技术领域 本公开涉及一种发光器件。 背景技术 因为氮化物半导体的高热稳定性和宽带隙，因此在光学和高输出的电子器件开发领域中研究了氮化物半导体。当前，对于氮化物半导体发光器件的研究集中于发光效率改进。 为了实现高效的发光器件，在半导体薄膜方面需要两种方法。一种方法是增加发光层中注入的电子和空穴的光耦合概率，以便提高内量子效率。另一种方法是增加光提取效率，以便允许发光层中形成的光从薄层有效地逸出。 为了提高内量子效率，需要一种用于生长高质量薄层的技术和用于优化薄层堆叠结构以使量子效率最大化的技术。为了增加光提取效率，用于控制发光器件的几何形成的各种研究正在进行中。 发明内容 技术问题 实施例提供一种具有最佳光提取效率的发光器件。 技术方案 在一个实施例中，一种发光器件，包括：反射层；以及半导体层，所述半导体层包括所述反射层上的发光层，其中在反射层与发光层的中心之间的距离对应于相长干涉(constructive interference)条件。 在另一实施例中，一种发光器件，包括：反射层；电介质层，所述电介质层在反射层上；半导体层，所述半导体层在电介质层上，所述半导体层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其中在反射层与发光层的中心之间的距离满足(2m+1)/4×(λ/n)±α，其中m是等于或大于0的整数，λ是发射光的波长，n是发光层与反射层之间的介质的平均折射率，以及α是根据反射层(α＜(1/8)×(λ/n))的种类的波动范围。 有益效果 根据实施例的发光器件，通过调整反射层与发光层之间的距离来获得提取效率改进和输出取向。该距离的调整可以通过半导体层和电介质层的沉积来有效地完成。 另外，当引入导电氧化物层作为电介质层时，由于在沉积工序过程期间，可以通过控制电介质层的厚度，调整反射层与发光层之间的距离，因此便于设置与最佳光提取效率相对应的距离。 此外，根据实施例的发光器件，通过形成光子晶体(PhC)结构作为光提取结构来提高光提取效率，并且通过调整光子晶体结构的蚀刻深度，还将光提取效率最大化的最佳周期移动到长周期区域中。 附图说明 图1是根据实施例的发光器件的横截面图。 图2是图示光提取效率根据反射层与发光层之间的间隔和由此产生的辐射图案的增加率的视图。 图3是图示光提取效率根据实施例中的欧姆电极的厚度而变化的曲线。 图4是图示光提取效率根据实施例中的p型半导体层的厚度而变化的曲线。 图5图示光提取效率根据光子晶体周期而改变的曲线。 图6图示光提取效率根据构成该光子晶体的孔尺寸的变化。 图7是图示光提取效率根据实施例中的光子晶体结构的蚀刻深度而变化的曲线。 图8和9是图示根据在实施例中具有相长干涉条件的结构中引入光子晶体的效果的曲线。 图10至12是图示光提取效率根据实施例中的光子晶体结构的蚀刻深度而变化的曲线。 图13和14是另一实施例的包括电介质层的发光器件的横截面图。 具体实施方式 在实施例的描述中，应当理解，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一层(或膜)、区域、衬垫或图案“上/上方”时，“在…上/在…上方”和“在…下”的术语包括“直接和非直接”的含义。此外，关于每个层的“在…上/在…上方”和“在…下”的参照将基于附图进行。 在附图中，为了描述的方便起见和清晰，每个层的厚度或尺寸被夸大、省略或示意性地图示。此外，每个元件的尺寸不完全反映实际尺寸。 图1是根据实施例的发光器件的横截面图。 根据实施例的发光器件可以包括反射层300和半导体层100。半导体层100包括在反射层300上方的发光层120。