚度T2b/厚度T2a)、比(厚度T3b/厚度T3a)为
1.2以上且2以下。
[0072] 第1部分P1形成在树脂绝缘层20的第1面22上，第2部分P2形成在树脂绝缘层20的内壁面27上。第1部分P1和第2部分P2均形成在树脂绝缘层20上。第1部分P1形成焊盘36和第1信号布线32、第2信号布线34的晶种层30a。第2部分P2形成过孔导体40的晶种层30a。树脂绝缘层20的热膨胀系数与晶种层30a的热膨胀系数不同。因此，认为当印刷布线板2受到热冲击时，应力作用于晶种层30a。通常，第1信号布线32和第2信号布线34包含比过孔导体40弯曲得相当长的部分。因此，大的应力应该集中于第1信号布线32和第2信号布线34内的弯曲的部分。与此相对，过孔导体40较短，大致笔直地形成。因此，关于过孔导体40，难以引起应力的集中。因此，为了避免树脂绝缘层20的第1面22上的晶种层30a的断裂，优选形成第1信号布线32和第2信号布线34的晶种层30a的厚度较大。与此相对，形成过孔导体40的内壁面27上的晶种层30a的厚度也可以较小。因此，在实施方式中，使厚度T1大于厚度T2。
[0073] 通过使第2部分P2的厚度T2变薄，能够缩短为了形成晶种层30a所需的时间。
[0074] 晶种层30a的第1层31a由含有铜、铝和硅的合金形成。铝具有高延展性和高延展性。因此，树脂绝缘层20与第1层31a之间的密合力高。认为即使树脂绝缘层20由于热循环而伸缩，包含铝的晶种层30a也能够追随该伸缩。即使第1面22平滑，晶种层30a也难以从树脂绝缘层20剥离。认为铝容易氧化。认为若第1无机粒子91为含氧的无机粒子90，则形成于开口26的内壁面27上的第1层31a经由形成内壁面27的无机粒子90内的氧而与第1无机粒子91密合。第1层31a与内壁面27牢固地接合。能够提高开口26的内壁面27与第1层31a之间的密合力。晶种层30a难以从内壁面27剥离。形成内壁面27的无机粒子90优选含有氧。
[0075] 第1面22的平坦性优异。在使用溅射在第1面22上形成晶种层30a时，靶与第1面22间的距离大致恒定。能够形成具有大致均匀的厚度的晶种层30a(第1部分P1、第2部分P2、第3部分P3)。
[0076] 如图7G所示，形成在内壁面27上的第1层31a具有第1膜110a和第2膜120a。第1膜110a和第2膜120a同时形成。第1膜110a与第2膜120a电连接。第1膜110a的前端112a形成在第2膜120a的后端122a上。形成于内壁面27上的第1层31a的截面具有大致阶梯状的形状。
[0077] 在覆盖内壁面27的第1层31a上形成的第2层31b具有第1膜110b和第2膜120b。第1膜110b和第2膜120b同时形成。第1膜110b与第2膜120b电连接。第1膜110b的前端112b形成在第2膜120b的后端122b上。形成于内壁面27上的第2层31b的截面具有大致阶梯状的形状。
[0078] 实施方式的内壁面27由树脂80的面80a和第1无机粒子91的露出面91b形成。两者形成大致共同的面。树脂的面80a和露出面91b由不同的材料形成。并且，第1层31a通过溅射形成。认为形成于树脂80的面80a上的第1层31a的生长与形成于露出面91b上的第1层31a的生长不同。认为形成于树脂80的面80a上的晶种层30a的生长与形成于露出面91b上的晶种层30a的生长不同。因此，在实施方式中，认为在内壁面27上形成第1膜110a和第2膜120a。认为第1膜110a的前端112a形成在第2膜120a的后端122a上。认为内壁面27上的第1层31a的截面具有大致阶梯状的形状。认为内壁面27上的第2层31b追随第1层31a。因此，认为内壁面27上的第2层31b具有第1膜110b和第2膜120b。认为第2层31b的第1膜110b的前端112b形成在第2层31b的第2膜120b的后端122b上。认为内壁面27上的第2层31b的截面具有大致阶梯状的形状。同样地，认为晶种层30a的第2部分P2具有第1膜110和第2膜120。认为晶种层30a的第1膜110的前端112形成于晶种层30a的第2膜120的后端122上。认为内壁面27上的晶种层30a的截面具有大致阶梯状的形状。
