[0003] 本公开涉及激光设备和激光加工方法。

[0004] 随着多媒体的发展，对显示器的需求正在增加。因此，正在使用诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)的各种显示器。

[0005] 有机发光显示器使用其中通过电子和空穴的复合产生光的有机发光二极管(OLED)显示图像。通常，有机发光显示器具有相对快的响应时间、相对高的亮度和宽视角。此外，可以以低功耗来驱动有机发光显示器。

[0006] 在用于有机发光显示器的加工工艺中，如在半导体制造工艺中，使用了各种物理和化学方法。例如，可以使用使用激光的蚀刻或钻孔工艺。当与其他方法相比时，使用激光在基底上执行加工由于结构简单且处理时间短，因此被广泛使用。

[0007] 此外，在其中使用激光模块执行加工工艺的情况下，由于在加工工艺期间，从基底脱离和分离的颗粒累积在激光设备的保护窗上，因此应当替换或清洗保护窗。在这种情况下，由于为了替换或清洗应当打开真空腔室并且应当停止加工工艺直到在执行替换或清洗之后腔室达到真空状态，因此可能降低生产效率。

[0008] 此外，由于有机发光二极管不耐湿气和氧气，因此当在有机发光显示器的基底(SUB)上执行激光加工时，使用腔室的高真空环境。

[0028] 现在将在下文中参考附图更全面地描述本公开，在附图中示出了本公开的示例性实施例。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在本文中所阐述的示例性实施例。

[0029] 还将理解的是，当层、元件或基底被称为“在”另一层、元件或基底“上”时，该层、元件或基底可以直接在另一层、元件或基底上，或者它们之间可以存在中间层或元件。

[0030] 为了易于说明，在本文中可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等空间相对术语以描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“下面”的元件随后将定向“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以涵盖上方和下方以及下面所有方位。所述装置可以以其他方式定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且可以相应地解释本文中使用的空间相对术语。

[0031] 在整个说明书中，相同的附图标记可以指示相同的组件，并且因此，可以省略它们的描述。

[0032] 在下文中，将参考附图描述本公开的示例性实施例。在说明书中，第一方向DR1表示Z轴方向，并且第二方向DR2表示与第一方向DR1交叉的方向。例如，第二方向DR2可以是X轴方向或Y轴方向。

[0033] 图1是示出根据本公开的示例性实施例的激光设备的结构图。

[0034] 参照图1，根据本公开的示例性实施例的激光设备可以包括第一真空腔室CH1、载体CR、激光器模块LM、腔室窗CW、第一保护窗PW1、污染检测器200、传送单元300、第二真空腔室CH2、盒体CS和第二保护窗PW2。

[0035] 第一真空腔室CH1可以是在基底SUB上执行蚀刻或钻孔工艺所在的空间。第一真空腔室CH1可以包括在基底SUB上执行激光加工所在的处理区域A1。

[0036] 基底SUB是根据本公开的示例性实施例的激光设备的目标物体，并且可以是例如有机发光显示器、微型发光二极管显示器、量子点发光显示器或无机发光显示器的任何种类的基底。有机发光显示器可以使用包括有机发光层的有机发光二极管。微型发光二极管显示器可以使用微型发光二极管(微型LED)。量子点发光显示器可以使用包括量子点发光层的量子点LED，并且无机发光显示器可以使用包括无机半导体的无机LED。以下基底SUB将被描述为有机发光显示器的基底。

[0037] 在图1中，示意性地示出了第一真空腔室CH1的一部分。例如，第一真空腔室CH1可以通过真空泵和真空阀维持在真空状态下。

[0038] 第一闸阀G1可以设置在第一真空腔室CH1的一侧处。基底SUB可以通过第一闸阀G1被提供到第一真空腔室CH1中。例如，第一闸阀G1可以提供基底SUB进出第一真空腔室CH1所通过的路径。

[0039] 第二闸阀G2可以设置在第一真空腔室CH1的另一侧处。例如，第一闸阀G1和第二闸阀G2可以设置在相对侧处。保护窗PW1和PW2可以通过第二闸阀G2传送，将在下面描述保护窗PW1和PW2。

