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干燥装置无效专利 发明

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技术领域 本发明涉及用于干燥晶圆的干燥装置,特别涉及晶圆清洗后的干燥装置。 背景技术 在半导体器件的制造工艺中,清洗是其中最重要和最频繁的步骤之一。 一般来说,在半导体器件的整个制造工艺中,高达20%的步骤为清洗的步骤。 清洗的目的是为了避免微量离子和金属杂质对半导体器件的污染,以至于影 响半导体器件的性能和合格率。 而在晶圆清洗之后,为了避免晶圆上残留的水印或是残留清洗液反应物 对于后续制程产生影响,一般都会对于晶圆进行干燥。例如美国专利号为 5996594的美国专利所公开的,在晶圆清洗后将晶圆与旋转头固定,利用离心 力来进行旋转式干燥。 目前用于旋转式干燥的干燥装置如图1所示,包括,旋转台1、连接旋转 台1位于旋转台1上方用于放置晶圆的晶圆架2。当进行晶圆干燥时,旋转台 启动带动晶圆架2旋转,通过旋转产生的离心力使晶圆3表面干燥。然而, 在目前的旋转式晶圆干燥工艺中发现,由于目前使用的旋转台1的转速较低, 在完成干燥的晶圆上还能够发现残留的水份,并且干燥的时间也较长,晶圆 干燥的效率不高。而如果使得旋转台1的转速很快,则会影响晶圆干燥过程 中的稳定性,甚至有可能会损坏晶圆,并且旋转台1的转速过快也会导致旋 转台1耗损较快,增加了设备成本。 发明内容 本发明提供了一种干燥装置,解决现有技术干燥装置在对晶圆干燥之后, 晶圆表面仍残留水份,并且干燥时间长,晶圆干燥效率不高的问题。 为解决上述问题,本发明提供了一种干燥装置,包括,旋转台、连接所 述旋转台位于旋转台上方用于放置晶圆的晶圆架以及与所述晶圆架相对,用 于向所述晶圆吹气的干燥辅助装置。 可选的,所述干燥辅助装置包括气体供应装置以及连接气体供应装置并 位于晶圆架上方的气体释出装置,所述气体供应装置和气体释出装置通过传 输管道连接。 可选的,所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的加 热装置以及连接加热装置并位于晶圆架上方的气体释出装置,所述气体供应 装置、加热装置和气体释出装置通过传输管道连接。 可选的,所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的过 滤器以及连接过滤器位于晶圆架上方的气体释出装置,所述气体供应装置、 过滤器、气体释出装置通过传输管道连接。 可选的,所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的过 滤器、连接过滤器的加热装置、连接加热装置并位于晶圆架上方的气体释出 装置,所述气体供应装置、过滤器、加热装置、气体释出装置通过传输管道 连接。 可选的,所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的加 热装置、连接加热装置的过滤器、连接过滤器并位于晶圆架上方的气体释出 装置,所述气体供应装置、加热装置、过滤器、气体释出装置通过传输管道 连接。 可选的,所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的第 一过滤器、连接第一过滤器的加热装置、连接加热装置的第二过滤器、连接 第二过滤器并位于晶圆架上方的气体释出装置,所述气体供应装置、第一过 滤器、加热装置、第二过滤器和气体释出装置通过传输管道连接。 与现有技术相比,上述方案具有以下优点:上述方案干燥装置通过增设 干燥辅助装置向晶圆吹气,使得残留的水份能够地从晶圆表面去除,不但避 免了晶圆干燥之后表面残留水份,并且减少了晶圆干燥的时间,因而提高了 晶圆干燥的效率。 