[0079] 形成第2部分P2的第1层31a由第1膜110a和第2膜120a形成。形成第2部分P2的第1层31a的截面具有大致阶梯状的形状。形成第2部分P2的第2层31b由第1膜110b和第2膜120b形成。形成第2部分P2的第2层31b的截面具有大致阶梯状的形状。形成第2部分P2的晶种层30a由第1膜110和第2膜120形成。形成第2部分P2的晶种层30a的截面具有大致阶梯状的形状。
[0080] 内壁面27上的第1层31a形成在大致平滑的内壁面27上。因此，实施方式能够大致平滑地形成第1层31a的第1膜110a的表面和第1层31a的第2膜120a的表面。同样地，能够大致平滑地形成第2层31b的第1膜110b的表面和第2层31b的第2膜120b的表面。能够大致平滑地形成第2部分P2的第1膜110的表面和第2部分P2的第2膜120的表面。若表面平滑，则能够减小传输损耗。
[0081] 若内壁面27具有图3所示的台阶28，则能够使用溅射容易地形成具有第1膜110a和第2膜120a的第1层31a。能够容易地形成具有第1膜110和第2膜120的晶种层30a。能够将第1膜110a的前端112a形成在第2膜120a的后端122a上。能够将第1膜110的前端112形成在第2膜120的后端122上。能够容易地形成实质上具有阶梯状的形状的第1层31a。能够容易地形成实质上具有阶梯状的形状的晶种层30a。
[0082] 在晶种层30a上形成抗镀剂。抗镀剂具有用于形成第1信号布线32、第2信号布线34以及焊盘36(图1)的开口。
[0083] 在从抗镀剂露出的晶种层30a上形成电镀层30b。电镀层30b由铜形成。电镀层30b填充开口26。通过第1面22上的晶种层30a和电镀层30b，形成第1信号布线32、第2信号布线34和焊盘36(图1)。形成第2导体层30。利用开口26内的晶种层30a和电镀层30b形成过孔导体40(图1)。过孔导体40将衬垫14与焊盘36连接。第1信号布线32和第2信号布线34形成成对布线。
[0084] 晶种层30a形成后的过孔导体40用的开口260如图7F所示。若厚度T2薄，则能够增大开口260的体积。因此，电镀液容易进入开口260内。难以在形成过孔导体40的电镀层30b内形成孔隙。能够形成具有低电阻的过孔导体40。即使开口26的开口直径(衬垫14上的直径)D(参照图7E)为30μm以下，也能够形成不包含孔隙的过孔导体40。即使开口直径D为10μm以上且25μm以下，经由过孔导体40的连接可靠性也长期稳定。这样，通过减小第2部分P2的厚度T2，能够改善成本、生产率、可靠性。因此，厚度T2优选小于厚度T1。
[0085] 去除抗镀剂。从电镀层30b露出的晶种层30a被去除。第2导体层30和过孔导体40同时形成。得到实施方式的印刷布线板2(图1)。
[0086] 形成衬垫14的电镀层10b和形成过孔导体40的电镀层30b夹着形成第3部分P3的晶种层30a。晶种层30a使用溅射形成。电镀和溅射是不同的方法，因此认为若印刷布线板2受到热冲击，则两者的收缩量、膨胀量不同。因此，经由过孔导体40的连接可靠性在晶种层30a与形成衬垫14的电镀层10b之间容易降低。或者，连接可靠性在晶种层30a与形成过孔导体40的电镀层30b之间容易降低。为了减小溅射制晶种层30a对连接可靠性的影响度，优选衬垫14上的溅射制晶种层30a的厚度薄。因此，实施方式使第3部分P3的厚度T3变薄。具体而言，实施方式使厚度T3小于厚度T1。由此，即使过孔导体40具有溅射制晶种层30a和电镀层
30b，也能够提供具有高连接可靠性的印刷布线板2。