[0040] 载体CR可以设置在第一真空腔室CH1中。载体CR可以吸附并移动基底SUB，并且包括用于吸附基底SUB的静电吸盘。

[0041] 激光器模块LM可以设置在第一真空腔室CH1外部。激光器模块LM可以设置为与第一真空腔室CH1的处理区域A1重叠。

[0042] 激光器模块LM(例如，激光器)向基底SUB的一个表面发射激光束L，以在基底SUB上执行加工。由激光器模块LM发射的激光束L穿过腔室窗CW和第一保护窗PW1并被发射到基底SUB，并且因此可以执行蚀刻或钻孔工艺。激光器模块LM可以包括激光器单元、透镜、镜子、扩束器、滤光器和/或扫描器等。

[0043] 腔室窗CW可以设置在第一真空腔室CH1的下侧处。例如，腔室窗CW可以设置在第一真空腔室CH1的下表面中。腔室窗CW可以设置为与第一真空腔室CH1的处理区域A1重叠。

[0044] 腔室窗CW可以由能够传输由激光器模块LM发射的激光束L的透明材料形成。由设置在第一真空腔室CH1外部的激光器模块LM发射的激光束L可以通过腔室窗CW进入第一真空腔室CH1。

[0045] 腔室窗CW可以设置在激光器模块LM和载体CR(或者，例如，基底SUB)之间。例如，腔室窗CW可以设置为与激光器模块LM和载体CR(或者，例如，基底SUB)重叠。例如，激光器模块LM、腔室窗CW、第一保护窗PW1和载体CR可以彼此重叠。

[0046] 腔室窗CW可以由例如石英材料形成。在图1中，示出了其中腔室窗CW包括一个窗的情况，但是本公开不限于此。例如，腔室窗CW可以包括与激光器模块LM的数量相对应的多个窗。

[0047] 当从上方观察时，腔室窗CW可以具有例如四边形形状。然而，本公开不限于此。例如，当从上方观察时，腔室窗CW可以具有圆形形状。

[0048] 第一保护窗PW1可以设置在第一真空腔室CH1中在腔室窗CW上方。第一保护窗PW1可以设置在第一真空腔室CH1的处理区域A1中。此外，第一保护窗PW1可以设置在载体CR(或者，例如，基底SUB)和腔室窗CW之间。例如，第一保护窗PW1可以设置为与载体CR(或者，例如，基底SUB)和腔室窗CW重叠。

[0049] 第一保护窗PW1可以由能够传输已经通过腔室窗CW进入第一真空腔室CH1的激光束L的透明材料形成。例如，第一保护窗PW1可以由石英材料形成，并且可以由与腔室窗CW相同的材料形成。

[0050] 第一保护窗PW1可以允许激光束L穿过其中，并且防止在执行激光加工工艺时腔室窗CW被从基底SUB脱离和/或分离的颗粒P(参见图2)污染。因此，由于可以防止由于腔室窗CW上来自基底SUB的颗粒P引起的折射率或透射率的劣化，因此可以提高加工质量。此外，由于不执行腔室窗CW的替换或清洗，并且可以不增加用于打开第一真空腔室CH1以替换腔室窗CW的时间周期，因此可以提高激光设备的生产效率。

[0051] 在图1中，示出了其中第一保护窗PW1包括一个窗的情况，但是本公开不限于此。例如，第一保护窗PW1还可以包括与激光器模块LM的数量相对应的多个窗。当从上方观察时，第一保护窗PW1可以具有例如四边形或圆形形状。此外，第一保护窗PW1的平面形状可以与腔室窗CW的平面形状基本上匹配，但是本公开不限于此。

[0052] 污染检测器200可以设置在第一真空腔室CH1上。污染检测器200可以检测累积在第一保护窗PW1上的颗粒P的累积量，以检测第一保护窗PW1的污染水平。

[0053] 污染检测器200可以设置为与第一真空腔室CH1的处理区域A1重叠。另外，污染检测器200可以设置为与第一保护窗PW1重叠。在图1中，示出了其中污染检测器200设置在第一真空腔室CH1外部的情况，但是污染检测器200可以位于从此处污染检测器200可以检测到累积在第一保护窗PW1等上的颗粒P的累积量的任何位置。例如，污染检测器200可以设置在第一真空腔室CH1的内部。

[0054] 传送单元300可以设置在第一真空腔室CH1中。例如，传送单元300可以设置在第一真空腔室CH1的除了处理区域A1之外的区域中。然而，本公开不限于此，并且传送单元300可以在第一真空腔室CH1中往复运动并且与处理区域A1部分地重叠。传送单元300可以连接到外部电源，并且可以在第一真空腔室CH1中横向地往复运动。例如，传送单元300可以包括托盘和/或板、致动器以及马达。