附图说明 图1是现有干燥装置示意图; 图2是本发明实施例1干燥装置示意图; 图3是本发明实施例2干燥装置示意图; 图4是本发明实施例3干燥装置示意图; 图5是本发明实施例4干燥装置示意图; 图6是本发明实施例5干燥装置示意图; 图7是本发明实施例6干燥装置示意图。 具体实施方式 本发明干燥装置通过增设干燥辅助装置向晶圆吹气,使得残留的水份能 够地从晶圆表面去除,不但避免了晶圆干燥之后表面残留水份,并且减少了 晶圆干燥的时间,因而提高了晶圆干燥的效率。 实施例1 如图2所示,本发明实施例干燥装置包括, 旋转台10; 连接旋转台10位于旋转台10上方,用于放置晶圆30的晶圆架20; 与晶圆架20相对,用于向晶圆30表面吹气的干燥辅助装置,所述干燥 辅助装置包括气体供应装置40、连通气体供应装置40的传输管道41以及连 接传输管道41并位于晶圆架20上方的气体释出装置42。 所述气体供应装置40提供的气体为氮气或惰性气体,例如氦、氖、氩、 氪等。所述与气体供应装置40和气体释出装置42相连的传输管道41采用金 属或硬质塑料的材质。所述传输管道41采用焊接或铆接的方式与气体供应装 置40和气体释出装置42相连。作为本发明实施例的一种可实现方式,所述 传输管道41为不锈钢螺纹管,通过螺纹旋紧的方式分别与气体供应装置40 和气体释出装置42相连。 所述释出装置42包括用于向晶圆30表面吹气的喷枪423、连通传输管道 41并向喷枪423提供气体的传输软管(图中未标号)、用于固定喷枪的悬架 421、用于带动悬架421运动的马达422。所述喷枪423位于晶圆30上方并且 喷枪423的喷口指向晶圆30中心,所述喷枪423的喷口相对于晶圆30的角 度为30至45度,例如31度、32度、33度、34度、35度、36度、37度、 38度、39度、40度、41度、42度、43度、44度、45度。 如前所述,当晶圆完成清洗之后,就需要进行干燥以避免晶圆表面残留 的水印或是残留的清洗液反应物对后续制程造成影响。在晶圆30被放置于晶 圆架20上并固定好之后,旋转台10启动,带动晶圆架20旋转,旋转台的转 速为3000-5000转/分钟,例如3000转/分钟、3200转/分钟、3400转/分钟、 3600转/分钟、3800转/分钟、4000转/分钟、4200转/分钟、4400转/分钟、4600 转/分钟、4800转/分钟、5000转/分钟。此时,气体供应装置40开启提供氮气 或惰性气体,氮气或惰性气体的气压为3至5Atm,例如3.2Atm、3.4Atm、 3.6Atm、3.8Atm、4Atm、4.2Atm、4.4Atm、4.6Atm、4.8Atm、5Atm。氮气或 惰性气体通过传输管道41到达传输软管,由于传输软管与喷枪423连通,氮 气或惰性气体就通过喷枪423吹到晶圆表面。此时,马达422还会带动悬架 421以一定的角度旋转,马达422转动的角度应能够使得喷枪423喷出的氮气 或惰性气体能够覆盖整个晶圆30,因此马达422转动的角度其实是根据马达 422所处的位置以及喷枪423在晶圆30上方所处的位置来确定的。 实施例2 如图3所示,本发明实施例干燥装置包括, 旋转台10; 连接旋转台10位于旋转台10上方,用于放置晶圆30的晶圆架20; 与晶圆架20相对,用于向晶圆30表面吹气的干燥辅助装置,所述干燥 辅助装置包括气体供应装置40、连通气体供应装置40的传输管道41、连通 传输管道41的过滤器43、连通过滤器43的传输管道41以及连通传输管道 41并位于晶圆架20上方的气体释出装置42。 所述气体供应装置40提供的气体为氮气或惰性气体,例如氦、氖、氩、 氪等。所述过滤器43用以过滤气体供应装置40提供的气体中含有的污染物 颗粒。所述与气体供应装置40、气体释出装置42以及过滤器43相连的传输 管道41采用金属或硬质塑料的材质。所述传输管道41采用焊接或铆接的方 式与气体供应装置40、气体释出装置42以及过滤器43相连。