反射层300与发光层120的中心之间的距离d可以对应于相长干涉条件。 图1图示能够最大化光提取效率的垂直发光器件的一个示例。根据发光器件的结构，反射层300可以被设置在支撑层500上，诸如透明导电氧化物的电介质层400可以设置在反射层300上，以及半导体层100可以设置在电介质层400上。另外，半导体层100可以包括p型半导体层130、发光层120以及n型半导体层110。包括孔210的光子晶体(PhC)结构可以形成在半导体层100的表面中，以及n型电极600可以形成在除了光子晶体结构之外的区域上。 在光子晶体结构200中，在半导体层100的表面上，例如，在n型半导体层110的表面上，可以形成掩模图案(未示出)，以及可以通过干法或湿法蚀刻工艺形成孔210。结果，可以形成光子晶体结构200。 当考虑到垂直发光器件的一个示例时，发光层120的中心与反射层300之间的距离d可以对应于p型GaN半导体层130和电介质层400的总厚度。因此，在电性能不劣化的范围内，需要选择p型GaN半导体层130和在垂直方向上具有辐射图案的电介质层400的厚度。 本实施例可以包括非导电衬底或导电衬底。例如，发光器件可以包括GaP衬底上的AlGaInP二极管、SiC衬底上的GaN二极管、SiC衬底上的SiC二极管、蓝宝石衬底上的SiC二极管等。 此外，电介质层400可以是透明导电氧化物。与半导体层100相比，铟-锡-氧化物(ITO)具有更小的反射率。诸如铟-锌-氧化物(IZO)、铝-锌-氧化物(AZO)、镁-锌-氧化物(MZO)或镓-锌-氧化物(GZO)的其他材料可以被用作电介质层400。 <第一实施例> 第一实施例可以通过调整发光层120的发光性能来增加光提取效率。例如，因为发光层120中的产生的光与从反射层300反射的光之间的干涉效应，可以调整输出辐射图案。 即，根据第一实施例，如果在辐射图案可以被调整的范围内，反射层300接近发光层120，那么根据光提取效率，垂直方向上的相长干涉发生能够是有利的。 图2是图示光提取效率根据反射层(例如，镜子)与发光层之间的间隔和由此产生的辐射图案的增加率的视图。 如图2所示，根据时域有限差分方法(FDTD)计算机仿真，通过调整反射层300与发光层120之间的距离d，可以用算术方法计算由于输出图案变化而导致的提取效率增加率和发光层的减小率。反射层300可以被假定为具有100％的反射性的理想镜子，以及发光层120的厚度可以被设定为约12.5nm。 首先，在检查关于提取效率增加率的结果时，可以通过光的大约1/4波长示出提取效率的最大/最小点。这表明，可以通过光的干涉效应改变辐射图案，以及由此可以调整提取效率。 实际上，尽管在最大点和最小点处检查辐射图案，但是当它是最大点的情况时，在垂直方向上发生强发射。当它是最小点的情况时，在垂直方向上几乎没有光，并且发射出的大多数光以大于临界角的特定角度倾斜。 用于使提取效率最大化的要求可以是在发光层120与反射层300之间的间隔约为3/4(λ/n)时，以及当间隔约为λ/4n的奇数倍之一时，提取效率可以增加。 另一方面，如图1所示，如果在p型半导体层130与反射层300之间存在电介质层400，那么情况会改变。 通过ITO层用作电流扩散层或ITO和典型电介质的组合，可以构成电介质层400。在ITO层的情况下，电介质400可以具有1.8至2.0范围内的折射率。如果半导体层100可以由GaN形成，那么其折射率可以是2.4，其大于电介质层400的折射率。 图3是图示光提取效率根据实施例中的欧姆电极的厚度而变化的曲线。 在图3中，当假定电介质层400由ITO形成时，ITO的折射率可以是1.8，以及p型半导体层130的厚度可以是100nm，图示了如何基于ITO的厚度可以改变提取效率。