[0055] 传送单元300可以用于传送上述第一保护窗PW1以及第二保护窗PW2，第二保护窗PW2将在下面进行描述。第一保护窗PW1和第二保护窗PW2可以通过传送单元300从第一真空腔室CH1被传送到第二真空腔室CH2，或者从第二真空腔室CH2被传送到第一真空腔室CH1。

[0056] 第二真空腔室CH2可以是其中存储有第二保护窗PW2的空间。在图1中，示意性地示出了第二真空腔室CH2的一部分。第二真空腔室CH2可以通过真空泵和真空阀维持在真空状态下。只要第二保护窗PW2可以存储在第二真空腔室CH2中，第二真空腔室CH2可以具有任何形式。例如，第二真空腔室CH2可以具有诸如矩形的四边形形状。作为附加示例，第二真空腔室CH2可以设置在第一真空腔室CH1的一侧处。

[0057] 在第二真空腔室CH2的一侧处可以设置腔室门CHD。可以独立于第一真空腔室CH1来管理保护窗PW1和PW2的库存，例如，通过腔室门CHD清洗保护窗PW1和PW2或用新的保护窗替换保护窗PW1和PW2。

[0058] 盒体CS可以设置在第二真空腔室CH2中。盒体CS可以固定在第二真空腔室CH2中。此外，盒体CS可以通过单独的升降机升高或降低，并且也可以从外部装载到第二真空腔室CH2中或者卸载到外部。盒体CS可以包括多个支撑件(例如，支撑壁)和从支撑件突出的多个槽SL。

[0059] 多个槽SL可以定位为彼此面对。槽SL可以支撑第二保护窗PW2并提供其中装载第二保护窗PW2的空间。在图1中，示出了其中盒体CS总共包括五对槽SL的情况，但是盒体CS的槽SL的数量不限于此。

[0060] 第二保护窗PW2可以位于第二真空腔室CH2中。例如，第二保护窗PW2可以装载在盒体CS的槽SL上。

[0061] 由于第二保护窗PW2是用于替换的保护窗，因此在其中第一保护窗PW1被污染的情况下，可以用第二保护窗PW2替换第一保护窗PW1。因此，由于可以防止由于第一保护窗PW1的颗粒P引起的折射率或透射率的劣化，因此可以提高加工质量。此外，由于不执行其中打开腔室(例如，第一真空腔室CH1)以替换或清洗第一保护窗PW1的工艺，因此可以提高激光设备的生产效率。

[0062] 此外，即使当替换保护窗(例如，第一保护窗PW1)时，第二真空腔室CH2也可以通过真空泵和真空阀维持在真空状态下。因此，即使当打开第二闸阀G2以传送第二保护窗PW2时，第一真空腔室CH1的真空度也可以不受影响。例如，当第一保护窗PW1被污染时，可以在维持第一真空腔室CH1的高真空环境的同时，用第二保护窗PW2替换第一保护窗PW1。因此，无需打开腔室(例如，第一真空腔室CH1)就可以在高真空环境中连续执行激光加工。

[0063] 此外，由于可以在高真空环境中执行激光加工，因此可以使渗入到基底SUB的LED中的湿气或氧气最小化。因此，可以提高基底SUB的可靠性，例如，显示器的组件可靠性。

[0064] 此外，由于可以独立于其中执行激光加工的第一真空腔室CH1在第二真空腔室CH2中长时间管理第二保护窗PW2，因此可以长时间操作激光设备而无需打开第一真空腔室CH1。因此，可以提高激光设备的生产效率。

[0065] 第二保护窗PW2可以由与第一保护窗PW1相同的材料形成。例如，第二保护窗PW2可以由能够传输激光束L的透明材料形成。例如，第二保护窗PW2可以由石英材料形成。

[0066] 第二保护窗PW2可以具有与第一保护窗PW1基本上相同的平面形状。例如，当从上方观察时，第二保护窗PW2可以具有四边形或圆形形状。

[0067] 在图1中，示出了其中在第二真空腔室CH2中存储五个第二保护窗PW2的情况，但是第二保护窗PW2的数量不限于此。例如，可以根据激光加工工艺的时间周期、已经执行或将要执行的激光加工工艺的次数以及保护窗的污染周期来改变第二保护窗PW2的库存管理。

[0068] 如上所述，在根据本公开的示例性实施例的激光设备中，当第一保护窗PW1被污染时，可以在维持第一真空腔室CH1的高真空环境的同时，用第二保护窗PW2替换第一保护窗PW1。因此，由于无需打开腔室(例如，第一真空腔室CH1)就可以在高真空环境中连续执行激光加工，因此可以提高激光设备的生产效率。