[0087] 在实施方式的印刷布线板2中，形成第2部分P2的第1膜110的一部分形成在第2膜120上。第1膜110与第2膜120部分重叠。因此，能够提高第2部分P2的强度。第2部分P2难以断裂。第2部分P2由大致平滑的第1膜110和大致平滑的第2膜120形成。因此，在传输高频信号时，传输损耗小。另外，晶种层30a的第1部分P1的厚度T1比第2部分P2的厚度T2和第3部分P3的厚度T3厚。因此，第1面22上的晶种层30a(第1部分P1)难以断裂。提供高品质的印刷布线板2。
[0088] 在信号、电源从衬垫14向过孔导体40移动时，信号、电源通过晶种层30a的第1层31a。形成第1层31a的合金中所含的铝的电阻率大于铜的电阻率。因此，当信号或电源在第1层31a内流动时，优选在第1层31a中移动的距离短。在实施方式中，第1层31a的第1部分P1的厚度T1a比第2部分P2的厚度T2a和第3部分P3的厚度T3a厚。因此，在信号、电源从衬垫14向过孔导体40移动时，通过第1层31a的第3部分P3的距离较短。另外，信号、电源容易从晶种层
30a的第3部分P3直接移动到电镀层30b。优选信号、电源不从第3部分P3向第2部分P2移动，而从第3部分P3向形成过孔导体40的电镀层30b移动。在实施方式中，第2部分P2的厚度T2比第1部分P1的厚度T1以及第3部分P3的厚度T3小。因此，能够增大第2部分P2的电阻。电流流过具有低电阻的部分，因此信号、电源容易从第3部分P3直接移动到形成过孔导体40的电镀层30b。晶种层30a不易对经由过孔导体40的信号的传输速度、电源供给造成不良影响。即使在印刷布线板2上安装逻辑IC，逻辑IC也难以误动作。
[0089] 过孔导体40用的开口26的内壁面27由树脂80和第1无机粒子91的平坦部91a的露出面91b形成。认为在形成第1层31a时，形成溅射膜(溅射制膜)的粒子附着于内壁面27的第1无机粒子91。认为形成溅射膜的粒子不埋入第1无机粒子91中。能够在内壁面27上形成薄且连续的晶种层30a。在去除晶种层30a时，蚀刻量少。因此，电镀层30b的蚀刻量少。信号布线具有设计值那样的宽度。能够形成微细的信号布线。提供具有高品质的印刷布线板2。
[0090] 在实施方式的印刷布线板2中，树脂绝缘层20的第1面22仅由树脂形成。无机粒子不从第1面22露出。在第1面22未形成凹凸。抑制树脂绝缘层20的第1面22附近部分的相对介电常数的标准偏差变大。第1面22的相对介电常数不会根据位置而大幅变化。即使第1信号布线32和第2信号布线34与第1面22相接，也能够减小第1信号布线32与第2信号布线34间的电信号的传播速度之差。因此，在实施方式的印刷布线板2中噪声被抑制。即使在实施方式的印刷布线板2安装逻辑IC，由第1信号布线32传递的数据和由第2信号布线34传递的数据也几乎没有延迟地到达逻辑IC。能够抑制逻辑IC的误动作。即使第1信号布线32的长度与第2信号布线34的长度为5mm以上，也能够减小两者的传播速度之差。即使第1信号布线32的长度和第2信号布线34的长度为10mm以上且20mm以下，也能够抑制逻辑IC的误动作。提供具有高品质的印刷布线板2。
[0091] [实施方式的另一例1]
[0092] 在实施方式的另一例1中，形成晶种层10a、30a的第1层11a、31a的合金所包含的特定金属是镍、锌、镓、硅、镁中的至少一种。
[0093] [实施方式的另一例2]
[0094] 在实施方式的另一例2中，形成晶种层10a、30a的第1层11a、31a的合金不含碳。
[0095] [实施方式的另一例3]
[0096] 在实施方式的另一例3中，形成晶种层10a、30a的第1层11a、31a的合金不含氧。
[0097] 在本说明书中，平面用于内壁面的形状和平坦部91a的形状、第1无机粒子91的形状。对它们使用的平面的意思如图1和图2所示。即，在图1和图2中，内壁面大致笔直地描绘。图1和图2中的内壁面的形状大致为直线。本说明书内的平面包含截面中示出的实质的直线。如图1和图2的第1无机粒子91的截面所示，在截面中，用平面切断包含用直线切断。本说明书内的平面并不意味着完全的平面，而是包含实质的平面。实质的平面也可以包含小的凹凸。