作为本发明实 施例的一种可实现方式,所述传输管道41为不锈钢螺纹管,通过螺纹旋紧的 方式分别与气体供应装置40、气体释出装置42以及过滤器43相连。 所述释出装置42包括用于向晶圆30表面吹气的喷枪423、连通传输管道 41并向喷枪423提供气体的传输软管(图中未标号)、用于固定喷枪的悬架 421、用于带动悬架421运动的马达422。所述喷枪423位于晶圆30上方并且 喷枪423的喷口指向晶圆30中心,所述喷枪423的喷口相对于晶圆30的角 度为30至45度,例如31度、32度、33度、34度、35度、36度、37度、 38度、39度、40度、41度、42度、43度、44度、45度。 如前所述,当晶圆完成清洗之后,就需要进行干燥以避免晶圆表面残留 的水份或是残留的清洗液反应物对后续制程造成影响。在晶圆30被放置于晶 圆架20上并固定好之后,旋转台10启动,带动晶圆架20旋转,旋转台的转 速为3000-5000转/分钟,例如3000转/分钟、3200转/分钟、3400转/分钟、 3600转/分钟、3800转/分钟、4000转/分钟、4200转/分钟、4400转/分钟、4600 转/分钟、4800转/分钟、5000转/分钟。此时,气体供应装置40开启提供氮气 或惰性气体,氮气或惰性气体的气压为3至5Atm,例如3.2Atm、3.4Atm、 3.6Atm、3.8Atm、4Atm、4.2Atm、4.4Atm、4.6Atm、4.8Atm、5Atm。氮气或 惰性气体通过传输管道41到达过滤器43,氮气或惰性气体经过过滤器43的 过滤能够去除微细颗粒污染物。所述过滤器43的过滤孔径为0.1um至0.16um, 例如0.1um、0.105um、0.11um、0.115um、0.12um、0.125um、0.13um、0.135um、 0.14um、0.145um、0.15um、0.155um、0.16um。经过过滤器43过滤的氮气或 惰性气体再通过传输管道41到达传输软管,由于传输软管与喷枪423连通, 氮气或惰性气体就通过喷枪423吹到晶圆表面。此时,马达422还会带动悬 架421以一定的角度旋转,马达422转动的角度应能够使得喷枪423喷出的 氮气或惰性气体能够覆盖整个晶圆30,因此马达422转动的角度其实是根据 马达422所处的位置以及喷枪423在晶圆30上方所处的位置来确定的。 实施例3 如图4所示,本发明实施例干燥装置包括, 旋转台10; 连接旋转台10位于旋转台10上方,用于放置晶圆30的晶圆架20; 用于向晶圆30表面吹气的干燥辅助装置,所述干燥辅助装置包括气体供 应装置40、连通气体供应装置40的传输管道41、连通传输管道41的加热装 置44、连通加热装置44的传输管道41以及连通传输管道41并位于晶圆架 20上方的气体释出装置42。 所述气体供应装置40提供的气体为氮气或惰性气体,例如氦、氖、氩、 氪等。所述加热装置44用以对于气体供应装置40提供的气体进行加热以提 高干燥的效率。所述与气体供应装置40、气体释出装置42以及加热装置44 相连的传输管道41采用金属或硬质塑料的材质。所述传输管道41采用焊接 或铆接的方式与气体供应装置40、气体释出装置42以及加热装置44相连。 作为本发明实施例的一种可实现方式,所述传输管道41为不锈钢螺纹管,通 过螺纹旋紧的方式分别与气体供应装置40、气体释出装置42以及加热装置 44相连。 所述释出装置42包括用于向晶圆30表面吹气的喷枪423、连通传输管道 41并向喷枪423提供气体的传输软管(图中未标号)、用于固定喷枪的悬架 421、用于带动悬架421运动的马达422。所述喷枪423位于晶圆30上方并且 喷枪423的喷口指向晶圆30中心,所述喷枪423的喷口相对于晶圆30的角 度为30至45度,例如31度、32度、33度、34度、35度、36度、37度、 38度、39度、40度、41度、42度、43度、44度、45度。 