[0069] 此外，由于可以在高真空环境中执行激光加工，因此可以使渗入到基底SUB的LED中的湿气或氧气最小化。因此，可以提高基底SUB的可靠性，例如，显示器的组件可靠性。

[0070] 接下来，将描述根据本公开的示例性实施例的激光设备的激光加工方法。与图1中的组件基本上相同的组件将由相同的标号表示，并且省略其详细说明。

[0071] 图2至图6是用于描述根据本公开的示例性实施例的激光设备的加工方法的工艺操作的结构图。

[0072] 参照图2，在第一基底SUB1上执行激光加工。激光器模块LM可以发射激光束L至第一基底SUB1的一个表面上，以在第一基底SUB1上执行加工。这里，加工可以包括蚀刻或钻孔工艺。第一基底SUB1可以与参考图1所示的基底SUB基本上相同。

[0073] 由激光器模块LM发射的激光束L可以穿过腔室窗CW并且进入第一真空腔室CH1。已经穿过腔室窗CW的光可以穿过第一保护窗PW1并且被发射在第一基底SUB1的一个表面上。

[0074] 随着在第一基底SUB1上执行蚀刻或钻孔工艺，从第一基底SUB1脱离的颗粒P可能朝着第一保护窗PW1下落并累积在第一保护窗PW1的一个表面上。在这种情况下，由于颗粒P，第一保护窗PW1的折射率和激光束L的透射率可能降低，并且因此激光加工的质量可能降低。

[0075] 然后，参照图3，通过污染检测器200检测第一保护窗PW1的污染。污染检测器200可以检测累积在第一保护窗PW1上的颗粒P的累积量，并且检测第一保护窗PW1是否被污染。

[0076] 污染检测器200包括光发射器210和光接收器220。光发射器210发射光至第一保护窗PW1的一个表面上，光接收器220接收由第一保护窗PW1反射的光，并且因此，污染检测器200可以检测累积在第一保护窗PW1上的颗粒P的累积量。

[0077] 污染检测器200可以以预定时间周期自动检测第一保护窗PW1的污染。这里，可以通过考虑激光加工工艺的时间周期和将要执行的激光加工工艺的数量来设置污染检测器200的检测周期。

[0078] 污染检测器200的检测周期可以与第一基底SUB1的替换周期匹配。可以在于第一基底SUB1上执行的激光加工结束所处的时间点执行检测第一保护窗PW1的污染。例如，可以在其中第一基底SUB1被载体CR从第一真空腔室CH1的处理区域A1卸载的状态下执行第一保护窗PW1的污染的检测。

[0079] 此外，第一基底SUB1可以包括多个基底，并且在这种情况下，第一基底SUB1的替换时间点可以是在多个基底上执行的加工结束所处的时间点。

[0080] 参照图4和图5，在其中第一保护窗PW1的污染水平达到临界值的情况下，污染的第一保护窗PW1可以通过传送单元300被自动地传送到第一真空腔室CH1的处理区域A1的外部(例如，与处理区域A1相邻的区域)。第一保护窗PW1可以通过传送单元300被传送到第二真空腔室CH2。这里，第一保护窗PW1可以通过第二闸阀G2被传送到第二真空腔室CH2。

[0081] 此外，存储在第二真空腔室CH2中的第二保护窗PW2通过传送单元300被传送到第一真空腔室CH1的处理区域A1。例如，传送单元300可以用第二保护窗PW2替换污染的第一保护窗PW1。另外，传送单元300可以将第一保护窗PW1移出处理区域A1，并且可以将第二保护窗PW2移入处理区域A1。第二保护窗PW2可以通过第二闸阀G2被传送到第一真空腔室CH1。

[0082] 如上所述，即使当替换保护窗(例如，第一保护窗PW1)时，第二真空腔室CH2也可以通过真空泵和真空阀维持在真空状态下。因此，即使当打开第二闸阀G2以传送第二保护窗PW2时，第一真空腔室CH1的真空度也可以不受影响。例如，当第一保护窗PW1被污染时，可以在维持第一真空腔室CH1的高真空环境的同时，用第二保护窗PW2替换第一保护窗PW1。因此，无需打开腔室(例如，第一真空腔室CH1)就可以在高真空环境中执行激光加工。