根据该结果，当ITO的厚度可以达到约80nm时，表明可以实现最大提取效率。 提取效率的最大值高达约1.5倍，这几乎与电介质层400的引入无关地相等。相反，应当理解，在电介质层400被引入之后，使提取效率最大化的、在反射层300与发光层120的中心之间的物理距离d能够增加。 即，如果仅有p型半导体层130，那么最佳距离约为140nm。如果诸如ITO的电介质层400被另外地引入，那么最佳距离可以约为180nm，这是p型半导体层130和电介质层400的总厚度。但是，如果两个条件转变为光学距离，那么应当理解，该转变的光学距离满足3/4(λ/n)。 当考虑以上情况时，反射层300与发光层120的中心之间的距离d可以是(2m+1)/4×(λ/n)±α。此时，m是等于或大于0的整数，λ是发射光的波长，以及n是发光层与反射层之间设置的介质的平均折射率。另外，α是基于反射层的种类的波动范围，即，α＜(1/8)×(λ/n)。 然而，n是考虑了p型半导体层130和电介质层400的ITO的折射率和厚度，并非考虑p型半导体层130的GaN的折射率而获得的平均折射率。 如上所述，如果在p型半导体层130与反射层300之间设置具有低折射率的电介质层400，那么制造工序的优点是，如图3的结果所示，使提取效率最大化的电介质层400的厚度间隔可以被广泛地分布。 为了利用镜子干涉效应，反射层300(例如，镜子)与发光层120之间的距离会是非常重要的因素。p型半导体层的厚度本身可以被预先确定，以满足生长条件的最佳化。 然而，如果使用具有低折射率的ITO层作为电介质层400，那么在制造工序期间可以容易地完成用于最大化干涉效应的要求。这是因为可以通过诸如溅射器的典型沉积设备来涂敷ITO层，以及其厚度可以被精确地控制。 图4是图示光提取效率根据实施例中的p型半导体层的厚度而变化的曲线。 图4图示了当没有ITO层或其厚度被固定为60nm和120nm中的一个时，光提取效率根据p型半导体层130的厚度而变化。如该结果所示，因为ITO层的厚度可以增加，所以用于使p型半导体层130的提取效率最大化的厚度变得更薄。这意味着当ITO层和p型半导体层130的光学厚度的之和满足特定值时，提取效率可以变为最大。 如果由反射层(例如，镜子)引起的干涉效应实际上被应用于垂直GaN发光器件结构，那么必须解决为计算机仿真而假定的要求。特别，尽管发光层120被假定为点光源，但是包括发光器件的量子阱层的实际的发光层120根据堆叠对的数目具有50nm到100nm的厚度。 然而，如果发光层120的厚度超过λ/2n，则由镜子引起的干涉效应逐渐地消失。因此，在保持内量子效率的同时，需要一种用于减小量子阱的厚度的生长技术。因此，保持发光层120的厚度低于λ/n的一半是有利的。 <第二实施例> 第二实施例包括提高光提取效率的光子晶体结构。 第二实施例可以采用第一实施例的技术特征，下面将描述不同的内容。 为了提高发光器件的光提取效率，必然需要一种能够提取与全反射角相对应的光的结构器件。用作上述结构的结构可以是诸如光子晶体结构的光提取结构。光子晶体结构可以是具有电容率随周期性或非周期性而空间变化的部件的结构。 第二实施例中的诸如光子晶体结构的光提取结构将其周期性产生的动量成分加到其中不能保存动量的全反射角的光，或者将其周期性产生的动量成分从其中不能保存动量的全反射角的光中减去，以便帮助提取朝向外部的结果。 图5图示了提取效率根据光子晶体周期而改变的曲线。存在一种用于最大化光提取效率的最佳周期的事实反驳了通过光子晶体的提高提取效率是光的衍射过程的证据。 