如前所述,当晶圆完成清洗之后,就需要进行干燥以避免晶圆表面残留 的水份或是残留的清洗液反应物对后续制程造成影响。在晶圆30被放置于晶 圆架20上并固定好之后,旋转台10启动,带动晶圆架20旋转,旋转台的转 速为3000-5000转/分钟,例如3000转/分钟、3200转/分钟、3400转/分钟、 3600转/分钟、3800转/分钟、4000转/分钟、4200转/分钟、4400转/分钟、4600 转/分钟、4800转/分钟、5000转/分钟。此时,气体供应装置40开启提供氮气 或惰性气体,氮气或惰性气体的气压为3至5Atm,例如3.2Atm、3.4Atm、 3.6Atm、3.8Atm、4Atm、4.2Atm、4.4Atm、4.6Atm、4.8Atm、5Atm。氮气或 惰性气体通过传输管道41到达加热装置44,加热装置44加热氮气或惰性气 体的作用是为了使得晶圆表面的水份能够更快地脱离晶圆,通过加热的氮气 或惰性气体温度为50至60℃,例如50℃、51℃、52℃、53℃、54℃、55℃、 56℃、57℃、58℃、59℃、60℃。经过加热装置44加热的氮气或惰性气体再 通过传输管道41到达传输软管,由于传输软管与喷枪423连通,氮气或惰性 气体就通过喷枪423吹到晶圆表面。此时,马达422还会带动悬架421以一 定的角度旋转,马达422转动的角度应能够使得喷枪423喷出的氮气或惰性 气体能够覆盖整个晶圆30,因此马达422转动的角度其实是根据马达422所 处的位置以及喷枪423在晶圆30上方所处的位置来确定的。 实施例4 如图5所示,本发明实施例干燥装置包括, 旋转台10; 连接旋转台10位于旋转台10上方,用于放置晶圆30的晶圆架20; 用于向晶圆30表面吹气的干燥辅助装置,所述干燥辅助装置包括气体供 应装置40、连通气体供应装置40的传输管道41、连通传输管道41的过滤器 43、连通过滤器43的传输管道41、连通传输管道41的加热装置44、连通加 热装置44的传输管道41以及连通传输管道41并位于晶圆架20上方的气体 释出装置42。 所述气体供应装置40提供的气体为氮气或惰性气体,例如氦、氖、氩、 氪等。所述过滤器43用以过滤气体供应装置40提供的气体中含有的污染物 颗粒。所述加热装置44用以对于气体供应装置40提供的气体进行加热以提 高干燥的效率。所述与气体供应装置40、气体释出装置42、过滤器43以及 加热装置44相连的传输管道41采用金属或硬质塑料的材质。所述传输管道 41采用焊接或铆接的方式与气体供应装置40、气体释出装置42、过滤器43 以及加热装置44相连。作为本发明实施例的一种可实现方式,所述传输管道 41为不锈钢螺纹管,通过螺纹旋紧的方式分别与气体供应装置40、气体释出 装置42、过滤器43以及加热装置44相连。 所述释出装置42包括用于向晶圆30表面吹气的喷枪423、连通传输管道 41并向喷枪423提供气体的传输软管(图中未标号)、用于固定喷枪的悬架 421、用于带动悬架421运动的马达422。所述喷枪423位于晶圆30上方并且 喷枪423的喷口指向晶圆30中心,所述喷枪423的喷口相对于晶圆30的角 度为30至45度,例如31度、32度、33度、34度、35度、36度、37度、 38度、39度、40度、41度、42度、43度、44度、45度。 如前所述,当晶圆完成清洗之后,就需要进行干燥以避免晶圆表面残留 的水份或是残留的清洗液反应物对后续制程造成影响。在晶圆30被放置于晶 圆架20上并固定好之后,旋转台10启动,带动晶圆架20旋转,旋转台的转 速为3000-5000转/分钟,例如3000转/分钟、3200转/分钟、3400转/分钟、 3600转/分钟、3800转/分钟、4000转/分钟、4200转/分钟、4400转/分钟、4600 转/分钟、4800转/分钟、5000转/分钟。