[0083] 在图4和图5中，示出了其中先传送第一保护窗PW1并且随后传送第二保护窗PW2的情况，但是本公开不限于此。例如，在第二保护窗PW2被传送到第一真空腔室CH1的处理区域A1之后，也可以卸载第一保护窗PW1，或者可以同时传送第一保护窗PW1和第二保护窗PW2以彼此替换。例如，可以有两个传送单元300。

[0084] 参照图6，在第二基底SUB2上执行激光加工。激光器模块LM可以发射激光束L至第二基底SUB2的一个表面上，以在第二基底SUB2上执行加工。第二基底SUB2可以与参考图2描述的第一基底SUB1基本上相同。

[0085] 由激光器模块LM发射的激光束L可以穿过腔室窗CW并且进入第一真空腔室CH1。已经穿过腔室窗CW的光可以通过第二保护窗PW2发射在第二基底SUB2的一个表面上。

[0086] 如上所述，根据本公开的示例性实施例的激光加工方法可以包括使用污染检测器200检测第一保护窗PW1的污染，以及在维持第一真空腔室CH1的高真空环境的同时，用第二保护窗PW2自动替换第一保护窗PW1。因此，由于无需打开腔室(例如，第一真空腔室CH1)就可以在高真空环境中连续执行激光加工，因此可以提高激光设备的生产效率。

[0087] 此外，由于可以在高真空环境中执行激光加工，因此可以使渗入到基底SUB的LED中的湿气或氧气最小化。因此，可以提高基底SUB的可靠性，也就是说，显示器的组件可靠性。这里，第一基底SUB1和第二基底SUB2可以称为基底SUB。

[0088] 图7是根据本公开的示例性实施例的激光设备的控制框图。

[0089] 参照图7，根据本公开的示例性实施例的激光设备还可以包括控制器100，该控制器100配置为控制传送单元300的操作。传送单元300可以由控制器100操作以传送第一保护窗PW1或第二保护窗PW2。在这种情况下，控制器100接收信号以控制传送单元300的操作，并且信号可以由污染检测器200、工艺时间检测器410和工艺数量检测器420中的至少一个提供。

[0090] 污染检测器200检测累积在第一保护窗PW1上的颗粒P的累积量，并将其信息传输到控制器100。

[0091] 工艺时间检测器410检测每个基底SUB的蚀刻和/或钻孔工艺时间周期，并将其信息传输到控制器100。

[0092] 工艺数量检测器420检测在基底SUB上执行的蚀刻和/或钻孔工艺的数量，并将其信息传输到控制器100。

[0093] 在图7中，示出了其中使用污染检测器200、工艺时间检测器410和工艺数量检测器420的全部的情况，但是本公开不限于此。例如，可以使用污染检测器200、工艺时间检测器
410和工艺数量检测器420中的至少一个。例如，控制器100可以从污染检测器200、工艺时间检测器410或工艺数量检测器420接收信息，并且可以控制传送单元300使保护窗PW1和PW2自动彼此替换。

[0094] 控制器100可以包括中央处理单元110和存储器120。

[0095] 中央处理单元110可以是能够在工业上应用以在从污染检测器200、工艺时间检测器410和/或工艺数量检测器420接收到信息之后控制传送单元300传送保护窗PW1和PW2的各种计算机处理器之一。

[0096] 存储器120可以连接到中央处理单元110。存储器120是计算机可读记录介质，并且可以安装在本地或远程站点。例如，存储器120可以是随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘和任何数字存储介质中的一个。

[0097] 控制器100可以从污染检测器200、工艺时间检测器410和/或工艺数量检测器420接收信息，并控制传送单元300传送保护窗PW1和PW2。在这种情况下，一系列工艺等可以被存储在存储器120中。例如，一系列工艺可以包括控制器100从污染检测器200、工艺时间检测器410和/或工艺数量检测器420接收信息，并且控制传送单元300传送保护窗PW1和PW2。此外，软件例程可以存储在存储器120中。软件例程可以被另一中央处理单元存储或执行。

[0098] 此外，尽管描述了控制器100的工艺操作由软件例程执行，但是至少一些工艺操作也可以由硬件执行。例如，工艺可以通过在计算机系统上执行的软件来实现，或者也可以通过诸如集成电路的硬件来实现。此外，可以通过软件和硬件的组合来实现工艺。