通过光子晶体的光提取效率与除了光子晶体结构的周期之外的、诸如图案深度、填充因数(filling factor)以及光子晶格结构的结构变量具有紧密相关性。填充因数是构成图案的单元结构占用的区域。光子晶体的晶格结构包括矩形晶格、三角形晶格以及阿基米德(Archimedean)晶格。此外，也可以应用诸如随机、准晶体、伪随机的各种光子晶体晶格结构。 如上所述，设计并应用最佳光子晶体结构以便提高半导体发光器件中的提取效率是重要的。 下面，将描述通过计算机仿真确定可应用于垂直GaN发光器件的光子晶体的结构因数和用于产生每个结构因数中可以获得的相对提取效率的增加率的处理。 与平行结构不同，根据垂直发光器件结构，由于没有辐射通过衬底侧，所以总效率对应于通过垂直辐射获得的效率。如图1所示，用于基于计算机仿真分析的发光器件的结构可以包括具有光子晶体200的发光器件半导体层100。另外，可以使用如下结构，在所述结构中，用作密封材料的环氧树脂700可以设置在光子晶体200的外部上。 由于计算机存储器限制，在计算结构中不能包括发光器件的典型尺寸。为了解决该局限性，将应用理想镜子(未示出)可以被施加于具有限制的尺寸(例如，约12μm)的发光器件的两端的情况。 另外，在发光器件100的发光层120中可以允许吸收率(k＝0.045)。然而，为了便于解释，该结构的底部可以包括具有100％的反射性的理想镜子，代替具有吸收率的实际金属镜。 由于垂直型结构必须考虑由镜子，即，反射层引起的干涉效应，因此发光层120相对于结构中的镜子的相对位置变为非常重要的变量。原因是如果通过反射层300与发光层120之间的干涉效应来改变辐射图案，那么可以改变有效操作光子晶体200的结构因数。即，根据光子晶体200的周期，可以改变通过折射过程能够有效地完成提取的光的角度。 这里，可以在镜像效应被排除的状态下计算由光子晶体200引起的效应。为了排除镜子的干涉效应，镜子与发光层120之间的距离可以设定为增加，或可以被设定为相长干涉条件和相消干涉条件的中点。 同样，当发光层120没有镜子的干涉效应时，在辐射图案中仍然存在精细的干涉图案，但是可以将该精细的干涉图案看作球面波。 在检查提取效率相对于光子晶体200改变时，如图5所示，能够获得最大提取效率的光子晶体200的周期约为800nm左右，以及提取效率的相对增加率可以约为两倍。蚀刻深度可以被固定为约225nm，以及构成光子晶体的孔210的半径可以被固定为约0.25a。 图6图示了提取效率根据构成光子晶体200的孔210的尺寸的变化。蚀刻深度可以被固定为225nm，以及周期可以选择为800nm。观察该结果，当光子晶体200的孔210的尺寸可以是3.25a时，提取效率被最大化，以及相对增加率可以增加高达约2.4倍。 如上所述，垂直型GaN发光器件的优点是很少局限于蚀刻深度。平行结构的最大蚀刻深度可以由p型GaN半导体层的厚度(实际上，考虑电阻增加，约为p型GaN层的厚度的一半)来确定，但是垂直型结构可以利用具有相对较厚厚度的n型GaN半导体层的厚度(约3μm)。 图7是图示光提取效率根据实施例中的光子晶体结构的蚀刻深度而变化的曲线。 为了利用垂直型结构的优点，如图8所示，可以顺序地改变用于形成光子晶体的蚀刻深度，然后检查根据该蚀刻深度的最佳周期。 如在平行结构研究中提到，相对于具有超过预定级别的蚀刻深度，易于出现提取效率饱和。 另一方面，因为第二实施例中的光子晶体结构的蚀刻深度能够更深，所以由长周期的光子晶体结构导致的提取效率可以稳定地增加。这是非常显著的点，因为当蚀刻深度深时，可以利用具有长周期的光子晶体结构，其在技术上可实现而没有困难。 