此时,气体供应装置40开启提供氮气 或惰性气体,氮气或惰性气体的气压为3至5Atm,例如3.2Atm、3.4Atm、 3.6Atm、3.8Atm、4Atm、4.2Atm、4.4Atm、4.6Atm、4.8Atm、5Atm。氮气或 惰性气体通过传输管道41到达过滤器43,氮气或惰性气体经过过滤器43的 过滤能够去除微细颗粒污染物。所述过滤器43的过滤孔径为0.1um至0.16um, 例如0.1um、0.105um、0.11um、0.115um、0.12um、0.125um、0.13um、0.135um、 0.14um、0.145um、0.15um、0.155um、0.16um。经过过滤器43过滤的氮气或 惰性气体再经过传输管道41到达加热装置44,加热装置44加热氮气或惰性 气体的作用是为了使得晶圆表面的水份能够更快地脱离晶圆表面,通过加热 的氮气或惰性气体温度为50至60℃,例如50℃、51℃、52℃、53℃、54℃、 55℃、56℃、57℃、58℃、59℃、60℃。经过加热装置44加热的氮气或惰性 气体再通过传输管道41到达传输软管,由于传输软管与喷枪423连通,氮气 或惰性气体就通过喷枪423吹到晶圆表面。此时,马达422还会带动悬架421 以一定的角度旋转,马达422转动的角度应能够使得喷枪423喷出的氮气或 惰性气体能够覆盖整个晶圆30,因此马达422转动的角度其实是根据马达422 所处的位置以及喷枪423在晶圆30上方所处的位置来确定的。 实施例5 如图6所示,本发明实施例干燥装置包括, 旋转台10; 连接旋转台10位于旋转台10上方,用于放置晶圆30的晶圆架20; 用于向晶圆30表面吹气的干燥辅助装置,所述干燥辅助装置包括气体供 应装置40、连通气体供应装置40的传输管道41、连通传输管道41的加热装 置44、连通加热装置44的传输管道41、连通传输管道41的过滤器43、连通 过滤器43的传输管道41以及连通传输管道41并位于晶圆架20上方的气体 释出装置42。 所述气体供应装置40提供的气体为氮气或惰性气体,例如氦、氖、氩、 氪等。所述加热装置44用以对于气体供应装置40提供的气体进行加热以提 高干燥的效率。所述过滤器43用以过滤经加热的气体中含有的污染物颗粒。 所述与气体供应装置40、气体释出装置42、过滤器43以及加热装置44相连 的传输管道41采用金属或硬质塑料的材质。所述传输管道41采用焊接或铆 接的方式与气体供应装置40、气体释出装置42、过滤器43以及加热装置44 相连。作为本发明实施例的一种可实现方式,所述传输管道41为不锈钢螺纹 管,通过螺纹旋紧的方式分别与气体供应装置40、气体释出装置42、过滤器 43以及加热装置44相连。 所述释出装置42包括用于向晶圆30表面吹气的喷枪423、连通传输管道 41并向喷枪423提供气体的传输软管(图中未标号)、用于固定喷枪的悬架 421、用于带动悬架421运动的马达422。所述喷枪423位于晶圆30上方并且 喷枪423的喷口指向晶圆30中心,所述喷枪423的喷口相对于晶圆30的角 度为30至45度,例如31度、32度、33度、34度、35度、36度、37度、 38度、39度、40度、41度、42度、43度、44度、45度。 如前所述,当晶圆完成清洗之后,就需要进行干燥以避免晶圆表面残留 的水份或是残留的清洗液反应物对后续制程造成影响。在晶圆30被放置于晶 圆架20上并固定好之后,旋转台10启动带动晶圆架20旋转,旋转台的转速 为3000-5000转/分钟,例如3000转/分钟、3200转/分钟、3400转/分钟、3600 转/分钟、3800转/分钟、4000转/分钟、4200转/分钟、4400转/分钟、4600转 /分钟、4800转/分钟、5000转/分钟。此时,气体供应装置40开启提供氮气或 惰性气体,氮气或惰性气体的气压为3至5Atm,例如3.2Atm、3.4Atm、3.6Atm、 3.8Atm、4Atm、4.2Atm、4.4Atm、4.6Atm、4.8Atm、5Atm。