[0099] 在下文中，将描述本公开的示例性实施例。在本公开的以下示例性实施例中，与上述组件相同的组件将由相同的标号表示，并且可以省略或简化重复的描述。

[0100] 图8至图14是用于描述根据本公开的示例性实施例的激光设备的加工方法的工艺操作的结构图。

[0101] 参照图8，根据本实施例的激光设备与图1至图7的实施例中的激光设备的不同之处在于第一保护窗PW1’包括第一区域PA1和第二区域PA2，并且根据本实施例，激光设备还包括配置为移动第一保护窗PW1’的保护窗移动模块500。

[0102] 第一保护窗PW1’的第一区域PA1可以位于第一保护窗PW1’的中心的一侧处，并且第二区域PA2可以位于第一保护窗PW1’的中心的另一侧处。例如，第一保护窗PW1’的一部分可以是第一区域PA1，并且第一保护窗PW1’的另一部分可以是第二区域PA2。

[0103] 第一保护窗PW1’的第一区域PA1和/或第二区域PA2可以设置在第一真空腔室CH1的处理区域A1中。此外，第一保护窗PW1’的第一区域PA1和/或第二区域PA2可以设置在腔室窗CW上方并且与激光器模块LM重叠。因此，第一保护窗PW1’的第一区域PA1和/或第二区域PA2可以允许激光束L穿过其中，并且可以在执行激光加工工艺时防止由于从目标基底(例如，第一基底SUB1)脱离和/或分离的颗粒P引起的腔室窗CW的污染。因此，如上所述，可以防止由于颗粒P引起的腔室窗CW的折射率或透射率的劣化，并且可以提高激光设备的生产效率。

[0104] 第一保护窗PW1’的第一区域PA1和/或第二区域PA2通过保护窗移动模块500在第一真空腔室CH1中往复运动，该保护窗移动模块500与第一区域PA1和第二区域PA2部分地重叠。例如，保护窗移动模块500可以移动第一保护窗PW1’，使得第一区域PA1和/或第二区域PA2位于其中颗粒P累积在第一保护窗PW1’上的范围内。例如，保护窗移动模块500可以包括致动器和马达。

[0105] 例如，当在第一基底SUB1上执行激光加工时，第一保护窗PW1’的第一区域PA1可以与腔室窗CW和其中发射激光束L的区域重叠。在这种情况下，保护窗移动模块500可以使第一保护窗PW1’在第二方向DR2上从激光器模块LM的中心移动预定距离。例如，第一保护窗PW1’的第一区域PA1可以提供在从激光器模块LM发射的激光束L的路径中，并且保护窗移动模块500可以不在激光束L的路径中。

[0106] 由激光器模块LM发射的激光束L可以穿过腔室窗CW并且进入第一真空腔室CH1。已经穿过腔室窗CW的光可以通过第一保护窗PW1’发射在第一基底SUB1的一个表面上。

[0107] 随着在第一基底SUB1上执行蚀刻或钻孔工艺，从第一基底SUB1脱离的颗粒P可能朝着第一保护窗PW1’的第一区域PA1下落并累积在第一保护窗PW1’的第一区域PA1的一个表面上。

[0108] 由于已经参考图1至图7描述了除此以外的激光器模块LM和腔室窗CW。因此，将省略其重复描述。

[0109] 参照图9，通过污染检测器200检测第一保护窗PW1’的第一区域PA1的污染。污染检测器200可以检测累积在第一保护窗PW1’的第一区域PA1上的颗粒P的累积量，以检测第一保护窗PW1’的第一区域PA1是否被污染。

[0110] 污染检测器200包括光发射器210和光接收器220。光发射器210发射光至第一保护窗PW1’的第一区域PA1的一个表面上。光接收器220接收由第一保护窗PW1’的第一区域PA1反射的光。因此，污染检测器200可以检测累积在第一保护窗PW1’的第一区域PA1上的颗粒P的累积量。

[0111] 污染检测器200可以以预定时间周期自动检测第一保护窗PW1’的第一区域PA1的污染。这里，可以通过考虑激光加工工艺的时间周期和激光加工工艺的数量来设置污染检测器200的检测周期。

[0112] 污染检测器200的检测周期可以与第一基底SUB1的替换周期匹配。可以在于第一基底SUB1上执行的激光加工结束所处的时间点执行检测第一保护窗PW1’的第一区域PA1的污染。例如，可以在其中第一基底SUB1被载体CR从第一真空腔室CH1的处理区域A1卸载的状态下执行第一保护窗PW1’的第一区域PA1的污染的检测。