具有长周期的光子晶体结构的提取效率随蚀刻深度增加而连续增加的原因如下。 首先，为了允许光穿过具有不同折射率的两个介质，需要满足平面方向的相位匹配条件。其次，当光从具有高折射率的介质行进到具有低折射率的介质时，在大于特定角度处，不能满足相位匹配条件。该特定角度被称作临界角，以及在大于该临界角的角度处发生全反射。 第三，光子晶体有助于将与全反射角相对应的光向外部提取。即，当光子晶体和光结合时，光子晶体的动量增加，使得与全反射相对应的光能够满足相位匹配条件。第四，光子晶体的动量与该周期成反比。即，由于具有短周期的光子晶体可以产生大动量，所以在与全反射相对应的光之中，行进得接近于平行方向、远离临界角的光可以被有效地提取。相反，具有长周期的光子晶体对于提取相对接近于垂直方向的行进光是有效的。 第五，根据波动波理论，可以对应于模式来说明波导结构中的全反射过程。例如，具有接近于平行方向的入射角的光对应于基本波导模式，以及具有接近于垂直方向的入射角的光对应于高阶(high degree)模式。第六，GaN发光器件可以被看作具有大于几微米厚度的波导结构。 因此，当通过考虑上面的事实将光子晶体应用于GaN发光器件时，具有短周期的光子晶体适于提取基本波导模式，以及具有长周期的光子晶体适于提取高度波导模式。 通常，根据基本波导模式，具有提取效率相对于大于预定阶的光子晶体蚀刻深度(～λ/n)而饱和的趋势。相反，因为它变为朝向高阶模式，所以具有提取效率相对于光子晶体蚀刻深度而稳定地增加的趋势。 结果，因为蚀刻深度增加，在使用具有长周期的光子晶体结构的高阶模式中提取效率连续地增加。 如上所述，为了最大化该提取效率，通过计算机仿真来完成光子晶体结构因子的最优化处理。该提取效率可以与蚀刻深度、孔尺寸以及周期具有紧密相关性。 特别，在垂直型GaN发光器件的情况中，由于在光子晶体形成中使用相对厚的n型GaN半导体层，实际上蚀刻深度没有局限性，以及当如同上面一样引入深的蚀刻深度时，选择通过一般技术可容易实现的范围内的周期有更大的可能性。 图8和9是图示在实施例中具有相长干涉条件的结构中引入光子晶体的效果的曲线。 下面，将描述反射层300(即，镜子)和发光层120的中心之间的距离d处于相长干涉条件时光子晶体结构的效果。根据相长干涉条件，当开口可以约为3/4(λ/n)时，相对大量的光在垂直方向上行进。 图8图示了在该条件被应用于光子晶体结构时提取效率提高的程度。 首先，根据未应用光子晶体的结构，与几乎没有镜像效应的球面波条件相比，相长干涉条件示出约两倍的提取效率提高。该值大于镜子的干涉效应被计算时的值(增加1.6倍)的原因是该结构考虑了吸收率。 当检查曲线与光子晶体结构(周期＝约800nm，蚀刻深度＝约225nm)时，应用相长干涉条件的结构显示最优异的性能。 但是，在光子晶体之前/之后的相对增加率最大约为1.2倍。该原因是发光层中产生的光首先主要包括在临界角内，使得通过光子晶体提取的光量被减小那么多。 接下来，图9图示了对于相长干涉条件、提取效率根据光子晶体周期的变化。光子晶体的蚀刻深度可以被固定为225nm，以及构成光子晶体的孔的尺寸可以是0.25a。为了检查效率相对于相长干涉条件和常规条件的周期的依赖性，两个结果示出在一个图中。 在检查该结果的同时，用于相长干涉条件的最佳周期和用于常规条件的最佳周期没有大的差异，以及最佳周期可以形成约800nm。 图10至12是图示提取效率根据实施例中的光子晶体结构的蚀刻深度而变化的曲线。 下面，参考图10，将描述提取效率根据光子晶体的蚀刻深度的变化。 在发光层的输出图案被假定为球面波的常规条件的情况下，它分为其中提取效率相对于蚀刻深度饱和的周期以及其中提取效率与蚀刻深度成比例连续地增加的周期，通过使用约1μm的周期作为基准周期。 