氮气或惰性气体 通过传输管道41到达加热装置44,加热装置44加热氮气或惰性气体的作用 是为了使得晶圆表面的水份能够更快地脱离晶圆表面,通过加热的氮气或惰 性气体温度为50至60℃,例如50℃、51℃、52℃、53℃、54℃、55℃、56 ℃、57℃、58℃、59℃、60℃。经过加热装置44加热的氮气或惰性气体再通 过传输管道41到达过滤器43,氮气或惰性气体经过过滤器43的过滤能够去 除微细颗粒污染物。所述过滤器43的过滤孔径为0.1um至0.16um,例如0.1um、 0.105um、0.11um、0.115um、0.12um、0.125um、0.13um、0.135um、0.14um、 0.145um、0.15um、0.155um、0.16um。经过过滤器43过滤的氮气或惰性气体 再经过传输管道41到达传输软管,由于传输软管与喷枪423连通,氮气或惰 性气体就通过喷枪423吹到晶圆表面。此时,马达422还会带动悬架421以 一定的角度旋转,马达422转动的角度应能够使得喷枪423喷出的氮气或惰 性气体能够覆盖整个晶圆30,因此马达422转动的角度其实是根据马达422 所处的位置以及喷枪423在晶圆30上方所处的位置来确定的。 实施例6 如图7所示,本发明实施例干燥装置包括, 旋转台10; 连接旋转台10位于旋转台10上方,用于放置晶圆30的晶圆架20; 用于向晶圆30表面吹气的干燥辅助装置,所述干燥辅助装置包括气体供 应装置40、连通气体供应装置40的传输管道41、连通传输管道41的第一过 滤器43、连通第一过滤器43的传输管道41、连通传输管道41的加热装置44、 连通加热装置44的传输管道41、连通传输管道41的第二过滤器45、连通第 二过滤器45的传输管道41以及连通传输管道41并位于晶圆架20上方的气 体释出装置42。 所述气体供应装置40提供的气体为氮气或惰性气体,例如氦、氖、氩、 氪等。所述第一过滤器43用以过滤气体供应装置40提供的气体中含有的污 染物颗粒。所述加热装置44用以对于气体供应装置40提供的气体进行加热 以提高干燥的效率。所述第二过滤器45用以过滤经加热的气体中含有的污染 物颗粒。所述与气体供应装置40、气体释出装置42、过滤器43以及加热装 置44相连的传输管道41采用金属或硬质塑料的材质。所述传输管道41采用 焊接或铆接的方式与气体供应装置40、气体释出装置42、第一过滤器43、加 热装置44以及第二过滤器45相连。作为本发明实施例的一种可实现方式, 所述传输管道41为不锈钢螺纹管,通过螺纹旋紧的方式分别与气体供应装置 40、气体释出装置42、第一过滤器43、加热装置44以及第二过滤器45相连。 所述释出装置42包括用于向晶圆30表面吹气的喷枪423、连通传输管道 41并向喷枪423提供气体的传输软管(图中未标号)、用于固定喷枪的悬架 421、用于带动悬架421运动的马达422。所述喷枪423位于晶圆30上方并且 喷枪423的喷口指向晶圆30中心,所述喷枪423的喷口相对于晶圆的角度为 30至45度,例如31度、32度、33度、34度、35度、36度、37度、38度、 39度、40度、41度、42度、43度、44度、45度。 如前所述,当晶圆完成清洗之后,就需要进行干燥以避免晶圆表面残留 的水印或是残留的清洗液反应物对后续制程造成影响。在晶圆30被放置于晶 圆架20上并固定好之后,旋转台10启动,带动晶圆架20旋转,旋转台的转 速为3000-5000转/分钟,例如3000转/分钟、3200转/分钟、3400转/分钟、 3600转/分钟、3800转/分钟、4000转/分钟、4200转/分钟、4400转/分钟、4600 转/分钟、4800转/分钟、5000转/分钟。