[0113] 此外，第一基底SUB1可以包括多个基底，并且在这种情况下，第一基底SUB1的替换时间点可以是在多个基底上执行的加工结束所处的时间点。

[0114] 参照图10，在其中第一保护窗PW1’的污染水平达到预定阈值(例如，临界值)的情况下，第一保护窗PW1’通过保护窗移动模块500移动预定距离。这里，由于保护窗移动模块500使第一保护窗PW1’的第一区域PA1从激光器模块LM的中心在与第二方向DR2相反的方向上移动，因此第一保护窗PW1’的第二区域PA2可以设置为与发射激光束L所处的区域重叠。
例如，可以通过保护窗移动模块500将第一保护窗PW1’的第一区域PA1移出激光束L的路径，并且可以通过保护窗移动模块500将第一保护窗PW1’的第二区域PA2移入激光束L的路径。

[0115] 因此，可以在第一保护窗PW1’的区域中使用第二区域PA2而不是污染的第一区域PA1连续执行激光加工。例如，由于可以增加第一保护窗PW1’的替换的时间周期，因此可以提高激光设备的生产效率。

[0116] 移动第一保护窗PW1’之后，在第二基底SUB2上执行激光加工。由激光器模块LM发射的激光束L可以穿过腔室窗CW并且进入第一真空腔室CH1。已经穿过腔室窗CW的光可以穿过第一保护窗PW1’的第二区域PA2并且被发射在第二基底SUB2的一个表面上。

[0117] 随着在第二基底SUB2上执行蚀刻或钻孔工艺，从第二基底SUB2脱离的颗粒P可能朝着第一保护窗PW1’的第二区域PA2下落并累积在第一保护窗PW1’的第二区域PA2的一个表面上。

[0118] 参照图11，通过污染检测器200检测第一保护窗PW1’的第二区域PA2的污染。污染检测器200可以检测累积在第一保护窗PW1’的第二区域PA2上的颗粒P的累积量，以检测第一保护窗PW1’的第二区域PA2是否被污染。

[0119] 污染检测器200包括光发射器210和光接收器220。光发射器210发射光至第一保护窗PW1’的第二区域PA2的一个表面上。光接收器220接收由第一保护窗PW1’的第二区域PA2反射的光，并且因此，污染检测器200可以检测累积在第一保护窗PW1’的第二区域PA2上的颗粒P的累积量。

[0120] 污染检测器200可以以预定时间周期自动检测第一保护窗PW1’的第二区域PA2的污染。例如，可以通过考虑激光加工工艺的时间周期和激光加工工艺的数量来设置污染检测器200的检测周期。

[0121] 污染检测器200的检测周期可以与第二基底SUB2的替换周期匹配。可以在于第二基底SUB2上执行的激光加工结束所处的时间点执行检测第一保护窗PW1’的第二区域PA2的污染。例如，可以在其中第二基底SUB2被载体CR从第一真空腔室CH1的处理区域A1卸载的状态下执行第一保护窗PW1’的第二区域PA2的污染的检测。

[0122] 此外，第二基底SUB2可以包括多个基底，并且在这种情况下，第二基底SUB2的替换时间点可以是在多个基底上执行的加工结束所处的时间点。

[0123] 参照图12和图13，在其中第一保护窗PW1’的前表面例如第一区域PA1和第二区域PA2达到污染阈值(例如，临界值)的情况下，第一保护窗PW1’通过传送单元300被自动传送到第一真空腔室CH1的处理区域A1的外部。第一保护窗PW1’可以通过传送单元300被传送到第二真空腔室CH2。这里，第一保护窗PW1’可以通过第二闸阀G2被传送到第二真空腔室CH2。

[0124] 此外，存储在第二真空腔室CH2中的第二保护窗PW2’通过传送单元300被传送到第一真空腔室CH1的处理区域A1。例如，污染的第一保护窗PW1’和替换第一保护窗PW1’的第二保护窗PW2’可以通过传送单元300彼此替换。第二保护窗PW2’可以通过第二闸阀G2被传送到第一真空腔室CH1。

[0125] 如上所述，即使当替换保护窗(例如，第一保护窗PW1’)时，第二真空腔室CH2也可以通过真空泵和真空阀维持在真空状态下。因此，即使当打开第二闸阀G2以传送第二保护窗PW2’时，第一真空腔室CH1的真空度也可以不受影响。例如，当第一保护窗PW1’被污染时，可以在维持第一真空腔室CH1的高真空环境的同时，用第二保护窗PW2’替换第一保护窗PW1’。因此，无需打开腔室(例如，第一真空腔室CH1)就可以在高真空环境中执行激光加工。