该原因是因为光子晶体的周期增加，接近临界角的全反射光容易被折射。如果该原理被应用于当前论述的相长干涉条件，则由于垂直方向中心的辐射在这个条件下从头开始，由此预期具有长周期的光子晶体的作用变得更重要。 为了证实该效果，通过使用图10至12所示的计算机仿真，利用蚀刻深度的变化，计算相对于周期的提取效率。如果与常规条件相比，因为蚀刻深度增加，因此使提取效率最大化的最佳周期明显地朝向长方向移动。 例如，如果蚀刻深度是900nm，那么最佳周期超过2μm。这对应于可以使用当前光刻技术的分辨率制造的结构。由此，它在实用性方面是非常显著的。 使光提取效率最大化的发光器件的结构的一个示例具有与图1相同的结构。 即，发光器件包括支撑层500上的反射层300、反射层300上的诸如透明导电氧化物的电介质层400、电介质层400上的p型半导体层100、发光层120以及n型半导体层110。电介质层400可以由可以用于欧姆-接触p型半导体层的材料形成，以及可以使用透明导电氧化物作为电介质层400。 在n型半导体层110上可以设置由多个孔图案或柱状结构形成的光子晶体200，以及在n型半导体层110上可以部分地设置n型电极600。如图所示，在设置n型电极600的部分上不能形成光子晶体图案。 在光子晶体200中，孔210的深度或柱状结构的高度可以在300nm至3000nm的范围内，光子晶体200的周期或平均周期可以在0.7μm至5μm的范围。即，光子晶体200可以具有规则图案，或具有平均周期的伪随机图案。当周期是a时，孔210或柱状结构的尺寸(直径)可以在0.25a至0.45a范围内。 如上所述，反射层300与发光层120的中心之间的距离d可以约λ/4n的奇数倍。 反射层300与发光层120的中心之间的距离d的调整可以通过半导体层130和电介质层400来完成。即，在光提取期间，通过调整反射层300与发光层120的中心之间的距离d，可以获得相长干涉条件。 同样，通过调整透明电介质层400的厚度，可以更容易地控制光提取效率。即，通过调整电介质层400的厚度，可以更容易地控制光提取的相长干涉条件。 当反射层300的反射率在其超过50％时，它是有利的，以及反射层300可以包括Ag、Pt和Al中的任意一种。 图13和14是另一实施例的包括电介质层的发光器件的横截面图。 如图13所示，电介质层400可以包括上透明导电氧化物层410a和下透明导电氧化物层410b之间的中间层420。中间层420由诸如SiO2、TiO2的氧化物或诸如Si3N4的氮化物形成。 另外，如图14所示，由氧化物或氮化物形成的中间层430构成特定的图案。该特定图案可以等于或类似于上述光子晶体图案。中间层图案之间的间距可以填充有透明导电氧化物或保持空的。 根据本发明，当在垂直GaN发光器件的n型半导体层110中引入光子晶体300以便提高外部光提取效率时，通过利用反射电极300的干涉效应和蚀刻深度，可以在容易制造的长周期(大于1μm)的光子晶体200中完成最大提取效率。另外，仅仅使用反射层300的干涉效应，可以提高提取效率。 工业应用性 如上所述，当发光器件的结构包括封装时，该发光器件可以获得与封装结构无关的高提取效率。 尽管已参考其大量示例性实施例描述了多个实施例，但是应当理解，本领域技术人员可以设计落入本公开的原理的精神和范围内的很多其他改进和实施例。更具体地说，在本公开、附图以及所附权利要求的范围内，可以在组成部分和/或布置上进行多种改变和改进。除零部件和/或布置中的变化和改进之外，对于本领域技术人员来说，可替选的使用也是显而易见的。