此时,气体供应装置40开启提供氮气 或惰性气体,氮气或惰性气体的气压为3至5Atm,例如3.2Atm、3.4Atm、 3.6Atm、3.8Atm、4Atm、4.2Atm、4.4Atm、4.6Atm、4.8Atm、5Atm。氮气或 惰性气体通过传输管道41到达第一过滤器43,氮气或惰性气体经过第一过滤 器43的过滤能够去除微细颗粒污染物。所述第一过滤器43的过滤孔径为 0.1um至0.16um,例如0.1um、0.105um、0.11um、0.115um、0.12um、0.125um、 0.13um、0.135um、0.14um、0.145um、0.15um、0.155um、0.16um。经过第一 过滤器43过滤的氮气或惰性气体通过传输管道41到达加热装置44,加热装 置44加热氮气或惰性气体的作用是为了使得晶圆表面的水份能够更快地脱离 晶圆,通过加热的氮气或惰性气体温度为50至60℃,例如50℃、51℃、52 ℃、53℃、54℃、55℃、56℃、57℃、58℃、59℃、60℃。经过加热装置44 加热的氮气或惰性气体再通过传输管道41到达第二过滤器45,氮气或惰性气 体经过第二过滤器45的过滤能够进一步去除微细颗粒污染物。所述第二过滤 器45的过滤孔径为0.1um至0.16um,例如0.1um、0.105um、0.11um、0.115um、 0.12um、0.125um、0.13um、0.135um、0.14um、0.145um、0.15um、0.155um、 0.16um。经过第二过滤器45过滤的氮气或惰性气体再经过传输管道41到达 传输软管,由于传输软管与喷枪423连通,氮气就通过喷枪423吹到晶圆表 面。此时,马达422还会带动悬架421以一定的角度旋转,马达422转动的 角度应能够使得喷枪423喷出的氮气或惰性气体能够覆盖整个晶圆30,因此 马达422转动的角度其实是根据马达422所处的位置以及喷枪423在晶圆30 上方所处的位置来确定的。 为了验证本发明实施例干燥装置的晶圆干燥效果,选取现有的用于晶圆 湿法清洗的TEL公司的型号为SS-4的湿法清洗设备以及本发明实施例6的干 燥装置作对比试验,而TEL公司的湿法清洗设备本身已含有用于晶圆干燥的 干燥装置,在使用本发明实施例6的干燥装置的时候又分成两种方法,一种 是在旋转台开始旋转的同时通入氮气,并且持续10分钟,而另一种也是在旋 转台开始旋转的同时通入氮气,但是通入氮气的时间会一直持续到晶圆干燥 完成。所述试验结果如下表所示, 表1   旋转台转速(转/分 钟) 氮气通入时间(分 钟) 晶圆干燥完成时间 (分钟) TEL公司的湿法清 洗设备中的干燥装 置 3000 >30 本发明实施例6干 燥装置 3000 10 20 本发明实施例6干 燥装置 3000 15 <15 从上表中可以看到,采用本发明实施例6的干燥装置进行晶圆干燥的时 间比采用TEL公司的湿法清洗设备中的干燥装置进行晶圆干燥的时间要少。 并且,通入氮气的时间越长,晶圆干燥完成的时间也越快。如表1中所示, 当通入氮气的时间为10分钟时,晶圆干燥完成的时间是20分钟,而当在晶 圆干燥的过程中持续通入氮气的话,晶圆干燥完成的时间小于15分钟。由此 可以看出,在晶圆干燥的过程中通入氮气的时间越长,晶圆干燥完成的时间 也越少,晶圆干燥的效率也越高。 综上所述,上述方案通过增设干燥辅助装置向晶圆吹气,使得残留的水 份能够地从晶圆表面去除,不但避免了晶圆干燥之后表面残留水份,并且减 少了晶圆干燥的时间,因而提高了晶圆干燥的效率。 虽然本发明已以较佳实施例披露如上,但本发明并非限定于此。任何本 领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改, 因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

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