[0126] 在图12和图13中，示出了首先传送第一保护窗PW1’的情况，但是本公开不限于此。例如，在第二保护窗PW2’被传送到第一真空腔室CH1的处理区域A1之后，也可以卸载第一保护窗PW1’，或者可以同时传送第一保护窗PW1’和第二保护窗PW2’以彼此替换。

[0127] 参照图14，在第三基底SUB3上执行激光加工。当在第三基底SUB3上执行激光加工时，第二保护窗PW2’的第一区域PA1可以与腔室窗CW和其中发射激光束L的区域重叠。例如，第二保护窗PW2’的第一区域PA1可以与激光器模块LM重叠，并且可以在由激光器模块LM发射的激光束L的路径中。在这种情况下，保护窗移动模块500可以用于移动第二保护窗PW2’，使得第二保护窗PW2’的第一区域PA1与其中发射激光束L的区域重叠。例如，保护窗移动模块500可以使第二保护窗PW2’在与第二方向DR2相反的方向上移动预定距离，使得第二保护窗PW2’的第一区域PA1与激光器模块LM重叠。

[0128] 由激光器模块LM发射的激光束L可以穿过腔室窗CW并进入第一真空腔室CH1。已经穿过腔室窗CW的光可以穿过第二保护窗PW2’的第一区域PA1，并且被发射在第三基底SUB3的一个表面上。

[0129] 如上所述，在根据本实施例的激光设备和激光加工方法中，当保护窗PW1’和PW2’中的每一个的第一区域PA1被污染时，由于颗粒P已经累积在第一区域PA1的表面上，保护窗移动模块500可以使保护窗PW1’和PW2’中的每一个移动预定距离以使用保护窗PW1’和PW2’的第二区域PA2。因此，由于可以增加保护窗PW1’和PW2’中的每一个的替换周期，因此可以提高激光设备的生产效率。

[0130] 此外，在污染检测器200检测第一保护窗PW1’的污染并且可以维持第一真空腔室CH1的高真空环境同时，第一保护窗PW1’可以用第二保护窗PW2’自动替换。因此，无需打开腔室(例如，第一真空腔室CH1)就可以在高真空环境中连续执行激光加工。此外，由于可以在高真空环境中执行激光加工，因此可以使渗入到基底SUB的LED中的湿气或氧气最小化。因此，可以提高基底SUB的可靠性，例如，显示器的组件可靠性。这里，第一基底SUB1、第二基底SUB2和第三基底SUB3可以称为基底SUB。

[0131] 图15是根据本公开的示例性实施例的激光设备的控制框图。

[0132] 参照图15，根据本实施例的激光设备的控制器100可以控制保护窗移动模块500的操作。保护窗移动模块500可以将保护窗PW1’和PW2’中的每一个移动预定距离，以使得在由控制器100操作的同时保护窗PW1’和PW2’中的每一个的特定区域与激光器模块LM重叠。

[0133] 在这种情况下，控制器100接收信号以控制保护窗移动模块500的操作，并且信号可以由污染检测器200、工艺时间检测器410和工艺数量检测器420中的至少一个提供。

[0134] 污染检测器200检测累积在保护窗PW1’和PW2’中的每一个上的颗粒P的累积量，并将其信息传输到控制器100。

[0135] 工艺时间检测器410检测对于每个基底SUB的蚀刻或钻孔工艺时间周期，并将其信息传输到控制器100。

[0136] 工艺数量检测器420检测在基底SUB上执行的蚀刻或钻孔工艺的数量，并将其信息传输到控制器100。

[0137] 在图15中，示出了其中使用污染检测器200、工艺时间检测器410和工艺数量检测器420的情况，但是本公开不限于此。例如，也可以使用污染检测器200、工艺时间检测器410和工艺数量检测器420中的至少一个。例如，控制器100可以从污染检测器200、工艺时间检测器410和/或工艺数量检测器420接收信息，并且控制保护窗移动模块500，使得未被颗粒P污染的保护窗PW1’和PW2’中的每一个的一部分被定位以与激光器模块LM重叠。

[0138] 控制器100可以包括中央处理单元110和存储器120。

[0139] 由于已经参考图7描述了中央处理单元110和存储器120，因此将省略其重复描述。

[0140] 尽管已经参考本公开的示例性实施例描述了本公开，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以对其在形式和细节方面进行各种改变。